專利名稱：一種鋁酸鋰晶片的化學(xué)機(jī)械拋光方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及晶片拋光方法，具體涉及一種鋁酸鋰晶片的化學(xué)機(jī)械拋光方法。
背景技術(shù)：
化學(xué)機(jī)械拋光(chemical mechanical polishing，簡稱CMP)技術(shù)是機(jī)械磨削和化 學(xué)腐蝕的組合技術(shù)，它借助超微粒子的研磨作用及漿料的化學(xué)腐蝕作用在被加工表面形成 光潔平坦平面。目前，用于GaN異質(zhì)外延襯底的化學(xué)機(jī)械拋光研究主要集中在藍(lán)寶石襯底 上，針對鋁酸鋰襯底表面的化學(xué)機(jī)械拋光報道很少。為了提高鋁酸鋰襯底的競爭力，研究一 種高精密鋁酸鋰晶片的平坦方法，已成為亟待解決的重要技術(shù)方法。鋁酸鋰晶體有三種晶相，即α相、β相、Y相，分別為六方、單斜和四方結(jié)構(gòu)，其中 Y-Al2O3為高溫穩(wěn)定相，被用作GaN外延的襯底材料。它屬于四方晶系，空間群為Ρ4&2。 Li+和Al3+交替處于氧四面體中心。Y -Al2O3結(jié)構(gòu)與纖鋅礦結(jié)構(gòu)的GaN非常接近，它與GaN 的晶格失配很小，晶格失配度分別為α向上失配度為_0.3%，c向失配度為-1.7%，小于 常用襯底藍(lán)寶石(失配度13. 7% )和碳化硅(3. 5% )。鋁酸鋰晶體生長成本低于藍(lán)寶石和 碳化硅，而且生長方法簡單，生長周期較短，適合于工業(yè)化生產(chǎn)，其優(yōu)異特性也有利于制備 高功率器件，是一種非常有市場前景的襯底材料。襯底材料的表面質(zhì)量對于其上外延膜的結(jié)晶質(zhì)量有很大的影響，為了制備高質(zhì)量 的薄膜，襯底材料必須具備高精度平坦的表面。如果在表面質(zhì)量比較差的(100) Y-Al2O3襯 底上生長GaN薄膜，得到的是(OOOl)GaN,而不是預(yù)期非極性的(IlOO)GaN,由此可見LiAlO2 襯底的表面質(zhì)量對其生長的GaN薄膜有非常大的影響。中國專利CN101407429A公開了一種用于鉭酸鋰晶體材料的高精密平坦化方法， 該方法中用堿性SiO2拋光液進(jìn)行化學(xué)機(jī)械拋光，對(100)面和(302)面的Y-Al2O3晶片進(jìn) 行化學(xué)機(jī)械拋光，該方法對Y -Al2O3晶片拋光后，會在晶片表明形成一層SiO2薄膜，必須通 過退火來消除該層薄膜，因此造成拋光工藝繁瑣。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明解決的技術(shù)問題在于，提供一種操作簡單的鋁酸鋰晶片的化學(xué)機(jī)械拋光方法。為了解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明提供一種鋁酸鋰晶片的拋光方法，包括采用具有第一濃度的拋光液對所述鋁酸鋰晶片進(jìn)行第一階段化學(xué)機(jī)械拋光；采用具有第二濃度的所述拋光液對所述鋁酸鋰晶片進(jìn)行第二階段化學(xué)機(jī)械拋 光；使用清水對所述鋁酸鋰晶片進(jìn)行拋光；所述第二濃度低于第一濃度，所拋光液為堿性Al2O3拋光液。優(yōu)選的，所述堿性Al2O3拋光液的PH值為8 13. 5。優(yōu)選的，所述堿性Al2O3拋光液還包括表面活性劑或氧化劑。
優(yōu)選的，所述堿性Al2O3拋光液還包括PH值穩(wěn)定劑，所述PH值穩(wěn)定劑為磷酸/磷 酸鈉緩沖溶液。優(yōu)選的，所述堿性Al2O3拋光液包括粒徑為20nm 50nm的Al2O3粉體。優(yōu)選的，所述具有第一濃度的拋光液的濃度為0. 05mol/L 0. lmol/L。優(yōu)選的，所述具有第二濃度的拋光液的濃度為0. 01mol/L 0. 04mol/L。優(yōu)選的，進(jìn)行第一階段化學(xué)機(jī)械拋光時的轉(zhuǎn)速為120 200rpm。優(yōu)選的，進(jìn)行第二階段化學(xué)機(jī)械拋光時的轉(zhuǎn)速為50 90rpm。優(yōu)選的，所述化學(xué)機(jī)械拋光方法還包括 對拋光后的鋁酸鋰晶片用丙酮和無水乙醇進(jìn)行超聲清洗。本發(fā)明提供了一種鋁酸鋰晶片的化學(xué)機(jī)械拋光方法。與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明使 用堿性的Al2O3拋光液對鋁酸鋰晶片進(jìn)行化學(xué)機(jī)械拋光后，再用清水即可完成對鋁酸鋰晶 片的拋光，不必再經(jīng)過退火步驟，因此操作方法簡單。此外，由于Al2O3拋光液的中Al2O3粒 徑小，磨削效率高，分散性好，因此能夠?qū)崿F(xiàn)低粗糙度和無劃痕的目的。實驗結(jié)果表明，拋光 后的鋁酸鋰晶片的表面粗糙度小于0. 4nm。


圖1本發(fā)明提供的拋光方法所使用的化學(xué)機(jī)械拋光裝置的示意圖。
具體實施例方式本發(fā)明提供一種鋁酸鋰晶片的化學(xué)機(jī)械拋光方法，包括使用具有第一濃度的拋光液對所述鋁酸鋰晶片進(jìn)行第一階段化學(xué)拋光；使用具有第二濃度的拋光液對所述鋁酸綠晶體進(jìn)行第二階段拋光；使用清水對所述鋁酸鋰晶片進(jìn)行拋光；所述第二濃度低于第一濃度，所述拋光液為堿性Al2O3拋光液。按照本發(fā)明，進(jìn)行化學(xué)機(jī)械拋光方法(CMP)時，使用本領(lǐng)域技術(shù)人員熟知的化學(xué) 機(jī)械拋光裝置。如圖1所示，為本發(fā)明使用的化學(xué)機(jī)械拋光裝置的示意圖，所述化學(xué)機(jī)械拋 光裝置包括下研磨墊11、上研磨墊14，在上研磨墊11的上表面固定有下拋光布12，在上研 磨墊14的下表面固定有上拋光布13，待拋光的鋁酸鋰晶片20被固定在上拋光布與下拋光 布之間。拋光時，上拋光墊14沿箭頭Rl方向旋轉(zhuǎn)，下拋光11墊沿與箭頭Rl相反的旋轉(zhuǎn)方 向箭頭R2的方向旋轉(zhuǎn)，拋光液15被供入到下拋光布12與上拋光布13之間對鋁酸鋰晶片 20進(jìn)行拋光，上拋光墊和下拋光墊的相對旋轉(zhuǎn)速度被定義為化學(xué)機(jī)械拋光的旋轉(zhuǎn)速度。按照本發(fā)明，對鋁酸鋰晶片進(jìn)行化學(xué)機(jī)械拋光時，使用堿性Al2O3拋光液作為拋光 液體，所述堿性Al2O3拋光液是指PH值大于7的Al2O3拋光液。在酸性介質(zhì)中，鋁酸鋰晶片 表面容易被腐蝕，而且酸性介質(zhì)容易腐蝕化學(xué)機(jī)械拋光設(shè)備，造成晶片污染。鋁酸鋰在水中 呈弱堿性，因此選用堿性的Al2O3拋光液對晶片腐蝕較小，而且在堿性條件下，Al2O3溶膠穩(wěn) 定性好。 配制所述堿性Al2O3拋光液時，優(yōu)選將Al2O3粉末用去離子水稀釋，所述Al2O3粉末 粒徑優(yōu)選為IOnm 90nm，更優(yōu)選為20nm 80nm，更優(yōu)選為20nm 50nm，更優(yōu)選為20nm 40nm。用去離子水稀釋Al2O3粉末后，加入堿性調(diào)節(jié)劑調(diào)整PH值，所述堿性調(diào)節(jié)劑可以為KOH、NaOH或氨水中的一種或多種，但不限于此。另外，還可以加入穩(wěn)定劑如磷酸和磷酸鈉 來穩(wěn)定Al2O3拋光液的PH值。對于Al2O3拋光液的PH值，優(yōu)選為8 13. 5，更優(yōu)選為9 12，更優(yōu)選為10 11。加入堿性調(diào)節(jié)劑和穩(wěn)定劑后，還可以在所述Al2O3拋光液內(nèi)加入表面活性劑，所述 表面活性劑可以為陽離子表面活性劑、陰離子表面活性劑及非離子表面活性劑。所述陽離 子表面活性劑優(yōu)選為脂肪族胺鹽、脂肪族銨鹽。所述陰離子表面活性劑優(yōu)選為羧酸鹽、磺酸 鹽、硫酸鹽、磷酸酯鹽等。所述羧酸鹽優(yōu)選為脂肪酸皂、烷基醚羧酸鹽；所述磺酸鹽優(yōu)選為烷 基苯磺酸鹽、烷基萘磺酸鹽、α -烯烴磺酸鹽等。所述非離子性表面活性劑優(yōu)選為醚型表面 活性劑、醚酯型表面活性劑、酯型表面活性劑、乙炔系表面活性劑等。所述醚型表面活性劑 優(yōu)選為聚氧乙烯烷基醚等。所述酯型表面活性劑優(yōu)選為聚乙二醇脂肪酸酯等。另外，還可以在Al2O3拋光液加入氧化劑，所述氧化劑過氧化氫、有機(jī)過氧化物、高 錳酸化合物、重鉻酸化合物、商酸化合物、硝酸化合物、高商酸化合物、過硫酸鹽、雜多酸等， 更優(yōu)選為過氧化氫。所述有機(jī)過氧化物優(yōu)選為乙酸、過苯甲酸、叔丁基氫過氧化物；所述高 錳酸化合物優(yōu)選為高錳酸鉀；所述重鉻酸化合物優(yōu)選為重鉻酸鉀、所述商酸化合物優(yōu)選為 碘酸鉀；所述硝酸化合物優(yōu)選為硝酸、硝酸鐵等；所述高商酸化合物有序那為高氯酸；所述 過硫酸鹽優(yōu)選為過硫酸銨；所述雜多酸優(yōu)選為硅鉬酸、硅鎢酸等。按照本發(fā)明，進(jìn)行第一階段化學(xué)機(jī)械拋光時，使用具有第一濃度的堿性Al2O3拋光 液，進(jìn)行第二階段化學(xué)機(jī)械拋光時，使用具有第二濃度的堿性Al2O3拋光液，所述第二濃度 的堿性Al2O3拋光液的濃度低于所述第二濃度的堿性Al2O3拋光液。對于所述第一濃度的 堿性Al2O3拋光液的濃度0. 05mol/L 0. lmol/L,優(yōu)選為0. 06mol/L 0. 09mol/L,更優(yōu)選 為0. 07mol/L 0. 08mol/L。本文所述堿性Al2O3拋光液的濃度是指每升拋光液中所含有 的A1203的物質(zhì)的量。按照本發(fā)明，進(jìn)行第一階段化學(xué)機(jī)械拋光時，轉(zhuǎn)速優(yōu)選為120rpm 200rpm，優(yōu)選 為150rpm 180rpm ；第一濃度的堿性Al2O3拋光液的流量優(yōu)選為800g/min 5000g/min， 更優(yōu)選為1000g/min 4000g/min，更優(yōu)選為2000g/min 3000g/min。第一階段化學(xué)機(jī)械 拋光時的溫度優(yōu)選為20°C 30°C，更優(yōu)選為22°C 25°C，壓力優(yōu)選為0. 05MPa 0. IMPa, 優(yōu)選為 0. 06MPa 0. 09MPa,更優(yōu)選為 0. 07MPa 0. 08MPa。按照本發(fā)明，進(jìn)行第二階段化學(xué)機(jī)械拋光時，轉(zhuǎn)速優(yōu)選為50rpm 90rpm，優(yōu)選 為60rpm 80rpm ；第二濃度的堿性Al2O3拋光液的濃度0. 01mol/L 0. 04mol/L,優(yōu)選為 0. 02mol/L 0. 03mol/L。第二濃度的堿性Al2O3拋光液的流量優(yōu)選為800g/min 5000g/ min,更優(yōu)選為 1000g/min 4000g/min，更優(yōu)選為 2000g/min 3000g/min。第二階段化 學(xué)機(jī)械拋光時的溫度優(yōu)選為20°C 30°C，更優(yōu)選為22°C 25°C，壓力優(yōu)選為0. 05MPa 0. IMPa,優(yōu)選為 0. 06MPa 0. 09MPa,更優(yōu)選為 0. 07MPa 0. 08MPa。按照本發(fā)明，進(jìn)行第二階段化學(xué)機(jī)械拋光后，使用清水對鋁酸鋰晶片進(jìn)行拋光，拋 光時間為lmin-5min，優(yōu)選為2min-4min。使用清水進(jìn)行拋光時，對于轉(zhuǎn)速優(yōu)選為50rpm 90rpm，溫度優(yōu)選為20°C 30°C，壓力優(yōu)選為0. 05MPa 0. IMPa。使用清水對鋁酸鋰晶片拋光后，可以將晶片放在丙酮或無水乙醇中進(jìn)行超聲清 洗。本發(fā)明提供一種鋁酸鋰晶片的化學(xué)機(jī)械拋光方法。按照本發(fā)明，與現(xiàn)有技術(shù)相比，使用堿性的Al2O3拋光液對鋁酸鋰晶片進(jìn)行化學(xué)機(jī)械拋光后，再用清水即可完成對鋁酸鋰 晶片的拋光，不必再經(jīng)過退火步驟，因此操作方法簡單。此外，由于Al2O3拋光液的中Al2O3 粒徑小，磨削效率高，分散性好，因此能夠?qū)崿F(xiàn)低粗糙度和無劃痕的目的。實驗結(jié)果表明，拋 光后的鋁酸鋰晶片的表面粗糙度小于0. 4nm。為了進(jìn)一步了解本發(fā)明，下面結(jié)合實施例對本發(fā)明提供鋁酸鋰晶片的化學(xué)機(jī)械拋 光方法進(jìn)行描述。實施例1本實施例提供的鋁酸鋰晶片的拋光方法，包括步驟配制濃度為0. 05mol/L的堿性Al2O3拋光液。稱取粒徑為20nm 50nm的Al2O3粉 體0. 2mol后放入容器內(nèi)，量取4000ml的離子水添加到所述容器內(nèi)，同時攪拌；再稱取5g聚 乙烯醚加入到所述容器內(nèi)，然后向所述容器內(nèi)滴加0. lmol/L的KOH水溶液，調(diào)整至容器內(nèi) 溶液的PH值到9，最后得到濃度為0. 05mol/L的堿性Al2O3拋光液；按照上述相同步驟，配制濃度為0. 01mol/L的拋光液；利用圖1所示的化學(xué)機(jī)械拋光裝置，將鋁酸鋰晶片安裝到化學(xué)機(jī)械拋光裝置上， 先用所述濃度為0.05mol/L的堿性Al2O3拋光液對(302)晶面的鋁酸鋰晶片進(jìn)行第一階段 化學(xué)機(jī)械拋光，拋光時間為4小時，轉(zhuǎn)速為150rpm，拋光溫度為25°C，壓力為0. 05MPa，拋光 液流量為1000g/min。第一階段化學(xué)機(jī)械拋光后，用所述濃度為0. Olmol的拋光液供入所述化學(xué)機(jī)械裝 置內(nèi)進(jìn)行第二階段化學(xué)機(jī)械拋光，拋光時間為2小時，轉(zhuǎn)速為70rpm，拋光溫度為25°C，壓力 為0. 05MPa，拋光液流量為1000g/min。第二階段化學(xué)機(jī)械拋光后，使用清水拋光5min，拋光溫度為25°C，壓力為 0.05MPa。然后，將拋光后的晶片放在超聲清洗機(jī)內(nèi)用無水乙醇和丙酮各進(jìn)行清洗lOmin，測 量表面粗糙度RMS為0. 259nm。實施例2本實施例提供的鋁酸鋰晶片的拋光方法，包括步驟配制濃度為0. lmol/L的堿性Al2O3拋光液。稱取粒徑為20nm 50nm的Al2O3粉 體0. 4mol后放入容器內(nèi)，量取4000ml的離子水添加到所述容器內(nèi)，同時攪拌；再稱取5g聚 乙二醇脂肪酸酯加入到所述容器內(nèi)，然后向所述容器內(nèi)滴加0. lmol/L的KOH水溶液，調(diào)整 至容器內(nèi)溶液的PH值到9，最后得到濃度為0. lmol/L的堿性Al2O3拋光液；按照上述相同步驟，配制濃度為0. 03mol/L的拋光液；利用圖1所示的化學(xué)機(jī)械拋光裝置，將鋁酸鋰晶片安裝到化學(xué)機(jī)械拋光裝置上， 先用所述濃度為0. lmol/L的堿性Al2O3拋光液對(302)晶面的鋁酸鋰晶片進(jìn)行第一階段化 學(xué)機(jī)械拋光，拋光時間為4小時，轉(zhuǎn)速為150rpm，拋光溫度為30°C，壓力為0. IMPa,拋光液流 量為 1000g/min。第一階段化學(xué)機(jī)械拋光后，用所述濃度為0. 03mol的拋光液供入所述化學(xué)機(jī)械裝 置內(nèi)進(jìn)行第二階段化學(xué)機(jī)械拋光，拋光時間為2小時，轉(zhuǎn)速為70rpm，拋光溫度為30°C，壓力 為0. IMPa，拋光液流量為1000g/min。第二階段化學(xué)機(jī)械拋光后，使用清水拋光4min，拋光溫度為30°C，壓力為0. IMPa0
然后，將拋光后的晶片放在超聲清洗機(jī)內(nèi)用無水乙醇和丙酮各進(jìn)行清洗lOmin，測 量表面粗糙度RMS為0. 336nm。實施例3本實施例提供的鋁酸鋰晶片的拋光方法，包括步驟配制濃度為0. 05mol/L的堿性Al2O3拋光液。稱取粒徑為20nm 50nm的Al2O3粉 體0. 2mol后放入容器內(nèi)，量取4000ml的離子水添加到所述容器內(nèi)，同時攪拌；再稱取3g聚 乙二醇脂肪酸酯加入到所述容器內(nèi)，然后向所述容器內(nèi)滴加0. lmol/L的KOH水溶液，調(diào)整 至容器內(nèi)溶液的PH值到9，最后得到濃度為0. 05mol/L的堿性Al2O3拋光液；按照上述相同步驟，配制濃度為0. 02mol/L的拋光液；利用圖1所示的化學(xué)機(jī)械拋光裝置，將鋁酸鋰晶片安裝到化學(xué)機(jī)械拋光裝置上， 先用所述濃度為0.05mol/L的堿性Al2O3拋光液對(302)晶面的鋁酸鋰晶片進(jìn)行第一階段 化學(xué)機(jī)械拋光，拋光時間為4小時，轉(zhuǎn)速為150rpm，拋光溫度為30°C，壓力為0. IMPa,拋光液 流量為 1000g/min。第一階段化學(xué)機(jī)械拋光后，用所述濃度為0. 02mol的拋光液供入所述化學(xué)機(jī)械裝 置內(nèi)進(jìn)行第二階段化學(xué)機(jī)械拋光，拋光時間為2小時，轉(zhuǎn)速為70rpm，拋光溫度為30°C，壓力 為0. IMPa，拋光液流量為1000g/min。第二階段化學(xué)機(jī)械拋光后，使用清水拋光5min，拋光溫度為30°C，壓力為0. IMPa0然后，將拋光后的晶片放在超聲清洗機(jī)內(nèi)用無水乙醇和丙酮各進(jìn)行清洗lOmin，測 量表面粗糙度RMS為0. 389nm。實施例4本實施例提供的鋁酸鋰晶片的拋光方法，包括步驟配制濃度為0. 05mol/L的堿性Al2O3拋光液。稱取粒徑為20nm 50nm的Al2O3粉 體0. 2mol后放入容器內(nèi)，量取4000ml的離子水添加到所述容器內(nèi)，同時攪拌；再稱取3g聚 乙二醇脂肪酸酯加入到所述容器內(nèi)，然后向所述容器內(nèi)滴加0. lmol/L的KOH水溶液，調(diào)整 至容器內(nèi)溶液的PH值到10，最后得到濃度為0. 05mol/L的堿性Al2O3拋光液；按照上述相同步驟，配制濃度為0. 02mol/L的拋光液；利用圖1所示的化學(xué)機(jī)械拋光裝置，將鋁酸鋰晶片安裝到化學(xué)機(jī)械拋光裝置上， 先用所述濃度為0.05mol/L的堿性Al2O3拋光液對(302)晶面的鋁酸鋰晶片進(jìn)行第一階段 化學(xué)機(jī)械拋光，拋光時間為4小時，轉(zhuǎn)速為150rpm，拋光溫度為30°C，壓力為0. IMPa,拋光液 流量為 1000g/min。第一階段化學(xué)機(jī)械拋光后，用所述濃度為0. 02mol的拋光液供入所述化學(xué)機(jī)械裝 置內(nèi)進(jìn)行第二階段化學(xué)機(jī)械拋光，拋光時間為2小時，轉(zhuǎn)速為50rpm，拋光溫度為30°C，壓力 為0. IMPa，拋光液流量為1000g/min。第二階段化學(xué)機(jī)械拋光后，使用清水拋光4min，拋光溫度為30°C，壓力為0. IMPa0然后，將拋光后的晶片放在超聲清洗機(jī)內(nèi)用無水乙醇和丙酮各進(jìn)行清洗lOmin，測 量表面粗糙度RMS為0. 259nm。實施例5本實施例提供的鋁酸鋰晶片的拋光方法，包括步驟配制濃度為0. 07mol/L的堿性Al2O3拋光液。稱取粒徑為20nm 50nm的Al2O3粉體0. 28mol后放入容器內(nèi)，量取4000ml的離子水添加到所述容器內(nèi)，同時攪拌；再稱取5g 聚乙二醇脂肪酸酯加入到所述容器內(nèi)，然后向所述容器內(nèi)滴加0. lmol/L的KOH水溶液，調(diào) 整至容器內(nèi)溶液的PH值到8，最后得到濃度為0. 07mol/L的堿性Al2O3拋光液；按照上述相同步驟，配制濃度為0. 01mol/L的拋光液；利用圖1所示的化學(xué)機(jī)械拋光裝置，將鋁酸鋰晶片安裝到化學(xué)機(jī)械拋光裝置上， 先用所述濃度為0.07mol/L的堿性Al2O3拋光液對(302)晶面的鋁酸鋰晶片進(jìn)行第一階段 化學(xué)機(jī)械拋光，拋光時間為4小時，轉(zhuǎn)速為150rpm，拋光溫度為30°C，壓力為0. IMPa,拋光液 流量為 1000g/min。第一階段化學(xué)機(jī)械拋光后，用所述濃度為0. 01mol/L的拋光液供入所述化學(xué)機(jī)械 裝置內(nèi)進(jìn)行第二階段化學(xué)機(jī)械拋光，拋光時間為2小時，轉(zhuǎn)速為70rpm，拋光溫度為30°C，壓 力為0. IMPa，拋光液流量為1000g/min。第二階段化學(xué)機(jī)械拋光后，使用清水拋光5min，拋光溫度為30°C，壓力為0. IMPa0然后，將拋光后的晶片放在超聲清洗機(jī)內(nèi)用無水乙醇和丙酮各進(jìn)行清洗lOmin，測 量表面粗糙度RMS為0. 256nm。以上對本發(fā)明提供鋁酸鋰晶片的化學(xué)機(jī)械拋光方法進(jìn)行了詳細(xì)的介紹，行了詳細(xì) 介紹。本文中應(yīng)用了具體個例對本發(fā)明的原理及實施方式進(jìn)行了闡述，以上實施例的說明 只是用于幫助理解本發(fā)明的方法及其核心思想。應(yīng)當(dāng)指出，對于本技術(shù)領(lǐng)域的普通技術(shù)人 員來說，在不脫離本發(fā)明原理的前提下，還可以對本發(fā)明進(jìn)行若干改進(jìn)和修飾，這些改進(jìn)和 修飾也落入本發(fā)明權(quán)利要求的保護(hù)范圍內(nèi)。
權(quán)利要求
一種鋁酸鋰晶片的化學(xué)機(jī)械拋光方法，包括采用具有第一濃度的拋光液對所述鋁酸鋰晶片進(jìn)行第一階段化學(xué)機(jī)械拋光；采用具有第二濃度的所述拋光液對所述鋁酸鋰晶片進(jìn)行第二階段化學(xué)機(jī)械拋光；使用清水對所述鋁酸鋰晶片進(jìn)行拋光；所述第二濃度低于第一濃度，所述拋光液為堿性Al2O3拋光液。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的化學(xué)機(jī)械拋光方法，其特征在于，所述堿性Al2O3拋光液的PH 值為8 13. 5。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的化學(xué)機(jī)械拋光方法，其特征在于，所述堿性Al2O3拋光液包括 粒徑為20nm 50nm的Al2O3粉體。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的化學(xué)機(jī)械拋光方法，其特征在于，所述堿性Al2O3拋光液還包 括表面活性劑或氧化劑。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的化學(xué)機(jī)械拋光方法，其特征在于，所述堿性Al2O3拋光液還包 括PH值穩(wěn)定劑，所述PH值穩(wěn)定劑為磷酸/磷酸鈉緩沖溶液。
6.根據(jù)權(quán)利要求1至5任一項所述的化學(xué)機(jī)械拋光方法，其特征在于，所述具有第一濃 度的拋光液的濃度為0. 05mol/L 0. lmol/L。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的化學(xué)機(jī)械拋光方法，其特征在于，所述具有第二濃度的拋光 液的濃度為 0. 01mol/L 0. 04mol/Lo
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的化學(xué)機(jī)械拋光方法，其特征在于，進(jìn)行第一階段化學(xué)機(jī)械拋 光時的轉(zhuǎn)速為120 200rpm。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的化學(xué)機(jī)械拋光方法，其特征在于，進(jìn)行第二階段化學(xué)機(jī)械拋 光時的轉(zhuǎn)速為50 90rpm。
10.根據(jù)權(quán)利要求1至5任一項所述化學(xué)機(jī)械拋光方法，其特征在于，還包括對拋光后的鋁酸鋰晶片用丙酮和無水乙醇進(jìn)行超聲清洗。
全文摘要
本發(fā)明提供一種鋁酸鋰晶片的化學(xué)機(jī)械拋光方法，包括采用具有第一濃度的拋光液對所述鋁酸鋰晶片進(jìn)行第一階段化學(xué)機(jī)械拋光；采用具有第二濃度的所述拋光液對所述鋁酸鋰晶片進(jìn)行第二階段化學(xué)機(jī)械拋光；所述第二濃度低于第一濃度，所述拋光液為堿性Al2O3拋光液。與現(xiàn)有技術(shù)相比，使用堿性的Al2O3拋光液對鋁酸鋰晶片進(jìn)行化學(xué)機(jī)械拋光后，再用清水即可完成對鋁酸鋰晶片的拋光，不必再經(jīng)過退火步驟。此外，由于Al2O3拋光液的中Al2O3粒徑小，磨削效率高，分散性好，因此能夠?qū)崿F(xiàn)低粗糙度和無劃痕的目的。實驗結(jié)果表明，拋光后的鋁酸鋰晶片的表面粗糙度小于0.4nm。
文檔編號B24B29/02GK101954617SQ200910055069
公開日2011年1月26日 申請日期2009年7月20日 優(yōu)先權(quán)日2009年7月20日
發(fā)明者劉少龍, 周穎圓, 孫剛, 李抒智, 楊衛(wèi)橋, 王康平, 馬可軍 申請人:上海半導(dǎo)體照明工程技術(shù)研究中心