專利名稱：真空濺射裝置的制作方法
技術領域：
本發(fā)明涉及一種濺射裝置，尤其涉及一種真空濺射裝置。
背景技術：
真空鍍膜技術中的濺鍍法(Sputtering)，其原理是在一真空腔體中通入工作氣體 (通常為Ar或N2等惰性氣體)，并以基材為陽極，以靶材為陰極，使得工作氣體在高壓 電場作用下，被解離成正離子與電子，即形成等離子(Plasma)，而等離子中的正離子在 高壓電場中會加速移動并轟擊靶材(Target)的表面，使靶材原子或團簇(Cluster)濺飛出 并沉積、附著在目標基材(Substrate)的表面上，以形成薄膜。在現有的真空濺射裝置中，一般使用單一真空腔體進行鍍膜。鍍膜過程一般 包括以下步驟1.將待鍍產品放入單一腔體中；2.關閉閥門，并將單一腔體抽為真空； 3.預熱待鍍產品以及靶材；4.對待鍍產品濺射鍍膜。濺鍍完成后，打開閥門，并將完成 鍍膜的產品取出。然而，將腔體打開時，腔體即喪失真空狀態(tài)，進入腔體內的空氣會與 還有余熱的靶材接觸，使得靶材很容易被氧化，進而影響下一次濺鍍制程的鍍膜質量。

發(fā)明內容
有鑒于此，有必要提供一種能夠提高鍍膜質量的真空濺射裝置。一種真空濺射裝置，其用于對基材鍍膜。所述真空濺射裝置包括內空的第一屏 蔽罩以及第二屏蔽罩，所述第一屏蔽罩與所述第二屏蔽罩之間設置有一第一閥門，所述 第一閥門用于控制所述第一屏蔽罩與所述第二屏蔽罩隔開或連通。所述第一屏蔽罩上開 設有一抽真空孔，其用于在每次打開第一閥門前，通過一真空裝置將第一屏蔽罩內部抽 為真空。所述第二屏蔽罩的內側壁上設置有多個靶材。所述第一屏蔽罩在與第一閥門相 對的底面上設置有一升降裝置，所述升降裝置包括一軸向氣壓缸以及一支撐軸。所述基 材設置在支撐軸遠離軸向氣壓缸的端部且朝向所述第二屏蔽罩。所述軸向氣壓缸固定在 第一屏蔽罩上，其用于控制所述支撐軸相對所述第二屏蔽罩往返運動，使得基材進入第 二屏蔽罩與靶材相對或者從第二屏蔽罩回到第一屏蔽罩內。與現有技術相比，本發(fā)明的真空濺射裝置，通過使用第一屏蔽罩以及升降裝置 在第二屏蔽罩與外界空氣之間傳遞基材，并在每次打開第一閥門前將第一屏蔽罩內部抽 為真空，能夠在濺鍍過程中保持第二屏蔽罩始終為真空狀態(tài)，避免空氣進入第二屏蔽罩 氧化靶材，提高了鍍膜質量。


圖1為本發(fā)明較佳實施方式提供的真空濺射裝置在濺鍍前的結構示意圖；圖2為圖1的真空濺射裝置在濺鍍時的結構示意圖；圖3為圖1的真空濺射裝置在濺鍍后的結構示意圖。
具體實施例方式下面將結合附圖對本發(fā)明作進一步的詳細說明。如圖1所示，本發(fā)明實施方式提供的一種真空濺射裝置100，其用于在真空環(huán)境 下通過濺射方式對基材200進行鍍膜。本實施方式中，所述基材200為手機外殼。所述 真空濺射裝置100包括內空的第一屏蔽罩10、第二屏蔽罩20以及第三屏蔽罩30，所述第 二屏蔽罩20以及第三屏蔽罩30并排在所述第一屏蔽罩10的一外側表面。所述第二屏蔽 罩20以及第三屏蔽罩30的內側壁上分別均勻分布有多個靶材40，所述靶材40用于在加 熱狀態(tài)下向基材200提供鍍膜粒子，所述第二屏蔽罩20用于對靶材40加熱并對基材200 濺鍍。所述第一屏蔽罩10與第二屏蔽罩20、第三屏蔽罩30之間設置有一第一閥門50， 所述第一閥門50用于控制第一屏蔽罩10與第二屏蔽罩20、第三屏蔽罩30連通或隔開。所述真空濺射裝置100上還開設有抽真空孔101、基材接地線孔102以及靶材接 地線孔103。所述抽真空孔101用于在每次打開第一閥門50前，將第一屏蔽罩10內部抽 為真空。所述基材200上連接有一基材接地線201，所述靶材50上連接有一靶材接地線 51。所述基材接地線201從所述基材接地線孔102引出真空濺射裝置100外，所述靶材 接地線51從所述靶材接地線103孔引出真空濺射裝置100外。所述第一屏蔽罩10包括一底面11以及垂直連接該底面11邊緣的多個側壁12， 該多個側壁12圍成一個空腔120，所述空腔120具有一個與該底面11相對的第一開口 121，所述第一閥門50設置在該第一開口 121位置。所述第一閥門50能夠沿平行于所述 底面11的方向運動。本實施方式中，所述第一閥門50的材料為塑膠。所述第一屏蔽罩 10相對設置的兩側壁12上分別開設有一個第二閥門13，所述第二閥門13用于供操作者 將基材200放入第一屏蔽罩10內。所述底面11上設置有一升降裝置14，所述基材200 設置在升降裝置14上。具體的，所述升降裝置14包括一旋轉馬達140、一軸向氣壓缸 142以及一支撐軸144。所述旋轉馬達140固定設置在所述底面11上，所述軸向氣壓缸 142連接在旋轉馬達140與支撐軸144之間，并用于控制所述支撐軸144相對第二屏蔽罩 20、第三屏蔽罩30上下運動。具體的，所述支撐軸144包括至少兩個對稱設置的支撐 桿144a，所述基材200分別固定在支撐桿144a遠離所述軸向氣壓缸142的一端。所述 升降裝置14還與一控制裝置16電連接，所述控制裝置16具有一旋轉馬達開關160以及 一軸向氣壓缸開關162。所述旋轉馬達開關160用于控制旋轉馬達140旋轉。本實施方 式中，所述控制裝置100根據旋轉馬達開關160的開啟命令，控制旋轉馬達140每次旋轉 180度。所述軸向氣壓缸開關162用于控制軸向氣壓缸142開閉，所述軸向氣壓缸142與 支撐軸144連通，所述支撐軸144根據軸向氣壓缸142的開閉進行伸縮。本實施方式中，所述第二屏蔽罩20以及第三屏蔽罩30的形狀與第一屏蔽罩10 相似，其不同之處在于所述第二屏蔽罩20形成有一第二開口 21，所述第三屏蔽罩30 形成有一第三開口 31，當所述第二屏蔽罩20以及第三屏蔽罩30并排在所述第一屏蔽罩 10的一外側表面時，所述第二開口 21、第三開口 31與第一開口 121正對。所述第一閥 門50活動設置在第一開口 121與第二開口 21、第三開口 31之間。另外，所述靶材40的材料可相同也可不同。具體的，靶材40的材料相同時， 所述真空濺射裝置100用于同時分別對所述基材200鍍單層膜，靶材40的材料不同時， 所述真空濺射裝置100用于分別對所述基材200鍍多層膜。
使用該真空濺射裝置100濺鍍前，打開第一閥門50以及第二閥門13，并將升降 裝置14固定在第一屏蔽罩10內，且使得升降裝置14的兩個支撐桿144a分別對正所述第 二屏蔽罩20的第二開口 21以及第三屏蔽罩30的第三開口 31。然后將基材200穿過第二 閥門13，固定在升降裝置14的兩個支撐桿144a頂部。關閉第二閥門13，并通過所述抽 真空孔101將所述第一屏蔽罩10、第二屏蔽罩20以及第三屏蔽罩30抽為真空。請參閱圖2，使用該真空濺射裝置100濺鍍時，啟動所述軸向氣壓缸開關162， 所述支撐軸144伸展，使得升降裝置14能夠將基材200分別送入第二屏蔽罩20以及第三 屏蔽罩30內，從而使得靶材40能夠對基材200分別進行濺鍍。請參閱圖3，濺鍍完成后，關閉軸向氣壓缸開關162，所述支撐軸144縮短，使 得基材200重新回到第一屏蔽罩10。同時，關閉第一閥門50。此時，如果鍍單層膜， 則可直接打開第二閥門13，將完成鍍膜的基材200從第一屏蔽罩10內取出。如果需要鍍 多層膜，則再次打開第一閥門50，并啟動旋轉馬達開關160，使得旋轉馬達140驅動升降 裝置14的支撐軸144旋轉180度，然后啟動軸向氣壓缸開關162，使升降裝置14將基材 200再次分別送入第二屏蔽罩20以及第三屏蔽罩30并進行再次濺鍍。本發(fā)明的真空濺射裝置100，通過使用第一屏蔽罩10以及升降裝置14在第二屏 蔽罩20與外界空氣之間傳遞基材200，并在每次打開第一閥門50前將第一屏蔽罩10內 部抽為真空，能夠在濺鍍過程中保持第二屏蔽罩20始終為真空狀態(tài)，避免外界空氣進入 第二屏蔽罩20氧化靶材40，提高了鍍膜質量。另外，通過增加第三屏蔽罩30以及在升 降裝置14上增加旋轉馬達140，使得所述真空濺射裝置100能夠同時對至少兩個基材200 進行濺鍍，且在靶材40材料不同時能夠同時鍍多層膜，大大提高了濺鍍效率。另外，本領域技術人員可在本發(fā)明精神內做其它變化，但是，凡依據本發(fā)明精 神實質所做的變化，都應包含在本發(fā)明所要求保護的范圍之內。
權利要求
1.一種真空濺射裝置，其用于對基材鍍膜，其特征在于，所述真空濺射裝置包括內 空的第一屏蔽罩以及第二屏蔽罩，所述第一屏蔽罩與所述第二屏蔽罩之間設置有一第一 閥門，所述第一閥門用于控制所述第一屏蔽罩與所述第二屏蔽罩隔開或連通；所述第一 屏蔽罩上開設有一抽真空孔，其用于在每次打開第一閥門前，通過一真空裝置將第一屏 蔽罩內部抽為真空，所述第二屏蔽罩的內側壁上設置有多個靶材；所述第一屏蔽罩在與 第一閥門相對的底面上設置有一升降裝置，所述升降裝置包括一軸向氣壓缸以及一支撐 軸，所述基材設置在支撐軸遠離軸向氣壓缸的端部且朝向所述第二屏蔽罩，所述軸向氣 壓缸固定在第一屏蔽罩上，其用于控制所述支撐軸相對所述第二屏蔽罩往返運動，使得 基材進入第二屏蔽罩與靶材相對或者從第二屏蔽罩回到第一屏蔽罩內。
2.如權利要求1所述的真空濺射裝置，其特征在于，所述真空濺射裝置上還開設有靶 材接地線孔以及基材接地線孔，所述基材上連接有一基材接地線，所述靶材上連接有一 靶材接地線，所述基材接地線從所述基材接地線孔引出真空濺射裝置外，所述靶材接地 線從所述靶材接地線孔弓I出真空濺射裝置外。
3.如權利要求1所述的真空濺射裝置，其特征在于，所述第一屏蔽罩垂直于第一閥門 的兩側壁上設置分別開設有一個第二閥門，所述第二閥門用于供操作者放入基材。
4.如權利要求1所述的真空濺射裝置，其特征在于，所述第一閥門沿平行于第一屏蔽 罩底面的方向運動。
5.如權利要求1所述的真空濺射裝置，其特征在于，所述真空濺射裝置還包括一第三 屏蔽罩，所述第三屏蔽罩與第二屏蔽罩并排在所述第一屏蔽罩的一側壁外表面上，所述 第三屏蔽罩的側壁內表面上也分布有多個靶材。
6.如權利要求5所述的真空濺射裝置，其特征在于，收容在第二屏蔽罩內的靶材與收 容在第三屏蔽罩內的靶材材料相同。
7.如權利要求5所述的真空濺射裝置，其特征在于，收容在第二屏蔽罩內的靶材與收 容在第三屏蔽罩內的靶材材料不同。
8.如權利要求7所述的真空濺射裝置，其特征在于，所述升降裝置還包括一與軸向氣 壓缸連接的旋轉馬達，所述旋轉馬達固定設置在第一屏蔽罩的底面上，所述軸向氣壓缸 連接在旋轉馬達與支撐軸之間，所述支撐軸包括至少兩個對稱設置的支撐桿，多個所述 基材分別固定在支撐桿的端部。
9.如權利要求8所述的真空濺射裝置，其特征在于，所述升降裝置與一控制裝置電連 接，所述控制裝置具有一旋轉馬達開關以及一軸向氣壓缸開關，所述旋轉馬達開關用于 控制旋轉馬達旋轉，所述軸向氣壓缸開關用于控制軸向氣壓缸開閉，所述軸向氣壓缸與 支撐軸連通，所述支撐軸根據軸向氣壓缸的開閉進行伸縮。
10.如權利要求9所述的真空濺射裝置，其特征在于，所述控制裝置根據旋轉馬達開 關的開啟命令，控制旋轉馬達每次旋轉180度。
全文摘要
一種真空濺射裝置，其用于對基材鍍膜。該真空濺射裝置包括內空的第一屏蔽罩以及第二屏蔽罩，第一屏蔽罩與第二屏蔽罩之間設置有一第一閥門，第一閥門用于控制第一屏蔽罩與第二屏蔽罩隔開或連通。第一屏蔽罩上開設有一抽真空孔，其用于在每次打開第一閥門前，通過一真空裝置將第一屏蔽罩內部抽為真空。第二屏蔽罩的內側壁上設置有多個靶材。第一屏蔽罩在與第一閥門相對的底面上設置有包括一軸向氣壓缸以及一支撐軸的升降裝置?；脑O置在支撐軸遠離軸向氣壓缸的端部且朝向所述第二屏蔽罩。軸向氣壓缸與第一屏蔽罩固定連接，其用于控制所述支撐軸相對第二屏蔽罩往返運動。該真空濺射裝置能夠提高鍍膜質量。
文檔編號C23C14/34GK102021521SQ20091030681
公開日2011年4月20日 申請日期2009年9月9日 優(yōu)先權日2009年9月9日
發(fā)明者吳佳穎, 王仲培 申請人:鴻富錦精密工業(yè)(深圳)有限公司, 鴻海精密工業(yè)股份有限公司