專(zhuān)利名稱：一種Ti-Si-N納米晶-非晶復(fù)合超硬涂層的制備方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種Ti-Si-N納米晶-非晶復(fù)合超硬涂層的制備方法，屬于薄膜材 料領(lǐng)域。
背景技術(shù)：
隨著現(xiàn)代制造業(yè)的進(jìn)步，難加工材料越來(lái)越多，特別是高速切削、千切削和 微潤(rùn)滑切削工藝的出現(xiàn)，對(duì)金屬切削刀具提出了更高的技術(shù)要求。涂層刀具的出 現(xiàn)，是金屬切削刀具技術(shù)發(fā)展史上的一次革命。將超硬涂層材料鍍于金厲切削刀 具表面，正適應(yīng)了現(xiàn)代制造業(yè)對(duì)金屬切削刀具的高技術(shù)要求，金屬切削刀具基體 保持了其較高的強(qiáng)度，鍍于表面的涂層又能發(fā)揮它"超硬、強(qiáng)韌、耐磨、自潤(rùn)滑" 的優(yōu)勢(shì)，從而大大提高金屬切削刀具在現(xiàn)代加工過(guò)程中的耐用度和適應(yīng)性。
自20世紀(jì)60年代末第--代化學(xué)氣相沉積(CVD)TiC硬質(zhì)合金刀片問(wèn)世以來(lái)， 涂層技術(shù)對(duì)刀具的發(fā)展起了巨大的促進(jìn)作用。20世紀(jì)80年代初物理氣相沉積(PVD) TiN在高速鋼刀具上成功應(yīng)用，被譽(yù)為高速鋼刀具性能的一場(chǎng)革命。從此，涂層 技術(shù)取得了飛速的發(fā)展，涂層工藝越來(lái)越成熟，涂層刀具應(yīng)用范圍越來(lái)越廣泛。西 方工業(yè)發(fā)達(dá)國(guó)家使用的涂層刀具占可轉(zhuǎn)位刀片的比例已由1978年的26%上升到 2005年的卯％，新型的數(shù)控機(jī)床所用的刀具中80°/。左右是涂層刀具。隨著金屬切 削加工朝高切削速度、高進(jìn)給速度、高可靠性、長(zhǎng)壽命、高精度和良好的切削控 制性方面發(fā)展，對(duì)表面涂層的要求越來(lái)越高。傳統(tǒng)的TiN、 TiAlN涂層R益不能適 應(yīng)。TiN涂層的耐氧化性較差，使用溫度達(dá)500'C時(shí)，膜層明顯氧化而被燒蝕，而 且它的硬度也滿足不了需要。TiAlN涂層可以耐到800'C溫度，但其硬度較低，不 能滿足超高速切削的要求。
納米結(jié)構(gòu)涂層技術(shù)是近年來(lái)迅速發(fā)展的涂層新技術(shù),分為納米多層涂層和納米 晶-非晶復(fù)合涂層。納米多層涂層的高硬度主要是由于層內(nèi)或?qū)娱g位錯(cuò)運(yùn)動(dòng)困難所 致。納米多層涂層雖然達(dá)到了較高的硬度，但研究認(rèn)為納米多層涂層的性能與涂 層的周期膜厚有很大關(guān)系，當(dāng)在形狀復(fù)雜的刀具或零件表面沉積納米多層膜時(shí)， 很難控制各層的膜厚，同時(shí)在高溫工作環(huán)境下各層間的元素相互擴(kuò)散也會(huì)導(dǎo)致涂 層性能下降，而釆用單層的納米晶復(fù)合超硬涂層能解決這些問(wèn)題。2000年德國(guó)材料科學(xué)家Veprek等根據(jù)Koehler的外延異質(zhì)結(jié)構(gòu)理論，提出了納米晶復(fù)合超硬涂 層的理論和設(shè)計(jì)概念，并采用等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積法成功制備硬度高達(dá) 80曙105GPa的納米晶TiN和非晶Si3N4相所形成的Ti-Si-N(nc-TiN/a-Si3N4)超硬涂 層，硬度超過(guò)金剛石，耐溫可以達(dá)到IIOO'C,具有金剛石無(wú)法比擬的優(yōu)越性能。 以Ti-Si-N為代表的納米晶復(fù)合超硬材料，以其優(yōu)異的性能，如超高硬度、高韌性
及低的摩擦系數(shù)等，引起了全世界的科研工作者的極大興趣。成為繼P-C3N4、超
晶格涂層之后超硬涂層材料研究的又一熱點(diǎn)。
目前Ti-Si-N涂層制備方法主要分兩大類(lèi)， 一類(lèi)是化學(xué)氣相沉積(CVD)，另--類(lèi) 是物理氣相沉積(PVD), CVD由于制備溫度較高(大于800'C)，超過(guò)了大部分切削 刀具的熱穩(wěn)定溫度，使用受到了較大的限制。而PVD方法由于溫度較低(低于500'C) 目前使用越來(lái)越廣泛，有取代CVD技術(shù)的趨勢(shì)。在PVD方法中，電弧離子鍍和 濺射技術(shù)是目前使用最為廣泛的技術(shù)。電弧離子鍍技術(shù)離化率高、涂層附著力好。 常規(guī)電弧離子鍍方法制備Ti-Si-N涂層一般都使用價(jià)格昂貴的TiSi合金靶，通過(guò) 加入氮?dú)夥磻?yīng)生成Ti-Si-N。也有人采用旋轉(zhuǎn)電弧靶技術(shù)成功開(kāi)發(fā)Ti-Si-N，其主要 是利用特殊成分的Ti靶和AlSi合金靶通入氮?dú)夥磻?yīng)來(lái)進(jìn)行涂層制備，但存在摻雜 不均勻的問(wèn)題。上述兩種方法的主要缺點(diǎn)是耙材很難制備，價(jià)格比較昂貴，不利 于大規(guī)模工業(yè)生產(chǎn)。此外有人采用磁控濺射技術(shù)來(lái)進(jìn)行Ti-Si-N涂層的制備，磁控 耙中一個(gè)是Ti靶， 一個(gè)是Si靶，通入氮?dú)夥磻?yīng)。其主要缺點(diǎn)是磁控濺射方法的離 化率低，所制備涂層的硬度低，附著力較差，使用效果較差。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的在于克服上述現(xiàn)有各種方法制備Ti-Si-N涂層存在的不足，并提 供--種新的適合工業(yè)化大生產(chǎn)的Ti-Si-N納米晶-非晶復(fù)合超硬涂層的制備方法。 該方法為高密度電弧放電法，具有原理先進(jìn)、涂層設(shè)備結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單、沉積速率快等 特點(diǎn)。采用本方法制備的Ti-Si-N納米晶-非晶復(fù)合涂層具有涂層硬度高、附著力 強(qiáng)、涂層生長(zhǎng)速率快、生產(chǎn)效率高、生產(chǎn)成本低等優(yōu)勢(shì)，根據(jù)使用要求可在硬質(zhì) 合金、高速鋼、不銹鋼、碳鋼、模具鋼等各類(lèi)工件上進(jìn)行不同厚度Ti-Si-N納米晶 復(fù)合超硬涂層的制備。
實(shí)現(xiàn)本發(fā)明目的的技術(shù)方案是將需涂層工件經(jīng)清洗后放置于真空室中，在 0.1 3Pa、負(fù)50 負(fù)250V偏壓及400-450'C的的條件下，首先利用磁場(chǎng)控制的金 屬Ti靶電弧放電制備Ti過(guò)渡層然后利用Ti電弧靶蒸發(fā)Ti并與通入真空室的氮?dú)夥磻?yīng)生成TiN，同時(shí)通入SiH4氣體，利用電弧放電的高強(qiáng)度等離子體把SiH4離
化分解成Si離子和H離子，Si離子和真空室中的氮反應(yīng)生成Si3N4;在偏壓的作
用下，TiN晶體和Si3N4相同時(shí)競(jìng)爭(zhēng)生長(zhǎng)于工件基體上成膜，形成Ti-Si-N納米晶-非晶復(fù)合超硬涂層。
而且，上述技術(shù)方案中氮?dú)夂蚐iH4氣體通入真空室時(shí)，用質(zhì)量流量控制器控 制通入真空室的SiH4和氮?dú)獾牧髁俊?br> 且金厲Ti靶后設(shè)有線圈，磁場(chǎng)由線圈通電產(chǎn)生，金屬Ti耙面的磁場(chǎng)強(qiáng)度為 30-50高斯，利用磁場(chǎng)拖動(dòng)電弧在靶面上運(yùn)動(dòng)，提高電弧在靶面燃燒的均勻性和電 弧的運(yùn)動(dòng)速度。金屬Ti靶的數(shù)量為4-15個(gè)，靶直徑在60-100 mm，靶的電流在 40-80安培。
Ti過(guò)渡層的沉積厚度為200-400納米。通入硅烷氣體流量為130-600sccm，氮 氣流量為100-300sccm。 TiN晶粒直徑小于10納米。涂層中Si的含量控制在 5-15at.%。
而且，工件清洗采用輝光放電清洗，輝光放電清洗在400-450'C，氬氣環(huán)境下 進(jìn)行。
由上述技術(shù)方案可知本發(fā)明是利用高密度電弧放電法制備Ti-Si-N納米復(fù)合 涂層。該方法首先利用電弧離子鍍技術(shù)的高離化率把Ti離子從Ti靶上蒸發(fā)出來(lái)， 通入氮?dú)夥磻?yīng)生成TiN。同時(shí)利用電弧放電產(chǎn)生的強(qiáng)等離子體離化通入真空室中 的硅烷(SiH4)，把硅烷離解成Si離子和H離子。Si離子和氮反應(yīng)生成Si3N4。在偏 壓的作用下TiN和Si3N4同時(shí)在基片上生長(zhǎng)成膜。通過(guò)控制硅烷的流量則可直接控 制涂層中Si3N4的含量和TiN晶粒的大小，優(yōu)化制備工藝條件就可以制備出不同微 結(jié)構(gòu)的Ti-Si-N納米復(fù)合超硬涂層。因此本發(fā)明具有如下優(yōu)點(diǎn)第一因本發(fā)明通過(guò)
調(diào)節(jié)通入真空室的SiH4和氮?dú)獾牧髁?，涂層中硅含量和非晶Si3N4相隨硅烷通入
流量的增大而增大，TiN晶粒大小則隨硅烷通入流量的增大而減小，從而控制TiN 晶粒的大小和非晶Si3N4的含量，制得不同微結(jié)構(gòu)的Ti-Si-N納米晶-非晶復(fù)合超硬 涂層。因此本發(fā)明是不需要用昂貴的TiSi合金靶材，只需要通入不同流量的硅垸 氣體就可以制備不同結(jié)構(gòu)的Ti-Si-N涂層，降低了涂層的成本；第二是本發(fā)明由于 采用氣體離解產(chǎn)生的Si來(lái)實(shí)現(xiàn)涂層的摻雜，可以保證涂層成分的高度均勻性，而 常規(guī)合金靶方法則普遍存在摻雜不均勻的問(wèn)題，影響涂層的品質(zhì)第三，本發(fā)明 結(jié)合柱形旋轉(zhuǎn)電弧離子鍍和圓形電弧離子鍍技術(shù)構(gòu)建高密度離子鍍系統(tǒng)，不但克
5服了常規(guī)離子鍍技術(shù)真空室中等離子體密度較低導(dǎo)致的涂層硬度和結(jié)合力較低等 問(wèn)題，同時(shí)涂層設(shè)備結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單，易于控制，工業(yè)應(yīng)用前景良好；第四，由于該方
法產(chǎn)生的電弧等離子離化率高,硅垸的離解很充分，涂層中Si3N4的摻雜比較均勻，
涂層的生長(zhǎng)速率較高，同時(shí)由于涂層中納米晶-非晶強(qiáng)化效果，在較低涂層應(yīng)力的 條件下，在保持良好耐溫性的同時(shí)還具有很高的硬度，其硬度可達(dá)40GPa以上， 正是由于Ti-Si-N納米復(fù)合超硬涂層具有超高硬度、良好的耐溫性能及低的摩擦系 數(shù)等優(yōu)越的性能，使其在切削刀具中具有良好的應(yīng)用前景。
納米多層涂層的高硬度主要是由于層內(nèi)或?qū)娱g位錯(cuò)運(yùn)動(dòng)困難所致。與納米多 層膜不同，在納米晶-非晶復(fù)合超硬涂層中，涂層的高硬度主要由涂層中的結(jié)晶相 和非晶相的結(jié)構(gòu)有關(guān)系，結(jié)晶相顆粒的大小直接決定了涂層的硬度。為了控制結(jié) 晶相的大小，常規(guī)的電弧方法主要采用不同硅含量的靶材來(lái)實(shí)現(xiàn)顆粒的控制，但 由于一般情況下涂層工具形狀比較復(fù)雜，并且硅和Ti在真空條件下擴(kuò)散系數(shù)差別 很大，很難保證涂層中的Ti: Si比和靶材中的一致，經(jīng)常會(huì)導(dǎo)致涂層中不同區(qū)域 硅含量的不均勻而造成不同部位硬度的差異，最終影響到涂層的使用效果。而磁 控濺射方法則是通過(guò)控制硅靶電流的大小來(lái)控制晶粒的大小。因?yàn)門(mén)i靶和硅靶是 分離的，與電弧方法類(lèi)似也存在涂層摻雜不均勻的問(wèn)題。而本發(fā)明方法中硅的摻 雜主要通過(guò)硅垸氣體離解來(lái)實(shí)現(xiàn)，很容易實(shí)現(xiàn)高度均勻的摻雜，具有明顯的優(yōu)勢(shì)。 因此該方法所用設(shè)備結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單，容易操作。所得涂層的附著力好，硬度較高。
總之，本發(fā)明方法因其技術(shù)上的優(yōu)越性使其不但可以克服合金靶材價(jià)格昂貴 等問(wèn)題，同時(shí)又繼承普通陰極電弧放電法沉積速率快、離化率高等特點(diǎn)，使涂層 的硬度、附著力、均勻性等優(yōu)于常規(guī)的磁控濺射和電弧放電法制備的TiSiN涂層， 在TiSiN涂層制備中具有良好的應(yīng)用前景。


圖l為本發(fā)明中所采用的Ti-Si-N涂層制備裝置示意圖。 圖2不同硅含量Ti-Si-N涂層的表面原子力顯微圖。(a)2.0at.%;(b)6.3at.%; and(c) 11.4at.%.
圖3. Ti—Si—N涂層的高分辨電子顯微圖。(a) 2.0 at.% Si; (b) 11.4 at.% Si; (c) b圖的選區(qū)電子衍射圖。
圖4.不同硅含量條件下Ti-Si-N納米復(fù)合涂層的硬度變化曲線。
具體實(shí)施方式
以下結(jié)合具體的實(shí)施例對(duì)本發(fā)明的技術(shù)方案作進(jìn)一步說(shuō)明
實(shí)施例l:工件輝光放電清洗在400-450'C,氬氣環(huán)境下進(jìn)行；輝光清洗結(jié)束
后放置于真空室中，在0.5Pa、負(fù)150V偏壓及400-450'C的條件下利用磁場(chǎng)控制 的金屬靶電弧放電制備金屬Ti過(guò)渡層，金屬Ti過(guò)渡層的沉積厚度為200納米；然 后通入硅烷和氮?dú)?，氣壓控制?.8Pa， Ti離子從Ti靶上蒸發(fā)出來(lái)，與氮?dú)夥磻?yīng) 生成TiN。硅烷離解成Si離子和氮反應(yīng)生成Si3N4。在偏壓的作用下TiN和Si3N4 同時(shí)在基片上生長(zhǎng)成膜，形成Ti-Si-N納米復(fù)合涂層。其中通入氮?dú)鈿怏w流量為 150sccm;硅烷氣體流量為250sccm,通入真空室的SiH4和氮?dú)獾牧髁坑觅|(zhì)量流量 控制器控制，金屬Ti靶的數(shù)量為4-15個(gè)，靶直徑在60-100,每個(gè)金屬靶的電流 為80安培，金屈Ti靶而的磁場(chǎng)強(qiáng)度為30-50卨斯。
上述涂層中硅含量控制在12 at.%， TiN晶粒直徑控制在10納米以下。 實(shí)施例2:工件輝光放電清洗在400-450'C,氬氣環(huán)境下進(jìn)行輝光清洗結(jié)朿 后放置于真空室中，在lPa、負(fù)200V偏壓及400-450'C的條件下利用磁場(chǎng)控制的 金屬靶電弧放電制備金屬Ti過(guò)渡層，金屬Ti過(guò)渡層的沉積厚度為200納米;；然 后通入硅垸和氮?dú)?，氣壓控制?.5Pa, Ti離子從Ti靶上蒸發(fā)出來(lái)，與氮?dú)夥磻?yīng) 生成TiN。硅烷離解成Si離子和氮反應(yīng)生成Si3N4。在偏壓的作用下TiN和Si3N4 同時(shí)在基片上生長(zhǎng)成膜，形成Ti-Si-N納米復(fù)合涂層。其中通入氮?dú)鈿怏w流量為 200sccm;硅烷氣體流量為350sccm,通入真空室的SiH4和氮?dú)獾牧髁坑觅|(zhì)量流量 控制器控制，金厲耙的電流在70安培。
上述硅含量控制在20at.%, TiN晶粒直徑控制在1~10納米之間。
從實(shí)施例結(jié)果對(duì)比可知，涂層中硅含量和非晶Si3N4相隨硅烷通入流量的增大
而增大，TiN晶粒大小則隨硅烷通入流量的增大而減小。
實(shí)施本發(fā)明方法的裝置如圖1所示，裝置的真空室由爐壁圍成，真空室高度 為0.5-1.5米，直徑為700-900mm。真空室側(cè)面設(shè)有爐門(mén)1，以方便工件的裝卸。 真空室設(shè)有抽真空口 2，抽真空機(jī)組通過(guò)抽真空口 2對(duì)真空室進(jìn)行抽真空，抽真空 機(jī)組可由擴(kuò)散泵和機(jī)械泵組成，也可以采用分子泵，極限真空可以達(dá)到8xlO^Pa。 圓形電弧靶6分四列均布在爐壁上，圓形電弧靶直徑為60-100mm，設(shè)有4-16個(gè) 圓形電弧耙，真空室的中心部位為大功率旋轉(zhuǎn)電弧靶4，大功率旋轉(zhuǎn)電弧靶4呈柱 形，由大功率逆變中頻電源供電，其電流范圍為150 300A,通過(guò)靶中高速旋轉(zhuǎn) 的磁鐵來(lái)控制電弧運(yùn)動(dòng)。圓形電弧靶和大功率旋轉(zhuǎn)電弧靶靶材均為T(mén)i。爐壁上安
7裝有多個(gè)加熱器3，可以方便的調(diào)節(jié)真空室中的溫度。圓形電弧耙6和大功率旋轉(zhuǎn) 電弧靶4之間的空間為離子鍍沉積區(qū)，離子鍍沉積區(qū)為環(huán)形區(qū)域，工件架5分布 于離子鍍沉積區(qū)，。樣品裝在工件架5上，在中心柱弧靶4和爐壁上的圓弧靶6之 間進(jìn)行公轉(zhuǎn)和自轉(zhuǎn)。該布局使真空室中等離子體密度大幅度增加，工件完全浸沒(méi) 在等離子體中。使涂層沉積速率、硬度、附著力得到較大的提高。由于對(duì)靶結(jié)構(gòu) 進(jìn)行了優(yōu)化，磁場(chǎng)分布更均勻，使電弧在靶面上均勻燃燒，提高了涂層的均勻性 和降低了靶材的消耗。實(shí)驗(yàn)靶材為T(mén)i:襯底負(fù)偏壓為0 1200V連續(xù)可調(diào)。工作氣 體為N2和硅烷，由質(zhì)量流量計(jì)控制。襯底轉(zhuǎn)速可調(diào)。
圖2為本發(fā)明制得的Ti-Si-N納米復(fù)合涂層表面原子力顯微形貌，從圖中可以 看出，涂層表面粗糙度較低，表面質(zhì)量較好。
圖3為本發(fā)明制得的Ti-Si-N涂層的高分辨電子顯微圖。從圖中可以看出隨 硅含量的增加，涂層微結(jié)構(gòu)發(fā)生比較明顯的變化，TiN納米晶尺寸控制在10納米 以下，從選區(qū)電子衍射圖中可以看出涂層中TiN納米晶存在不同的取向。
圖4為本發(fā)明制得的不同硅含量條件下Ti-Si-N納米復(fù)合涂層的硬度變化曲 線。從圖中可以看出，隨硅含量增加，涂層的硬度也增加，并在1231.%硅含量時(shí) 達(dá)到42GPa,隨后硬度隨硅含量的增加逐歩降低，最后50atQ/。硅含量時(shí)降到16GPa 左右，接近于Si3N4涂層的硬度，因此涂層中Si的含量應(yīng)控制在5-15at.。/0。
權(quán)利要求
1. 一種Ti-Si-N納米晶-非晶復(fù)合超硬涂層的制備方法，其特征在于將需涂層工件經(jīng)清洗后放置于真空室中，在0.1～3Pa、負(fù)50～負(fù)250V偏壓及400-450℃的條件下，首先利用磁場(chǎng)控制的金屬Ti靶電弧放電制備Ti過(guò)渡層；然后利用Ti電弧靶蒸發(fā)Ti并與通入真空室的氮?dú)夥磻?yīng)生成TiN，同時(shí)通入SiH4氣體，利用電弧放電的高強(qiáng)度等離子體把SiH4離化分解成Si離子和H離子，Si離子和真空室中的氮反應(yīng)生成Si3N4；在偏壓的作用下，TiN晶體和Si3N4相同時(shí)競(jìng)爭(zhēng)生長(zhǎng)于工件基體上成膜，形成Ti-Si-N納米晶-非晶復(fù)合超硬涂層。
2. 根據(jù)權(quán)利要求l所述的Ti-Si-N納米晶-非晶復(fù)合超硬涂層的制備方法，其特 征在于氮?dú)夂蚐iH4氣體通入真空室時(shí)，用質(zhì)量流量控制器控制通入真空室 的SiH4和氮?dú)獾牧髁俊?br> 3. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的Ti-Si-N納米晶-非晶復(fù)合超硬涂層的制備方法，其特 征在于金屬Ti靶后設(shè)有線圈，磁場(chǎng)由線圈通電產(chǎn)生，金屬Ti靶面的磁場(chǎng)強(qiáng) 度為30-50高斯。
4. 根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的制備方法，其特征在于金屬Ti靶的數(shù)量為4-15 個(gè)，靶直徑在60-100 mm，靶的電流在40-80安培。
5. 根據(jù)權(quán)利要求l所述的制備方法，其特征在于工件清洗采用輝光放電清洗， 輝光放電清洗在400-45(TC，氬氣環(huán)境下進(jìn)行。
6. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的制備方法，其特征在于Ti過(guò)渡層的沉積厚度為 200-400納米。
7. 根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的制備方法，其特征在于通入SiH4氣體流量為 130國(guó)600sccm，氮?dú)饬髁繛?00-300sccm:
8. 根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的制備方法，其特征在于涂層中Si的含量控制在 5-15at.0/o。
9. 根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的制備方法，其特征在于TiN晶粒直徑在l 10納 米之間。
全文摘要
本發(fā)明公開(kāi)了一種Ti-Si-N納米晶-非晶復(fù)合超硬涂層的制備方法。該方法利用磁場(chǎng)控制的高密度電弧放電使Ti電弧靶蒸發(fā)Ti，通入氮?dú)夂驼舭l(fā)出的Ti反應(yīng)生成TiN，同時(shí)通入硅烷，把硅烷(SiH₄)離化分解成Si離子和H離子，Si離子和氮反應(yīng)生成Si₃N₄。在偏壓下，TiN晶體和Si₃N₄相同時(shí)競(jìng)爭(zhēng)生長(zhǎng)于工件基體上成膜，形成Ti-Si-N納米晶-非晶復(fù)合涂層。本發(fā)明制備的Ti-Si-N納米晶復(fù)合涂層具有涂層硬度高、附著力強(qiáng)、涂層生長(zhǎng)速率快、生產(chǎn)效率高、生產(chǎn)成本低、涂層設(shè)備結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單等特點(diǎn)，根據(jù)使用要求可在硬質(zhì)合金、不銹鋼、碳鋼等各類(lèi)工件上進(jìn)行不同厚度Ti-Si-N納米晶-非晶復(fù)合超硬涂層的制備。
文檔編號(hào)C23C28/00GK101457359SQ20081019764
公開(kāi)日2009年6月17日 申請(qǐng)日期2008年11月14日 優(yōu)先權(quán)日2008年11月14日
發(fā)明者輝 丁, 付德君, 兵 楊, 楊種田 申請(qǐng)人:武漢大學(xué)