專利名稱：：用于制備片式多層陶瓷電容器終端電極的銅鎳合金粉的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
：本發(fā)明涉及片式多層陶瓷電容器(MLCC)
技術(shù)領(lǐng)域：
，具體涉及一種用于制備片式多層陶瓷電容器終端電極的銅鎳合金粉。
背景技術(shù)：
：由于電子產(chǎn)品向著小型化、多功能發(fā)展，片式多層陶瓷電容器(MLCC)也是向著小型化、高容量發(fā)展。普通的片式多層陶瓷電容器由三大部分組成。一是內(nèi)部鎳電極，二是瓷介質(zhì)，三是銅終端電極(圖1)。隨著片式多層陶瓷電容器的小型化和高容量，鎳電極的厚度越來越薄(鎳電極的厚度達到了1微米以下)，層數(shù)越來越多(層數(shù)超過了1000層)，但是，隨之而來是如何使得這樣薄的鎳電極層與終端電極的連結(jié)更牢固，就變得十分重要，而如果鎳電極層與終端電極的連結(jié)不牢固，就會增大電容器的損耗率；目前，一般主要從兩個方面來改善鎳電極層與終端電極的連結(jié)一、增加終端電極與鎳電極層的接觸面積，二、加強終端電極與鎳電極層的結(jié)合力。研究表明，使用較小粒徑的銅粉制備銅終端電極，可以使銅終端電極與鎳電極層的接觸面積增加。目前片式多層陶瓷電容器制造行業(yè)中，普遍使用粒徑2~10微米的銅粉作為終端電極的原料，有趨勢使用粒徑為亞微米級(0.1~1.0微米)的銅粉來制備終端電極，從而進一步增加銅終端電極與鎳電極層的接觸面積。但亞微米級的銅粉制備的銅終端電極很容易開裂，造成電容器成品率的下降，產(chǎn)品品質(zhì)不穩(wěn)定，一般采用添加少量的片狀銅粉解決銅終端電極開裂，但電容器的損耗率卻不是很理想。也有采用鎳粉制備終端電極來增強鎳終端電極與鎳電極層的結(jié)合力，但隨之而來的問題是鎳終端電極的焊接性能不好，不能適應(yīng)現(xiàn)代高速插板技術(shù)。
發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明要解決的技術(shù)問題是針對現(xiàn)有技術(shù)的上述不足，而提供一種終端電極與鎳電極層的接觸面積增加、結(jié)合力增強，而且終端電極焊接性能好、且不易開裂，產(chǎn)品品質(zhì)穩(wěn)定，電容器損耗率低的用于制備片式多層陶瓷電容器終端電極的銅鎳合金粉。為了解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明的技術(shù)方案為一種用于制備片式多層陶瓷電容器終端電極的銅鎳合金粉，它由以下重量百分比的組分組成銅鎳合金粉A85%~95%，銅鎳合金粉B5%~15%;所述的銅鎳合金粉A為鎳含量5%~25%、粒徑0.1~0.8微米的球狀銅鎳合金粉，所述的銅鎳合金粉B為由銅鎳合金粉A制備的片狀銅鎳合金粉。上述的銅鎳合金粉A由物理氣相沉積法制備而成。上述的銅鎳合金粉B是經(jīng)現(xiàn)有通用工藝用砂磨機在壓力下將銅鎳合金粉A壓扁而成的片狀銅鎳合金粉(片狀銅鎳合金粉的比表面積增加至原來球狀銅鎳合金粉的1.5-2.5倍)。上述的片狀和球狀均以銅鎳合金粉在掃描電鏡下觀察到的形態(tài)為依據(jù)。本發(fā)明的優(yōu)點l.采用本發(fā)明的銅鎳合金粉制備片式多層陶瓷電容器的終端電極，因為相同的金屬結(jié)合力要大于不同金屬的結(jié)合力，因此，鎳電極層與銅鎳合金粉制備的終端電極之間的結(jié)合力要比鎳電極層與單純的銅終端電極之間的結(jié)合力大，從而使得鎳電極層與該銅鎳合金粉制備的終端電極的結(jié)合力增強。2.本發(fā)明銅鎳合金粉，不是簡單的銅粉與鎳粉的混合物，而是經(jīng)過物理氣相沉積法制備的鎳含量在5%~25%，粒徑在0.1~0.8微米的球狀銅鎳合金粉，以及由該球狀合金粉采用砂磨機利用壓力制備的片狀銅鎳合金粉的混合物，該種銅鎳合金粉中摻加5%~15%重量的片狀銅鎳合金粉，其作用能使終端電極不易產(chǎn)生開裂，保證了產(chǎn)品的品質(zhì)。同時，采用了亞微米級的銅鎳合金粉來制備終端電極，也可以使終端電極與鎳電極層的接觸面積增加。3.采用本發(fā)明的銅鎳合金粉制備片式多層陶瓷電容器終端電極，由于終端電極中控制一定的鎳含量，使得終端電極的焊接性能與銅終端電極相當，從而能夠適應(yīng)高速插板技術(shù)的要求。4.本發(fā)明的銅鎳合金粉采用物理氣相沉積法制成，具有較高的結(jié)晶度，能提高銅鎳合金粉的起始氧化溫度，具有較好的燒結(jié)性能，并能減少排膠時間。圖1為片式多層陶瓷電容器的結(jié)構(gòu)示意圖。如圖所示1、鎳電極，2、瓷介質(zhì)，3、終端電極。圖2為本發(fā)明的銅鎳合金粉的X光射線圖。如圖所示銅粉和鎳粉對應(yīng)的峰為簡單的銅粉和鎳粉的混合粉，在X光射線圖上呈現(xiàn)的銅金屬峰和鎳金屬峰兩個分開的峰。本發(fā)明的銅鎳合金粉對應(yīng)的峰，在X光射線圖上僅僅呈現(xiàn)一個峰，由X光射線圖上可見本發(fā)明的銅鎳合金粉是完全的銅鎳合金粉。圖3為本發(fā)明用物理氣相沉積法制備的球狀銅鎳合金粉電鏡圖。圖4為本發(fā)明用球狀銅鎳合金粉制備的片狀銅鎳合金粉電鏡圖。具體實施例方式下面通過實施例對本發(fā)明做進一步的詳細描述，但本發(fā)明不僅僅局限于以下實施例。具體實施例采用物理氣相沉積法把作為原料的銅鎳合金熔解并加熱使得銅鎳合金氣化，然后驟冷使之凝聚成球狀銅鎳合金粉；將上述球狀銅鎳合金粉取部分采用立式砂磨機，型號NITVBM-15，NANOINTECHCO.，LTD,Korea將球狀銅鎳合金粉研磨成片狀銅鎳合金粉，然后按照配方重量百分比取球狀銅鎳合金粉和片狀銅鎳合金粉將二者混合均勻，各具體實施例對應(yīng)的各組分比例含量，以及對應(yīng)制備的電容器樣品的性能參數(shù)，如下表l所示表l<table>tableseeoriginaldocumentpage5</column></row><table><table>tableseeoriginaldocumentpage6</column></row><table>從實施例的結(jié)果來看，采用本發(fā)明的銅鎳合金粉制備片式多層陶瓷電容器終端電極，使得電容器的各個性能與現(xiàn)有技術(shù)銅終端電極的電容器的各個性能相當，而且本發(fā)明增加終端電極的鎳含量能明顯降低電容器的損耗率(雖然鎳含量過高如達到25%時會造成焊接性不理想)，而電容器損耗率的下降，正是鎳電極層與終端電極結(jié)合力更強，接觸面積更大的體現(xiàn)。所以選用本發(fā)明的銅鎳合金粉作片式多層陶瓷電容器的終端電極材料，可以改善鎳電極層與終端的接觸，降低電容損耗率。權(quán)利要求1.一種用于制備片式多層陶瓷電容器終端電極的銅鎳合金粉，其特征在于它由以下重量百分比的組分組成銅鎳合金粉A85％～95％，銅鎳合金粉B5％～15％；所述的銅鎳合金粉A為鎳含量5％～25％、粒徑0.1～0.8微米的球狀銅鎳合金粉，所述的銅鎳合金粉B為由銅鎳合金粉A制備的片狀銅鎳合金粉。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于制備片式多層陶瓷電容器終端電極的銅鎳合金粉，其特征在于上述的銅鎳合金粉A由物理氣相沉積法制備而成。3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于制備片式多層陶瓷電容器終端電極的銅鎳合金粉，其特征在于上述的片狀銅鎳合金粉B由銅鎳合金粉A經(jīng)砂磨機壓扁而成。全文摘要本發(fā)明公開一種用于制備片式多層陶瓷電容器終端電極的銅鎳合金粉，它由以下重量百分比的組分組成銅鎳合金粉A85％～95％，銅鎳合金粉B5％～15％；所述的銅鎳合金粉A為鎳含量5％～25％、粒徑0.1～0.8微米的球狀銅鎳合金粉，所述的銅鎳合金粉B為由銅鎳合金粉A制備的片狀銅鎳合金粉。采用本發(fā)明的銅鎳合金粉制備片式多層陶瓷電容器的終端電極，使得終端電極與鎳電極層的接觸面積增加、結(jié)合力增強，而且終端電極焊接性能好、且不易開裂，產(chǎn)品品質(zhì)穩(wěn)定，電容器損耗率低。文檔編號B22F1/00GK101658929SQ20091010224公開日2010年3月3日申請日期2009年9月6日優(yōu)先權(quán)日2009年9月6日發(fā)明者王利平,陳鋼強申請人:寧波廣博納米材料有限公司