專利名稱：扁平型非晶合金粉末及包含該粉末的電磁波吸收體的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種扁平型非晶合金粉末及包含該粉末的電磁波吸
收體，詳細(xì)地說，涉及在10MHz-3GHz頻帶內(nèi)具有電磁波吸收特性的 扁平型非晶合金粉末以及包含該合金粉末的電磁波吸收體。
背景技術(shù)：
隨著數(shù)碼相機(jī)、手機(jī)、筆記本電腦等數(shù)字設(shè)備的高頻化、集成化、 小型化，電磁兼容問題越演越烈。它不僅影響著電子設(shè)備的安全與可 靠性，還會危害人類身體健康及生態(tài)系統(tǒng)。
電磁兼容問題引起了世界各工業(yè)發(fā)達(dá)國家的重視，特別是二十世 紀(jì)七十年代以來，進(jìn)行了大量的理論研究和實(shí)驗(yàn)工作。進(jìn)而提出了如 何使電子設(shè)備或系統(tǒng)在其所處的電磁環(huán)境中，能夠正常的運(yùn)行，而對 在該環(huán)境中工作的其它設(shè)備或系統(tǒng)也不引入不能承受的電磁干擾的 新課題。
解決電磁兼容問題有電磁屏蔽和吸波兩種方式。電磁屏蔽是使用 屏蔽材料將電磁波限制在一定空間內(nèi)而達(dá)到防護(hù)目標(biāo)的一種措施；吸 波是將電磁波能量轉(zhuǎn)化為熱能或其他形式能量而消除電磁輻射的一 種措施。近些年來，電磁波吸收體(吸波體)由于二次輻射小而引起 廣泛的關(guān)注。根據(jù)國際標(biāo)準(zhǔn)IEC 62333-1，此類電磁波吸收體稱為噪 聲抑制片(Noise Suppression Sheet), —般是由粉末狀軟》茲材料 和高分子材料組成的復(fù)合體。
非晶軟磁合金具有電阻率高、磁晶各向異性為零等優(yōu)點(diǎn)，倍受國 內(nèi)外專家學(xué)者的關(guān)注。1995年以來，Inoue等先后制備出 Fe-(Al，Ga)-(P，C，Si，B，Ge)、 Fe-(Co, Ni)-(Zr， Hf， Nb)-B合金系(參 見美國發(fā)明專利號5738733， 5876519 )，該類合金系含易氧化元素Zr、 Ga、 Hf等，必須在真空下制備，因此其制備和應(yīng)用受到很大的 限制。
中國發(fā)明專利公開號CN1336793A公開了一種在lGHz以上頻率 具有較好吸波效果的吸波體，其采用超過20vol. %的陶瓷粉末與金屬 磁性粉末進(jìn)行機(jī)械合金化。由于陶瓷粉末的絕緣作用，吸波體的吸波 截止頻率較高，因此該吸波體僅適合于高頻例如lGHz以上的電磁波 頻帶，從而具有較窄的吸波頻帶。
綜上所述，現(xiàn)有技術(shù)的吸波體的制備方法和性能受到一定程度上 的限制。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的是提供一種制備簡單并且具有優(yōu)良吸波效果的扁 平型非晶合金粉末，以及由其制成的電磁波吸收體。
本發(fā)明提供了 一種扁平型非晶合金粉末，所述合金的成分滿足下
式
其中，M為選自Mo和Nb中的一種；T為選自Sn和Al中的一種或兩 種；表示原子組成百分比的a、 b、 c、 x、 y、 z、 t分別為 1<"5; 2《c《4; 2"+b<8; 2"<15; l<y《8; l《z<12; 0. 5<t"。
所述扁平型非晶合金粉末中的顆粒的平均厚度為0. l-2pm，平 均縱橫比為10-100。
在本發(fā)明的扁平型非晶合金粉末中，顆粒的平均厚度優(yōu)選為 0. 2-1.8更優(yōu)選0. 5-1. 5 ym。
在本發(fā)明的扁平型非晶合金粉末中，顆粒的平均縱橫比優(yōu)選為 20 - 100，更優(yōu)選60 - 80。
本發(fā)明還提供了一種電磁波吸收體，所述電磁波吸收體主要由以 下成分組成上述的扁平型非晶合金粉末以及作為基質(zhì)的聚合物絕緣 材料。在所述電磁波吸收體中，所述扁平型非晶合金粉末的填充率優(yōu)選
為20 - 70 vol.%，更優(yōu)選30-60 vol.%。
在本發(fā)明的電磁波吸收體中，所使用的聚合物絕緣材料選自熱 塑性塑料，如聚氯乙烯、氯化聚乙烯、聚苯乙烯、聚苯硫醚等；和熱 塑性彈性體，如聚氨酯類熱塑性彈性體、苯乙烯類熱塑性彈性體、聚 烯烴類熱塑性彈性體等。


圖1為采用水霧化制備的Fe74Cr2Mo2SihPi。Si4B4C2非晶粉末的掃描 電鏡照片。
圖2為本發(fā)明的Fe74Cr2M02SnA。Si4B4C2非晶粉末在濕法球磨10 小時(shí)后的掃描電鏡照片。
圖3為本發(fā)明的Fe74Cr2M02Sri2P!。Si4B4C2非晶粉末在濕法球磨16 小時(shí)后的掃描電鏡照片。
圖4為Fe74Cr2M02SnA。Si4B4C2非晶粉末在干法球磨16小時(shí)后的 掃描電鏡照片。
圖5為由本發(fā)明的不同縱橫比的扁平型非晶合金粉末以及由非 扁平型非晶合金粉末制成的吸波體的磁導(dǎo)率頻率特性。
圖6為本發(fā)明的具有不同成分的非晶合金粉末的X射線衍射圖。 圖7為吸波體復(fù)數(shù)磁導(dǎo)率虛部最大值隨非晶合金粉末填充率的 變化。
具體實(shí)施例方式
在本說明書，術(shù)語"扁平型粉末"和"扁平型非晶合金粉末"意 指由扁平形狀的顆粒組成的粉末。術(shù)語"縱橫比"是指扁平型粉末中 顆粒的直徑與厚度之比，具體定義為D/t，其中D為顆粒的直徑，t 為顆粒的厚度。另外，為簡便起見，當(dāng)提及"粉末的縱橫比"時(shí)，意 指粉末中所含顆粒的平均縱橫比。扁平型粉末的縱橫比可以通過掃描 電鏡、激光粒度測試儀來度量通過掃描電鏡測量顆粒的平均厚度，通過激光粒度測試儀測量出顆粒的平均直徑，從而由測得的平均厚度 和平均直徑得到粉末中顆粒的平均縱橫比。
本發(fā)明的扁平型非晶合金粉末是通過機(jī)械扁平化方式將球形或 近球形的非晶合金粉末扁平化獲得的。本發(fā)明中所使用的球形或近球 形的非晶合金粉末可以利用如下合金組成通過水霧化、水氣聯(lián)合霧化 形成，所述合金組成滿足下式
其中，M為選自Mo和Nb中的一種；T為選自Sn和Al中的一種或兩 種；表示原子組成百分比的a、 b、 c、 x、 y、 z、 t分別為l《a<5; l《b<5; 2<c<4; 2"+b<8; 2""5; l<y<8; l<z<12; 0. 5<t<6。
Cr是為了提高熔融合金的抗氧化能力而添加的元素。如果Cr的 含量小于lat.%,合金的抗氧化能力較弱。另一方面，Cr是反鐵磁 元素，加入量過大，會使得合金的飽和磁感應(yīng)強(qiáng)度降低，因而不大于 5 at.%。
M的主要作用是提高合金的溫度穩(wěn)定性。如果M的含量不足 lat.%，提高合金溫度穩(wěn)定性的作用不明顯，如果M的含量高于5 at.%，會導(dǎo)致粉末的磁性能降低，因而不優(yōu)選。
T的作用是增加熔融合金的流動(dòng)性和增加非晶粉末的塑性變形 能力。如果T的含量低于2at.%，效果不明顯，T的含量高于4at1， 會對降低合金的晶化溫度，因而不優(yōu)選。
正如本領(lǐng)域的技術(shù)人員所公知的，P、 Si、 B、 C為非晶形成元素， Fe的含量也會影響合金的磁性能。
水霧化法制備鐵基非晶合金粉末的方法如下釆用高壓水(例如 5個(gè)大氣壓)將金屬液滴擊碎并急速冷卻為固體粉末。水氣聯(lián)合霧化 法制備鐵基非晶合金粉末的方法如下采用高壓氣體粉碎金屬液滴或 金屬顆粒后再用高壓水將金屬液滴或金屬顆?？焖倮鋮s。
通過水霧化法或水氣聯(lián)合霧化法制得的球形非晶合金粉末的平 均顆粒尺寸是20 - 70 ja m，優(yōu)選為30 - 60 ju m，更優(yōu)選為40 - 50 p m。選取球形度好的非晶合金粉末，與有機(jī)溶劑 一起在球磨機(jī)中進(jìn)行 球磨。進(jìn)行球磨時(shí)可以使用不影響所述非晶合金粉末理化性質(zhì)的任何 有機(jī)溶劑，且優(yōu)選使用無水乙醇、丙酮或它們的混合物。通過控制球 磨時(shí)間，能夠得到厚度及縱橫比可控的扁平型粉末。本發(fā)明的扁平型
非晶合金粉末的平均顆粒厚度優(yōu)選為0. 1-2 Mm,因?yàn)閷⒈馄叫头勰?中顆粒的厚度控制在2pm以下時(shí)，能夠有效抑制渦流的產(chǎn)生，從而 降低對電磁波的反射；此外通過球磨的方法難以獲得厚度小于0. 1 iu m的扁平型粉末。本發(fā)明的扁平型非晶合金粉末的平均顆?？v橫比優(yōu) 選為10-100，因?yàn)榭v橫比大于100時(shí)，扁平型粉末的顆粒直徑較大， 對電磁波的反射較大；縱橫比小于10時(shí)，扁平型粉末的磁導(dǎo)率低， 吸波效果有限。
將這些扁平型粉末填充到聚合絕緣材料中并進(jìn)行取向排列，能夠 得到具有良好吸波特性的吸波體?？梢圆捎迷擃I(lǐng)域已知的技術(shù)實(shí)現(xiàn)扁 平型粉末在聚合物絕緣材料中的取向排列。本發(fā)明吸波體中扁平型非 晶合金粉末的填充率優(yōu)選為20 - 70vol. %;當(dāng)粉末的填充率低于 20vol. %時(shí)，吸波效果有限，當(dāng)粉末的填充率大于70vol. %時(shí)，吸波 體反射系數(shù)很大，柔性差。
實(shí)施例1
本實(shí)施例選用合金成分為Fe74Cr2Mo2Sn2P1QSi4B4C2，通過水霧化法 制備成球形非晶合金粉末，霧化壓力為30Kg/cm2。將霧化產(chǎn)物在180 匸的真空干燥箱內(nèi)烘干8小時(shí)，并對烘干產(chǎn)物進(jìn)行過篩后得到平均顆 粒尺寸為40-50 nm的球形非晶合金粉末。
在4亍星式J求磨才;u中濕法J求磨，J求料比為5: 1，轉(zhuǎn)速為400rpm， 球磨時(shí)間為10小時(shí)和16小時(shí)，得到兩種具有不同縱橫比的扁平型粉 末。
粉末形貌在掃描電鏡下觀察(圖1、圖2、圖3)。由圖1可以 看出，水霧化制備出近球形的粉末。由圖2、圖3可以看出，近球形 粉末經(jīng)球磨后轉(zhuǎn)變?yōu)楸馄叫头勰?，并隨著球磨時(shí)間增加，厚度減少，
9球磨10小時(shí)的扁平型粉末的厚度為1.5|am，直徑為30-60 jam,縱 橫比在20-40之間，球磨16小時(shí)的扁平型粉末的厚度為1. 0nim，直 徑為60-80jjm，縱沖黃比在60-80之間。隨后，將該粉末在真空熱處 理中進(jìn)行熱處理，工藝參數(shù)為在420。C下保溫1小時(shí)。
將上述不同縱橫比的扁平型粉末分散到熱塑性聚氨酯中，制備扁 平型粉末填充率為40 vol.。/。的吸波體。其具體步驟為a.采用有機(jī)
溶劑氮甲基甲酰胺將熱塑性聚氨酯溶解，制備成熱塑性聚氨酯含量為 25vol. %的涂料，加入一定量的上述扁平型粉末；b.采用攪拌機(jī)在 1000rpm下攪拌1小時(shí)，這樣，漿料制備完成；c.將漿料涂布到聚四 氟乙烯薄膜上，在150。C下保溫10分鐘，除去溶劑；d.從聚四氟乙 烯薄膜上剝離得到含扁平型粉末的聚氨酯薄膜；e.此時(shí)得到的薄膜孔
隙率很高，密度很低，為了提高其密度，將十層氯化聚乙烯薄膜疊在 一起，在13(TC在壓實(shí)，得到致密的吸波體。這樣，得到粉末縱橫比 分別為20-40， 60 - 80的吸波體。
對比例
按照實(shí)施例1的方式并采用相同的合金組成通過水霧化法制備 非晶合金粉末，區(qū)別之處在于在行星式球磨機(jī)中對水霧化法所得球形 粉末進(jìn)行干法球磨，球料比為5: 1,轉(zhuǎn)速為400rpm，球磨時(shí)間為16 小時(shí)，得到作為對比例的非晶合金粉末。
在掃描電鏡下觀察粉末形貌(圖4)。由圖4可以看出，干法球 磨后，粉末粒徑降低，表面凹凸不平，但粉末形貌仍大致為球形。隨 后，將該粉末在真空熱處理中進(jìn)行熱處理，工藝參數(shù)為在420。C下保 溫1小時(shí)。
以對比例的非晶合金粉末為吸波劑，采用實(shí)施例1的方法制備出 吸波體。
采用Agilent E5071B矢量網(wǎng)絡(luò)分析4義測量實(shí)施例1以及對比例 中得到的三種吸波體的電磁參數(shù)，得到其復(fù)數(shù)磁導(dǎo)率的頻率特性(圖5)。由圖5可以看出，吸波體的磁導(dǎo)率隨著縱橫比的增加而增加。 縱橫比為20 - 40的吸波體的復(fù)數(shù)磁導(dǎo)率虛部(n")最大值為6.5， 對應(yīng)的頻率為lGHz?？v橫比為60 - 80的吸波體的復(fù)數(shù)磁導(dǎo)率虛部(jn ")最大值為9. 8，對應(yīng)的頻率為450MHz。由圖5還可以看出，含球 形粉末的吸波體的磁導(dǎo)率很低，復(fù)數(shù)磁導(dǎo)率虛部(H ")最大值為2. 2， 對應(yīng)的頻率(3. 5GHz)較高。由此可得，相對于非扁平型粉末，扁 平型粉末具有更好的吸波效果。
實(shí)施例2
采用不同組成的鐵基非晶合金，按照與實(shí)施例1中相同的霧化方 法制備成非晶合金粉末。所采用的合金組成分別為 FeAMchSn^sS iA. 5C0.5、 Fe72Cr5Mo3Sn2P3S i2B12d、 Fe72CrWchSrhPsS iACe、 Fe73Cr2Nb5Sn2P2Si8B6C2、 Fe74Cr2Mo2Sn2P10Si4B4C2、 Fe^nMchAhPsSiAC^
制備好的霧化粉末釆用X射線衍射儀測定其晶體結(jié)構(gòu)，如圖6 所示。從圖6可看出，所得粉末的X射線衍射圖沒有結(jié)晶峰，表現(xiàn)為 明顯的非晶態(tài)組織特性，這表明本發(fā)明的合金粉末為非晶態(tài)。將霧化 粉末在行星式球磨機(jī)中濕法球磨，球料比為5: 1，轉(zhuǎn)速為400rpm， 球磨時(shí)間為14小時(shí)。隨后，將該粉末在真空熱處理中進(jìn)行熱處理， 工藝參數(shù)為在420。C下保溫1小時(shí)。
將扁平型粉末分散到熱塑性聚氨酯中，制備扁平型粉末填充率為 60 vol.。/n的吸波體。其具體步驟為a.采用有機(jī)溶劑氮甲基甲酰胺 將熱塑性聚氨酯溶解，制備成熱塑性聚氨酯含量為20vol. %的涂料， 加入一定量的上述扁平型粉末；b.采用攪拌機(jī)在1000rpm下攪拌1 小時(shí)，這樣，漿料制備完成；c.然后將漿料涂布到聚四氟乙烯薄膜上， 在150。C下保溫10分鐘，除去溶劑；d.從聚四氟乙烯薄膜上剝離得 到含扁平型粉末的聚氨酯薄膜；e.此時(shí)得到的薄膜孔隙率很高，密度 很低，為了提高其密度，將十層聚氨酯薄膜疊在一起，在180。C下壓 實(shí)，得到致密的吸波體。采用振動(dòng)樣品磁強(qiáng)計(jì)測量粉末的飽和磁感應(yīng)強(qiáng)度，采用氧氮分析 儀測量粉末的氧含量，采用差示掃描量熱儀測量粉末的晶化溫度
(Tx)，升溫速率為10K/min，采用Agilent E5071B矢量網(wǎng)絡(luò)分析 儀測量上述吸波體的復(fù)數(shù)磁導(dǎo)率。測試結(jié)果見表1.
表1.不同成分的非晶粉末性能及制備吸波體的磁導(dǎo)率
合金組成飽和磁感 應(yīng)強(qiáng)度(T)氧含量 (Ppm)晶化溫度復(fù)數(shù)磁導(dǎo)率虛部 最大值(n "咖,)
Fe"CrMo!Sn2Pi5Si,B7.5C。.51. 11860046413. 5
FenCrsMcnSn^Si^d1. 09300048314. 8
Fe"Cr,Mo,Sn3P8SiAC61.12750046715. 1
Fe73Cr2Nb5Sn2P2Si8B6C21. 18500048716. 9
Fe74Cr2Mo2Sn2P10Si4B4C21. 24530047518. 9
Fe76Cr!Mo,Al4PsShB!d1. 31670046515. 7
FewCrjMOiSrhPsSiAd1. 36730046316. 2
從表1可以看出，粉末的飽和磁感應(yīng)強(qiáng)度與Fe含量有很大關(guān)聯(lián)， 氧含量隨Cr含量的增加而降低。吸波體的復(fù)數(shù)磁導(dǎo)率受粉末的綜合 性能影響，比如氧含量、塑性變形能力，塑性變形能力好，扁平化后 縱橫比越高。
實(shí)施例3
本實(shí)施例的粉末采用組成為Fe73Cr2Nb5Sn2P2S i8B6C2的鐵基非晶合 金，并采用與實(shí)施例1中相同的霧化方法制備成粉末。采用與實(shí)施例 2中相同的球磨工藝制備扁平型粉末，隨后，將該粉末在真空熱處理 中進(jìn)行熱處理，工藝參數(shù)為在440。C下保溫1小時(shí)。
將扁平型粉末分散到熱塑性聚氨酯中，制備扁平型粉末填充率為 20vol. %、 30vol. % 、 40vol. %、 50vol. %、 60vol. %、 70vol. °/。的吸 波體。其具體步驟為a.采用有機(jī)溶劑氮甲基甲酰胺將熱塑性聚氨酯溶解，制備成熱塑性聚氨酯含量為20vol. °/ 的涂料，按照填充率要求， 加入一定量的上述扁平型粉末采用攪拌機(jī)在1000rpm下攪拌1小時(shí) b.采用攪拌機(jī)在1000rpm下攪拌1小時(shí)，這樣，漿料制備完成；c. 將漿料涂布到聚四氟乙烯薄膜上，在150。C下保溫10分鐘，除去溶 劑；d.從聚四氟乙烯薄膜上剝離得到含扁平型粉末的聚氨酯薄膜；e. 將聚氨酯薄膜疊在一起，在180。C下壓實(shí)，得到致密的吸波體。
采用Agilent E5071B矢量網(wǎng)絡(luò)分析儀測量上述不同填充率的吸 波體的電磁參數(shù)，得到其復(fù)數(shù)磁導(dǎo)率。圖7描繪了吸波體復(fù)數(shù)磁導(dǎo)率 虛部最大值隨填充率的變化，可以看出，復(fù)數(shù)磁導(dǎo)率隨填充率的增加 而增加。但是吸波體的機(jī)械強(qiáng)度隨填充率增加而降低，當(dāng)填充率達(dá)到 70 voll時(shí)，吸波體變得很脆。
權(quán)利要求
1.一種扁平型非晶合金粉末，所述合金的組成滿足下式Fe(100-a-b-c-x-y-z-t)CraMbTcPxSiyBzCt其中，M為選自Mo和Nb中的一種；T為選自Sn和Al中的一種或兩種；表示原子組成百分比的a、b、c、x、y、z、t分別為1≤a≤5；1≤b≤5；2≤c≤4；2≤a+b≤8；2≤x≤15；1≤y≤8；1≤z≤12；0.5≤t≤6。所述扁平型非晶合金粉末中的顆粒的平均厚度為0.1-2μm，平均縱橫比為10-100。
2. 根據(jù)權(quán)利要求1的扁平型非晶合金粉末，其特征在于，所述 扁平型非晶合金粉末的顆粒的平均厚度為0.2-1.8 Mm，更優(yōu)選 0. 5-1. 5 Mm。
3. 根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的扁平型非晶合金粉末，其特征在 于，所述扁平型非晶合金粉末的顆粒的平均縱橫比為20 - 100，更優(yōu) 選為60 - 80。
4. 制備如權(quán)利要求1 - 3任一項(xiàng)所述的扁平型非晶合金粉末的方 法，包括如下順序步驟(1 )提供具有權(quán)利要求1所述組成的合金熔體； (2 )由所述合金熔體制備球形非晶合金粉末； (3)對所得球形非晶合金粉末進(jìn)行濕法球磨，得到具有特定 縱橫比和厚度的扁平型粉末。
5. 根據(jù)權(quán)利要求4所述的方法，其特征在于，在步驟(2)中 通過水霧化法或水氣聯(lián)合霧化法制備球形非晶合金粉末。
6. 根據(jù)權(quán)利要求4所述的方法，其特征在于，步驟(2)所得 球形非晶合金粉末的平均粒徑為20-70 ym,優(yōu)選為30 - 60jim，更 優(yōu)選為40 - 50|am。
7. 根據(jù)權(quán)利要求4所述的方法，其特征在于，使用不影響所述 非晶合金粉末理化性質(zhì)的有機(jī)溶劑進(jìn)行所述濕法球磨。
8. 根據(jù)權(quán)利要求7所述的方法，其特征在于，所述有機(jī)溶劑是 無水乙醇、丙酮或它們的混合物。
9. 一種電磁波吸收體，其特征在于所述電》茲波吸收體主要由以 下成分組成如權(quán)利要求1 - 3任一項(xiàng)所述的扁平型非晶合金粉末， 和作為基質(zhì)的聚合物絕緣材料。
10. 根據(jù)權(quán)利要求9所述的電磁波吸收體，其特征在于，在所 述電磁波吸收體中，所述扁平型非晶合金粉末的填充率為20-70vol. %，優(yōu)選30-60 vol.%。
11. 根據(jù)權(quán)利要求9所述的電磁波吸收體，其特征在于所述聚 合物絕緣材料選自熱塑性塑料，如聚氯乙烯、氯化聚乙烯、聚苯乙 烯、聚苯硫醚等；和熱塑性彈性體，如聚氨酯類熱塑性彈性體、苯乙 烯類熱塑性彈性體、聚烯烴類熱塑性彈性體等。
12. —種非晶合金粉末在電磁波吸收材料中的用途，所述非晶合 金粉末具有下式表示的組成Fe (100-a-b-c一x-y-z-t) CraMJcPxSiyBzCt其中，M為選自Mo和Nb中的一種；T為選自Sn和Al中的一種 或兩種；表示原子組成百分比的a、 b、 c、 x、 y、 z、 t分別為1<a《5'， l"《5'， 2《c《4; 2"+b《8'， 2《x《15; 1《y《8'， 1《z <12; 0. 5《t《6;并且所述非晶合金粉末中的顆粒為扁平形狀，顆粒的平均厚度為 0. l-2iiffl，平均縱才黃比為10-100。
13. 根據(jù)權(quán)利要求12的用途，其特征在于，所述非晶合金粉末 的顆粒的平均厚度為0. 2-1.8jam，更優(yōu)選0. 5-1. 5 jjm。
14. 根據(jù)權(quán)利要求12的用途，其特征在于，所述非晶合金粉末 的顆粒的平均縱橫比為20 - 100,更優(yōu)選為60 - 80。
全文摘要
本發(fā)明涉及一種扁平型非晶合金粉末及其制備方法。本發(fā)明的扁平型非晶合金粉末的組成以原子比表示滿足Fe_{(100-a-b-c-x-y-z-t)}Cr_aM_bT_cP_xSi_yB_zC_t，其中，M為選自Mo和Nb中的一種；T為選自Sn和Al中的一種或兩種；表示原子組成百分比的a、b、c、x、y、z、t分別為1≤a≤5；1≤b≤5；2≤c≤4；2≤a+b≤8；2≤x≤15；1≤y≤8；1≤z≤12；0.5≤t≤6。本發(fā)明還涉及包含該粉末的電磁波吸收體。本發(fā)明的電磁波吸收體是由上述扁平型粉末與聚合物絕緣材料復(fù)合而成，在10MHz-3GHz頻帶內(nèi)具有優(yōu)異的電磁波吸收特性。
文檔編號C22C45/00GK101624689SQ20091009115
公開日2010年1月13日 申請日期2009年8月11日 優(yōu)先權(quán)日2009年8月11日
發(fā)明者劉天成, 劉開煌, 盧志超, 周少雄, 亮 張, 李德仁, 峰 郭, 陸曹衛(wèi) 申請人:安泰科技股份有限公司