專利名稱：一種用于手機(jī)保護(hù)屏類的塑料基體上鍍錫工藝的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種用于手機(jī)保護(hù)屏類等塑料基體上鍍膜的工藝，具體涉及 一種用于手機(jī)保護(hù)屏類的塑料基體上鍍錫工藝，新型達(dá)到手機(jī)保護(hù)屏膜層要 求的磁控濺射鍍膜工藝。
背景技術(shù)：
目前的手機(jī)保護(hù)屏類塑料基體大致采用以下兩種方式不處理和真空鍍 膜。前一種僅僅起到保護(hù)手機(jī)LCD屏的作用。后一種可保護(hù)手機(jī)LCD屏，也
可保護(hù)使用者避免太強(qiáng)光線對(duì)眼睛的損傷，可以改變屏幕的顏色；但是由于 真空蒸發(fā)鍍膜是采用傘式結(jié)構(gòu)方式進(jìn)行的，對(duì)于大面積平面有局限，所以產(chǎn)
量大為降低。
真空鍍膜大致可分為真空蒸發(fā)鍍膜、真空磁控濺射鍍膜、真空離子鍍。
真空蒸發(fā)鍍膜是通過(guò)加熱蒸發(fā)某種物質(zhì)使其沉積在固體表面的一種技 術(shù)，最早由法拉第.M于1857年提出，現(xiàn)代已成為常用鍍膜技術(shù)之一。磁控濺 射鍍膜是利用磁場(chǎng)控制輝光放電產(chǎn)生的等離子體來(lái)轟擊出靶材表面的粒子并 使其沉積到基體表面的一種技術(shù)，于1870年開始用于鍍膜技術(shù)。
真空離子鍍是蒸發(fā)物質(zhì)的分子被電子碰撞電離后以離子沉積在固體表面 的一種技術(shù)，是D.麥托克斯于1963年提出的。
蒸發(fā)鍍膜時(shí)蒸發(fā)物質(zhì)的原子或分子以冷凝方式沉積在基片表面。
磁控濺射鍍膜時(shí)通常將欲沉積的材料制成板材——耙，固定在陰極上。 系統(tǒng)抽至高真空后充入10 l帕的氣體(通常為氬氣)，在陰極和陽(yáng)極間加幾 千伏電壓，兩極間即產(chǎn)生輝光放電。放電產(chǎn)生的正離子在電場(chǎng)作用下飛向陰 極，與靶表面原子碰撞，受碰撞從耙面逸出的耙原子稱為濺射原子，其能量在l至幾十電子伏范圍。濺射原子在基片表面沉積成膜。與蒸發(fā)鍍膜不同，濺 射鍍膜不受膜材熔點(diǎn)的限制，而且沉積速率比蒸發(fā)鍍膜高。
離子鍍時(shí)從蒸發(fā)源蒸發(fā)的分子通過(guò)等離子區(qū)時(shí)發(fā)生電離，正離子被基 片臺(tái)負(fù)電壓加速打到基片表面，未電離的中性原子(約占蒸發(fā)料的95%)也沉 積在基片或真空室壁表面，電場(chǎng)對(duì)離化的蒸汽分子的加速作用(離子能量約幾 百 幾千電子伏)和氬離子對(duì)基片的濺射清洗作用，使膜層附著強(qiáng)度大大提 高。離子鍍工藝綜合了蒸發(fā)(高沉積速率)與濺射(良好的膜層附著力)工藝的 特點(diǎn)，并有很好的繞射性，可為形狀復(fù)雜的工件鍍膜。但是由于離子能量高， 蒸汽分子能量也隨之提高，對(duì)基體(待鍍材料)的耐溫性要求較高，不適合 在塑料基體上鍍膜。
相比之下，對(duì)塑料鍍膜而言，磁控濺射鍍膜是比較好的選擇。

發(fā)明內(nèi)容
為了克服上述缺陷，本發(fā)明的目的是為了提供一種用于手機(jī)保護(hù)屏類的 塑料基體上鍍錫工藝。
為實(shí)現(xiàn)本發(fā)明的目的，本說(shuō)明書提供一種用于手機(jī)保護(hù)屏類的塑料基體 上鍍錫工藝，工藝可分為如下幾個(gè)步驟
抽真空---^上架---">預(yù)靶---+加熱-—">鍍膜---+下架-一+出片；
1. 1抽真空指對(duì)鍍膜設(shè)備進(jìn)行抽氣，使之達(dá)到預(yù)期的3. 0E-3Pa真空度；
1.2上架指將客戶需求尺寸的板材裝到基片架上；
1.3預(yù)靶指對(duì)新裝上的靶材進(jìn)行表層剝離，清潔，使之達(dá)到與耙材內(nèi) 部一樣的狀態(tài)，具體可以通過(guò)預(yù)耙后期的電壓穩(wěn)定性來(lái)判斷；
1.4加熱指基體或待鍍材料通過(guò)進(jìn)料室、緩沖室時(shí)對(duì)其進(jìn)行加熱，使其 表面吸附的雜質(zhì)氣體釋放干凈，達(dá)到鍍膜前所需的表面狀態(tài)；
1.5鍍膜指應(yīng)用在磁場(chǎng)作用下控制靶材的電流電壓對(duì)基體進(jìn)行鍍膜， 需要有真空度或鍍膜時(shí)壓力、氣體等因素的保證；1.6下架指將板材從基片架上卸下來(lái)；
1.7出片指完成鍍膜后從出料室出來(lái)。
鍍膜
設(shè)備在預(yù)靶之后，靶是處于一直開啟的狀態(tài)；通過(guò)耙電流調(diào)整；然后讓基片 架經(jīng)過(guò)靶面，基片架上裝載的片材就已經(jīng)鍍上一層膜了。 對(duì)出料室出來(lái)的產(chǎn)品測(cè)透過(guò)率，測(cè)百格、性能測(cè)試。
測(cè)透過(guò)率作為產(chǎn)品質(zhì)量的一個(gè)重要指標(biāo)，對(duì)產(chǎn)品進(jìn)行透過(guò)率測(cè)試，以 便控制在客戶需要的透過(guò)率要求范圍內(nèi)；
鍍膜時(shí)的壓力控制、電流控制、速度的控制； 進(jìn)出料操作異常狀況上下架時(shí)手勢(shì)動(dòng)作等； 鍍膜操作狀況電源的穩(wěn)定、抽氣能力的穩(wěn)定性等； 檢驗(yàn)控制因素主要有透過(guò)率測(cè)試、性能測(cè)試；
透過(guò)率測(cè)試參考《透過(guò)率測(cè)試結(jié)果》，可以進(jìn)一步調(diào)整工藝參數(shù)，以便 對(duì)工藝進(jìn)一步更為可靠的控制；
性能測(cè)試參考《性能測(cè)試結(jié)果》，可以針對(duì)性能測(cè)試，改變工藝參數(shù)， 以便達(dá)到性能測(cè)試要求；
設(shè)備名稱立式磁控濺射鍍膜機(jī)
設(shè)備型號(hào)HD800S7
設(shè)備結(jié)構(gòu)說(shuō)明
設(shè)備主要分為真空室、基片架、傳動(dòng)系統(tǒng)、真空系統(tǒng)、控制系統(tǒng)，靶系 統(tǒng)等；
1、 真空室共有7個(gè)真空室，各室分布為進(jìn)料室、緩沖室、過(guò)度室、鍍 膜室、過(guò)度室、緩沖室、出料室；
2、 基片架底座50X1200X100 (鋼質(zhì))，采用方鋼作為支撐；
3、 傳動(dòng)方式閉環(huán)控制、摩擦傳動(dòng)；可實(shí)現(xiàn)基片架自動(dòng)回轉(zhuǎn)，且無(wú)跳動(dòng)；
4、 真空系統(tǒng)機(jī)械泵2X-70、羅茨泵ZJP-600、分子泵F3500;可實(shí)現(xiàn)半
小時(shí)抽真空達(dá)到3. OE-3Pa;
5、 控制系統(tǒng)主要由分子泵電源、靶電源、加熱器控制器以及PLC控制 面板組成；靶電源采用中頻(40kHz)方式；
6、 靶系統(tǒng)平面永磁鐵方式。 異常操作說(shuō)明
1、 如果透過(guò)率產(chǎn)生異常，需及時(shí)査看耙電流的變化；
2、 如果測(cè)試產(chǎn)生變化，如百格測(cè)試，需及時(shí)査看加熱溫度設(shè)定及實(shí)際 溫度值的差異是否在規(guī)定范圍內(nèi)。
本發(fā)明工藝合理，鍍膜電源的穩(wěn)定、抽氣能力的穩(wěn)定性，鍍膜的透光性 好，膜與基體的緊密性好。 具體實(shí)施方案
下面結(jié)合實(shí)施例對(duì)本發(fā)明作進(jìn)一步說(shuō)明 工藝操作說(shuō)明
一種用于手機(jī)保護(hù)屏類的塑料基體上鍍錫工藝，工藝可分為如下幾個(gè)步
驟
抽真空---"^上架一-今預(yù)靶-一^加熱一-^鍍膜---+下架-一^出片；
l.l抽真空指對(duì)鍍膜設(shè)備進(jìn)行抽氣，使之達(dá)到預(yù)期的3.0E-3Pa真空度; 上架指將客戶需求尺寸的板材裝到基片架上；
1.2預(yù)靶指對(duì)新裝上的靶材進(jìn)行表層剝離，清潔，使之達(dá)到與靶材內(nèi) 部一樣的狀態(tài)，具體可以通過(guò)預(yù)靶后期的電壓穩(wěn)定性來(lái)判斷；
1.3加熱指基體或待鍍材料通過(guò)進(jìn)料室、緩沖室時(shí)對(duì)其進(jìn)行加熱，使 其表面吸附的雜質(zhì)氣體釋放干凈，達(dá)到鍍膜前所需的表面狀態(tài)；
1.4鍍膜指應(yīng)用在磁場(chǎng)作用下控制靶材的電流電壓對(duì)基體進(jìn)行鍍膜， 需要有真空度或鍍膜時(shí)壓力、氣體等因素的保證；
下架指將板材從基片架上卸下來(lái)； 1.5出片指完成鍍膜后從出料室出來(lái)。 靶材錫革巴(純度:》99. 6%);
電流1.8A (40kHz中頻電源)； 時(shí)長(zhǎng)30-60min;
判斷標(biāo)準(zhǔn)以電源顯示的電壓穩(wěn)定表示預(yù)靶完成； 設(shè)定1#、 2tt、 3#真空室設(shè)置為IO(TC; 判斷標(biāo)準(zhǔn)100±5°C; 鍍膜
設(shè)備在預(yù)靶之后，靶是處于一直開啟的狀態(tài)；通過(guò)靶電流調(diào)整；然后讓基片 架經(jīng)過(guò)靶面，基片架上裝載的片材就己經(jīng)鍍上一層膜了。
最后，應(yīng)當(dāng)指出，以上實(shí)施例僅是本發(fā)明較有代表性的例子。顯然，本 發(fā)明的技術(shù)方案并不限于上述實(shí)施例，還可以有許多變形。本領(lǐng)域的普通技 術(shù)人員能從本發(fā)明公開的內(nèi)容直接導(dǎo)出或聯(lián)想到的所有變形，均應(yīng)認(rèn)為是本 發(fā)明的保護(hù)范圍。
權(quán)利要求
1、一種用于手機(jī)保護(hù)屏類的塑料基體上鍍錫工藝，其特征在于工藝可分為如下幾個(gè)步驟抽真空---→上架---→預(yù)靶---→加熱---→鍍膜---→下架---→出片；1.1抽真空指對(duì)鍍膜設(shè)備進(jìn)行抽氣，使之達(dá)到預(yù)期的3.0E-3Pa真空度；上架指將客戶需求尺寸的板材裝到基片架上；1.2預(yù)靶指對(duì)新裝上的靶材進(jìn)行表層剝離，清潔，使之達(dá)到與靶材內(nèi)部一樣的狀態(tài)，具體可以通過(guò)預(yù)靶后期的電壓穩(wěn)定性來(lái)判斷；1.3加熱指基體或待鍍材料通過(guò)進(jìn)料室、緩沖室時(shí)對(duì)其進(jìn)行加熱，使其表面吸附的雜質(zhì)氣體釋放干凈，達(dá)到鍍膜前所需的表面狀態(tài)；1.4鍍膜指應(yīng)用在磁場(chǎng)作用下控制靶材的電流電壓對(duì)基體進(jìn)行鍍膜，需要有真空度或鍍膜時(shí)壓力、氣體等因素的保證；下架指將板材從基片架上卸下來(lái)；1.5出片指完成鍍膜后從出料室出來(lái)。
2、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種用于手機(jī)保護(hù)屏類的塑料基體上鍍錫工藝， 其特征在于靶材為純度>99.6%的錫靶。
3、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種用于手機(jī)保護(hù)屏類的塑料基體上鍍錫工藝， 其特征在于電流1.8A (40kHz中頻電源)；時(shí)長(zhǎng)30-60min。
4、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種用于手機(jī)保護(hù)屏類的塑料基體上鍍錫工藝， 其特征在于加熱溫度為100±5°C。
全文摘要
本發(fā)明涉及一種用于手機(jī)保護(hù)屏類的塑料基體上鍍錫工藝，其特征在于工藝可分為如下幾個(gè)步驟1.1抽真空指對(duì)鍍膜設(shè)備進(jìn)行抽氣，使之達(dá)到預(yù)期的3.0E-3Pa真空度；上架指將客戶需求尺寸的板材裝到基片架上；1.2預(yù)靶指對(duì)新裝上的靶材進(jìn)行表層剝離，清潔，使之達(dá)到與靶材內(nèi)部一樣的狀態(tài)，具體可以通過(guò)預(yù)靶后期的電壓穩(wěn)定性來(lái)判斷；1.3加熱指基體或待鍍材料通過(guò)進(jìn)料室、緩沖室時(shí)對(duì)其進(jìn)行加熱，使其表面吸附的雜質(zhì)氣體釋放干凈，達(dá)到鍍膜前所需的表面狀態(tài)；1.4鍍膜指應(yīng)用在磁場(chǎng)作用下控制靶材的電流電壓對(duì)基體進(jìn)行鍍膜；下架指將板材從基片架上卸下來(lái)；1.5出片指完成鍍膜后從出料室出來(lái)。本發(fā)明工藝合理，鍍膜電源的穩(wěn)定、抽氣能力的穩(wěn)定性，鍍膜的透光性好，膜與基體的緊密性好。
文檔編號(hào)C23C14/14GK101343730SQ200810059530
公開日2009年1月14日 申請(qǐng)日期2008年1月31日 優(yōu)先權(quán)日2008年1月31日
發(fā)明者宋光耀, 崔龍范, 張雙文, 趙斌通 申請(qǐng)人:杭州博納特光電科技有限公司