專利名稱：一種可凈化熔錫焲的合成化學(xué)粉末及其應(yīng)用治具與使用方法
技術(shù)領(lǐng)域：
一種可凈化熔錫煅的合成化學(xué)粉末及其應(yīng)用治具與使用方法，用以凈化一波峰 錫爐的熔錫煅，本發(fā)明尤指一種添加于熔錫煅面上以后，具有在熔錫煅面上可即時(shí)隨線 (Real-time, In-line)形成一個(gè)活性化合物凈化煅的煅面，并持續(xù)分離錫渣(氧化錫或不 熔錫，Oxide solder or Dross)中的錫與雜質(zhì)并立即將分離的各項(xiàng)雜質(zhì)吸收包覆的可凈化 熔錫煅的合成化學(xué)粉末。
背景技術(shù)：
熔錫煅焊接方法及設(shè)備，應(yīng)用于印刷電路板(PCB)、電子零組件、印刷電路板組 裝(PCBA)等生產(chǎn)技術(shù)與工業(yè)領(lǐng)域，此種技術(shù)于第二次世界大戰(zhàn)前就已受到運(yùn)用，二戰(zhàn)后更 因相關(guān)科學(xué)與技術(shù)的蓬勃發(fā)展，進(jìn)而全面廣泛的應(yīng)用于全球軍事及民生電子工業(yè)。迄今， 相關(guān)技術(shù)與設(shè)備經(jīng)過(guò)不斷演變、改善創(chuàng)新，以適應(yīng)印刷電路板線路布局、零組件微型化，及 提升信賴度及電路功能復(fù)雜化的需求，而波峰沾錫及其焊接技術(shù)應(yīng)用于穩(wěn)定品質(zhì)、大量生 產(chǎn)印刷電路板組裝與電子零組件焊接更顯得重要；所述的波峰沾錫設(shè)備歷史已超過(guò)三十 年以上，制造代表廠商如美國(guó)Electrovert,日本春田Tamuna,日本Koki、日本Yoshida、 臺(tái)灣超鉞電子、臺(tái)灣日椿電機(jī)、德國(guó)Vitronics Sol tec、加拿大Cof in、新加坡CEM、荷 蘭Harris等公司；同時(shí)，為降低與改善波峰錫爐工作時(shí)產(chǎn)生的錫渣(氧化錫、不熔錫、 Oxidesolder&Dross)、對(duì)焊錫用量的損耗與焊接品質(zhì)不良的負(fù)面影響，相關(guān)廠商也相應(yīng)推 出“抗氧化或還原粉末”或同性質(zhì)的溶液，將這些化學(xué)品與從熔錫煅面撈出的錫渣進(jìn)行混 合，進(jìn)而分離錫渣中的雜質(zhì)與熔錫，以便于回收熔錫；另一種實(shí)施的方式，則是將這些化學(xué) 品直接倒入熔錫煅面，直接分離錫渣中的雜質(zhì)與熔錫，此類型的抗氧化或還原粉末與溶液 的代表制造廠商如下美國(guó)Alfa Metals、日本Tamuna、荷蘭Kester、美國(guó)Qualitech、新加 坡PMI等公司。然而，現(xiàn)有的抗氧化或還原粉末與溶液的配方，在實(shí)務(wù)上應(yīng)用時(shí)，對(duì)錫渣(氧化 錫、不熔錫)中雜質(zhì)與熔錫的分離回收率并不高，其一般的省錫量約只有22%-42%，因此， 所產(chǎn)生的經(jīng)濟(jì)效益較低，故未能普遍應(yīng)用于波峰錫爐量產(chǎn)生產(chǎn)線中，絕大部分的使用者，都 采用直接將錫渣賣回給錫供應(yīng)商，以錫渣重量約60%原錫價(jià)格由錫供應(yīng)商回收，極少部分 使用者則采用錫料回收再使用系統(tǒng)(Solder recovery system, SRS)對(duì)錫渣(氧化錫、不熔 錫)中雜質(zhì)與熔錫進(jìn)行回收，其錫量回收率約可提高到約45%，但SRS設(shè)備價(jià)格與操作使用 零組件耗材費(fèi)用加入成本計(jì)算后，則回收金額會(huì)遠(yuǎn)低于直接將錫渣賣回給錫供應(yīng)商。請(qǐng)參閱圖1，圖中所示為一現(xiàn)有錫爐的運(yùn)行示意圖，如圖所示，當(dāng)一錫爐10于常態(tài) 運(yùn)行時(shí)，雜質(zhì)20會(huì)逐漸形成，而所述的雜質(zhì)20包括錫渣及不熔錫層(Oxide solder&Dross Layer)，常態(tài)錫爐10運(yùn)行時(shí)，雜質(zhì)20只會(huì)浮在熔錫煅30的煅面301，因?yàn)楸戎嘏c質(zhì)量較低 的雜質(zhì)20，以自由基分子的方式懸浮在熔錫煅30的煅面301，由于這些雜質(zhì)20分子含有大 量的氧化錫、錫粉等，所以與熔錫煅30有相互的親和性，而緣于此親和性，進(jìn)而轉(zhuǎn)化成熔錫
3分子間的假性或臨時(shí)架橋鍵(False or TemporaryCatalist)，這樣的轉(zhuǎn)化形成的新合成分 子一般就稱為錫渣及不熔錫(Oxidesolder&Dross)，即所述的雜質(zhì)20 ；如上，所述的雜質(zhì)20 生成的原因主要包括(1)熔錫煅30氧化后產(chǎn)生的錫灰；(2)原熔錫煅30內(nèi)含有的雜質(zhì)，例如礬土 ；(3)因溫差所產(chǎn)生的氧化金屬；(4)助焊劑形成的殘?jiān)?5)印刷電路板的沾錫面帶有的雜質(zhì)；(6)熔錫煅30流動(dòng)時(shí)因摩擦產(chǎn)生的碳粉等。如上，若錫爐10以全新錫料熔解成熔錫煅30，第一個(gè)小時(shí)內(nèi)，雜質(zhì)20產(chǎn)生的現(xiàn)象 很輕微，然而，實(shí)務(wù)上的實(shí)驗(yàn)也證實(shí)，雜質(zhì)20產(chǎn)生的速度和效率，與熔錫煅30內(nèi)含雜質(zhì)量成 正比，因此，若錫熔煅30的雜質(zhì)含量過(guò)高，在錫爐10運(yùn)行至第二個(gè)小時(shí)后，雜質(zhì)20 (錫渣及 不熔錫層)的厚度幾乎成等比例增長(zhǎng)，所以波峰錫爐的用戶均要求維護(hù)人員每?jī)蓚€(gè)小時(shí)必 須撈出雜質(zhì)20 (錫渣及不熔錫)一次。又，一般而言，錫渣中的錫含量平均約占總重量的95 %，但錫供應(yīng)商回收計(jì)價(jià)則只 有60%的價(jià)值，如此，即造成用戶額外錫耗用損失約35% ；又，錫爐10運(yùn)行時(shí)所產(chǎn)生的錫 渣及不熔錫層為一層硬化層，此硬化層經(jīng)常造成PCB臺(tái)車及產(chǎn)品撞傷，另外由于熔錫煅30 內(nèi)含雜質(zhì)量若過(guò)高，則會(huì)連帶導(dǎo)致潤(rùn)滑度(Lubrication scale)降低、粗糙度(Roughness scale)升高、及黏稠度(Viscosity scale)升高等問(wèn)題，而這種雜質(zhì)含量高的熔錫煅的可 焊性較差；請(qǐng)進(jìn)一步搭配參閱圖2，圖中所示為現(xiàn)有錫爐焊接產(chǎn)品焊點(diǎn)表面放大五百倍后 的分子晶相排列照像圖，如圖所示，由于熔錫煅30的雜質(zhì)含量過(guò)高時(shí)，會(huì)造成焊點(diǎn)表面粗 糙，這樣的金屬表面及內(nèi)層可焊性均較差，會(huì)導(dǎo)致焊接后產(chǎn)生假焊、空焊、不完整焊、導(dǎo)腳 橋接、錫尖、冰柱等焊接不良的情況，也使得波峰沾錫用于PCBA關(guān)鍵制程的成本也因而增 加；為了改善這個(gè)現(xiàn)象，大部份工程技術(shù)人員只能不斷提高生產(chǎn)錫溫，但不斷提高生產(chǎn)錫溫 的結(jié)果，則是會(huì)造成零件及PCB等材料產(chǎn)生立即性的損傷，如此，即降低了產(chǎn)品整體的信賴 度，甚或可能造成不良品退貨及衍生賠償費(fèi)用。

發(fā)明內(nèi)容
有鑒于上述的問(wèn)題，本發(fā)明者依據(jù)多年來(lái)從事相關(guān)行業(yè)的經(jīng)驗(yàn)，針對(duì)錫渣產(chǎn)生、回 收過(guò)程進(jìn)行相關(guān)的研究及分析，以期能找出更為適切的解決方案；因此，本發(fā)明主要的目的 在于提供一種可節(jié)約用錫量、降低焊接溫度及提升焊接品質(zhì)的可信賴度，進(jìn)而提升產(chǎn)品焊 接良率的可凈化熔錫煅的合成化學(xué)粉末及其應(yīng)用治具與使用方法。為達(dá)上述的目的，本發(fā)明者將數(shù)種化合物質(zhì)混合后，制成一種可凈化熔錫煅的合 成化學(xué)粉末，所述可凈化熔錫煅的合成化學(xué)粉末，其組成包括的化學(xué)物質(zhì)有碳酸氫銨、氯 化銨、硼酸、氯化鈣、氯酸鈣、水合纖維素、尿素、瀉利鹽、己二酸、氧化鎂、偏硼酸、溴化鉀、鉀 鋁礬、糖精、柳酸、二氟化銀、醋酸鈉、碳酸鈉、氯化鈉、碳酸氫鈉、硝酸鈉、硝基苯磺酸鈉、氯 化鋅及硫化鋅。其中供該可凈化熔錫煅的合成化學(xué)粉末反應(yīng)的該錫爐，裝置有一個(gè)單噴錫口或一 個(gè)雙噴錫口的任一種。
所述可凈化熔錫煅的合成化學(xué)粉末的使用方法為，將可凈化熔錫煅的合成化學(xué)粉 末添加于熔錫煅后，在熔錫煅面上可即時(shí)隨線(Real-time，In-line)形成一個(gè)活性化合物 凈化煅的煅面，并可持續(xù)分離錫渣(氧化錫或不熔錫，Oxide solder or Dross)中的錫與 雜質(zhì)并立即將分離的各項(xiàng)雜質(zhì)吸收包覆，以達(dá)到凈化熔錫煅的功效，進(jìn)而提升錫的回收率。為使本發(fā)明的組成，其實(shí)施后的功效及使用方法能被進(jìn)一步的了解，特配合附圖 進(jìn)行以下說(shuō)明，請(qǐng)參閱。


圖1，為一現(xiàn)有錫爐的運(yùn)行示意圖。圖2，為現(xiàn)有錫爐焊接產(chǎn)品焊點(diǎn)表面放大五百倍后的分子晶相排列照像圖。圖3，為本發(fā)明的化學(xué)物質(zhì)的組成列表圖。圖4，為本發(fā)明的實(shí)施過(guò)程的初期示意圖。圖5，為本發(fā)明實(shí)施過(guò)程的成熟期示意圖。圖6，為應(yīng)用本發(fā)明后的錫煅焊接產(chǎn)品焊點(diǎn)表面放大500倍的分子晶相排列照像 圖。圖7，為現(xiàn)有錫爐運(yùn)行時(shí)的焊點(diǎn)平均厚度示意圖。圖8，為應(yīng)用本發(fā)明后的焊點(diǎn)平均厚度示意圖。主要元件符號(hào)說(shuō)明10錫爐20雜質(zhì)30熔錫煅40波峰錫爐401噴錫口 402隔離框404上空長(zhǎng)方形管 50熔錫煅 501熔錫煅面60可凈化熔錫煅的化學(xué)粉末
具體實(shí)施例方式常態(tài)錫爐運(yùn)行時(shí)，只有在波峰錫爐工作制造產(chǎn)品時(shí)，才會(huì)使雜質(zhì)產(chǎn)生而且逐漸累 積增加，而由于所述的雜質(zhì)包含氧化錫(錫灰)、各類金屬氧化物、助焊劑殘?jiān)?、PCB沾錫面 的各類雜質(zhì)、以及熔錫煅因循環(huán)流動(dòng)時(shí)的摩擦而產(chǎn)生的碳粉等，因此可以將這些雜質(zhì)歸類 為“熔錫煅品質(zhì)惡化主因”，而且這些雜質(zhì)在波峰錫爐工作制造產(chǎn)品時(shí)會(huì)一直增加，甚至在 波峰錫爐工作一個(gè)小時(shí)以后會(huì)呈幾何倍數(shù)增長(zhǎng)，因此，最根本的解決方式，即是使雜質(zhì)被迅 速且有效的包覆，且此過(guò)程必需是持續(xù)不問(wèn)斷。本發(fā)明所述的可凈化熔錫煅的合成化學(xué)粉末及其應(yīng)用治具與使用方法，其中，所 述的可凈化熔錫煅的合成化學(xué)粉末(簡(jiǎn)稱A0P-22S)，具有將錫渣內(nèi)雜質(zhì)與熔錫分離的功 效，同時(shí)并具有可持續(xù)將被分離的雜質(zhì)迅速包覆的能力，其至少由下列表中所示的數(shù)項(xiàng) 化學(xué)物質(zhì)混合而成，其名稱及重量比例如圖3中所示，其為本發(fā)明的化學(xué)物質(zhì)的組成列 表圖，請(qǐng)參閱圖中所示，本發(fā)明所述的可凈化熔錫煅的合成化學(xué)粉末的組成成份主要包 括碳酸S銨 Ammonium Bicarbonate、氯化銨 Ammonium Chloride、硼酸 BoricAcid、氯化 鈣 Calcium(II)Chloride、氯酸鈣 Calcium Dichlorate、水合纖維素 Cellulose Hydride、 尿素 Diaminomethanal、 寫禾丨」鹽 Epsomite、己二酸 Hexanedioic Acid、氧化續(xù) Magnesium Oxide、偏硼酸 OxoborinicAcicU溴化鉀 Potassium Bromide、鉀招鞏 Potassium Aluminium
301煅面 403泵 502雜質(zhì)Sulfate、糖精 Saccharin、柳酸 Salicylic Acid、二氟化銀 Silver (II)Fluoride、醋酸鈉 Sodium Acetate、內(nèi) Sodium Carbonate> Μ^ SodiumChloride、 ΙΜ^內(nèi) Sodium Hydrogen Carbonate、硝酸鈉 Sodium Nitrate、硝基苯磺酸鈉 Sodium Nitrobenzene Sulfonate、氯化鋅Zinc Chloride、硫化鋅Zinc Sulfide等；如上所述的可凈化熔錫煅的 合成化學(xué)粉末，在氣密包裝袋內(nèi)及室溫條件下呈松軟粉末狀態(tài)，當(dāng)將此粉末倒在達(dá)到生產(chǎn) 溫度(230°C -275°C )的熔錫煅面上后，此粉末即會(huì)熔解成煅態(tài)，并在熔錫煅面上形成一層 凈化合成化學(xué)物質(zhì)煅面，該凈化合成化學(xué)煅(以下簡(jiǎn)稱凈化煅)具有的物理特性如下(I)S. G比重< 3，(9 >熔錫煅比重> 7，因此凈化煅可維持漂浮于熔錫煅面上不會(huì) 下沉)；(2) pH 值介于 3. 5-5. 5 ；(3)煅態(tài)粘稠度(Liquid form Viscosity) < 2OOOspi ；(4)在生產(chǎn)溫度(230°C -275°C )的熔錫煅面上不冒煙；(5)無(wú)氣味；(6)不蒸發(fā)也不揮發(fā)；(7)可完全分離錫渣及不熔錫中的雜質(zhì)與熔錫，并可立即將雜質(zhì)持續(xù)性的包覆；(8)完全溶于水，因此從熔錫煅面上撈出的吸收包覆雜質(zhì)飽和的凈化煅形成泥狀， 可在泡水后完全再分離；(9)完全不含管制物質(zhì)，符合至公元2009年為止的國(guó)際環(huán)保(RoHS，PFOS, REACH) 的最新規(guī)范；(10)熔錫煅面上凈化煅層本身隔熱系數(shù)所得穩(wěn)定溫差> 15°C，因此具備阻隔熔 錫煅熱量流失與阻隔空氣接觸熔錫煅面造成氧化金屬的機(jī)會(huì)。如上，當(dāng)將本發(fā)明所述的可凈化熔錫煅的化學(xué)劑倒在熔錫煅面上后，其即會(huì)熔解 成煅態(tài)，而此可凈化熔錫煅的化學(xué)劑會(huì)形成凈化煅(以下簡(jiǎn)稱凈化煅)，其因具備高分子、 弱酸、低比重、低粘度及高效率分離雜質(zhì)與包覆雜質(zhì)特殊合成分子，因此能迅速完全分離錫 渣、以及不熔錫中的所有雜質(zhì)與熔錫，并可立即將雜質(zhì)持續(xù)性的包覆，又由于本發(fā)明的組成 多數(shù)為高分子物質(zhì)，因此有能力吸收數(shù)倍體積的雜質(zhì)，故具有持續(xù)耐久反應(yīng)的特性。請(qǐng)搭配參閱圖4，圖中所示為本發(fā)明的實(shí)施過(guò)程的初期示意圖，如圖所示，將一波 峰錫爐40的噴錫口 401的四周，用一隔離框402圍住后，并使隔離框402沒(méi)入熔錫煅50的 熔錫煅面501約5mm-150mm深度，又，所述的噴錫口 401可為一單噴錫口或一雙噴錫口的任 一種；將本發(fā)明所述的可凈化熔錫煅的化學(xué)粉末60投入波峰錫爐40后，其即與生產(chǎn)溫度達(dá) 2300C -275°C的熔錫煅50接觸，熔解之后的可凈化熔錫煅的化學(xué)粉末60即形成一凈化煅 601，所述的凈化煅601此時(shí)被阻隔在隔離框402及噴錫口 401的熔錫煅面501外，以防止 凈化煅601存在于噴錫口 401的隔離框402內(nèi)的熔錫煅面501上，可防止噴錫口 401流出 的錫煅直接沖擊及接觸凈化煅601，并將部份凈化煅601導(dǎo)引入錫流而進(jìn)入一泵403后，再 由噴錫口 401流出，而波峰錫爐40的噴錫口 401向下沖擊的錫流，則會(huì)將雜質(zhì)502帶出隔 離框402外，然后浮升到熔錫煅面501上被凈化煅601包覆，此時(shí)，雜質(zhì)502 (錫渣及不熔錫 層)則會(huì)迅速被凈化煅601取代。再請(qǐng)參照?qǐng)D中所示，將波峰錫爐40的噴錫口 401流下的熔錫煅50，以一上空長(zhǎng)方 形管404承接后，再導(dǎo)引熔錫煅50由兩側(cè)出口，將承接錫煅從錫煅面下5mm-150mm的深度
6流向波峰錫爐40中，防止熔錫煅50直接向下沖擊并接觸到凈化煅601，并將部份凈化煅 601導(dǎo)引入錫流，進(jìn)入泵403后，再由噴錫口 401流出，而由波峰錫爐40的噴錫口 401向下 沖擊的錫流，會(huì)將雜質(zhì)502帶出至上空長(zhǎng)方形管404外，然后浮升到熔錫煅面501上，被凈 化煅601包覆，此時(shí)，凈化煅601發(fā)揮作用，雜質(zhì)502 (錫渣及不熔錫層)，被凈化煅601迅速 取代。請(qǐng)參閱圖5，圖中所示為本發(fā)明實(shí)施過(guò)程的成熟期示意圖，如圖所示，將波峰錫爐 40的噴錫口 401四周用隔離框402圍住，并沒(méi)入錫煅面501約5mm_l50mm的深度，使本發(fā) 明與生產(chǎn)溫度達(dá)230°C -275°C熔錫煅50接觸后，熔解成凈化煅601，并被阻隔在隔離框402 及噴錫口 401的熔錫煅面501外，防止凈化煅601存在于噴錫口 401的隔離框402內(nèi)的熔 錫煅面501上，防止噴錫口 401流出的熔錫煅50直接沖擊及接觸凈化煅601，并將部份凈化 煅601導(dǎo)引入錫流進(jìn)入泵403，再由噴錫口 401流出，而波峰錫爐40的噴錫口 401向下沖 擊的錫流，則會(huì)將雜質(zhì)502帶出隔離框402外，然后浮升到熔錫煅面501上被凈化煅601包 覆，當(dāng)本發(fā)明主要功能發(fā)揮作用達(dá)到成熟期后，其作用過(guò)程原理即如本圖中所示，當(dāng)凈化煅 601發(fā)揮作用達(dá)到成熟期后，熔錫煅50達(dá)到超純凈、高可焊性及低生產(chǎn)溫度狀態(tài)，總用錫量 可節(jié)約65% -80%。又，如圖5所示，將波峰錫爐40的噴錫口 401流下的熔錫煅，以上空長(zhǎng)方形管404 承接后，再導(dǎo)引熔錫煅50由兩側(cè)出口流出，由熔錫煅面501下約5-150mm的深度流向波峰 錫爐40中，防止熔錫煅50直接向下沖擊并接觸到所述凈化煅601 (A0P-22S)，并將部份凈化 煅601導(dǎo)引入錫流，使凈化煅601進(jìn)入泵403后，再由噴錫口 401流出，而噴錫口 401向下 沖擊的錫流，則會(huì)將雜質(zhì)502帶出上空長(zhǎng)方形管404外，然后浮升到熔錫煅面501上被凈化 煅601包覆，當(dāng)本發(fā)明所稱的凈化煅601的功能發(fā)揮達(dá)到成熟期后，熔錫煅50即可達(dá)到超 純凈，高可焊性及低生產(chǎn)溫度狀態(tài)，總用錫量可節(jié)約65-80%。請(qǐng)參閱圖6，圖中所示為應(yīng)用本發(fā)明后的錫煅焊接產(chǎn)品焊點(diǎn)表面放大500倍的 分子晶相排列照像圖，如圖所示，當(dāng)本發(fā)明所稱的可凈化熔錫煅的化學(xué)劑熔解成煅態(tài)的 凈化煅，且其發(fā)揮作用達(dá)到成熟期后，可使熔錫煅達(dá)到超純凈、高可焊性及低生產(chǎn)溫度 的狀態(tài)，目視熔錫煅由噴錫□流出的外觀，將耀眼如同鏡面，而焊點(diǎn)外觀，則如本圖中所 示，其分子晶相排列(Molecule Crystal Phase Array)呈現(xiàn)完美的直線，代表熔錫煅 具有絕佳的可焊性(Perfect Solder-Ability)；請(qǐng)搭配參照?qǐng)D7，圖中所示為現(xiàn)有錫爐 運(yùn)行時(shí)的焊點(diǎn)平均厚度示意圖，如圖，現(xiàn)有的錫爐運(yùn)行時(shí)，SAC305Alloy焊點(diǎn)平均厚度約 (2650C )2839uInch-(230°C )3405ulnch之間；再請(qǐng)搭配參照?qǐng)D8，圖中所示為應(yīng)用本發(fā)明 后的焊點(diǎn)平均厚度示意圖，如圖所示，經(jīng)應(yīng)用本發(fā)明后所產(chǎn)生的凈化煅，當(dāng)其作用至成熟期 時(shí)，SAC305 Alloy焊點(diǎn)平均厚度約為(265°C ) 1228-(230°C ) 1287ulnch，此足以佐證應(yīng)用本 發(fā)明后，可使得不熔錫(Dross)完全不產(chǎn)生，而氧化錫的損耗最低0. 05%，并且額外將各種 形態(tài)的焊點(diǎn)用錫量有效減低25-55%，而在相同產(chǎn)品相同生產(chǎn)量的條件下總用錫量可節(jié)約 65-80%。如上所述，本發(fā)明所稱的可凈化熔錫煅經(jīng)熔解成煅態(tài)的凈化煅后，能迅速完全分 離錫渣及不熔錫中的所有雜質(zhì)與熔錫，并可立即將雜質(zhì)持續(xù)性的包覆不放，當(dāng)凈化煅吸收 包覆雜質(zhì)達(dá)到飽和程度時(shí)，再將飽和凈化煅撈出后，重新加入可凈化熔錫煅的化學(xué)劑，以再 熔解成煅態(tài)的新鮮凈化煅，保持凈化熔錫煅的功效。
綜上所述，本發(fā)明其據(jù)以實(shí)施后，確實(shí)可以達(dá)到提供一種可節(jié)約用錫量、降低焊接 溫度及提升焊接品質(zhì)的可信賴度，進(jìn)而提升產(chǎn)品焊接良率的可凈化熔錫煅的化學(xué)劑的目 的。
權(quán)利要求
一種可凈化熔錫焲的合成化學(xué)粉末，其特征在于，所述可凈化熔錫焲的合成化學(xué)粉末可供加入一錫爐內(nèi)的熔錫焲的焲面，經(jīng)熔解后，具有凈化該熔錫焲的功效，進(jìn)而提升錫的回收率，其組成包括的化學(xué)物質(zhì)有碳酸氫銨、氯化銨、硼酸、氯化鈣、氯酸鈣、水合纖維素、尿素、瀉利鹽、己二酸、氧化鎂、偏硼酸、溴化鉀、鉀鋁礬、糖精、柳酸、二氟化銀、醋酸鈉、碳酸鈉、氯化鈉、碳酸氫鈉、硝酸鈉、硝基苯磺酸鈉、氯化鋅及硫化鋅。
2.如權(quán)利要求1所述的可凈化熔錫煅的合成化學(xué)粉末，其特征在于，該可凈化熔錫煅 的合成化學(xué)粉末的各組成物質(zhì)呈粉末狀。
3.如權(quán)利要求1所述的可凈化熔錫煅的合成化學(xué)粉末，其特征在于，該可凈化熔錫煅 的合成化學(xué)粉末的該各組成物質(zhì)的重量所占比重，為混合后的0. Olppb-98%。
4.如權(quán)利要求1所述的可凈化熔錫煅的合成化學(xué)粉末，其特征在于，該可凈化熔錫煅 的合成化學(xué)粉末的各化學(xué)物質(zhì)經(jīng)混合后，可存在于氣密包裝袋內(nèi)，于室溫狀態(tài)下，呈粉末狀 態(tài)。
5.如權(quán)利要求1所述的可凈化熔錫煅的合成化學(xué)粉末，其特征在于，供該可凈化熔錫 煅的合成化學(xué)粉末反應(yīng)的該錫爐，裝置有一個(gè)單噴錫口或一個(gè)雙噴錫口的任一種。
6.如權(quán)利要求5所述的可凈化熔錫煅的合成化學(xué)粉末，其特征在于，該錫爐的該噴錫 口四周，組設(shè)有隔離框。
7.如權(quán)利要求5所述的可凈化熔錫煅的合成化學(xué)粉末，其特征在于，由該噴錫口流下 的該熔錫煅，以一個(gè)上空長(zhǎng)方形管承接后，再導(dǎo)引該熔錫煅由成型于該上空長(zhǎng)方形管兩側(cè) 的出口流出且從錫煅面5-150mm的深度流向該錫爐中。
8.—種可凈化熔錫煅的合成化學(xué)粉末的使用方法，可供凈化一錫爐內(nèi)的熔錫煅，進(jìn)而 提升錫的回收率，其特征在于包括使該可凈化熔錫煅的合成化學(xué)粉末投入該錫爐后，在熔 錫煅面上可即時(shí)隨線形成一個(gè)活性化合物的凈化煅的煅面，該凈化煅的煅面可持續(xù)吸收及 包覆懸浮于該熔錫煅面的各項(xiàng)雜質(zhì)。
9.如權(quán)利要求8所述的可凈化熔錫煅的合成化學(xué)粉末的使用方法，其特征在于，應(yīng)用 該使用方法所產(chǎn)生的該凈化煅的煅面厚度為l_15mm。
10.如權(quán)利要求8所述的可凈化熔錫煅的合成化學(xué)粉末的使用方法，其特征在于，應(yīng)用 該使用方法所產(chǎn)生的該凈化煅的煅面厚度為一個(gè)分子。
11.如權(quán)利要求8所述的可凈化熔錫煅的合成化學(xué)粉末的使用方法，其特征在于，當(dāng)該 可凈化熔錫煅的合成化學(xué)粉末進(jìn)行反應(yīng)后，該凈化煅吸收雜質(zhì)的情況會(huì)逐漸呈飽合狀態(tài)， 當(dāng)?shù)竭_(dá)該飽和狀態(tài)后應(yīng)將飽和的凈化煅撈除，并再倒入新的該可凈化熔錫煅的合成化學(xué)粉 末，以便經(jīng)熔解后形成新鮮凈化煅。
12.如權(quán)利要求8所述的可凈化熔錫煅的合成化學(xué)粉末的使用方法，其特征在于，當(dāng)該 可凈化熔錫煅的合成化學(xué)粉末接觸到該熔錫煅并達(dá)到生產(chǎn)溫度的條件下，該可凈化熔錫煅 的化學(xué)粉末可熔解成熔煅狀態(tài)。
13.如權(quán)利要求8所述的可凈化熔錫煅的合成化學(xué)粉末的使用方法，其特征在于，該生 產(chǎn)溫度為該錫爐內(nèi)熔錫煅的溫度，該生產(chǎn)溫度維持在230°C _275°C。
全文摘要
一種可凈化熔錫焲的合成化學(xué)粉末及其應(yīng)用治具與使用方法，其中，將所述的可凈化熔錫焲的合成化學(xué)粉末倒入達(dá)到生產(chǎn)溫度(230℃-275℃)的一波峰錫爐的熔錫焲面后，可熔解成一活性化合物凈化焲，在熔錫焲面上即時(shí)隨線(Real-time，In-line)形成一個(gè)活性化合物凈化焲的焲面，可持續(xù)吸收及包覆懸浮于熔錫焲面各項(xiàng)雜質(zhì)，以防止熔錫焲面的不熔錫(Dross)產(chǎn)生，并可有效使氧化錫的損耗降低，進(jìn)而可將各種形態(tài)的焊點(diǎn)用錫量有效減低，在相同產(chǎn)品相同生產(chǎn)量的條件下，其用錫量節(jié)省可達(dá)到65％-80％。
文檔編號(hào)C22B9/10GK101886182SQ20091013678
公開日2010年11月17日 申請(qǐng)日期2009年5月15日 優(yōu)先權(quán)日2009年5月15日
發(fā)明者陳中輝 申請(qǐng)人:理翰應(yīng)用科技有限公司;陳中輝