專利名稱：一種用于晶片頻率腐蝕的方法及其設備的制作方法
技術領域：
本發(fā)明涉及的是一種用于晶片頻率腐蝕的方法及其設備，屬于腐蝕晶片 技術領域。
背景技術：
現(xiàn)有技術中用于晶片腐蝕的工藝方法包括如下工藝步驟
1) 腐蝕液的配置；
2) 來料進行抽測幾片，并記錄下晶片的頻率，進行計算出要腐蝕的大致 時間；
3) 用手拿著放好晶片的腐蝕籃放到腐蝕液中進行晃動腐蝕；
4) 腐蝕到計算時間的一半時進行計算出要腐蝕的速率以及計算腐蝕時間；
5) 將腐蝕好的晶片用熱水沖洗干凈，倒入放有鹽酸稀釋液的容器中，用 超聲波超聲30分鐘；
6) 晶片清洗熱水清洗三次一溫水洗三次一電磁爐純凈水煮沸5分鐘一 酒精脫水一烘干。
上述工藝缺陷人工進行腐蝕，腐蝕的效率低， 一人只能操作一臺，一 臺僅能腐蝕1籃/次；腐蝕頻率管控需操作人進行人工計算腐蝕速率；腐蝕完 后晶片清洗用手工進行清洗，增加人力。 發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明提出一種用于晶片頻率腐蝕的方法及其設備，旨在克服現(xiàn)有技術 所存在的上述缺陷，實現(xiàn)加工自動化，減少了因人為因素所造成的產(chǎn)品質量 不穩(wěn)定，從而有效地提高了生產(chǎn)效率，保證了產(chǎn)品質量的一致性。
本發(fā)明的技術解決方案 一種用于晶片頻率腐蝕的方法，其特征是該方 法包括如下工藝步驟
一、 腐蝕液的配置
F>30MHz時氟化氫銨水溶液(電子級)，分子式NH4HF2,分子量57.04, 含量33%±1%，密度為1.09 1. 10g/ml; 17L氟化氫銨水溶液放到腐蝕槽內(nèi)， 溫度65±2°C;
16MHz《F〈30MHz時氟化氫銨水溶液(電子級)，分子式NH4HF2,分子 量57.04,含量33%±1%，密度為1.09 1. 10g/ml; 17L氟化氫銨水溶液放到 腐蝕槽內(nèi)，溫度50土2'C;
F<8MHz時氟化氫銨固體分子式NH4HF2,分子量57.04，氟化氫銨 水(重量比)=:2:1，配好后的混合液17L放到腐蝕槽內(nèi)，溫度78土2。C;
16MHz〈F《30MHz時氟化氫銨固體分子式NH4HF2，分子量57.04，氟 化氫銨水(重量比)=:1:1.5，配好后的混合液17L放到腐蝕槽內(nèi)，溫度60 ±2°C;
二、 腐蝕數(shù)量F《17MHz 1000 2000片/籃，F(xiàn) 〉17MHz 1500 2000/ 籃；式中的F是頻率；晶片的規(guī)格，共4籃；
三、 受電機控制的腐蝕槽振動架，在電機的控制下作上下運動1 1.5 次/秒(晶片型號HC-49U/S);四、從將腐蝕的晶片中隨機抽測晶片20片,并將該20片的頻率記錄在計 算機檔案里，取其中頻率最大的5片進行第一次腐蝕，在進行第一次腐蝕前 應將所設定的時間和頻率記錄在計算機檔案里，將第一次腐蝕的目標值為上 述20片中的平均頻率值加上述20片中的最大的頻率值除以2，該批次晶片的 腐蝕時間由計算機自動計算；
五、啟動腐蝕機，待晶片腐蝕到規(guī)定時間，將4籃晶片拎出，放入水溫在 80-100度的三道清洗槽內(nèi)清洗，每一道槽清洗時間10 15分鐘，經(jīng)三道槽清 洗后放在純凈水中超聲清洗10 15分鐘，然后放入電子級酒精超聲脫水8 IO分鐘，最后烘干，除去晶片表面水跡，
所述的三道清洗槽內(nèi)的水量占三道清洗槽3/4的容積；
所述的純凈水、電子級酒精占所在超聲波2/4的容積；
用于晶片頻率腐蝕的設備,結構是在腐蝕框內(nèi)設有腐蝕槽，腐蝕槽緊鄰三 道清洗槽，三道清洗槽和腐蝕槽間用隔板隔開，三道清洗槽間有隔板，三 道清洗槽的底部相通；三道清洗槽和腐蝕槽內(nèi)各有一根傳動桿，傳動桿上有 腐蝕槽振動架，盛放晶片籃放在該振動架上；所述的腐蝕槽外圍有一放水隔層。 本發(fā)明的優(yōu)點由自動腐蝕晶片代替人工腐蝕晶片， 一臺機能腐蝕4/次， 且每人操作2臺設備，是原加工產(chǎn)量的8倍左右；腐蝕用計算機檔案代替人 工進行頻率管控；便于自動化，減少人為因素；腐蝕完晶片清洗用自動化裝 置代替人工進行清洗，腐蝕和清洗能同時進行操作代替原來不能同時進行的 工作從而減少人力也提高了效率。


附圖1是用于晶片頻率腐蝕的設備結構示意圖。
圖中的1是腐蝕槽、2是三道清洗槽、3是A隔板、4是B隔板、5是傳 動桿、6是腐蝕槽振動架、7是放水隔層、8是抽風裝置。
具體實施例方式
對照附圖，其結構是在腐蝕框內(nèi)設有腐蝕槽1，腐蝕槽1緊鄰三道清洗槽 2，三道清洗槽2和腐蝕槽1間用A隔板隔開，三道清洗槽2內(nèi)有四塊B隔板，， 三道清洗槽2的底部相通；三道清洗槽2和腐蝕槽1內(nèi)各有一根傳動桿5， 傳動桿5上有個腐蝕槽振動架6,盛放晶片籃放在該腐蝕槽振動架6上；所述的腐 蝕槽1外圍有一放水隔層7，
所述的三道清洗槽2中的二個A隔板的高度H是不同的。 腐蝕槽1和三道清洗槽2的上方有一個共同的抽風裝置8。 實施例1
晶片頻率腐蝕方法的工藝步驟-一、腐蝕液的配置F>30MHz時氟化氫銨水溶液(電子級)，分子式-NH4HF2，分子量:57.04，含量33%±1%，密度為1. 09 1. 10g/ml; 17L氟化氫 銨水溶液放到腐蝕槽內(nèi)，溫度65士2。C;
16MHz《F〈30MHz時氟化氫銨水溶液(電子級)，分子式NH4HF2，分子 量57.04,含量33%±1%，密度為1.09 1. 10g/ml; 17L氟化氫銨水溶液放到 腐蝕槽內(nèi)，溫度50±2°〇；
F<8MHz時氟化氫銨固體分子式NH4HF2,分子量57.04，氟化氫銨 水(重量比)=:2:1,配好后的混合液17L放到腐蝕槽內(nèi)，溫度78土2-C;16MHz〈F《30MHz時氟化氫銨固體分子式NH4HF2，分子量57.04，氟 化氫銨水(重量比)=:1:1.5，配好后的混合液17L放到腐蝕槽內(nèi)，溫度60 ±2°C;
二、 腐蝕數(shù)量F《17MHz 1000片/籃，F(xiàn)〉17MHzl500/籃；式中的F 是頻率；晶片的規(guī)格，共4籃；
三、 受調(diào)速電機控制的腐蝕槽振動架作上下運動1次/秒(晶片型號
HC-49U/S);
四、 從將腐蝕的晶片中隨機抽測晶片20片,并將該20片的頻率(19537， 19577， 19539， 19565, 19576， 19533， 19536， 19580， 19586, 19570， 19560， 19568， 19565， 19539， 19575， 19578， 19567， 19569， 19539， 19567)(單
位KHZ)記錄在計算機檔案里，取其中頻率最大的5片進行第一次腐蝕，在 進行第一次腐蝕后的腐蝕時間(1000S)和頻率記錄在計算機檔案里，頻率為 20M的工藝參數(shù)為19910 20030 20150 (單位KHZ)。將第一次腐蝕的目 標值為工藝參數(shù)的中心值(20030)加上工藝參數(shù)的最大值(20150)除以2， 計算出腐蝕的目標值輸入到計算機檔案里，該批次晶片的腐蝕時間由計算機 自動計算(1033S)。
五、 啟動腐蝕機，待晶片腐蝕到規(guī)定的腐蝕時間，將4籃晶片拎出，放 入水溫在80度的三道清洗槽內(nèi)清洗，每一道槽清洗時間IO分鐘，經(jīng)三道槽 清洗后放在純凈水中超聲清洗10分鐘，然后放入電子級酒精超聲脫水8分鐘， 最后烘干，除去晶片表面水跡，所述的三道清洗槽內(nèi)的水量占三道清洗槽3/4 的容積；所述的純凈水、電子級酒精占所在超聲波2/4的容積；實施例2
晶片頻率腐蝕方法的工藝步驟包括如下工藝步驟
一、 腐蝕液的配置F>30MHZ時氟化氫銨水溶液(電子級)，分子式
NH4HF2，分子量:57.04，含量33%±1%，密度為1. 09 1. 10g/ml; 17L氟化氫 銨水溶液放到腐蝕槽內(nèi)，溫度65土2'C;
16MHz《F<30MHz時氟化氫銨水溶液(電子級)，分子式NH4HF2，分子 量57.04，含量33%±1%，密度為1.09 1. 10g/ml; 17L氟化氫銨水溶液放到 腐蝕槽內(nèi)，溫度50士2。C;
F<8MHz時氟化氫銨固體分子式NH4HF2，分子量57.04，氟化氫銨 水(重量比)=:2:1，配好后的混合液17L放到腐蝕槽內(nèi)，溫度78土2。C;
16MHz〈F《30MHz時氟化氫銨固體分子式NH4HF2，分子量57.04，氟 化氫銨水(重量比)=:1:1.5，配好后的混合液17L放到腐蝕槽內(nèi)，溫度60 士2。C;
二、 腐蝕數(shù)量F《17MHzl000片/籃，F(xiàn)〉17MHzl500/籃；式中的F 是頻率；晶片的規(guī)格，共4籃；
三、 受調(diào)速電機控制的腐蝕槽振動架作上下運動1次/秒(晶片型號 HC-49U/S);
四、 從將腐蝕的晶片中隨機抽測晶片20片,并將該20片的頻率(19008， 19031， 19064， 19099， 19046， 19004， 19078， 19078, 19044， 19002, 19058， 19072, 19055， 19047， 19082, 19001， 19005, 19089， 19021， 19068)(單
位KHZ)記錄在計算機檔案里，取其中頻率最大的5片進行第一次腐蝕，在進行第一次腐蝕后的腐蝕時間(800S)和頻率記錄在計算機檔案里，頻率為 19.2M的工藝參數(shù)為19215 19350 19485 (單位KHZ)。將第一次腐蝕的目 標值為工藝參數(shù)的中心值(19350)加上工藝參數(shù)的最大值(19485)除以2， 計算出腐蝕的目標值輸入到計算機檔案里，該批次晶片的腐蝕時間由計算機 自動計算(887S)。；
五、啟動腐蝕機，待晶片腐蝕到規(guī)定的腐蝕時間，將4籃晶片拎出，放入 水溫在80-100度的三道清洗槽內(nèi)清洗，每一道槽清洗時間15分鐘，經(jīng)三道 槽清洗后放在純凈水中超聲清洗15分鐘，然后放入電子級酒精超聲脫水10 分鐘，最后烘干，除去晶片表面水跡，所述的電子級酒精的所投超聲脫水
所述的三道清洗槽內(nèi)的水量占三道清洗槽3/4的容積；所述的純凈水、電 子級酒精占所在超聲波2/4的容積；
腐蝕時打開電源開關使腐蝕機接通電源，然后打開帶動腐蝕槽傳動桿的 調(diào)速電機使傳動桿進行上下運動，把準備腐蝕的晶片放在晶片籃內(nèi)，放好后 晶片籃放到傳動桿上的固定架上，使晶片在腐蝕槽內(nèi)的腐蝕液中進行上下震 蕩進行腐蝕，直到腐到晶片的目標頻率為止。腐蝕完晶片清洗時打開帶動清 洗槽傳動桿的調(diào)速電機，使傳動桿進行上下運動，把腐蝕到目標頻率的晶片 籃放到清洗槽傳動桿的固定架上使晶片分別在三道清洗槽流動的熱水中進行 上下震蕩進行清洗，直到晶片的表面清潔為止。
權利要求
1、一種用于晶片頻率腐蝕的方法，其特征是該方法包括如下工藝步驟一、腐蝕液的配置F>30MHz時氟化氫銨水溶液(電子級)，分子式NH4HF2，分子量57.04，含量33％±1％，密度為1.09～1.10g/ml；17L氟化氫銨水溶液放到腐蝕槽內(nèi)，溫度65±2℃；二、腐蝕數(shù)量F≤17MHz1000～2000片/籃，F(xiàn)>17MHz1500～2000/籃；式中的F是頻率；晶片的規(guī)格，共4籃；三、受電機控制的腐蝕槽振動架，在電機的控制下作上下運動1～1.5次/秒(晶片型號HC-49U/S)；四、從將腐蝕的晶片中隨機抽測晶片20片，并將該20片的頻率記錄在計算機檔案里，取其中頻率最大的5片進行第一次腐蝕，在進行第一次腐蝕前應將所設定的時間和頻率記錄在計算機檔案里，將第一次腐蝕的目標值為上述20片中的平均頻率值加上述20片中的最大的頻率值除以2，該批次晶片的腐蝕時間由計算機自動計算；五、啟動腐蝕機，待晶片腐蝕到規(guī)定時間，將4籃晶片拎出，放入水溫在80-100度的三道清洗槽內(nèi)清洗，每一道槽清洗時間10～15分鐘，經(jīng)三道槽清洗后放在純凈水中超聲清洗10～15分鐘，然后放入電子級酒精超聲脫水8～10分鐘，最后烘干，除去晶片表面水跡。
2、根據(jù)權利要求1所述的一種用于晶片頻率腐蝕的方法，其特征是所述的腐蝕液的配置工藝步驟一，16MHz《F<30MHz時氟化氫銨水溶液(電子級)， 分子式NH4HF2,分子量:57.04，含量33%±1%，密度為1. 09 1. 10g/ml; 17L 氟化氫銨水溶液放到腐蝕槽內(nèi)，溫度50士2。C。
3、 根據(jù)權利要求1所述的一種用于晶片頻率腐蝕的方法，其特征是所述 的腐蝕液的配置工藝步驟一，F(xiàn)<8MHz時氟化氫銨固體分子式NH4HF2，分 子量57.04，氟化氫銨水(重量比)=:2:1，配好后的混合液17L放到腐 蝕槽內(nèi)，溫度78士2。C。
4、 根據(jù)權利要求1所述的一種用于晶片頻率腐蝕的方法，其特征是所述 的腐蝕液的配置工藝步驟一，16MHz<F《30MHz時氟化氫銨固體分子式 NH4HF2,分子量57.04，氟化氫銨水(重量比)=:1:1.5,配好后的混合液 17L放到腐蝕槽內(nèi)，溫度60土2'C。
5、 根據(jù)權利要求1所述的一種用于晶片頻率腐蝕的方法，其特征是所述 的腐蝕液的配置工藝步驟五，所述的三道清洗槽內(nèi)的水量占三道清洗槽3/4 的容積；所述的純凈水、電子級酒精占所在超聲波2/4的容積。
6、 用于晶片頻率腐蝕的設備，其特征是在框內(nèi)設有腐蝕槽，腐蝕槽緊鄰三 道清洗槽，三道清洗槽和腐蝕槽間用隔板隔開，三道清洗槽間有隔板，三 道清洗槽的底部相通；三道清洗槽和腐蝕槽內(nèi)各有一根傳動桿，傳動桿上有 腐蝕槽振動架，盛放晶片籃放在該振動架上；所述的腐蝕槽外圍有一放水隔層。
7、 根據(jù)權利要求6所述的用于晶片頻率腐蝕的設備，其特征是所述的三道清洗槽中的二個隔板間的高度是不同的。
8、 根據(jù)權利要求6所述的用于晶片頻率腐蝕的設備，其特征是所述的腐蝕 槽和清洗槽的上方有一個共同的抽風裝置。
全文摘要
本發(fā)明涉及的是一種用于晶片頻率腐蝕的方法及其設備，腐蝕的方法包括如下工藝步驟一、腐蝕液的配置二、腐蝕數(shù)量三、腐蝕槽振動架上下運動四、來料隨機抽測晶片并由計算機自動計算該批次晶片的腐蝕時間；五、按照腐蝕時間啟動腐蝕機。設備，其結構是在框內(nèi)設有腐蝕槽，腐蝕槽緊鄰三道清洗槽，三道清洗槽和腐蝕槽間用隔板隔開，三道清洗槽間有隔板，三道清洗槽的底部相通；三道清洗槽和腐蝕槽內(nèi)各有一根傳動桿，傳動桿上有個固定架，盛放晶片籃放在該固定架；所述的腐蝕槽外圍有一放水隔層。優(yōu)點由自動腐蝕晶片是原加工產(chǎn)量的8倍；腐蝕用計算機檔案進行頻率管控，減少人為因素；腐蝕和清洗能同時進行，從而減少人力也提高了效率。
文檔編號C23F1/24GK101532180SQ200910025830
公開日2009年9月16日 申請日期2009年3月11日 優(yōu)先權日2009年3月11日
發(fā)明者王玉香, 肖玉森 申請人:南京德研電子有限公司