專利名稱：離子源腔體送氣時的真空沖擊保護方法
技術領域：
本發(fā)明涉及一種真空腔體送氣防沖擊方法，尤其設計離子源真空腔體送入工藝氣 體時的真空沖擊防護方法，屬于半導體器件制造領域。
背景技術：
離子注入機工作時需要向離子源腔體送入工藝氣體，一般工藝氣體在3種以上， 工藝氣體使用SDS低壓氣瓶或者工廠統(tǒng)一送氣管供氣，工藝氣體由支路送氣閥門控制，具 體送入的氣體流量由對應的質(zhì)量流量計控制，由于質(zhì)量流量計不具備截止能力，所以新選 擇的氣瓶支路壓力可能達到20psi，在開啟離子源送氣隔離閥時會對真空腔體產(chǎn)生很大的 沖擊，甚至可能破壞離子源高真空，影響真空泵、離子源的使用壽命，需要一種可靠的方法 降低對真空的沖擊破壞。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明針對管路殘余工藝氣體對高真空形成沖擊破壞的情況，提出一種防止沖擊 的閥門開啟方法，操作簡單，效果顯著。本發(fā)明通過以下技術方法實現(xiàn)一種離子注入機用的離子源真空腔體送入工藝氣 體時的真空沖擊防護方法，使用了離子源真空高規(guī)、送氣管路壓力傳感器、送氣隔離閥、支 路隔離閥、質(zhì)量流量計等控制部件，方法如下(1)真空沖擊防護方法開始。(2)選擇工藝菜單指定的工藝氣體對應的SDS低壓氣瓶，設置氣瓶對應的質(zhì)量流 量計(以下簡稱MFG)為零，打開氣瓶對應的支路隔離閥。(3)打開離子源送氣隔離閥(以下簡稱Vs) —段時間(4)如果送氣管路壓力傳感器(以下簡稱Sp)的檢測值小于設定值(以對高真空 形成沖擊破壞為要求)則防護方法結(jié)束否則繼續(xù)(5)關閉Vs —段時間，直到離子源恢復較高的真空值(6)重復多次，直到Sp檢測值滿足要求(7)將MFG設定為工藝菜單指定值(8)真空沖擊防護方法結(jié)束。本發(fā)明具有如下顯著優(yōu)點1 方法簡單、實用、不需要增加新的硬件、易于操作。2 效果顯著，徹底杜絕沖擊現(xiàn)象。


圖1 離子源送氣結(jié)構示意2 真空沖擊防護方法流程圖
具體實施例方式下面結(jié)合附圖2，對本發(fā)明所述的束流傳輸控制方法作進一步的描述。圖2所述的控制流程由計算機自動完成，具體步驟如下(1)真空沖擊防護方法開始。(2)選擇工藝菜單指定的工藝氣體對應的SDS低壓氣瓶，設置氣瓶對應的質(zhì)量流 量計為零，打開氣瓶對應的支路隔離閥。(3)監(jiān)測離子源真空高規(guī)(以下簡稱Gs)，如果離子源真空(以下簡稱Ps)高于設 定值Pon，則進入(5)否則進入(4)。(4)監(jiān)測時間大于等于高真空超時時間，則進入(11)否則返回(3)。(5)打開離子源送氣隔離閥(以下簡稱Vs)。(6)監(jiān)測Gs,如果Ps低于設定值Poff,則進入(9)否則進入(7)。(7)Vs連續(xù)開啟時間大于等于閥門開啟時間設定值，則進入⑶否則返回(6)。(8)檢測送氣管路壓力傳感器Sp,如果壓力傳感器檢測值小于設定值Pgasin，則 進入(12)否則進入(9)。(9)關閉離子源送氣隔離閥Vs，重復次數(shù)計數(shù)器Cl加1。(10)重復次數(shù)計數(shù)器Cl大于重復次數(shù)設定值，則進入(11)否則進入(3)。(11)啟動報警離子源送氣真空保護錯誤，進入(13)。(12)設置MFG為工藝菜單中指定的設定值。(13)真空沖擊防護方法結(jié)束。其中由于打開Vs時，Gs反應和獲取時間較長，步驟(6)主要用于防止意外情況， 實際保護判定由步驟(7)完成，(7)的閥門開啟時間設置的很小，一般在毫秒級。Pon指離子源真空設定值，如果離子源真空高于此設定值，則此時打開送氣隔離閥 開始送入氣體時對離子源高真空不存在破壞性的影響。Poff指離子源真空設定值，如果離子源真空低于此設定值，則此時必須關閉送氣 隔離閥，否則離子源高真空會受到破壞性的影響。Pgasin指送氣管路壓力傳感器的設定值，如果送氣管路壓力小于此設定值，則表 示管路內(nèi)的殘余氣體已經(jīng)清理完畢，可以持續(xù)打開。本發(fā)明的特定實施例已對本發(fā)明的工作原理、應用范圍作了詳細的說明。對本領 域一般技術人員而言，在不背離本發(fā)明的工作原理和應用前提下對它所做的任何顯而易見 的改動，都不會超出本申請說明書描述和所附權利要求規(guī)范的保護范圍。
權利要求
1. 一種離子注入機用的向離子源真空腔體送入工藝氣體時的真空沖擊防護方法，使用 了離子源真空高規(guī)、送氣管路壓力傳感器、送氣隔離閥、支路隔離閥、質(zhì)量流量計等控制部 件，方法如下(1)真空沖擊防護方法開始；(2)選擇工藝菜單指定的工藝氣體對應的SDS低壓氣瓶，設置氣瓶對應的質(zhì)量流量計 (以下簡稱MFG)為零，打開氣瓶對應的支路隔離閥；(3)打開離子源送氣隔離閥(以下簡稱Vs)—段時間；(4)如果送氣管路壓力傳感器(以下簡稱Sp)的檢測值小于設定值(以對高真空形成 沖擊破壞為要求)則防護方法結(jié)束否則繼續(xù)；(5)關閉Vs—段時間，直到離子源恢復較高的真空值；(6)重復多次，直到Sp檢測值滿足要求；(7)將MFG設定為工藝菜單指定值；(8)真空沖擊防護方法結(jié)束。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種離子注入機用的離子源真空腔體送入工藝氣體時的真空沖擊防護方法，使用了離子源真空高規(guī)、送氣管路壓力傳感器、送氣隔離閥、支路隔離閥、質(zhì)量流量計，屬于半導體器件制造領域。具體實現(xiàn)方法為選擇工藝指定的SDS低壓氣瓶，設置質(zhì)量流量計為零，打開氣瓶對應的支路隔離閥，打開送氣隔離閥一段時間，再關閉送氣隔離閥一段時間，開關時監(jiān)測離子源真空高規(guī)，防止離子源真空破壞，如此反復開關直到打開送氣隔離閥時壓力傳感器檢測值小于設定值，再設置質(zhì)量流量計到工藝設定初始值，這樣可以防止送氣管路殘余和質(zhì)量流量計泄露的氣體對離子源真空的沖擊破壞。
文檔編號C23C14/54GK102002676SQ20091009066
公開日2011年4月6日 申請日期2009年9月3日 優(yōu)先權日2009年9月3日
發(fā)明者周文龍, 孫勇, 王迪平, 羅宏洋, 謝均宇 申請人:北京中科信電子裝備有限公司