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由感應(yīng)法生產(chǎn)多晶硅錠的方法及其實(shí)施裝置的制作方法

文檔序號:3360886閱讀:163來源:國知局
專利名稱:由感應(yīng)法生產(chǎn)多晶硅錠的方法及其實(shí)施裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及生產(chǎn)多晶硅,尤其是涉及由感應(yīng)法生產(chǎn)多晶硅,并且能用在由該多晶硅制造太陽電池方面。晶體硅用于生產(chǎn)太陽電池,以將太陽能轉(zhuǎn)換成電能。單晶硅通常用于這一目的。
背景技術(shù)
最近完成的研究已經(jīng)證明,由大晶體形成的多晶硅(polycrystalline silicon), 所謂多晶硅(multicrystalline silicon),其允許達(dá)到的太陽能轉(zhuǎn)換成電能的效率接近于單晶硅的該效率。用于生產(chǎn)多晶硅的設(shè)備的產(chǎn)能比用于生產(chǎn)單晶硅的設(shè)備的產(chǎn)能高數(shù)倍, 其技術(shù)比得到單晶硅容易。多晶硅的使用能降低太陽電池板的成本,并能在產(chǎn)業(yè)層面上開始其生產(chǎn)。目前使用的是一種由感應(yīng)法生產(chǎn)多晶硅錠的方法,其包括連續(xù)供給,以及在水冷坩堝的可移動床上的硅熔池中感應(yīng)熔融多晶塊狀的硅批料,將熔化的硅鑄造成熔融空間的形狀,然后結(jié)晶成多晶硅錠(美國專利US,457^12)。熔池包含在由使用水冷坩堝形成的渣殼中,該水冷坩堝包括用水冷卻的垂直銅管部分。該銅管部分間隔分離,形成周邊上封閉的熔融容積。各部分之間的間隔允許感應(yīng)器電磁場穿透到坩堝熔融容積中。該熔融容積能形成圓環(huán)、正方形或長方形。在熔融過程中,熔池充滿整個坩堝的橫斷面積,因此導(dǎo)致熔融和鑄造硅池成具有特殊的橫向尺寸和形狀的錠塊。由于硅批料熔融,且坩堝的可移動底向下移動,在熔池底部的池進(jìn)行結(jié)晶。錠塊的移動速度與塊狀批料在熔池上部的熔融速度相對應(yīng)。作為該已知方法的結(jié)果,生產(chǎn)出具有特殊的橫截面的長的多晶硅錠,且隨后用在太陽電池板的生產(chǎn)中。上述由感應(yīng)法生產(chǎn)多晶硅錠的方法的缺點(diǎn)是,由于錠塊中出現(xiàn)的熱應(yīng)力,導(dǎo)致由該錠塊生產(chǎn)的電極板低質(zhì)量退化。錠塊中的以及由該錠塊制備的電極板中的熱應(yīng)力導(dǎo)致由這些電極板形成的太陽電池的能量轉(zhuǎn)換效率下降。另外,由于熱應(yīng)力造成的它們的斷裂,優(yōu)良電極板的生產(chǎn)率也降低了。上述問題被由感應(yīng)法生產(chǎn)多晶硅錠的方法解決,該方法在歐洲專利EP,125486中有描述。根據(jù)該已知的方法,其提供了將連續(xù)鑄造過程中得到的硅錠塊用位于水冷坩堝下方的加熱器進(jìn)行額外加熱,并且將該錠塊用位于水冷坩堝上方的等離子管的等離子放電進(jìn)行額外加熱。同時,等離子放電掃描整個池表面。通過使用該方法,能提供在預(yù)定的長度溫度梯度范圍內(nèi)將得到的錠塊進(jìn)行控制冷卻。等離子管的電路通過特殊的接觸在硅錠塊上成環(huán),等離子管排列在錠塊離開處理腔室的位置的下方。該方法提供了覆蓋硅錠塊半徑的溫度梯度降低至9. . . 7°C /m,且因此導(dǎo)致由該錠塊制備的電極板得到將太陽能轉(zhuǎn)換成電能的高效率(14. 2. . . 14. 5% ) ο然而,在持續(xù)熔融和對熔池長期供給塊狀批料生產(chǎn)多晶硅長錠期間,僅在該過程的開始階段,熔池中的雜質(zhì)的濃度與裝載批料中的雜質(zhì)濃度相當(dāng)。錠塊中的雜質(zhì)濃度由每一種雜質(zhì)的分離因子限定。由于原料中典型雜質(zhì)的分離因子小于1,錠塊中每一種雜質(zhì)的濃度小于它們在熔融中的濃度。錠塊生長的越長,由于雜質(zhì)的積累,在熔池中雜質(zhì)的濃度就越高,且因此在生產(chǎn)的多晶硅錠中它們的濃度也增高。當(dāng)池中雜質(zhì)的濃度超過每一種具體雜質(zhì)的規(guī)定限度時,多晶硅不適合于生產(chǎn)太陽電池。雜質(zhì)濃度高于規(guī)定限度的這部分錠塊,不能用于生產(chǎn)太陽電池而被廢棄,因此明顯減少了生產(chǎn)具有高轉(zhuǎn)換效率的太陽電池的量。與請求保護(hù)的本發(fā)明最相關(guān)的方法是一種描述在歐洲專利EP,1754806中的用感應(yīng)法生產(chǎn)多晶硅錠塊的方法。該方法包括裝料,并在可控氣氛下、在水冷坩堝的熔融空間中的可移動底上,啟動加熱塊狀硅裝入料,制成熔化的硅浴,然后將熔化的硅進(jìn)行熔融和鑄造以形成熔融空間的形狀,結(jié)晶成多晶硅錠,并且使用加熱設(shè)備將硅錠進(jìn)行可控冷卻。當(dāng)多晶硅錠冷卻下來,將多晶硅錠借由氣封件從處理腔室移出,阻止空氣滲入腔室,并且將多晶硅錠用切割機(jī)切成定尺型材。為了提高該方法的效率,池中雜質(zhì)濃度達(dá)到允許限度后,停止熔融處理,熔融池結(jié)晶,將分隔設(shè)備移動到水冷坩堝的熔融容積中的結(jié)晶錠中,以阻隔熔融容積并防止分隔設(shè)備底表面下的不純硅進(jìn)入上表面。同時,初始的硅塊狀批料供給在分割設(shè)備的上表面上,從供料和開始加熱硅塊狀批料開始重復(fù)操作?,F(xiàn)有技術(shù)具有如下缺點(diǎn)。當(dāng)感應(yīng)熔融和鑄造都停止時,如果在得到長錠塊(如Hm長)過程中池中的雜質(zhì)達(dá)到它們的臨界含量,大約2. 5m長的錠塊的整個上部位于加熱設(shè)備內(nèi),處理腔室(氣封件上部)應(yīng)當(dāng)運(yùn)行控制冷卻步驟。為了該目的,控制冷卻在與應(yīng)用于整個錠塊的模式類似的模式中進(jìn)行,并且該步驟進(jìn)行大約30小時。另外,將分隔設(shè)備插入熔爐熔融容積、恢復(fù)熔融和鑄造過程的每一步驟需要大約7. 2小時。在此期間,池不能提供感應(yīng)熔融和鑄造。將分隔設(shè)備插入熔融容積的步驟需要高精密度,由于在安裝分隔設(shè)備過程中,甚至小的安裝錯誤都可能導(dǎo)致其阻塞和水冷坩堝的損壞,因此導(dǎo)致熔融和鑄造的強(qiáng)制終止。而且,將其它材料-具體而言是氮化硅或石墨,制成的分隔設(shè)備插入到熔池中,引起錠塊下部的污染,使其變的不純,并且導(dǎo)致降低優(yōu)良硅的質(zhì)量和產(chǎn)量。在已經(jīng)制備的硅錠頂部恢復(fù)熔融的需要,導(dǎo)致需要停止將硅錠移動到加熱設(shè)備中且保持硅錠位于水冷坩堝中很長時間。這導(dǎo)致硅錠的這部分不受控冷卻,在該區(qū)域出現(xiàn)熱應(yīng)力和微裂紋,因此,需要擯棄該錠塊的下部。歐洲專利EP,1754806描述了一種用于生產(chǎn)多晶硅錠的系統(tǒng),其包括腔室,安裝在具有可移動底的水冷坩堝中,和用于控制冷卻錠塊的加熱設(shè)備。該水冷坩堝包括由電導(dǎo)材料和熱導(dǎo)材料-特別是銅制成的隔離部分,由水流冷卻。該水冷坩堝由感應(yīng)器包圍并且連接到料倉??梢苿拥自O(shè)計(jì)成隨加熱設(shè)備向上和向下移動。另外,該系統(tǒng)提供一種分隔設(shè)備 (分配器),能安裝在水冷坩堝的熔融容積中的結(jié)晶錠上。硅塊狀批料的后續(xù)加熱,熔融和鑄造能在該分隔設(shè)備的上表面上方發(fā)生。該現(xiàn)有系統(tǒng)的缺點(diǎn)是低生產(chǎn)能力,尤其是當(dāng)使用高雜質(zhì)含量的批料時。與請求保護(hù)的本發(fā)明最相關(guān)是,一種用于由感應(yīng)法生產(chǎn)多晶硅錠的裝置,其記載在歐洲專利EP,0349904中。在該裝置中,料倉與腔室內(nèi)連接,其中安裝如下的設(shè)備被感應(yīng)器包圍的水冷坩堝,用于啟動加熱硅塊狀批料的設(shè)備,具有連接到移動設(shè)備的桿的可移動底,以及控制冷卻室,其具有加熱設(shè)備,位于水冷坩堝下方。該可移動底隨加熱設(shè)備布置成向上和向下移動。可用的加熱設(shè)備是,當(dāng)硅錠在控制冷卻室內(nèi)連續(xù)移動時,能控制生成的硅錠的冷卻速度,因此實(shí)現(xiàn)覆蓋錠塊長度的溫度梯度降低到5-10°C /cm范圍內(nèi)?,F(xiàn)有技術(shù)的裝置的缺點(diǎn)是,當(dāng)使用具有高含量雜質(zhì)的硅塊狀批料時,例如使用冶金級硅,特點(diǎn)是鐵(Fe)和鋁(Al)混合物的含量增多,錠塊質(zhì)量下降且產(chǎn)量降低。當(dāng)狗含量超過0.01ppmw,Al含量超過0. lppmw,太陽電池的運(yùn)作能力降低。由于隔離上述雜質(zhì),因此,取決于雜質(zhì)的量的不同而不同,令人滿意的硅質(zhì)量是生產(chǎn)的多晶硅錠保持在限制長度內(nèi),不超過2-細(xì)。然而,在生產(chǎn)上述長度的錠塊期間需要從水冷坩堝中移去錠塊,控制冷卻室增加與感應(yīng)熔融和鑄造的時間的相關(guān)性,并且設(shè)備生產(chǎn)能力下降。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的是,改進(jìn)由感應(yīng)生產(chǎn)多晶硅錠的方法,由于所提出的重新定位的錠塊,且具有可移動底的加熱設(shè)備處于控制冷卻中,使得生產(chǎn)太陽電池的多晶硅的產(chǎn)量增加。本發(fā)明的另一目的是,升級生產(chǎn)多晶硅的設(shè)備,由于所提設(shè)計(jì)將增加得到適用于生產(chǎn)太陽電池的多晶硅錠的生產(chǎn)能力。所提出的使用感應(yīng)得到多晶硅錠的方法包括如下步驟,裝料,并在控制氣氛中、在水冷坩堝的熔融空間中的可移動底上,啟動加熱塊狀硅裝入料,制成熔化硅浴,然后將熔化硅熔融和鑄造成熔融空間的形狀,結(jié)晶成多晶硅錠,使用加熱設(shè)備可控地冷卻硅錠,當(dāng)熔化硅中的雜質(zhì)含量達(dá)到臨界時,終止熔融和鑄造步驟,并且從裝料和啟動加熱塊狀硅裝入料開始重復(fù)處理步驟。根據(jù)本發(fā)明,終止熔融和鑄造步驟時,由于整個錠塊是可控的冷卻,結(jié)晶多晶硅錠剩余部分的步驟結(jié)束;結(jié)晶完成時,多晶硅錠與可移動底和加熱設(shè)備一起移去, 并且以可控方式進(jìn)一步冷卻;并且同時,將另一套包括另一個可移動底的加熱設(shè)備提供到空出的空間;然后將該另一個可移動的底移動到水冷坩堝內(nèi);并且該處理步驟是重復(fù)的, 以生產(chǎn)下個錠塊。移去多晶硅錠和加熱設(shè)備的同時,通過180度旋轉(zhuǎn)轉(zhuǎn)動供給另一套加熱設(shè)備和另一個可移動底,是請求保護(hù)的方法的優(yōu)選具體實(shí)施方式
。本請求保護(hù)的發(fā)明的另一方面是,提出一種裝置,用于實(shí)施采用感應(yīng)法生產(chǎn)多晶硅錠的方法,其包括連接到料倉的腔室,該腔室包括由感應(yīng)器包圍的水冷坩堝,啟動加熱塊狀硅裝入料的設(shè)備,和具有連接到移動裝置的桿的可移動底;以及設(shè)置在水冷坩堝的下方的控制冷卻室,包括加熱設(shè)備,隨加熱設(shè)備能向上和向下移動的可移動底。根據(jù)本發(fā)明,請求保護(hù)的裝置進(jìn)一步包括安裝在控制冷卻室中的平臺,能沿軸旋轉(zhuǎn),在該平臺上安裝所述加熱設(shè)備;該裝置進(jìn)一步還包括至少一個安裝在平臺上的加熱設(shè)備,以及和連接到相配的移動裝置上的桿一起設(shè)置在上述另一個加熱設(shè)備上的另一個可移動底。在本發(fā)明的一個優(yōu)選具體實(shí)施方式
中,該裝置包括兩套加熱設(shè)備,沿旋轉(zhuǎn)軸對稱的安裝在平臺上。同時,每一套加熱設(shè)備具有垂直改變溫度的程序(algorithm),以確保規(guī)定的溫度梯度保持在生產(chǎn)的多晶硅錠中。經(jīng)實(shí)驗(yàn)確定,首先同時實(shí)施感應(yīng)熔融和鑄造,以及控制冷卻,然后停止感應(yīng)熔融、 錠塊鑄造和結(jié)晶,在準(zhǔn)備和開始下一個錠塊的生產(chǎn)過程中,該錠塊持續(xù)受控冷卻,這提供了具有控制雜質(zhì)含量的錠塊的生產(chǎn)。另外,所提供的多晶硅錠控制冷卻階段,能在整個冷卻過程中不被打斷的實(shí)施,允許依據(jù)原料中雜質(zhì)的量靈活調(diào)整生產(chǎn)的錠塊的長度。
因此,請求保護(hù)的方法是有效的方法,其特征在于適合于生產(chǎn)太陽電池的錠塊的高產(chǎn)量,并能使用具有高雜質(zhì)含量的批料。感應(yīng)熔融停工周期減少,控制冷卻過程與熔融和鑄造過程沒有依賴關(guān)系,允許增加該生產(chǎn)多晶硅系統(tǒng)的生產(chǎn)能力。


本發(fā)明由所附

,但并不限于所附附圖。附圖闡明由感應(yīng)法生產(chǎn)多晶硅錠的裝置,其具有兩套加熱設(shè)備,以控制冷卻多晶硅,其中圖1是裝置在啟動加熱步驟的具體實(shí)施方式
;圖2是圖1的裝置在感應(yīng)熔融和鑄造多晶硅錠步驟;圖3說明多晶硅錠在移動前的位置;圖4說明多晶硅錠移動后的位置;圖5是圖1的裝置在感應(yīng)熔融和鑄造下一個多晶硅錠以及移去前一個多晶硅錠的步驟;圖6顯示鐵濃度對應(yīng)多晶硅錠長度的變化圖表,多晶硅錠具有正方型橫截面(邊長337mm),所用原料具體見表。
具體實(shí)施例方式用于采用感應(yīng)法生產(chǎn)多晶硅錠的裝置,如圖1所示,包括連接料倉2的腔室1,由感應(yīng)器4包圍的水冷坩堝3。具有連接到移動設(shè)備的桿6的可移動底5,以及塊狀硅裝入料8 的啟動加熱設(shè)備7安裝在腔室1中。啟動加熱設(shè)備7由傳導(dǎo)材料制成,例如石墨。水冷坩堝3由用水冷的銅件制成。在腔室1中,在水冷坩堝下方,設(shè)置有控制冷卻室9,控制冷卻室 9包括加熱設(shè)備10和相似的加熱設(shè)備11??梢苿拥?設(shè)置成隨加熱設(shè)備10垂直移動。加熱設(shè)備11包括可移動底12,具有連接到相應(yīng)移動設(shè)備的桿13??梢苿拥?2能隨加熱設(shè)備 11垂直移動。加熱設(shè)備10和11都安裝在平臺14上。平臺14放置在控制冷卻室9中,能沿軸15旋轉(zhuǎn)。腔室1經(jīng)氣封件17連接到卸料設(shè)備16。該裝置的工作原理如下。在腔室1中,在控制氣氛下,可移動底5向水冷坩堝3移動,由感應(yīng)器4產(chǎn)生高頻電磁場。塊狀硅裝入料8從料倉2中卸載到水冷坩堝3和可移動底5產(chǎn)生的熔融空間18 中。然后,啟動加熱設(shè)備7插入到熔融空間18中,位于感應(yīng)器4產(chǎn)生的高頻電磁場中。啟動加熱設(shè)備7開始加熱,塊狀硅裝入料8升溫并在熱輻射和感應(yīng)器4產(chǎn)生的電磁場作用下開始熔化(圖1)。當(dāng)在熔融空間18中,熔池19以熔融空間18橫截面的形式產(chǎn)生,啟動加熱設(shè)備7 從感應(yīng)器4產(chǎn)生的電磁場中移去。由于熔池19周圍伴隨的熱幅射,該池結(jié)晶,并且形成渣殼(skull),防止該池從熔融空間18溢出。形成熔池19后,塊狀硅裝入料8持續(xù)從料倉2 供給到其表面。塊狀硅裝入料8熔化,同時,可移動底5和具有渣殼的熔池19不斷的向下移動。移動允許的速度是以熔池19相對感應(yīng)器4和水冷坩堝3保持不變的水平,多晶硅錠 20的結(jié)晶在熔池的下部持續(xù)進(jìn)行。因此,形成的多晶硅錠20不斷向下的向著加熱設(shè)備10 移到控制冷卻室9中,進(jìn)行控制冷卻并且熱應(yīng)力移去(圖2)。
如果該池中雜質(zhì)含量達(dá)到臨界,停止塊狀硅裝入料8的供給,移去感應(yīng)器4的電磁場,并且停止感應(yīng)熔融和池鑄造。生成的多晶硅錠20從水冷坩堝3中移去,放置到加熱設(shè)備10中以停止結(jié)晶(圖幻。然后,多晶硅錠20與可移動底5和加熱設(shè)備10—起通過旋轉(zhuǎn)平臺14轉(zhuǎn)移,并且錠塊繼續(xù)控制冷卻(圖4)。這樣的移動能完成,例如通過沿軸15進(jìn)行 180度旋轉(zhuǎn)轉(zhuǎn)動平臺14。重新定位多晶硅錠20以及可移動底5和加熱設(shè)備10的同時,具有可移動底12的加熱設(shè)備11移動到空出空間(圖4)。加熱設(shè)備10和11電動切換,并且相應(yīng)的改變溫度調(diào)
整程序。為了得到下一個錠塊22,可移動底12轉(zhuǎn)移到水冷坩堝3,限定一個新的熔融空間 21,處理步驟從供給和啟動加熱塊狀硅裝入料開始進(jìn)行重復(fù)(圖幻。位于加熱設(shè)備10中的降溫的多晶硅錠20,在可移動底5上向上移動到卸料設(shè)備16中。下面是根據(jù)本發(fā)明的方法,使用如上描述的裝置,用感應(yīng)法如何得到多晶硅錠的實(shí)施例。實(shí)施例使用具有正方形橫截面且每邊長340mm的熔融空間的裝置,以得到多晶硅錠。該裝置允許生成具有正方形橫截面且每邊長337mm的多晶硅錠。作為用于生產(chǎn)多晶硅錠的原料,使用的冶金級塊硅具有下述常見混合物,諸如硼 (B)、磷(P)、鐵(Fe)和鋁(Al)。原料中的雜質(zhì)含量見表。另外,使用合金以保持比電阻率在 0. 8-1. 20hmX cm 范圍內(nèi)。表冶金級塊狀體硅批料中常見雜質(zhì)含量
權(quán)利要求
1.一種由感應(yīng)法生產(chǎn)多晶硅錠的方法,包括如下步驟裝料,并在控制氣氛中、在水冷坩堝的熔融空間中的可移動底上,啟動加熱塊狀硅裝入料,制成熔化硅浴,然后將熔化硅熔融和鑄造成熔融空間的形狀,結(jié)晶成多晶硅錠,使用加熱設(shè)備可控地冷卻硅錠,當(dāng)熔化硅中的雜質(zhì)含量達(dá)到臨界時,終止熔融和鑄造步驟,以及從裝料和啟動加熱塊狀硅裝入料開始重復(fù)該處理步驟,其特征在于,終止熔融和鑄造步驟時,由于整個錠塊是可控的冷卻,多晶硅錠剩余部分的結(jié)晶步驟結(jié)束;結(jié)晶完成時,多晶硅錠與可移動底和加熱設(shè)備一起移去,并且以可控方式進(jìn)一步冷卻;并且同時,將另一套包括另一個可移動底的加熱設(shè)備提供到空出的空間;然后將該另一個可移動的底移動到水冷坩堝內(nèi);并且重復(fù)該處理步驟,以生產(chǎn)下個錠塊。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法,其特征在于,移去多晶硅錠和加熱設(shè)備的同時,通過 180度旋轉(zhuǎn)轉(zhuǎn)動供給另一套加熱設(shè)備和另一個可移動底。
3.一種用感應(yīng)法生產(chǎn)多晶硅錠的裝置,包括連接到料倉的腔室,該腔室包括由感應(yīng)器包圍的水冷坩堝,啟動加熱塊狀硅裝入料的設(shè)備,和具有連接到移動裝置的桿的可移動底;以及設(shè)置在水冷坩堝的下方的控制冷卻室,其包括加熱設(shè)備,隨加熱設(shè)備能向上和向下移動的可移動底,其特征在于,該裝置進(jìn)一步包括安裝在控制冷卻室中的平臺,能沿軸旋轉(zhuǎn),在該平臺上安裝有加熱設(shè)備;該裝置進(jìn)一步還包括至少一個安裝在平臺上的加熱設(shè)備, 以及和連接到相配的移動裝置的桿一起設(shè)置在上述另一個加熱設(shè)備上的另一個可移動底。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的裝置,其特征在于,該裝置包括兩套加熱設(shè)備,沿旋轉(zhuǎn)軸對稱的安裝在平臺上。
全文摘要
本發(fā)明涉及使用感應(yīng)法制備多晶硅。該方法包括以熔融空間的形式熔融和鑄造池,結(jié)晶多晶硅錠,并且通過加熱設(shè)備將其控制冷卻。池熔融和鑄造終止后,隨著整個錠塊的控制冷卻,結(jié)晶硅錠剩余部分的結(jié)晶完成;然后將錠塊以及可移動底和加熱設(shè)備一起移去;然后繼續(xù)控制冷卻。同時,另一個加熱設(shè)備與另一個可移動底供給到空出空間;然后新的可移動底移動到水冷坩堝中;為了生產(chǎn)下一個錠塊,重復(fù)處理步驟。實(shí)施該方法使用的設(shè)備,進(jìn)一步包括安裝在控制冷卻室中的平臺,設(shè)計(jì)成沿其軸旋轉(zhuǎn)。該平臺具有至少兩個加熱設(shè)備。本發(fā)明確保能提高適用于太陽電池制造的多晶硅的產(chǎn)量。
文檔編號B22D27/02GK102438773SQ200980150565
公開日2012年5月2日 申請日期2009年12月14日 優(yōu)先權(quán)日2008年12月15日
發(fā)明者A·史庫魯科夫, A·舍甫丘克, S·波辛剛, S·白令戈夫, S·馬切科, V·奧尼琴科, Y·切帕克 申請人:Tesys有限公司, 皮拉股份公司, 硅太陽能電池公司
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