一種低電磁吸收比的天線的制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及天線，尤其涉及一種低電磁吸收比的天線。
【背景技術(shù)】
[0002]在2G與3G無(wú)限通信系統(tǒng)中，所支持的頻率范圍為824 — 960MHz，1710 — 2170MHz。
[0003]隨著第四代行動(dòng)通信的普及，TDD-LTE與n)D-LTE的使用，在國(guó)內(nèi)支持TDD-LTE頻段38/39/40/41，其頻率范圍從2300 — 2400MHz與2496 — 2790MHz，同時(shí)北美支持!7DD-LTE頻段13與17，其頻率范圍為704 — 787MHz。
[0004]在受限于移動(dòng)式裝置的有效空間，需要設(shè)計(jì)支持多模的天線。在移動(dòng)通信市場(chǎng)上，除強(qiáng)調(diào)通信品質(zhì)的質(zhì)量，也同時(shí)注重低電磁吸收比的天線設(shè)計(jì)，因此，如何設(shè)計(jì)一種低電磁吸收比的天線是本領(lǐng)域技術(shù)人員亟待解決的技術(shù)問(wèn)題。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0005]為了解決現(xiàn)有技術(shù)中的問(wèn)題，本發(fā)明提供了一種低電磁吸收比的天線。
[0006]本發(fā)明提供了一種低電磁吸收比的天線，包括接地單元、第一輻射單元、第二輻射單元和饋電單元，其中，所述接地單元的一端與所述第一福射單元連接，所述接地單元的另一端與所述第二輻射單元連接，所述接地單元、第一輻射單元、第二輻射單元圍合成具有開(kāi)口的框形，所述饋電單元位于所述框形之內(nèi)，所述開(kāi)口位于所述第一輻射單元、第二輻射單元之間。
[0007]作為本發(fā)明的進(jìn)一步改進(jìn)，所述饋電單元為T型，所述饋電單元包括饋電部和自所述饋電部的頂端往相反方向延伸的第一激發(fā)單元、第二激發(fā)單元，所述饋電部垂直于所述第一激發(fā)單元、第二激發(fā)單元，所述第一激發(fā)單元與所述第一輻射單元形成耦合，所述第二激發(fā)單元與所述第二輻射單元形成耦合，第一激發(fā)單元、第二激發(fā)單元形成平衡式饋入。
[0008]作為本發(fā)明的進(jìn)一步改進(jìn)，所述饋電部的底端設(shè)有饋電點(diǎn)。
[0009]作為本發(fā)明的進(jìn)一步改進(jìn)，所述接地單元為直線狀，所述接地單元的中點(diǎn)設(shè)有短路點(diǎn)，所述接地單元分別與所述第一激發(fā)單元、第二激發(fā)單元相平行。
[0010]作為本發(fā)明的進(jìn)一步改進(jìn)，所述第一輻射單元包括與所述接地單元連接的第一連接體和與所述第一連接體連接的第一輻射單體，所述第一連接體垂直于所述接地單元，所述第一輻射單體平行于所述接地單元。
[0011]作為本發(fā)明的進(jìn)一步改進(jìn)，所述第二輻射單元包括與所述接地單元連接的第二連接體和與所述第二連接體連接的第二輻射單體，所述第二連接體垂直于所述接地單元，所述第二輻射單體平行于所述接地單元。
[0012]作為本發(fā)明的進(jìn)一步改進(jìn)，所述第一輻射單體在所述接地單元上的投影與所述第一激發(fā)單元在所述接地單元上的投影至少有部分相重合，所述第二輻射單體在所述接地單元上的投影與所述第二激發(fā)單元在所述接地單元上的投影至少有部分相重合。
[0013]作為本發(fā)明的進(jìn)一步改進(jìn)，所述第一連接體、第一輻射單體的總長(zhǎng)為Xl，X1為低頻800Hz的四分之一波長(zhǎng)，所述第二連接體、第二輻射單體的總長(zhǎng)為X2，X2為低頻900Hz的四分之一波長(zhǎng)。
[0014]作為本發(fā)明的進(jìn)一步改進(jìn)，所述饋電部、第一激發(fā)單元的總長(zhǎng)為Yl，Yl略低于或者低于低頻800Hz的四分之一波長(zhǎng)，所述饋電部、第二激發(fā)單元的總長(zhǎng)為Y2，Y2略低于或者低于低頻900Hz的四分之一波長(zhǎng)。
[0015]作為本發(fā)明的進(jìn)一步改進(jìn)，所述第一輻射單體遠(yuǎn)離所述第一連接體的一端設(shè)有第一開(kāi)路，所述第二輻射單體遠(yuǎn)離所述第二連接體的一端設(shè)有第二開(kāi)路。
[0016]本發(fā)明的有益效果是:通過(guò)上述方案，可通過(guò)饋電單元分別與所述第一輻射單元、第二輻射單元形成耦合，實(shí)現(xiàn)輻射能量的平均分布，達(dá)到低電磁吸收比的目的。
【附圖說(shuō)明】
[0017]圖1是本發(fā)明一種低電磁吸收比的天線的示意圖。
【具體實(shí)施方式】
[0018]下面結(jié)合【附圖說(shuō)明】及【具體實(shí)施方式】對(duì)本發(fā)明進(jìn)一步說(shuō)明。
[0019]圖1中的附圖標(biāo)號(hào)為:短路點(diǎn)I;饋電點(diǎn)2;接地單元3;第一輻射單體4;第一連接體5;第一開(kāi)路6;第二輻射單體7;第二開(kāi)路8;第二連接體9;饋電部10;第一激發(fā)單元11;第二激發(fā)單元12。
[0020]如圖1所示，一種低電磁吸收比的天線，包括接地單元3、第一輻射單元、第二輻射單元和饋電單元，其中，所述接地單元3的一端與所述第一福射單元連接，所述接地單元3的另一端與所述第二輻射單元連接，所述接地單元、第一輻射單元、第二輻射單元圍合成具有開(kāi)口的框形，所述饋電單元位于所述框形之內(nèi)，所述開(kāi)口位于所述第一輻射單元、第二輻射單元之間。
[0021 ] 如圖1所示，所述饋電單元為T型，所述饋電單元包括饋電部1和自所述饋電部1的頂端往相反方向延伸的第一激發(fā)單元11、第二激發(fā)單元12，所述饋電部10垂直于所述第一激發(fā)單元11、第二激發(fā)單元12，所述第一激發(fā)單元11與所述第一輻射單元形成耦合，所述第二激發(fā)單元12與所述第二輻射單元形成耦合，第一激發(fā)單元11、第二激發(fā)單元12形成平衡式饋入，通過(guò)平衡式饋入將輻射能量平均分布在所述第一激發(fā)單元11、第二激發(fā)單元12上，以達(dá)到低電磁吸收比的作用。
[0022]如圖1所示，所述饋電部10的底端設(shè)有饋電點(diǎn)2。
[0023]如圖1所示，所述接地單元3為直線狀，所述接地單元3的中點(diǎn)設(shè)有短路點(diǎn)I，所述接地單元3分別與所述第一激發(fā)單元11、第二激發(fā)單元12相平行。
[0024]如圖1所示，所述第一福射單元包括與所述接地單元3連接的第一連接體5和與所述第一連接體5連接的第一輻射單體4，所述第一連接體5垂直于所述接地單元3，所述第一福射單體4平行于所述接地單元3。
[0025]如圖1所示，所述第二輻射單元包括與所述接地單元3連接的第二連接體9和與所述第二連接體9連接的第二輻射單體7，所述第二連接體9垂直于所述接地單元3，所述第二福射單體7平行于所述接地單元3。
[0026]如圖1所示，所述第一輻射單體4在