專利名稱：：連接端子、使用了連接端子的半導體封裝件及半導體封裝件的制造方法
技術領域：
：本發(fā)明涉及連接端子、使用了連接端子的半導體封裝件及半導體封裝件的制造方法。
背景技術：
：近年來，無論計算機、移動電話、無線基地電臺、光通信裝置、服務器及路由器等的大小如何，正在向設備的小型化、輕量化、高性能化及高功能化進展。另外，在CPU、DSP及各種存儲器等LSI的高速化及高功能化的同時，還進行片上系統(tǒng)(Soc;systemonchip)或系統(tǒng)級封裝(SiP;systemin)等高密度安裝技術的開發(fā)。因此，半導體芯片搭載用基板或母板使用累積(builtup)方式的多層布線基板。另外，由于所謂封裝件的多銷窄間距化的安裝技術的進步，印刷電路布線板從QFP(QuadFlatPackage)向BGA(BallGridArray)/CSP(ChipSizePackage)安裝進化。在半導體芯片搭載用基板和半導體芯片的連接中例如使用金引線接合。另外，具有相互連接的半導體芯片搭載用基板和半導體芯片的半導體封裝件利用焊錫球與布線板(母板)連接。半導體芯片搭載用基板通常分別具有與半導體芯片或布線板連接的連接端子。為了確保與金引線或焊錫的良好的金屬接合，對這些連接端子實施鍍金的情況居多。以往，作為對連接端子實施鍍金的方法，廣泛應用了電解鍍金。但是，伴隨半導體封裝件的小型化引起的布線的高密度化，一直以來難以在連接端子表面確保用于實施電解鍍金的布線。因此，不需要特別的布線的非電解鍍鎳工序開始受到了矚目，例如，在專利文獻l中，提出了對在包括銅的電路上實施非電解鍍鎳后，在其上實施非電解鍍金的方法。還有，在此所述的非電解鍍金是指"置換鍍敷"或"置換鍍敷及非電解鍍敷(在鍍敷液中具有還原劑的還原型涂敷)"。另一方面，在專利文獻2中，探討了如下技術，SP:在形成了非電解鍍鎳膜后形成置換或非電解鍍金膜的情況下，由于鍍敷后的加熱處理導致金屬端子和金引線的引線接合強度降低，因此，在端子形狀的銅的表面依次形成非電解鍍鎳膜、非電解鍍鈀膜、置換鍍金膜及非電解鍍金膜。在非專利文獻1中報告了使用以次磷酸或亞磷酸為還原劑的非電解鈀鍍敷液，將非電解鍍鈀膜制作為含有磷的非電解鍍鈀一磷膜，通過非電解鍍鎳、非電解鍍鈀一磷及鍍金來構成的鍍敷膜。專利文獻1:日本特開平5—343834號公報專利文獻2:日本特許第3596335號公報專利文獻3:表面技術；58，35(2007)若在形成了非電解鍍鎳膜后形成置換鍍金膜，則非電解鍍鎳膜由于置換鍍金液而容易腐蝕。若非電解鍍鎳膜腐蝕，則連接端子和金引線等的連接強度降低，難以得到充分的連接可靠性。通過在非電解鍍鎳膜和置換鍍金膜之間形成置換鍍鈀膜或非電解鍍鈀一磷膜，能夠抑制非電解鍍鎳膜的腐蝕。但是，本發(fā)明人等通過深入研究，發(fā)現(xiàn)了以下的事實。即，在非電解鍍鎳膜的表面形成非電解鍍鈀一磷合金膜的情況下，若使用將次磷酸或亞磷酸作為還原劑的非電解鈀鍍敷液，則具有鈀或磷難以析出的傾向，會導致難以均一地形成非電解鍍鈀一磷合金膜。尤其，在對多個獨立的端子一并形成非電解鍍鈀一磷合金膜時，所有端子均不能以均一厚度析出，容易產生不形成非電解鍍鈀一磷合金膜的端子或敷膜的厚度薄的端子。該現(xiàn)象具有端子的面積越小越容易顯現(xiàn)的傾向。其結果，鍍鈀一磷合金膜不能作為非電解鍍鎳膜的保護層而發(fā)揮功能，因此，連接端子和金引線的連接強度降低。這樣，以往，就得到具有置換或非電解鍍金膜的連接端子的充分的連接可靠性來說，實際上非常困難。
發(fā)明內容因此，本發(fā)明的目的在于改善具有置換鍍金膜的連接端子的充分的連接可靠性。本發(fā)明所述的連接端子，具有導體層；非電解鍍鎳膜；第一鍍鈀膜，其是純度為99質量％以上的置換鍍鈀膜或非電解鍍鈀膜；第二鍍鈀膜，其是純度為90質量％以上且小于99質量％的非電解鍍鈀膜；和置換鍍金膜，其中，所述非電解鍍鎳膜、第一鍍鈀膜、第二鍍鈀膜及置換鍍金膜依次層疊在導體層的一面?zhèn)龋脫Q鍍金膜位于與導體層相反側的最表層。就純度為99質量％以上的第一鍍鈀膜來說，可使用活性高的鍍敷液使其在導體層上均一地析出。還有，由于以所述第一鍍鈀膜作為基底，因而例如，可以使用含有次磷酸或亞磷酸作為還原劑的活性比較低的鍍敷液，將純度為90質量％以上且小于99質量％的第二鍍鈀膜在多個端子一并均一地形成。通過這樣以均一的厚度形成鍍鈀膜，可抑制由于向置換鍍金液的浸漬而引起的非電解鍍鎳膜的腐蝕。其結果，可改善具有置換鍍金膜的連接端子的連接可靠性。若在置換鍍金膜上進一步涂敷非電解鍍金膜，則可得到更加顯著的連接可靠性提高的效果。但是，在置換鍍金膜及非電解鍍金膜的膜厚之和小于0.005pm時，由于具有釬焊可靠性降低的傾向，因此，優(yōu)選置換鍍金膜及非電解鍍金膜的膜厚之和為0.005pm以上。在非電解鍍金膜未層疊于置換鍍金膜上的情況下，優(yōu)選置換鍍金膜單獨的膜厚為0.005pm以上。優(yōu)選該連接端子使用釬焊連接用連接端子。根據本發(fā)明的連接端子，能夠得到與焊錫的充分的連接強度。因此，本發(fā)明的連接端子作為釬焊用端子尤其有用。另外，優(yōu)選該連接端子為引線接合用連接端子。本發(fā)明的連接端子還具有層疊于置換鍍金膜上的非電解鍍金膜，并且非電解鍍金膜位于與導體層相反側的最表層，由此，除了焊錫之外，金引線等金屬線也能夠得到充分的連接強度，從而可用作釬焊用連接端子或引線接合用連接端子。優(yōu)選第二鍍鈀膜為鍍鈀一磷膜。鍍鈀一磷膜可以由含有次磷酸或亞磷酸等含磷化合物作為還原劑且活性低但常用的鍍敷液形成。通過形成純度為99質量％以上的鍍鈀膜作為第二鍍鈀膜的基底，能夠均一地形成鍍鈀一磷膜。優(yōu)選第一鍍鈀膜的膜厚為0.4pm以下，第二鍍鈀膜的膜厚為0.030.3pm，第一鍍鈀膜及第二鍍鈀膜的膜厚之和為0.030.5pm。即使將第一鍍鈀膜的膜厚設定比0.4pm厚，也不能特別地得到連接端子和金引線及焊錫的連接強度的進一步的提高，另外，形成厚的敷膜也在經濟上不利。通過第二鍍鈀膜的膜厚為0.03pm以上，能夠更充分地得到引線接合性及釬焊可靠性的提高效果。另外，即使將第二鍍鈀膜的膜厚增加為比0.3nm厚，也不能特別地得到連接端子和金引線及焊錫的連接強度的進一步提高，另外，形成厚的敷膜也在經濟上不利。通過第二鍍鈀膜的膜厚為0.03pm以上，能夠更充分地得到引線接合性及釬焊可靠性的提高效果。優(yōu)選非電解鍍鎳膜的純度為80質量％以上。非電解鍍鎳膜的膜厚優(yōu)選為0.120,。在非電解鍍鎳膜的純度小于80質量％的情況下，處于連接可靠性的提高效果變小的傾向。即使將非電解鍍鎳膜的膜厚減小為比0.1nm薄，也處于連接可靠性的提高效果變小的傾向。另外，即使將非電解鍍鎳膜的膜厚增加為比20nm厚，也難以得到連接可靠性的進一步的提高，在經濟上也不利。優(yōu)選導體層包含選自由銅、鎢、鉬及鋁構成的組中的至少一種金屬。本發(fā)明的半導體封裝件，具有基板；形成于該基板上的布線；連接端子，其為上述本發(fā)明的連接端子，其中將所述布線的一部分作為導體層；半導體芯片，其以與連接端子電連接的方式搭載于基板。本發(fā)明的半導體封裝件的制造方法，包括在形成于基板上的導體層的一部分的表面上依次形成非電解鍍鎳膜、第一鍍鈀膜、第二鍍鈀膜及置換鍍金膜，所述第一鍍鈀膜是純度為99質量％以上的置換鍍鈀膜或非電解鍍鈀膜，所述第二鍍鈀膜是純度為90質量％以上且小于99質量％的非電解鍍鈀膜，由此形成具有導體層的一部分、第一鍍鈀膜、第二鍍鈀膜、及置換鍍金膜的連接端子的工序；將半導體芯片以與連接端子電連接的方式搭載于所述基板的工序。在形成具有上述各鍍敷膜的連接端子的工序中，能夠在上置換鍍金膜上進一步層疊非電解鍍金膜。根據本發(fā)明的制造方法，能夠制造連接可靠性優(yōu)越的半導體封裝件。另外，在連接端子的形成工序中，若在置換鍍金膜上進而層疊非電解鍍金膜，則能夠制造尤其金引線等金屬線也具有充分的連接強度的半導體封裝件。根據本發(fā)明，能夠改善具有置換鍍金膜的連接端子的連接可靠性。更具體來說，提高金引線及/或焊錫與連接端子的連接強度。圖1(a)是從第一主面?zhèn)仁境鼍哂羞B接端子的半導體芯片搭載用基板的一實施方式的示意俯視圖，(b)是沿(a)的b—b線的剖面圖，(c)是沿(a)的c一c線的剖面圖。圖2是表示半導體芯片搭載用基板的一實施方式的示意剖面圖。圖3是表示半導體芯片搭載用基板的其他實施方式的示意剖面圖。圖4是表示半導體芯片搭載用基板的一實施方式(風扇一內置類型)的示意俯視圖。圖5是表示半導體芯片搭載用基板的一實施方式(風扇一外置類型)的示意俯視圖。圖6是表示半導體芯片搭載用基板的制造方法的一實施方式的示意剖面圖。圖7是表示半導體封裝件的一實施方式的示意剖面圖。圖8是表示半導體封裝件的其他實施方式的示意剖面圖。圖9(a)是表示以行及列排列多個半導體封裝件區(qū)域的半導體芯片搭載基板的一實施方式的示意剖面圖，(b)是區(qū)域A的放大圖。圖中l(wèi)a、2a、3a、4a、5a、6g—半導體芯片搭載用基板；2—導體層；3—非電解鍍鎳膜；4一第一鍍鈀膜；5—第二鍍鈀膜；6—置換鍍金膜；6a、6b、6c、6d、6e、6f—半導體芯片搭載用基板的制造過程的結構體；7a—引線接合類型半導體封裝件；8a—倒裝晶片類型半導體封裝件；9a—半導體芯片搭載基板；ll一定位標記；13—半導體封裝件區(qū)域；14一小片接合薄膜粘接區(qū)域(倒裝晶片類型)；15—半導體芯片搭載區(qū)域(倒裝晶片類型)；17—小片接合薄膜粘接區(qū)域(引線接合類型)；18—半導體芯片搭載區(qū)域(引線接合類型)；22—半導體芯片搭載基板的布線板；23—組件；24—加強圖案；25—切斷位置對齊標記；40—展開布線；50—印刷電路布線板；60—鍍敷層；IOO—芯基板；102—第一層間連接用IVH;103—第二層間連接端子；104—累積層；104a—第一累積層；104b—第二累積層；105—第三層間連接用IVH;106a—第一布線；106b—第二布線；106c—第三布線；108a—第二層間連接用IVH用貫通孔；108b—第二層間連接用IVH;109—絕緣層；109a—開口部；IIO—引線接合用連接端子；111—牽千焊用連接端子；112—第三層間連接端子；113—欠裝部件；114一焊錫球；115—金引線；116—半導體用密封樹脂；117—小片接合薄膜；118—絕緣層；118a—開口部；119一連接凸塊；120—半導體芯片。具體實施例方式以下，根據情況，參照附圖，說明本發(fā)明的適當?shù)膶嵤┓绞?。還有，在附圖的說明中，對于相同或相同的要件，標注相同的符號，省略重復的說明。(半導體芯片搭載用基板)圖1是表示半導體芯片搭載基板的一實施方式的俯視圖或剖面圖。圖1(a)是從第一主面?zhèn)仁境霭雽w芯片搭載用基板的俯視圖。圖1(b)是沿圖1(a)的b—b線的剖面圖。圖1(c)是沿圖1(a)的c一c線的剖面圖。圖l所示的半導體芯片搭載用基板la具有印刷電路布線板50;在作為構成印刷電路布線板50的絕緣層的芯基板100的一表面設置的釬焊用連接端子111及絕緣層109。印刷電路布線板50具有具有在芯基板100的其他表面上設置的開口部118a的絕緣層118;配置于開口部118a內的多個引線接合用連接端子110;和展開布線40。多個引線接合用連接端子110作為用于將半導體芯片搭載用基板la與半導體芯片電連接的半導體芯片連接端子而發(fā)揮功能。多個釬焊用連接端子111作為用于將半導體芯片搭載用基板la與布線板(母板)電連接的外部連接端子而發(fā)揮功能。引線接合用連接端子iio和釬焊用連接端子111利用展開布線40來相互電連接。還有，印刷電路布線板50可以為多10層印刷電路布線板。圖1(b)是圖1(a)中的半導體芯片搭載用基板la的引線接合用連接端子110及基于它們的周邊部的b—b線的剖面圖。引線接合用連接端子110具有設置于芯基板100的第一主面上的導體層2;層疊于導體層2上的鍍敷層60。鍍敷層60依次具有非電解鍍鎳膜3;純度為99質量%以上的第一鍍鈀膜4;純度為90質量％以上且小于99質量％的第二鍍鈀膜5;和置換鍍金膜6。多個導體層2可以為展開布線40的一部分。圖1(c)是基于圖1(a)中的半導體芯片搭載用基板la的c一c線的釬焊用連接端子111及它們的周邊部的剖面圖。釬焊用連接端子111具有設置于芯基板100的第二主面上的導體層2;層疊于導體層2上的鍍敷層60。鍍敷層60依次具有非電解鍍鎳膜3;純度為99質量％以上的第一鍍鈀膜4;純度為90質量％以上且小于99質量％的第二鍍鈀膜5;和置換鍍金膜6。多個導體層2如上所述，可以為展開布線40的一部分。導體層2含有鎢、鉬及鋁及含有它們的合金。非電解鍍鎳膜3通過利用還原劑將鍍敷液中的鎳離子還原為鎳，使其析出在被活性化的導體層2的表面而形成。從而，導體層2只要是在所述金屬或合金的表面能夠形成非電解鍍鎳膜3，就可以為任一種金屬及合金。還有，通常對導體層進行非電解鍍鎳之前，向導體層的表面賦予催化劑(例如鈀催化劑)。作為非電解鍍鎳膜3，可以舉出含有形成非電解鍍鎳膜的還原劑引起的元素即磷、硼、氮等的非電解鎳一磷合鍍金膜、非電解鎳一硼合鍍金膜、非電解鎳一氮合鍍金膜等。非電解鍍鎳膜3的純度(鎳的含有比例)優(yōu)選80質量％以上，更優(yōu)選90質量％以上。另外，非電解鍍鎳膜3的膜厚優(yōu)選0.1拜20pm,更優(yōu)選0.5jim10(im。通過置換鈀鍍敷、或非電解鈀鍍敷來形成鈀的純度為99質量％以上的第一鍍鈀膜4。通過與在導體層2的最表層層疊的非電解鍍鎳膜3的置換反應來形成上述置換鍍鈀膜。在鍍鎳膜3置換析出的情況下，鈀以外的構成元素沒有特別的限制。另外，上述非電解鍍鈀膜是鍍敷液中的鈀離子是在還原劑的作用下在非電解鎳敷膜3的表面作為鈀析出的。純度為99質量％以上的第一鍍鈀膜4優(yōu)選由使用了蟻酸化合物作為還原劑的非電解鈀鍍敷來形成。通過使用蟻酸化合物，能夠使高純度的鍍敷膜特別容易地均一析出。純度越接近100質量％，鈀的析出形態(tài)的均一性越優(yōu)越。第一鍍鈀膜4的膜厚優(yōu)選0.4pm以下，更優(yōu)選0.001pm0.4pm，進而優(yōu)選0.01pm0.2nm，尤其優(yōu)選0.03jim0.1nm。若第一鍍鈀膜4的膜厚小于0.001pm，則存在難以使第二鍍鈀膜5均一地析出于所有的端子的傾向?？梢酝ㄟ^利用將活性比蟻酸低的次磷酸或亞磷酸等用作還原劑的非電解鈀鍍敷來適當?shù)匦纬赦Z的純度為90質量°/。以上且小于99質量％的第一被細臘s通常，使用含有次磷酸及亞磷酸等含磷化合物或含硼化合物作為還原劑的鍍敷液來形成第二鍍鈀膜5。使用這些鍍敷液，分別形成鍍鈀一磷合金敷膜或鈀一硼合金敷膜。將鍍敷液中的還原劑的濃度、pH、浴溫度等調節(jié)為鈀的純度成為90質量％以上小于99質量％。具體來說，例如，使用次磷酸作為還原劑的情況下，在0.0050.3摩爾/1、pH7.511.5、溫度4080。C的范圍內，能夠形成鈀的純度為90質量％以上且小于99質量％的鍍鈀膜5。第二鍍鈀膜5的膜厚優(yōu)選0.03pm0.5nm，更優(yōu)選0.04pm0.3pm，尤其優(yōu)選0.06pm0.2pm。第一鍍鈀膜4和第二鍍鈀膜5的膜厚之和優(yōu)選0.030.5pm，更優(yōu)選0.040.3pm，尤其優(yōu)選0.060.2nm。置換鍍金膜6通過作為基底的第二鍍鈀膜5和溶液中的金離子的置換反應來形成于第二鍍鈀膜5的表面。只要鈀和金離子置換，對鍍敷液沒有特別限定，但優(yōu)選含有氰基化合物。具有上述導體層2、非電解鍍鎳膜3、純度為99質量％以上的第一鍍鈀膜4、純度為90質量％以上且小于99質量％的第二鍍鈀膜5和置換鍍金膜6的連接端子即釬焊用連接端子111的釬焊可靠性優(yōu)越。另外，未圖示，但優(yōu)選在置換鍍金膜6的表面進一步層疊非電解鍍金膜。非電解鍍金膜是還原型的非電解鍍金膜。通過進行非電解鍍金，能夠調節(jié)鍍金膜的膜厚，使引線接合用連接端子110的引線接合連接可靠性提高。非電解鍍金膜的純度優(yōu)選99質量％以上，更優(yōu)選99.5質量％以上。若非電解鍍金膜的純度小于99質量％，則與99質量％以上的情況相比，處于弓I線接合性及釬焊可靠性降低的傾向。非電解鍍金膜還可以使用置換還原型的鍍金液(是在鍍敷液中具有還原劑的置換鍍金液，與非電解鍍金相同地，與通常的置換鍍金相比，能夠增加厚度)。置換鍍金膜6和非電解鍍金膜的厚度之和從引線接合性的觀點來說，優(yōu)選0.04pm3nm，更優(yōu)選0.06jrni1,進而優(yōu)選0.1pm0.5拜。在置換鍍金膜6和非電解鍍金膜的厚度之和為0.04nm以上的情況下，引線接合性尤其良好。在置換鍍金膜6和非電解鍍金膜的厚度之和大于3pm的情況下，與3pm以下的情況相比，不能特別地得到效果的提高，另外，不經濟。從釬焊可靠性的觀點來說，僅為置換鍍金膜也可，但從引線接合性的觀點來說，進而優(yōu)選進行非電解鍍金。置換鍍金膜和非電解鍍金膜的厚度之和從釬焊可靠性的觀點來說，優(yōu)選0.005pm3pm，更優(yōu)選0.01pm0.5pm，尤其優(yōu)選0.04pm0.2nm。通過置換鍍金膜和非電解鍍金膜的厚度之和設為0.005pm以上，能夠更充分地得到釬焊可靠性。在置換鍍金膜和非電解鍍金膜的厚度之和小于3pm的情況下，與3nm以下的情況相比，不能特別地得到效果的提高，另外，不經濟。還有，在置換鍍金膜6上不具有非電解鍍金膜的情況下，從釬焊可靠性的觀點來說，優(yōu)選置換鍍金膜6單獨的厚度為0.005pm以上。引線接合用連接端子IIO例如經由導體金屬線與在半導體芯片搭載用基板上搭載的半導體芯片連接。釬焊用連接端子111例如經由焊錫球與布線板(母板)連接。在引線接合用連接端子110和半導體芯片的連接中使用的導體金屬線優(yōu)選金引線。在釬焊用端子111、和布線板(母板)的連接中使用的焊錫可以使用焊錫球用焊錫、用于在表面安裝用電子部件或布線板中的焊錫、用于在半導體芯片上的焊錫、焊錫凸塊用焊錫等任意焊錫。焊錫的形狀例如可以為球狀、半球狀、立方體狀、長方體狀、或突起狀等。還可以使用60%的錫和40%的鉛的共晶焊錫、不含有鉛的錫、或含有銀、銅、鋅、鉍、鍺、鈀、鎳及銦中一個元素以上的錫合金。具體來說，可以使用Sn—3.OAg—0.5Cu。圖2及圖3是表示半導體芯片搭載用基板的一實施方式的示意剖面圖。在圖2的實施方式中，在芯基板的一側形成有累積層，在圖3的實施方式中，在芯基板的兩側形成有累積層。以下，以圖2的實施方式為中心詳細地說明。圖2所示的半導體芯片搭載用基板2a具有:作為絕緣層的芯基板100;在芯基板100的一面上形成的第一布線106a;在芯基板100的另一面上層疊的多個累積層104a、104b;在位于最外層的累積層104b的與芯基板100的相反側的面上形成的釬焊連接用連接端子111。第一布線106a具有引線接合用連接端子110。釬焊用連接端子111與母板連接。如圖3的實施方式一樣，在第一布線106a側也形成了累積層的情況下，連接端子110作為第一層間連接端子而發(fā)揮功能。在芯基板100的與第一布線106a的相反側的面上形成有包含第二層間連接端子103的第二布線106b。引線接合用連接端子110和第二層間連接端子103經由貫通芯基板100的第一層間連接用IVH(通孔)102電連接。在芯基板的第二布線106b側依次層疊有累積層104a、及累積層104b。在累積層104a的與芯基板100相反側的面上形成有包含第三層間連接端子112的第三布線106c。第二層間連接端子103和第三層間連接端子112經由第二層間連接用IVH108b電連接。在最外層的累積層104b的與芯基板100相反側的面上設置有釬焊用連接端子111及阻焊劑等的絕緣層109。在絕緣層109形成有釬焊用連接端子111露出的開口。釬焊用連接端子111和第二層間連接端子112經由第三層間連接用IVH105連接。布線的形狀或各自的連接端子的配置等不特別限定，可以根據搭載的半導體芯片或作為目的半導體封裝件來適當?shù)卦O計。芯基板100的材質無特別限定，可以使用有機基材、陶瓷基材、硅基材、玻璃基材等。從熱膨脹系數(shù)及絕緣性的觀點來說，優(yōu)選使用陶瓷基材或玻璃基材。作為玻璃中非感光性玻璃，可以舉出鈉玻璃(成分例Si026575質量％、八12030.54質量。/。、CaO515質量。/。、MgO0.54質量％、Na201020質量％)、硼硅酸玻璃(成分例Si026575質量％、B203525質量％、八120315質量％、Ca058質量。/。、MgO0.52質量。/。、Na20140.614質量％、K2016質量％)等。另夕卜，作為感光性玻璃，可以舉出在Li20—Si02系結晶化玻璃中含有作為感光劑的金離子及銀離子的感光性玻璃。作為有機基板，可以使用層疊了樹脂浸滲于玻璃布的材料的基板或樹脂薄膜。作為使用的樹脂，可以舉出熱固化性樹脂、熱塑性樹脂、或它們的混合物。其中優(yōu)選將熱固化性的有機絕緣材料作為主成分含有的樹脂。作為熱固化性樹脂，可以使用酚醛樹脂、尿醛樹脂、蜜胺樹脂、醇酸樹脂、丙烯酸樹脂、不飽和聚酯樹脂、二烯丙基酞酸酯樹脂、環(huán)氧樹脂、聚苯并咪唑樹脂、聚酰胺樹脂、聚酰胺酰亞胺樹脂、硅酮樹脂、由環(huán)戊二烯合成的樹脂、含有三(2—羥基乙基)異三聚氰酸酯的樹脂、由芳香族腈合成的樹脂、三聚化芳香族二氰基酰胺樹脂、含有三烯丙基三甲基丙烯酸酯的樹脂、呋喃樹脂、酮樹脂、二甲苯樹脂、含有縮合多環(huán)芳香族的熱固化性樹脂、苯并環(huán)丁烯樹脂等。作為熱塑性樹脂，可以舉出聚酰亞胺樹脂、聚苯醚樹脂、聚苯硫醚樹脂、芳族聚酰胺樹脂、液晶聚合物等。也可向這些樹脂中添加填充材料。作為填充材料，可以舉出硅石、滑石、氫氧化鋁、硼酸鋁、氮化鋁、氧化鋁等。芯基板100的厚度從IVH形成性的觀點來說，優(yōu)選100800pm，更優(yōu)選150500pm。第一布線106a等布線的表面粗糙度為Ra，優(yōu)選0.01pm0.4pm。通過將膜厚為5nm以上且0.4pm以下的、包括選自銅、錫、鉻、鎳、鋅、鋁、鈷、金、白金、銀、鈀的金屬及含有這些金屬的合金的金屬連續(xù)或離散地涂敷于銅布線的表面，能夠形成表面粗糙度為Ra且成為0.01pm0.4pm的布線。作為優(yōu)選的方式，銅、錫、鉻、鎳、鋅、鋁、鈷及含有這些金屬的合金涂敷于銅布線的表面的過程中或涂敷后，變換為氧化物、氫氧化物或這些的組合，由此在布線表層及布線中形成這些金屬的氧化物及/或氫氧化物的層。除了上述金屬以外，還可以使用鉬、鈦、鎢、鉛、鐵、銦、鉈、鉍、釕、銠、鎵、鍺等金屬，可以使用含有其中至少一種以上的合金。作為使這些金屬類附著于布線表面的方法，可以舉出非電解鍍敷、電鍍敷、置換反應、噴射噴霧、涂敷、噴射法、蒸鍍法等。在層間絕緣層(累積層)104a、104b中可以使用絕緣材料。作為絕緣材料，可以使用熱固化性樹脂、熱塑性樹脂或它們的混合物。其中，優(yōu)選累積層含有固化性的有機絕緣材料作為主成分。作為熱固化性樹脂及熱塑性樹脂，可以使用上述樹脂等。也可向絕緣材料添加填充材料。作為填充材料，可以舉出硅石、滑石、氫氧化鋁、硼酸鋁、氮化鋁、氧化鋁等。優(yōu)選在半導體封裝件中，半導體芯片的熱膨脹系數(shù)和芯基板的熱膨脹系數(shù)近似，且芯基板的熱膨脹系數(shù)和累積層的熱膨脹系數(shù)近似，更優(yōu)選在半導體芯片、芯基板、累積層的各自的熱膨脹系數(shù)設為a1、a2、a3(ppm/°C)時，aKa2《a3。具體來說，芯基板的熱膨脹系數(shù)a2優(yōu)選713ppmTC，更優(yōu)選9llppmTC。累積層的熱膨脹系數(shù)a3優(yōu)選1040ppmTC，更優(yōu)選1020ppm/°C，進而優(yōu)選1117ppm/°C。累積層的楊氏模量從對熱壓的應力緩和的觀點來說優(yōu)選15GPa。優(yōu)選適當?shù)卣{節(jié)累積層中的填充材料的添加量，使熱膨脹系數(shù)成為1040ppm/°C，楊氏模量成為15GPa。圖4、5是表示半導體芯片搭載用基板的一實施方式的示意俯視圖。圖4所示的半導體芯片搭載用基板4a是在引線接合用連接端子110的內側形成了釬焊用連接端子111的風扇一內置類型。圖5所示的半導體芯片搭載用基板5a是在引線接合用連接端子110的外側形成了釬焊用連接端子111的風扇一外置類型。半導體芯片搭載用基板可以為組合了風扇一內置類型及風扇一外置類型的類型。還有，引線接合用連接端子110的形狀只要能夠進行引線接合連接或倒裝片連接等，就沒有特別限定。無論風扇一內置、風扇一外置的哪一個類型，均能夠進行引線接合連接或倒裝片連接等。圖4、5中示出風扇一內置、風扇一外置的各自的類型中的引線接合連接時的半導體芯片搭載區(qū)域18、小片接合薄膜粘接區(qū)域17及倒裝片連接時的半導體芯片搭載區(qū)域15、小片接合薄膜粘接區(qū)域14。進而，根據需要，形成如圖5所示的與半導體芯片未電連接的虛設圖案21也無妨。虛設圖案的形狀或配置也無特別限定，但優(yōu)選在半導體芯片搭載區(qū)域18均一地配置。由此，在小片接合薄膜粘接區(qū)域17經由小片接合粘接劑搭載半導體芯片時，難以產生空隙，從而能夠進一步提高引線接合連接中的連接可靠性。(半導體芯片搭載用基板的制造方法)以下，說明半導體芯片搭載用基板的制造方法的一實施方式。圖6(a)(g)是表示半導體芯片搭載用基板的制造方法的一實施方式的示意剖面圖。半導體芯片搭載用基板6g可以通過具有如下所述的工序的制造方法來得到，即在芯基板100的第一主面上形成包含引線接合用連接端子110的工序(工序a);形成以與引線接合用連接端子110連接的方式貫通的第一層間連接用IVH102(以下稱為"第一通孔")的工序(工序b);在芯基板100的與第一布線106a相反側的第二主面上形成包含第二層間連接端子103的第二布線106b的工序(工序c);在芯基板100的第二主面上形成第一累積層(層間絕緣層)104a的工序(工序d);形成貫通第一累積層104a的第二層間連接用IVH(通孔)108b用貫通孔108a的工序(工序e);在第二層間連接用IVH(通孔)108b、及第一累積層104a的與芯基板IOO相反側的面上形成包含第三層間連接端子112的第三布線106c的工序(工序f);在第一累積層104a的與芯基板100相反側的面上形成第二累積層104b，形成將其貫通的第三層間連接用IVH105,在第二累積層104b的與芯基板100相反側的面上形成釬焊用連接端子111，然后，形成具有釬焊用連接端子111露出的開口109a的絕緣層109的工序(工序g)。引線接合用連接端子IIO及釬焊用連接端子111分別通過包括如下所述的方法來形成，即在作為布線的一部分的導體層的表面上依次形成非電解鍍鎳膜、純度為99質量％以上的置換鍍鈀膜或非電解鍍鈀膜即第一鍍鈀膜、純度為90質量％以上且小于99質量％的非電解鍍鈀膜即第二鍍鈀膜以及置換鍍金膜，在該布線的一部分形成具有第一鍍鈀膜、第二鍍鈀膜、及置換鍍金膜的連接端子。另外，在形成具有各鍍敷膜的連接端子的工序中，從進一步提高引線接合用連接端子的連接強度的觀點來說，可以在置換鍍金膜上進而層疊非電解鍍金膜。引線接合用連接端子110及釬焊用連接端子111還可以通過包括在布線的一部分形成具有第一鍍鈀膜、第二鍍鈀膜、置換鍍金膜、以及非電解鍍金膜的連接端子的工序來形成。在工序a中，如圖6(a)所示，將包含引線接合用連接端子110的第一布線106a形成于芯基板100的第一主面上。在構成第一布線106a的圖案化的布線即銅層的一部分的表面上實施上述鍍敷處理，形成引線接合用連接端子110。芯基板上的銅層通過在芯基板表面利用濺射、蒸鍍、鍍敷等形成銅薄膜后，利用電解銅鍍敷法將其膜厚鍍敷至期望的厚度的方法來形成。作為在芯基板上圖案化的布線的形成方法，包括在芯基板表面或累積層上形成金屬箔，通過蝕刻來除去金屬箔的無用的部位的方法(減層法)、僅在芯基板表面或累積層上的必要的部位利用電解鍍敷來形成布線的方法(加層法)、在芯基板表面或累積層上形成薄的金屬層(片層)，然后，利用電解鍍敷，形成必要的布線后，利用蝕刻來除去薄的金屬層的方法(部分加層法)。以下，說明在芯基板形成布線的各方法。<減層法>在減層法中，可以在芯基板100的表面上形成銅箔后，利用蝕刻除去銅箔的無用的部分。在成為銅箔的布線的部位即成為第一布線106a的部分形成抗蝕涂層，向從抗蝕涂層露出的部位噴射噴霧化學蝕刻液，蝕刻除去不用的金屬箔，形成第一布線106a?？刮g涂層可以使用可以使用于通常的布線板的抗蝕涂層材料?？刮g涂層可以通過絲網印刷抗蝕劑墨液，或在銅箔上層疊抗蝕涂層用負型感光性干薄膜，在其上重疊使光以布線形狀透過的光掩模，用紫外線曝光，用顯影液除去未曝光的部位而形成?；瘜W蝕刻液可以使用氯化銅和鹽酸的溶液、氯化鐵溶液、硫酸和過氧化氫的溶液、過硫酸銨溶液等在通常的布線板中使用的化學蝕刻液。<加層法>在加層法中，可以通過在芯基板IOO表面上的必要的部位進行鍍敷而形成第一布線106a。例如，在芯基板100的表面上賦予非電解鍍敷用催化劑后，在未進行鍍敷的表面部分形成鍍敷抗蝕涂層。然后，可以在將形成有鍍敷抗蝕涂層的芯基板IOO浸漬于非電解鍍敷液，僅在未被鍍敷抗蝕涂層覆蓋的部位利用非電解鍍敷來形成銅布線及銅端子。18<部分加層法>在部分加層法中，在芯基板100的表面上形成片層后，將鍍敷抗蝕涂層形成為必要的圖案，利用電解鍍敷來形成第一布線106a。然后，剝離鍍敷抗蝕涂層，利用蝕刻除去片層。作為形成片層的方法，有(a)利用蒸鍍的方法、(b)利用鍍敷的方法、(c)貼合金屬箔的方法等。還有，利用這些方法，還能夠形成減層法的金屬箔。在(a)利用蒸鍍的方法中，例如，利用濺射，形成包括基底金屬和薄膜銅層的片形。為了片層形成，可以使用2極濺射、3極濺射、3極濺射、4極濺射、磁控管濺射、鏡設備濺射($，一卜口y7八°、乂夕；MirrorTronsputtering)等。作為在濺射中使用的靶體，為了作為基底金屬確保密接性，例如，使用Cr、Ni、Co、Pd、Zr、Ni/Cr、Ni/Cu等?；捉饘俚暮穸葍?yōu)選550nm。然后，將銅作為靶體，進行濺射，形成厚度200500nm的薄膜銅層，由此能夠形成片層。在(b)利用鍍敷的方法中，可以通過在芯基板表面上利用非電解銅鍍敷來形成厚度為0.53pm的片層。在(c)貼合金屬箔的方法中，在芯基板具有粘接功能的情況下，通過模壓或層疊渡來貼合金屬箔，由此能夠形成片層。但是，由于很難直接貼合薄的銅箔，因此，有將厚的金屬箔粘在一起后，利用蝕刻等減小厚度的方法或在貼合附有載體的銅箔后，剝離載體層的方法等。作為前者的例子，可以舉出載體銅/鎳/薄膜銅的三層銅箔。通過使用這些方法，用堿蝕刻液除去載體銅，用鎳蝕刻液除去鎳。作為后者的例子，可以舉出將鋁、銅、絕緣樹脂等作為載體的可剝銅箔。通過使用這些方法，可以形成5|am以下的片層。還有，在芯基板100貼附厚度918pm的銅箔，利用蝕刻，使厚度成為5pm以下地均一地減小厚度，形成片層也可。可以在利用上述方法形成的片層上，將鍍敷抗蝕涂層形成為必要的圖案，經由片層，利用電解銅鍍敷來形成布線。然后，剝離鍍敷抗蝕涂層，最后利用蝕刻等除去片層，由此能夠在芯基板100的表面上形成第一布線106a。利用上述(a)利用蒸鍍的方法、(b)利用鍍敷的方法及(c)貼合銅箔的方法中的任一個方法等來形成薄膜后，利用電銅鍍敷來將銅膜厚鍍敷為期望的厚度，由此在基板上形成銅層。在形成于芯基板上的銅層上形成規(guī)定形狀的抗蝕涂層，使用氯化銅或氯化鐵等蝕刻液，可制作銅布線及銅端子。還有，布線為L/S=35^im/35pm以下的微細布線的情況下，作為布線的形成方法，尤其優(yōu)選使用部分加層法。在利用部分加層法形成布線的情況下，優(yōu)選包括剝離了鍍敷抗蝕涂層的狀態(tài)下的電解銅鍍敷層和電解銅鍍敷層下側的片層的布線部分的剖面積(S)，與利用蝕刻等除去片層后或對布線表面實施表面粗糙度為Ra成為0.010.4pm的處理而形成含有一種以上后述偶合劑等絕緣膜后的包括電解銅鍍敷層及電解銅鍍敷層的下層的片層的布線部分的剖面積(S')的面積比(=S7S)為0.5L0，更優(yōu)選0.71.0。在工序b中，如圖6(b)所示，形成用于連接引線接合用連接端子110、和后述的第二布線106b的第一層間連接用IVH102。在芯基板100為非感光性基材的情況下，在第一通孔102用的貫通孔(IVH孔)的形成中可以使用激光。作為非感光性基材，可以例示所述非感光性玻璃等。使用的激光例如可以使用C02激光、YAG激光、受激準分子激光等。作為非感光性基材，可以使用上述感光性玻璃。在芯基板100為感光性基材的情況下，掩蔽第一通孔102以外的區(qū)域，向形成第一通孔102的部分照射紫外光。在照射紫外光后，可以利用熱處理和蝕刻來形成IVH孔。還有，作為感光性基材，可以使用上述感光性玻璃等。芯基板100為能夠進行利用有機溶劑等藥液的化學蝕刻加工的基材的情況下，可以利用化學蝕刻來形成貫通孔。在形成的IVH孔中，利用導電性糊劑的填充或鍍敷等來形成導電層，制作第一通孔102。這樣在第一通孔102的內部填充有導體，或形成導體層，因此，能夠電連接層間。作為IVH孔的形成方法，除了上述方法之外，可以舉出穿孔或鉆孔等機械加工、使用了等離子體的干式蝕刻等。在工序c中，如圖6(c)所示，在芯基板100的形成有第一布線106a的第一主面、和相反側的第二主面形成第二布線106b及第二層間連接端子103。第二布線106b及第二層間連接端子103可以與第一布線106a及引線接合用連接端子(第一層間連接端子)110相同地形成于芯基板100的表面上。還有，第二布線106b及第二層間連接端子103也在形成微細布線的情況下，與第一布線106a及引線接合用連接端子(第一層間連接端子)IIO相同地，使用部分加層法來形成。在工序d中，如圖6(d)所示，在形成了上述第二布線106b的面形成第一累積層(層間絕緣層)104a。作為累積層，可以使用熱固化性樹脂、熱塑性樹脂、或那些的混合樹脂。其中，從基板的膜厚精度的觀點來說，優(yōu)選以熱固化性樹脂為主成分。在使用清漆狀材料的情況下，可以利用印刷或旋涂，在使用薄膜狀絕緣材料的情況下，可以利用層疊或模壓等方法來得到累積層。還有，在累積層包含熱固化性材料的情況下，優(yōu)選加熱固化累積層。工序e如圖6(e)所示地是在上述第一累積層104a形成第二層間連接用IVH108b的貫通孔108a的工序。作為第二通孔108b的貫通孔108a的形成方案，可以使用通常的激光開孔裝置。在激光開孔機中使用的激光的種類可以使用C02激光、YAG激光、受激準分子激光等，但從生產率及孔品質的方面來說，優(yōu)選C02激光。另外，在IVH孔108a的直徑小于30nm的情況下，適合能夠使激光縮小的YAG激光。另夕卜，在累積層，包括能夠進行利用有機溶劑等藥液的化學蝕刻加工的材料的情況下，能夠利用化學蝕刻來形成IVH孔。利用與第一層間連接用IVH102相同地在形成的IVH孔108a利用導電性糊劑的填充或鍍敷等來形成導體層的方法，形成第二層間連接用IVH108b。這樣在第二層間連接用IVH108b的內部填充導體，或形成導體層，因此，層間可電連接。21在工序f中，如圖6(f)中，在上述第一累積層104a的表面上形成包含第三層間連接端子112的第三布線106c。第三布線106c及第三層間連接端子112可以與第一布線106a及引線接合用連接端子(第一層間連接端子)110相同地形成。另外，例如，利用鍍敷法來形成第二層間連接用IVH(通孔)108b的導體層的情況下，能夠與第三布線106c的形成的同時形成。另外，就累積層中的通孔來說，預先對累積層的貫通孔如上所述地利用導電性糊劑的填充或鍍敷等來形成導體層即可。利用模壓等將其層疊于芯基板100,就能夠制作具有通孔的累積層。在工序g中，在如圖6(g)所示地形成有第三布線106c的第一累積層104a的與芯基板IOO相反的面上形成第二累積層104b。第二累積層104b可以與第一累積層104a相同地形成。進而，在工序g中，形成第二累積層104b后，在第二累積層104b形成第三層間連接用IVH105，在第二累積層104b的表面上形成釬焊用連接端子111。釬焊用連接端子111可以與引線接合用連接端子(第一層間連接端子)110相同地形成于第二累積層104b表面上。第三層間連接用IVH105可以與第二層間連接用IVH108b相同地形成。進而，也可重復工序df，形成具有布線及層間連接端子的多個累積層也可。但是，重復工序df，形成具有布線及層間連接端子的多個累積層的情況下，釬焊用連接端子lll制作為第四層間連接端子。還有，在最外層的累積層上形成的連接端子成為釬焊用端子111。在工序g中，進而在第二累積層104b的表面上形成絕緣層109。在絕緣層109以使釬焊用端子111的一部分露出的方式設置開口109a。另外，在芯基板100的第一主面上也同樣形成絕緣層118。在引線接合用連接端子110的表面上及其周邊部分使這些露出地設置開口118a。作為在絕緣層109及118使用的絕緣被覆材料，通常使用阻焊劑。可以使用熱固化型或紫外線固化型，但優(yōu)選能夠精度良好地精加工抗蝕涂層形狀的紫外線固化型。例如，可以使用環(huán)氧系、聚酰亞胺、環(huán)氧丙烯酸酯系、芴系材料。這些圖案形成只要是清漆狀材料，還可以通過印刷來進行，按為了進一步確保精度，優(yōu)選使用感光性的阻焊劑、覆蓋層薄膜、薄膜狀抗蝕涂層。僅在一面使用絕緣被覆也無妨，但在固化時發(fā)生收縮，因此，僅在一面形成的情況下，在芯基板100容易發(fā)生大的翹起。因此，如上所述，優(yōu)選在半導體芯片搭載用基板的兩面形成絕緣被覆。進而，翹起根據絕緣被覆的厚度而變化，因此，更優(yōu)選兩面的絕緣被覆的厚度調節(jié)為不發(fā)生翹起。在那種情況下，優(yōu)選通過進行預備探討，確定兩面的絕緣被覆的厚度。另外，在制作薄型的半導體封裝件的情況下，絕緣被覆的厚度優(yōu)選5(Him以下，更優(yōu)選30nm以下。(端子的鍍敷)在如上所述地得到的芯基板100的第一主面上的第一布線106a的一部分即連接端子110、及第二主面?zhèn)鹊淖畋韺拥倪B接端子111層疊多個鍍敷膜。即，在第一布線106a及釬焊用連接端子的一部分即導體的表面依次形成非電解鍍鎳膜、純度為99質量％以上的置換鍍鈀膜或非電解鍍鈀膜即第一鍍鈀膜、純度為90質量％以上且小于99質量％的非電解鍍鈀膜即第二鍍鈀膜、及置換鍍金膜、或進而非電解鍍金膜，由此能夠形成釬焊可靠性優(yōu)越的連接端子、以及引線接合連接可靠性優(yōu)越的連接端子。在半導體芯片搭載用基板具有的布線或端子的表面上，根據需要在絕緣物的形成或鍍敷層的形成前，可以實施(A)形成凹凸的工序、(B)形成金屬涂層的工序、(C)形成Si—O—Si鍵的工序、(D)實施偶合處理的工序、(E)涂敷光催化劑的工序、(F)實施使用了密接性改良劑的處理的工序、(G)實施使用了腐蝕抑制劑的處理的工序等中至少一個。以下詳述各工序的內容。還有，可以依次進行(A)(G)的工序，但也可以如后述地變更工序的編號。(A)形成凹凸的工序該工序是在布線或端子的表面形成凹凸的工序。作為形成凹凸的方法，有(1)使用酸性溶液的方法、(2)使用堿性溶液的方法、(3)使用具有氧化劑或還原劑的處理液的方法。以下，詳述各方法。(1)使用酸性溶液的方法作為酸性溶液，可以使用鹽酸、硫酸、硝酸、磷酸、醋酸、蟻酸、氯化銅、硫酸鐵等化合物、選自堿金屬鹽化合物、過硫酸銨等的化合物、或組合這些的化合物的水溶液、或含有鉻酸、鉻酸一硫酸、鉻酸一氟酸、重鉻酸、重鉻酸一硼氟酸等含有酸性為6價的鉻的水溶液。還有，關于這些溶液的濃度及處理時間，優(yōu)選使銅布線及銅端子的表面粗糙度為Ra且成為0.01Mm0.4jLim地適當選擇條件而選擇。(2)使用堿性溶液的方法作為堿性溶液，可以使用氫氧化鈉、氫氧化鉀、碳酸鈉等堿金屬或堿土類金屬的氫氧化物溶液。還有，關于這些溶液的濃度及處理時間，優(yōu)選使銅布線及銅端子的表面粗糙度為Ra且成為0.01nm0.4pm地適當選擇條件而選擇。(3)使用含有氧化劑或還原劑的處理液的方法作為含有氧化劑的處理液，可以使用含有亞氯酸鈉等氧化劑的水溶液。進而，優(yōu)選含有OH陰離子源及磷酸三鈉等緩沖劑。作為含有還原劑的處理液，可以使用向調節(jié)為pH9.0到13.5的堿性溶液中添加甲醛、仲甲醛、芳香族醛化合物的水溶液、或含有次亞磷酸及次亞磷酸鹽等的水溶液?？梢詫~布線浸漬于含有上述氧化劑的處理液中，在銅表面形成氧化銅敷膜，其次，利用含有還原劑的處理液，還原氧化銅敷膜，在銅布線表面形成微細的凹凸形狀。在那種情況下，可以使用上述酸性溶液或堿性溶液，進行了處理后，組合進行處理，使表面粗糙度成為Ra且成為0.010.4nm地進行處理即可。優(yōu)選作為上述(1)(3)的處理的預處理，使用溶劑、酸性水溶液或堿性水溶液，實施進行布線及連接端子的表面的清潔化的脫脂處理。脫脂處理可以使用酸性及堿性的水溶液，不特別限定，但優(yōu)選上述酸性水溶液或堿性水溶液。進而，優(yōu)選進行用15N的硫酸水溶液清洗布線表面的硫酸處理。適當?shù)亟M合進行脫脂處理及硫酸清洗也可。(B)形成金屬涂層的工序利用形成凹凸的工序(A)，使銅布線及銅端子的表面的表面粗糙度為Ra且成為0.010.04nm后，使膜厚為5nm0.4nm的、包括選自由銅、錫、鉻、鎳、鋅、鋁、鈷、金、白凈、銀、鈀構成的組的金屬、或含有該金屬的合金的金屬連續(xù)或離散地附著于銅布線及銅端子的表面，由此能夠形成被表面粗糙度為Ra且成為0.010.04^im的金屬涂層被覆的布線及連接端子。優(yōu)選選自由銅、錫、絡、鎳、鋅、鋁、鈷構成的組的金屬、或含有該金屬的合金附著于銅布線或銅端子的表面的期間或附著后，自然地或有意地轉換為氧化物、氫氧化物或組合了這些的化合物，在銅布線及銅端子的表面形成含有上述多價金屬的氧化物、氫氧化物或組合這些的化合物的層。除了上述金屬之外，還可以使用鉬、鈦、鎢、鉛、鐵、銦、鉈、鉍、釕、銠、鎵、鍺等金屬，還可以使用含有其中至少兩種以上的合金。作為使上述金屬附著于布線及連接端子表面的方法，可以舉出非電解鍍敷、置換反應、噴射噴霧、涂敷、濺射法、蒸鍍法等。(C)形成Si—0—Si鍵的工序該工序是使用Si—O—Si鍵的化合物，在銅布線及銅端子的表面Si—O—Si鍵的工序。作為具有Si—0—Si鍵的化合物，可以使用(1)石英玻璃、(2)含有梯子結構的化合物等。(1)石英玻璃石英玻璃(Si02)的厚度優(yōu)選0.002nm5pm，優(yōu)選0.005nml|am，進而優(yōu)選0.01nm0.2pm。石英玻璃的厚度大于5.0|am的情況下，存在通孔形成工序中的利用激光等的貫通加工變得困難的傾向，小于0.002pm的情況下，存在石英玻璃層的形成變得困難的傾向。(2)含有梯子結構的化合物含有梯子結構的化合物是由下述通式(1)表示的含有梯子結構的化合物，式中，R1、R2、RS及R"分別獨立地表示選自由氫原子、反應性基、親水性基、疏水性基構成的組的基。作為反應性基，例如，可以舉出氨基、羥基、羧基、環(huán)氧基、巰基、硫羥基、噁唑啉基、環(huán)狀酯基、環(huán)狀醚基、異氰酸酯基、酸酐基、酯基、氨基、甲?；Ⅳ驶?、乙烯基、羥基取代甲硅烷基、垸氧基取代甲硅烷基、鹵素取代甲硅垸基等。作為親水性基，例如，可以舉出多糖基、聚醚基、羥基、羧基、硫酸基、磺酸基、磷酸基、膦鹽基、雜環(huán)基、氨基、這些的鹽及酯等。作為疏水性基，例如，可以舉出選自碳原子數(shù)為160的脂肪族烴基、碳原子數(shù)為660的芳香族烴基、雜環(huán)基及聚硅氧垸殘渣的化合物等。其中，從布線的粘接的觀點來說，最優(yōu)選R1、R2、尺3及114為反應[化l]<formula>formulaseeoriginaldocumentpage26</formula>(D)實施偶合處理的工序該工序是在布線表面形成了具有上述Si—O—Si鍵的化合物后，進而，使用含有偶合劑的溶液，進行處理的工序。通過使用偶合劑，能夠提高布線及端子和層間絕緣層(累積層)的密接強度。作為使用的偶合劑，可以舉出硅垸系偶合劑、鋁系偶合劑、鈦系偶合劑、鋯系偶合劑等，其中優(yōu)選硅垸系偶合劑。作為硅烷系偶合劑，可以舉出在分子中具有環(huán)氧基、氨基、巰基、咪唑基、乙烯基、或甲基丙烯基等官能團的硅垸系偶合劑?？梢詥为毣蚧旌蟽煞N以上這些硅垸系偶合劑而使用。在硅烷系偶合劑溶液的調整中使用的溶媒可以使用水或醇、酮類等。另外，為了促進偶合劑的水解，還可以添加少量的醋酸或鹽酸等酸。另外，偶合劑的含量優(yōu)選相對于溶液全部為0.01質量％5質量％，更優(yōu)選O.l質量％1.0質量％。利用偶合劑的處理可以通過向如上所述地調節(jié)的偶合劑溶液中浸漬布線及連接端子的基板的方法、向具有布線及連接端子的基板噴射噴霧的方法、在具有布線及連接端子的基板上涂敷的方法等來進行。通過自然干燥、加熱干燥、或真空干燥來干燥用硅垸系偶合劑處理的基板。還有，根據使用的偶合劑的種類，可以在干燥前水洗或進行超聲波清洗。(E)涂敷光催化劑的方法26該方法是在銅布線及銅端子的表面形成具有Si—O—Si鍵的化合物后，涂敷丁102、ZnO、SrTi03、CdS、GaP、InP、GaAs、BaTi03、BaTi409、K2Nb03、Nb205、Fe203、Ta2Os、K3Ta3Si203、W03、Sn02、Bi203、BiV04、NiO、Cu20、SiC、MoS2、InPb、Ru02、Ce02等、以及作為具有選自由Ti、Nb、Ta、V的組的元素的層狀氧化物的光催化劑粒子的工序。在這些光催化劑中，最優(yōu)選無害且化學穩(wěn)定性優(yōu)越的Ti02、作為TiCb，可以使用銳鈦礦、金紅石、板鈦礦的任一個。所述工序還可以在實施偶合處理的工序(D)的利用硅垸偶合劑的處理前及/或后進行。另外，光催化劑粒子也可以與由上述通式(1)表示的含有梯子結構的化合物或硅烷偶合劑混合而使用。在涂敷光催化劑粒子，使其干燥后，可以根據需要，進行熱處理，進而照射光。在光照射中可以使用紫外光、可見光、紅外光等，其中最優(yōu)選紫外光。(F)實施使用了密接性改良劑的工序該工序是在銅布線及銅端子的表面涂敷密接性改良劑的工序。作為密接性改良劑，可以使用熱固化性樹脂、熱塑性樹脂、或那些的混合樹脂，但優(yōu)選熱固化性的有機絕緣材料為主成分。作為密接性改良劑，可以使用酚醛樹脂、脲醛樹脂、蜜胺樹脂、醇酸樹脂、丙烯酸樹脂、不飽和聚酯樹脂、二烯丙基酞酸酯樹脂、環(huán)氧樹脂、聚苯并咪唑樹脂、聚酰胺樹脂、聚酰胺酰亞胺樹脂、硅酮樹脂、由環(huán)戊二烯合成的樹脂、含有三(2—羥基乙基)異三聚氰酸酯的樹脂、由芳香族腈合成的樹脂、三聚化芳香族二氰基酰胺樹脂、含有三烯丙基三甲基丙烯酸酯的樹脂、呋喃樹脂、酮樹脂、二甲苯樹脂、含有縮合多環(huán)芳香族的熱固化性樹脂、苯并環(huán)丁烯樹脂、氟樹脂、聚酰亞胺樹脂、聚苯醚樹脂、聚苯硫醚樹脂、芳族聚酰胺樹脂、液晶聚合物等。(G)實施使用了腐蝕抑制劑的工序該工序是在銅布線及銅端子的表面涂敷腐蝕抑制劑的工序。所述工序可以在形成凹凸的工序(A)后、或實施偶合處理的工序(D)前或后進行。還有，腐蝕抑制劑添加于上述酸性溶液、堿性溶液、偶合劑溶液的任一種中而使用也可。27作為腐蝕抑制劑，只要含有至少一種含硫有機化合物、或含氮有機化合物即可。就在此所述的腐蝕抑制劑，可以具體舉出含有一種以上以下所述的化合物的化合物，S卩巰基、硫醚基或二硫醚基之類的含有硫原子的化合物、或在分子內含有一N-、N-N或—NH2的含N有機化合物。作為巰基、硫醚基或二硫醚基之類的含有硫原子的化合物，可以舉出脂肪族硫醇(HS—(CH2)n—R)等。在此，n表示1到23的整數(shù)，R表示一價的有機基、氫原子或鹵素原子。作為R，優(yōu)選氨基、酰胺基、羧基、羰基、羥基的任一個，但不限定于此。還可以舉出碳原子數(shù)118的烷基、碳原子數(shù)18的烷氧基、酰氧基、鹵代垸基、鹵素原子、氫原子、硫代烷基、硫醇基、取代或無取代的苯基、聯(lián)苯基、萘基、雜環(huán)基等。還有，R中的氨基、酰胺基、羧基、羥基為一個即可，優(yōu)選2個以上，此外具有上述烷基等取代基也可。式中，優(yōu)選使用n由1到23的整數(shù)表示的化合物，進而，更優(yōu)選n由4到15的整數(shù)表示的化合物，進而，尤其優(yōu)選由6到12的整數(shù)表示的化合物。作為含硫有機化合物，可以舉出噻唑衍生物(噻唑、2—氨基噻唑、2一氨基噻唑一4一羧酸、氨基噻吩、苯并噻唑、2—巰基苯并噻唑、2—氨基一4一甲基苯并噻唑、2—苯并噻唑、2，3—二羥基咪唑[2,l—b]苯并噻唑—6—氨基、2—(2—氨基噻唑一4一基)一2—羥基亞氨基醋酸乙酯、2一甲基苯并噻唑、2—苯基苯并噻唑、2—氨基一4一甲基噻唑等)、噻二唑衍生物(1，2，3—噻二唑、1，2，4—噻二唑、1，2，5—噻二唑、1，3，4—噻二唑、2—氨基—5—乙基—1，3，4一噻二唑、5—氨基一l，3，4—噻二唑一2—硫醇、2,5—巰基一1，3，4一噻二唑、3—甲基巰基一5—巰基—1，2，4一噻二唑、2—氨基一1，3，4一噻二唑、2—(乙基氨基)一1，3，4一噻二唑、2—氨基一5—乙基硫代一l，3，4—噻二唑等)、巰基安息香酸、巰基萘醇、巰基苯酚、4—巰基聯(lián)苯、巰基醋酸酯、巰基琥珀酸酯、3—巰基巰基丙酸酯、硫代尿嘧啶、3—硫代尿唑、2—硫代氨基巴比妥、4一硫代氨基巴比妥、2—巰基喹啉、硫代蟻酸、l一硫代香豆素、硫代枯茗噻酮(于才夕乇^了、乂y)、硫代甲酚、硫代水楊酸、硫代三聚氰酸(于才于7只》酸)、硫代萘醇、硫代甲基噻吩、硫代環(huán)烴、硫代環(huán)烴羧酸酯、硫代環(huán)烴醌、硫代巴比妥酸、硫代羥基S昆、硫代苯酚、硫代苯、硫代2—苯并呋喃酮、并噻吩、硫醇硫羰碳酸酯、硫代趕盧剔酮、硫醇組氨酸酯、3—羧基丙基二硫醚、2—羥基乙基二硫醚、2—氨基丙酸、二硫代二乙醇酸、D—巰基丙氨酸、二一叔丁基二硫醚、硫代氰、硫氰酸等。作為在分子內含有一N-、N=N或一NH2的含氮有機化合物，優(yōu)選三唑衍生物(1H—1，2，3—三唑、2H—1，2，3—三唑、1H—1，2，4—三唑、4H—1，2，4一三唑、苯并三唑、l一氨基苯并三唑、3—氨基一5—巰基一l，2，4一三唑、3—氨基一1H—1，2，4—三唑、3，5—二氨基—1，2，4一三唑、3—氧一1，2，4一三唑、氨基烏拉索等)、四唑衍生物(四唑基、四唑基肼、1H—1，2，3，4—四唑、2H—1，2，3，4—四唑、5—氨基一1H—四唑、1_乙基一1，4—二羥基5H—四唑一5—酮、5—巰基一l一甲基四唑、四唑硫醇等)、噁唑衍生物(噁唑、噁唑基、噁唑啉、苯并噁唑、3—氨基一5—甲基異噁唑、2—巰基苯并噁唑、2—氨基噁唑啉、2一氨基苯并噁唑等)、噁二唑衍生物(1，2，3—噁二唑、1，2,4—噁二唑、1，2，5—噁二唑、1，3，4—噁二唑、1，2，4—噁二唑一5，1，3，4一噁二唑啉一5等)、噁三唑衍生物(1，2，3，4—噁三唑、1，2，3，5一噁三唑等)、嘌呤衍生物(嘌呤、2-氨基—6—羥基一8—巰基嘌呤、2一氨基一6—甲基巰基嘌呤、2—巰基腺嘌呤、巰基次黃嘌呤、巰基嘌呤、尿酸、鳥嘌呤、腺嘌呤、黃嘌呤、茶堿、可可堿(亍才:/口^y)、咖啡因等)、咪唑衍生物(咪唑、苯并咪唑、2—巰基苯并咪唑、4一氨基一5—咪唑、羧酸酰胺、組氨酸等)、吲唑衍生物(吲唑、3—吲唑酮、吲唑醇等)、吡啶衍生物(2—巰基吡啶、氨基吡啶等)、吡啶衍生物(2—巰基吡啶、2一氨基吡啶等)、嘧啶衍生物(2—巰基嘧啶、2—氨基嘧啶、4一氨基嘧啶、2—氨基—4，6—二羥基嘧啶、4—氨基一6—羥基一2—巰基嘧啶、2—氨基—4一羥基一6—甲基嘧啶、4一氨基一6—羥基一2—甲基嘧啶、4一氨基一6—羥基吡唑酮[3，4—d]嘧啶、4一氨基—6—巰基吡唑酮[3，4一d]嘧啶、2—羥基嘧啶、4—巰基1H—吡唑酮[3，4—d]嘧啶、4—氨基一2，6—二羥基嘧啶、2，4一二氨基一6—羥基嘧啶、2，4，6—三氨基嘧啶等)、硫代尿素衍生物(硫代尿素、乙烯硫代尿素、2—硫代巴比妥酸等)、氨基酸(甘氨酸、丙氨酸、色氨酸、色氨酸、羥基脯氨酸等)、1，3，4一硫代噁二唑酮一5—硫代6，6—二甲基一6H—苯并[d]噁嗪、2—硫代香豆素、硫代糖精、硫代乙內酰脲妥因、硫代比林、Y—硫代比林、胍吖嗪、噁嗪、噁二嗪、蜜胺、2，4，6—三氨基苯酚、三氨基苯、氨基吲哚、氨基喹啉、氨基硫代苯酚、氨基吡唑等。在含有腐蝕抑制劑的溶液的調節(jié)中可以使用水及有機溶媒。有機溶媒的種類不特別限定，但可以使用甲醇、乙醇、正丙醇、正丁醇等醇類、二正丙醚、二正丁醚、二烯丙基醚等醚類、己垸、庚垸、辛烷、壬烷等脂肪族烴、苯、甲苯、苯酚等芳香族烴等，還可以單獨或組合兩種以上組合使用這些溶媒。腐蝕抑制劑溶液的濃度優(yōu)選0.1ppm5000ppm，更優(yōu)選0.5ppm3000ppm，進而優(yōu)選lppm1000ppm。在腐蝕抑制劑的濃度小于O.lppm的情況下，遷移抑制效果不充分，另外，處于不能得到布線和絕緣樹脂的充分的密接強度的傾向。若腐蝕抑制劑的濃度大于5000ppm，則得到遷移抑制效果，但處于不能得到布線和絕緣設置的充分的密接強度的傾向。關于利用含有腐蝕抑制劑的溶液，對銅布線及銅端子的表面進行進行處理的時間，不特別限定，可以根據腐蝕抑制劑的種類及濃度，適當?shù)馗淖儭?半導體封裝件)圖7是表示封裝件的一實施方式的示意剖面圖。半導體封裝件7a是引線接合類型的半導體封裝件。半導體封裝件7a具有上述半導體芯片搭載用基板2a;在半導體芯片搭載用基板2a搭載的半導體芯片120。半導體芯片搭載用基板2a和半導體芯片120由小片接合薄膜117來粘接。還有，也可以代替小片接合薄膜117，使用小片接合糊劑。半導體芯片120和引線接合用連接端子110通過使用了金引線115的引線接合來相互電連接。引線接合用連接端子iio是在與金引線的接觸面上從內側開始依次形成有非電解鍍鎳膜、純度為99質量％以上的第一鍍鈀膜、純度為90質量％以上且小于99質量％的第二鍍鈀膜、置換鍍金膜的鍍敷膜。因此，得到引線接合連接性優(yōu)越的連接端子。若在置換鍍金膜上進而層疊非電解鍍金膜，則引線接合連接可靠性進一步提高。使用轉移塑膜方式,利用半導體用密封樹脂116，密封半導體芯片120。對密封區(qū)域，還可以僅密封必要的部分，但如圖7所示，更優(yōu)選密封半導體封裝件區(qū)域整體。這是因為在以行及列排列多個半導體封裝件區(qū)域的半導體芯片搭載基板中，用切割器等容易同時切斷基板和密封樹脂。釬焊用端子111為了進行與母板的電連接，例如，搭載焊錫球114。焊錫球114例如可以使用如上所述的共晶焊錫、無鉛焊錫。釬焊用端子111在與焊錫球114的接觸面具有從內側依次形成有非電解鍍鎳膜、純度為99質量％以上的第一鍍鈀膜、純度為90質量％以上且小于99質量％的第二鍍鈀膜、置換鍍金膜、或進而非電解鍍金膜的鍍敷膜。因此，得到釬焊可靠性優(yōu)越的連接端子。作為用于連接釬焊用端子lll和焊錫球114的裝置，例如，可以舉出使用了Ni2氣體的回流裝置等。具有這樣的連接端子的半導體封裝件7a的引線接合性及釬焊可靠性優(yōu)越。圖8是表示半導體封裝件的其他實施方式的示意剖面圖。半導體封裝件8a是倒裝片類型的半導體封裝件。半導體封裝件8a具有半導體芯片搭載用基板2a;在半導體芯片搭載用基板2a搭載的半導體芯片120。半導體芯片120經由連接凸塊119搭載于半導體芯片搭載用基板2a，另外，半導體芯片120和引線接合用連接端子110經由連接凸塊119倒裝片連接，由此能夠得到電連接。半導體封裝件8a如圖8所示，欠裝部件113充滿半導體芯片120和半導體芯片搭載用基板2a之間。這樣，優(yōu)選用欠裝部件113密封半導體芯片120和半導體芯片搭載用基板2a之間。欠裝部件113的熱膨脹系數(shù)優(yōu)選與半導體芯片120及芯基板100的熱膨脹系數(shù)近似，但不限定于此。更優(yōu)選欠裝部件113的熱膨脹系數(shù)在半導體芯片120的熱膨脹系數(shù)及芯基板100的熱膨脹系數(shù)之間的關系中滿足(半導體芯片的熱膨脹系數(shù))《(欠裝部件的熱膨脹系數(shù))《(芯基板的熱膨脹系數(shù))。進而，在半導體芯片120的搭載中，還可以使用各向異性導電性薄膜(ACF)或不含有導電性粒子的粘接薄膜(NCF)來進行。在這種情況下，不需要用欠裝部件113來密封，因此更優(yōu)選。進而，在搭載半導體芯片120時并用超聲波的情況下，電連接為低溫，且能夠在短時間內進行，因此進而優(yōu)選。與半導體芯片120經由連接凸塊119倒裝片連接的連接端子110相當于上述引線接合類型的半導體封裝件7a的引線接合用連接端子110。連接端子110在與連接凸塊119的接觸面具有從內側開始依次形成有非電解鍍鎳膜、純度為99質量。/。以上的第一鍍鈀膜、純度為90質量％以上且小于99質量％的第二鍍鈀膜、置換鍍金膜、或進而非電解鍍金膜的鍍敷膜。因此，得到連接可靠性優(yōu)越的連接端子。釬焊用連接端子111與引線接合類型的半導體封裝件7a相同地，在與焊錫球114的接觸面具有從內側開始依次形成有非電解鍍鎳膜、純度為99質量％以上的第一鍍鈀膜、純度為90質量％以上且小于99質量％的第二鍍鈀膜、置換鍍金膜、或進而非電解鍍金膜的鍍敷膜。因此，得到釬焊可靠性優(yōu)越的連接端子。作為用于連接釬焊用端子111和焊錫球114的裝置，例如，可以舉出使用了N2氣體的回流裝置等。具有這樣的連接端子的半導體封裝件8a的釬焊可靠性優(yōu)越。另外，為了進行與母板的電連接，可以在釬焊用端子111例如搭載焊錫球114。焊錫球使用共晶焊錫或無Pb焊錫。作為將焊錫球固著于外部連接端子的方法，通常使用N2回流裝置，但不限定于此。半導體封裝件8a與制作上述半導體封裝件7a時相同地，利用切割器等，將以行及列排列有多個半導體封裝件區(qū)域的半導體芯片搭載基板切斷為各個半導體封裝件而制作。(半導體芯片搭載用基板的形態(tài))圖9(a)是表示本發(fā)明的半導體芯片搭載基板的一實施方式的示意俯視圖。圖9(b)是圖9(a)中的區(qū)域A的放大圖。半導體芯片搭載基板9a的形狀從效率良好地進行半導體封裝件的組裝的觀點來說，優(yōu)選形成為圖9(a)所示的薄膜形狀。在半導體芯片搭載基板9a中導體層2上設置有以行及列分別以多個、等間隔以格子狀配置有半導體封裝件區(qū)域13(包括一個半導體封裝件的部分)的組件23。在圖9(a)中，只記載了兩個組件，但根據需要，可以增加組件的數(shù)量或在行方向或列方向上設置而形成為格子狀。半導體封裝件區(qū)域13之間的空間部的寬度優(yōu)選50500pm，更優(yōu)選10030(Him。進而優(yōu)選與之后在切斷半導體封裝件時使用的切割器的刀片寬度相同。通過這樣配置半導體封裝件區(qū)域13，能夠有效利用半導體芯片搭載基板9a。進而，優(yōu)選在半導體封裝件區(qū)域13之間的空間部或組件23的外側形成加強圖案24。加強圖案24優(yōu)選與在半導體封裝件區(qū)域形成的布線的同時形成的金屬圖案。進而，更優(yōu)選對所述金屬圖案的表面實施鎳、金等的鍍敷，或被覆絕緣被膜。在加強圖案24為這樣的金屬圖案的情況下，可以作為電解鍍敷時的鍍敷導線來利用。還有，另行制作加強圖案24，與半導體芯片搭載基板貼合也可。另外，可以在半導體芯片搭載基板9a的端部形成定位標記11。定位的標記11優(yōu)選基于貫通孔的銷孔。符合形成方法或半導體封裝件的組裝裝置地選擇銷孔的形狀或配置即可。另外，優(yōu)選在組件23的外側形成用切割器切斷時的切斷位置對齊標記25。如上所述，可以使用切割器等，將以行及列排列有多個半導體封裝件區(qū)域的半導體芯片搭載基板切斷為各個半導體封裝件。以上，基于適合的實施方式，具體說明了本發(fā)明，但本發(fā)明不限定于上述實施方式。實施例以下，基于實施例，詳細說明本發(fā)明，但本發(fā)明不限定于此。(實施例1)通過以下的工序，利用圖6所示的實施方式的制造方法，制作具有與圖2的實施方式相同的結構的半導體芯片搭載用基板。(工序a:第一布線形成)作為芯基板100，準備厚度0.4mm的鈉玻璃基板(熱膨脹系數(shù)11ppm/°C)，利用濺射來在其一面形成了200nm的銅薄膜(以下稱為第一主面)。使用濺射裝置(日本真空技術株式會社制、MLH—6315)，在下述條件1下進行濺射。進而，利用電銅鍍敷來將膜厚10nm的銅鍍敷層形成于該銅薄膜上。然后，形成覆蓋銅鍍敷層中構成布線的部分的抗蝕涂層，使用氯化鐵蝕刻液，進行蝕刻，形成了第一布線106a(包含引線接合用連接端子110)。條件l電流3.5A電壓500V氬流量35SCCM壓力5X10_3Torr(4.9Xl(T2Pa)成膜速度5nm/秒(工序b:第一通孔形成)利用激光，從鈉玻璃基板的與第一布線106a相反側的面(以下稱為"第二主面")側到達引線接合用連接端子110為止，形成直徑為5(Him的第一層間連接用IVH102用貫通孔(圖6(b))。就激光器來說，使用YAG激光器LAVIA—UV2000(住友重機械工業(yè)株式會社制、商品名)，在頻率4kHz、發(fā)射數(shù)50、掩模直徑0.4mm的條件下，進行貫通孔的形成。向形成的貫通孔中填充導電性糊劑MP—200V(日立化成工業(yè)株式會社制、商品名)，以160°C、30分鐘使其固化，形成了與引線接合用連接端子110電連接的第一層間連接用IVH102(圖6(b))(以下稱為"第一通孔102")。(工序c:第二布線形成)利用濺射，在第二主面上形成了經由在工序b中形成的第一通孔102與第一布線106a及引線接合用連接端子110電連接的厚度200nm的銅薄膜。濺射與工序a相同地進行。還有，利用電銅鍍敷，在該銅薄膜上實施膜厚10pm的鍍敷。進而，與工序a相同地，形成覆蓋銅薄膜中構成布線的部分的抗蝕涂層，使用氯化鐵蝕刻液，進行蝕刻，形成了第二布線106b(包含第二層間連接端子103)。(工序d:累積層形成)將具有第二布線106b的第二主面?zhèn)冉n于調節(jié)為200ml/l的液溫50"C的酸性脫脂液Z—200(世界金屬公司制、商品名)中2分鐘后，將其浸漬于液溫5(TC的水中2分鐘，進而水洗1分鐘。其次，同樣將第二主面?zhèn)冉n與100ml/l的硫酸水溶液中1分鐘，水洗1分鐘。進行了這樣的預處理后，將具有第二布線106b的第二主面?zhèn)冉n于向利用醋酸調節(jié)為pH5的水溶液中使?jié)舛瘸蔀?.5%地添加了咪唑硅烷偶合劑IS—IOOO(日本能量株式會社制、商品名)的溶液中IO分鐘。然后，在進行l(wèi)分鐘水洗后，在常溫下進行干燥。接著，在第二主面上，利用1500rpm的旋涂法，將氰酸酯系樹脂組合物的絕緣清漆使厚度成為10pm地涂敷。對于涂敷的絕緣清漆，從常溫以6tV分鐘的升溫速度加熱至23(TC，進而在230'C下保持1小時，由此使氰酸酯系樹脂組合物熱固化，形成了累積層104a。(工序e:第二通孔的貫通孔形成)利用激光，從累積層104a的與鈉玻璃基板100相反側的面到達第二層間連接端子103為止，形成直徑為50pm的第二層間連接用IVH108b用貫通孔108a，得到圖6的(e)所示的結構體6e。就激光器來說，使用YAG激光器LAVIA—UV2000(住友重機械工業(yè)株式會社制、商品名)，在頻率4kHz、發(fā)射數(shù)20、掩模直徑0.4mm的條件下，形成了貫通孔108a。(工序f:第三布線形成)在結構體6e的累積層104a的與鈉玻璃基板100相反側的面上，利用濺射，依次形成膜厚20nm的鎳層及膜厚200nm的薄膜銅層，得到包括鎳層及薄膜銅層的片層。在濺射中使用與工序a相同的裝置，在以下所示的條件2下進行。條件2(鎳層的形成)電流5.OA電流250V電壓氬流量35SCCM壓力5X10—3Torr(4.9X10_2Pa)成膜速度0.3nm/秒(薄膜銅層的形成)電流3.5A電壓500V氬流量35SCCM壓力5Xl(T3Torr(4.9X10—2Pa)成膜速度5nm/秒其次，利用旋涂法，在片層上涂敷鍍敷抗蝕涂層PMERP—LA900PM(東京應化工業(yè)株式會社制、商品名)，形成了膜厚20nm的鍍敷抗蝕涂層。然后，用曝光量1000mJ/cm2對鍍敷抗蝕涂層進行曝光，將具有片層及抗蝕涂層的結構體6e浸漬于液溫23°C的PMER顯影液P—7G中6分鐘。在浸漬后，通過擺動，在片層上形成了L/S4(Him/l(^m的抗蝕涂層圖案。還有，將形成有抗蝕涂層圖案的結構體6e向硫酸銅鍍敷液中轉移，在未被抗蝕涂層圖案被覆的部分的片層上實施膜厚約5pm的鍍銅圖案。然后，將具有抗蝕涂層圖案及鍍銅圖案的結構體6e浸漬于室溫(25°C)的丁酮中1分鐘，由此除去鍍敷抗蝕涂層。其次，將具有鍍銅圖案的結構體6e浸漬于稀釋了5倍的3(TC的CPE—700(三菱瓦斯化學株式會社制、商品名)水溶液中30秒鐘，擺動的同時，除去未被鍍銅圖案覆蓋的部分的片層，形成了第二層間連接用IVH108b(以下稱為"第二通孔108")及第三布線106c。由此得到圖6(f)所示的結構體6f。(工序g:半導體芯片搭載用基板的制作)通過再次重復與工序d—工序f相同的操作，進而形成一層包含覆蓋第二通孔i08b及第三布線106c的累積層104b、和釬焊用端子111的最外層的布線，最后形成阻悍劑層109，制作了圖1(a)(半導體封裝件一份量的半導體芯片搭載用基板的示意俯視圖)、圖7(半導體封裝件一份量的示意剖面圖)及圖9(以行及列排列有多個半導體封裝件區(qū)域的半導體芯片搭載基板的示意俯視圖)所示的風扇一內置類型BGA用半導體芯片搭載基板。(工序h:鍍敷的預處理)將經過工序a工序g得到的圖6(g)所示的半導體芯片搭載用基板6g(以下稱為"結構體6g")浸漬于5(TC的脫脂液Z—200(株式會社世界金屬制、商品名)中3分鐘，水洗2分鐘。然后，將結構體6g浸漬于100g/l的過硫酸銨溶液中l(wèi)分鐘，水洗2分鐘。然后，將結構體6g浸漬于10%的硫酸中1分鐘，水洗2分鐘。接著，將結構體6g浸漬于作液溫25t:的鍍敷活性處理液即SA—100(日立化成工業(yè)株式會社制、商品名)中5分鐘，水洗2分鐘。(工序i:非電解鍍鎳膜形成)將經過了工序h的結構體6g浸漬于液溫85'C的非電解鍍鎳液即NIPS一IOO(日立化成工業(yè)株式會社制、商品名)中25分鐘后，水洗1分鐘。(工序j:包括99質量％以上的鈀的置換鍍鈀膜或非電解鍍鈀膜形成)在65匸下，將具有具有鍍鎳膜的連接端子及布線的結構體6g(以下稱為"結構體6g—j")浸漬于用于形成包括99質量％以上的鈀的非電解鍍鈀膜的非電解鈀鍍敷液(a)(參照表2)，水洗1分鐘。此時，在非電解鍍鈀膜中含有的鈀的含量(純度)如表2所示地基本上為100質量％，膜厚為0.01nm。(工序k:包括90質量％以上小于99質量％的鈀的非電解鍍鈀膜形成)接著，在5(TC下，將具有依次具有鍍鎳膜、包括99質量％以上的鈀的非電解鍍鈀膜的連接端子及布線的結構體6g(以下稱為"結構體6g—k")浸漬于形成包括90質量％以上小于99質量％的鈀的非電解鍍鈀膜的非電解鈀鍍敷液(b)(參照表2)中5分鐘，水洗1分鐘。此時，在非電解鍍鈀膜中含有的鈀的含量如表2所示地為約95.5質量％(鈀95.5質量％;磷4.5質量％)，膜厚為0.06pm。(工序h置換鍍金膜形成)接著，在85'C下，將具有依次具有鍍鎳膜、包括99質量％以上的鈀的非電解鍍鈀膜、包括90質量％以上小于99質量％的鈀的非電解鍍鈀膜的連接端子及布線的結構體6g(以下稱為"結構體6g—l")浸漬于作為置換鍍金液的HGS—100(日立化成工業(yè)株式會社制、商品名)中10分鐘，水洗1分鐘。(工序m:非電解鍍金膜形成)接著，在7(TC下，將具有依次具有鍍鎳膜、包括99質量％以上的鈀的非電解鍍鈀膜、包括90質量％以上小于99質量％的鈀的非電解鍍鈀膜、置換鍍金膜的端子及布線的結構體6g(以下稱為"結構體6g—m")浸漬于作為置換鍍金液的HGS—2000(日立化成工業(yè)株式會社制、商品名)中30分鐘，水洗5分鐘。此時，置換鍍金及非電解鍍金膜的膜厚的總計為0.3jam。<釬焊可靠性>關于經過上述工序a工序m得到的半導體芯片搭載用基板，通過下述的基準，評價了連接端子的連接可靠性。結果示出在表l中。37關于開口直徑的直徑為600pm的第一半導體芯片搭載基板，使-0.76mm的Sn—3.0Ag—0.5Cu焊錫球，關于開口直徑的直徑為30(^m的第二半導體芯片搭載基板，使0O.45mm的Sn—3.0Ag—0.5Cu焊錫球，關于開口直徑的直徑為100pm的第三半導體芯片搭載基板，使-0.45mm的Sn—3.0Ag—0.5Cu焊錫球通過回流爐與第一三的半導體芯片搭載基板的各自1000部位的釬焊端子連接(峰溫度252"C)，使用耐沖擊性高速帶測試器4000HS(迪基公司制、商品名)，在約200mm/秒的條件下，實施焊錫球的剪斷(share)試驗。進而，同樣制作利用回流，使與上述焊錫球相同的焊錫球連接的第一三的半導體芯片搭載基板，在150。C下放置1000小時，使用耐沖擊性高速帶測試器4000HS(迪基公司制、商品名)，在約200mm/秒的條件下，進行焊錫球的剪斷(share)試驗。評價基準如下所述，基于下述基準，對每個端子評價釬焊可靠性。結果示出在表l中。A:在IOOO部位全部的焊錫用連接端子中發(fā)現(xiàn)焊錫球內中的剪斷引起的破壞。B:在1部位以上且10部位以內發(fā)現(xiàn)焊錫球內中的剪斷引起的破壞以外的模式導致的破壞。C:在11部位以上且50部位以內發(fā)現(xiàn)焊錫球內中的剪斷引起的破壞以外的模式導致的破壞。D:在51部位以上發(fā)現(xiàn)焊錫球內中的剪斷引起的破壞以外的模式導致的破壞。<引線接合連接可靠性〉在150'C下對制作的半導體芯片搭載用基板進行50小時熱處理后，進行引線接合。使用金屬線直徑28nm的1000條金引線，對1000部位全部進行引線接合。評價基準如下所述，基于下述基準，對每個端子，分別i平價引線接合連接可靠性。結果示出在表l中。A:發(fā)現(xiàn)IOOO部位全部的引線接合用連接端子能夠引線接合。B:在1部位以上且5部位以內發(fā)現(xiàn)金屬線的不粘接部位。C:在6部位以上且50部位以內發(fā)現(xiàn)金屬線的不粘接部位。D:在51部位以上發(fā)現(xiàn)金屬線的不粘接部位。還有，使用熒光X射線膜厚計SFT9500(SII納米技術株式會社制、還有，表2中示出在工序j及工序k中使用的鈀鍍敷液。商品名)，測定非電解鍍鈀膜的膜厚。結果示出在表1中。另外，使用能量分散型X射線分析裝置EMAXENERGYEX—300(株式會社堀場制作所制、商品名)，測定非電解鍍鈀膜中的鈀及磷的含有率。結果示出在表2中。<table>tableseeoriginaldocumentpage39</column></row><table>[表2]<table>tableseeoriginaldocumentpage40</column></row><table>(實施例2)除了不進行實施例1所示的工序m之外，均與實施例1相同地，進行了各工序。結果示出在表l中。(實施例38)在實施例1所示的工序j及/或工序k中，將結構體6g—j及/或結構體6g—k的浸漬處理時間變更為表1所示，由此在結構體6g—j的連接端子及布線上以及布線結構體6g—k的連接端子及布線上形成了具有各種膜厚的非電解鍍鈀膜。除此之外，與實施例1相同地進行了各工序。結果示出在表l中。(實施例9)在實施例1所示的工序k中，將鍍敷液從表2所示的(b)變更為(c)，將浸漬時間變更為表1所示，除此之外，與實施例1相同地進行了各工序。結果示出在表l中。(實施例1015)在實施例9所示的工序j及/或工序k中，將結構體6g—j及/或結構體6g—k的浸漬處理時間變更為表1所示，由此在結構體6g—j的連接端子及布線上、及布線結構體6g—k的連接端子及布線上形成了具有各種膜厚的非電解鍍鈀膜。除此之外，與實施例9相同地進行了各工序。結果示出在表1中。(實施例16)在實施例1所示的工序k中，將鍍敷液從表2所示的(b)變更為(d)，將浸漬時間變更為表1所示，除此之外，與實施例1相同地進行了各工序。結果示出在表l中。(實施例1722)在實施例16所示的工序j及/或工序k中，將結構體6g—j及/或結構體6g—k的浸漬處理時間變更為表1所示，由此在結構體6g—j的連接端子及布線上、及布線結構體6g—k的連接端子及布線上形成了具有各種膜厚的非電解鍍鈀膜。除此之外，與實施例16相同地進行了各工序。結果示出在表l中。(實施例23)在實施例1所示的工序j中，將鍍敷液從表2所示的(b)變更為(e)，將鍍敷液從表2所示的(b)變更為(d)，將浸漬時間變更為表1所示，除此之外，與實施例1相同地進行了各工序。結果示出在表1中。(實施例24、25)在實施例23所示的工序k中，將結構體6g—k的浸漬處理時間變更為表1所示，由此在結構體6g—k的連接端子及布線上形成了具有各種膜厚的非電解鍍鈀膜。除此之外，與實施例23相同地進行了各工序。結果示出在表1中。(比較例1)除了不進行實施例1所示的工序j以外，均與實施例1相同地進行了各工序。結果示出在表l中。(比較例2)除了不進行實施例5所示的工序j以外，均與實施例5相同地進行了各工序。結果示出在表l中。(比較例3)41除了不進行實施例8所示的工序j以外，均與實施例8相同地進行了各工序。結果示出在表l中。(比較例4)除了不進行實施例9所示的工序j以外，均與實施例9相同地進行了各工序。結果示出在表l中。(比較例5)除了不進行實施例12所示的工序j以外，均與實施例12相同地進行了各工序。結果示出在表l中。(比較例6)除了不進行實施例15所示的工序j以外，均與實施例15相同地進行了各工序。結果示出在表l中。(比較例7)除了不進行實施例16所示的工序j以外，均與實施例16相同地進行了各工序。結果示出在表l中。(比較例8)除了不進行實施例19所示的工序j以外，均與實施例19相同地進行了各工序。結果示出在表l中。(比較例9)除了不進行實施例22所示的工序j以外，均與實施例22相同地進行了各工序。結果示出在表l中。(比較例10)除了不進行實施例1所示的工序k以外，均與實施例1相同地進行了各工序。結果示出在表l中。(比較例11)除了不進行實施例3所示的工序k以外，均與實施例3相同地進行了各工序。結果示出在表l中。(比較例12)除了不進行實施例4所示的工序k以外，均與實施例4相同地進行了各工序。結果示出在表l中。權利要求1.一種連接端子，其具有導體層；非電解鍍鎳膜；第一鍍鈀膜，其是純度為99質量％以上的置換鍍鈀膜或非電解鍍鈀膜；第二鍍鈀膜，其是純度為90質量％以上且小于99質量％的非電解鍍鈀膜；和置換鍍金膜，其中，所述非電解鍍鎳膜、所述第一鍍鈀膜、所述第二鍍鈀膜及所述置換鍍金膜依次層疊在所述導體層的一面?zhèn)?，所述置換鍍金膜位于與所述導體層相反側的最表層。2.根據權利要求1所述的連接端子，其中，所述置換鍍金膜的膜厚為0.005nm以上。3.根據權利要求1所述的連接端子，其中，所述連接端子還具有在所述置換鍍金膜上層疊的非電解鍍金膜，該非電解鍍金膜位于與所述導體層相反側的最表層。4.根據權利要求3所述的連接端子，其中，所述置換鍍金膜及所述非電解鍍金膜的膜厚之和為0.005|im以上。5.根據權利要求1所述的連接端子，其中，所述連接端子為引線接合用連接端子。6.根據權利要求1所述的連接端子，其中，所述連接端子為釬焊連接用連接端子。7.根據權利要求1所述的連接端子，其中，所述第二鍍鈀膜為鍍鈀一磷膜。8.根據權利要求1所述的連接端子，其中，所述第一鍍鈀膜的膜厚為0.4pm以下。9.根據權利要求1所述的連接端子，其中，所述第二鍍鈀膜的的膜厚為0.030.3pm。10.根據權利要求1所述的連接端子，其中，所述第一鍍鈀膜及所述第二鍍鈀膜的膜厚之和為0.030.5pm。11.根據權利要求1所述的連接端子，其中，所述非電解鍍鎳膜的純度為80質量％以上。12.根據權利要求1所述的連接端子，其中，所述非電解鍍鎳膜的膜厚為0.120pm。13.根據權利要求1所述的連接端子，其中，所述導體層包含選自由銅、鎢、鉬及鋁構成的組中的至少一種金屬。14.一種半導體封裝件，其具有基板；形成于該基板上的布線；連接端子，其為權利要求113中任一項所述的連接端子，其中將所述布線的一部分作為所述導體層；半導體芯片，其以與該連接端子電連接的方式搭載于所述基板。15.半導體封裝件的制造方法，包括在形成于基板上的導體層的一部分的表面上依次形成非電解鍍鎳膜、第一鍍鈀膜、第二鍍鈀膜以及置換鍍金膜，其中所述第一鍍鈀膜是純度為99質量％以上的置換鍍鈀膜或非電解鍍鈀膜，所述第二鍍鈀膜是純度為90質量％以上且小于99質量％的非電解鍍鈀膜，由此形成具有所述導體層的一部分、所述第一鍍鈀膜、所述第二鍍鈀膜及所述置換鍍金膜的連接端子的工序；將半導體芯片以與所述連接端子電連接的方式搭載于所述基板的工序。16.半導體封裝件的制造方法，包括在形成于基板上的導體層的一部分的表面上依次形成非電解鍍鎳膜、第一鍍鈀膜、第二鍍鈀膜、置換鍍金膜以及非電解鍍金膜，所述第一鍍鈀膜是純度為99質量％以上的置換鍍鈀膜或非電解鍍鈀膜，所述第二鍍鈀膜是純度為90質量％以上且小于99質量％的非電解鍍鈀膜，由此形成具有所述導體層的一部分、所述第一鍍鈀膜、所述第二鍍鈀膜、所述置換鍍金膜及所述非電解鍍金膜的連接端子的工序；將半導體芯片以與所述連接端子電連接的方式搭載于所述基板的工序。全文摘要本發(fā)明改善具有置換鍍金膜的連接端子的連接可靠性。一種連接端子，具有導體層；非電解鍍鎳膜；第一鍍鈀膜，其是純度為99質量％以上的置換鍍鈀膜或非電解鍍鈀膜；第二鍍鈀膜，其是純度為90質量％以上且小于99質量％的非電解鍍鈀膜；置換鍍金膜，其中，非電解鍍鎳膜、第一鍍鈀膜、第二鍍鈀膜及置換鍍金膜依次層疊在導體層的一面?zhèn)?，置換鍍金膜位于與導體層相反側的最表層。文檔編號C23C18/52GK101668880SQ20088001350公開日2010年3月10日申請日期2008年4月23日優(yōu)先權日2007年4月27日發(fā)明者有家茂晴,江尻芳則,畠山修一,長谷川清申請人:日立化成工業(yè)株式會社