專利名稱：透明導(dǎo)電薄膜的反應(yīng)性濺射沉積方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種用于沉積透明導(dǎo)電薄膜的方法及設(shè)備，特別是一種反應(yīng)性 濺射沉積透明導(dǎo)電薄膜的方法及設(shè)備，且此透明導(dǎo)電薄膜是用于光伏元件
(photovoltaic device)。
背景技術(shù)：
光伏(PV)元件或太陽能電池為將太陽光轉(zhuǎn)變?yōu)橹绷?DC)電力的元件。 PV或太陽能電池一般具有一或多個(gè)p-n接面(junction)。各個(gè)接面包括在半 導(dǎo)體材料中的二個(gè)不同區(qū)域，其中一側(cè)代表p型區(qū)域，另一側(cè)代表n型區(qū)域。 當(dāng)PV元件的p-n接面暴露于太陽光(由來自光子的能量所組成)，太陽光透 過PV效應(yīng)而直接轉(zhuǎn)換為電力。PV太陽能電池產(chǎn)生特定量的電力，且鋪成足 以輸送期望量的系統(tǒng)電力的模塊大小。通過將數(shù)個(gè)PV太陽能電池連接，并接 著利用特定框架和連接器將其接合成面板而形成PV模塊。
數(shù)種包括微晶硅薄膜(pc-Si)、非晶硅薄膜(a-Si)、多晶硅薄膜(poly-Si) 等的PV元件類型是用于形成PV元件。透明導(dǎo)電薄膜或透明導(dǎo)電氧化物(TCO ) 薄膜通常是用作為設(shè)置在PV太陽能電池的頂部的頂表面電極(通常稱之為背 反射板；back reflector)。透明導(dǎo)電氧化物(TCO)薄膜必須對(duì)于可見或較高 波長區(qū)域具有高光透射率，以促進(jìn)太陽光透射進(jìn)入太陽光電池中，而不會(huì)不利 地吸收或反射光能。再者，透明導(dǎo)電氧化物(TCO)薄膜的低接觸電阻及高導(dǎo) 電力是所期望的，以提供高光電轉(zhuǎn)換效率及電力收集。透明導(dǎo)電氧化物(TCO) 層的紋理化或粗糙表面的某種程度也是所期望的，以通過促進(jìn)光散射而協(xié)助太 陽光捕捉。透明導(dǎo)電氧化物(TCO)薄膜的過高雜質(zhì)或污染物通常會(huì)造成在 TCO薄膜與鄰近薄膜的界面處的高接觸電阻，藉此，降低PV元件中的載子遷 移率。再者，TCO薄膜的不足透明度可能會(huì)不利地將將光線反射回環(huán)境，而 造成較少的太陽光進(jìn)入PV元件中，并使得光電轉(zhuǎn)換效率降低。
因此，對(duì)于沉積用于PV元件的透明導(dǎo)電氧化薄膜的改良方法是具有需求的。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明提供用于濺射沉積一透明導(dǎo)電氧化物(TCO)層的方法，且該TCO 層適用于PV元件中。此沉積方法提供具有高透明度的TCO層，而不會(huì)對(duì)總 TCO層導(dǎo)電性造成不利影響。在一實(shí)施例中， 一種用于濺射沉積的方法包括-將一基板提供至一制程室中；通過一第一濺射沉積步驟而在基板上形成一透明 導(dǎo)電氧化物層的一第一部分；以及通過一第二濺射沉積步驟而形成透明導(dǎo)電氧 化物層的一第二部分。
在另一實(shí)施例中， 一種用于濺射沉積一透明導(dǎo)電氧化物層的方法包括將 一基板提供至一制程室中；供應(yīng)一氣體混合物至制程室中；濺射來自設(shè)置在制 程室中的一靶材的一來源物質(zhì)；在濺射期間調(diào)整供應(yīng)至制程室的氣體混合物的 一流速；以及在基板上形成透明導(dǎo)電氧化物層。
在又一實(shí)施例中， 一種用于濺射沉積一透明導(dǎo)電氧化物層的方法包括將 一基板提供至一制程室中；供應(yīng)一第一氣體混合物至制程室中；濺射來自設(shè)置 在制程室中的一靶材的一來源物質(zhì)；經(jīng)濺射的來源物質(zhì)與第一氣體混合物反 應(yīng)，以在基板上形成一透明導(dǎo)電氧化物層的一第一部分；供應(yīng)一第二氣體混合 物至制程室中，并與經(jīng)濺射的來源物質(zhì)反應(yīng)；以及在基板上形成透明導(dǎo)電氧化 物層的一第二部分。


為讓本發(fā)明的上述特征更明顯易懂，可配合參考實(shí)施例說明，其部分乃繪 示如附圖。
圖1示出根據(jù)本發(fā)明的一實(shí)施例的制程室的概要剖面視圖； 圖2示出根據(jù)本發(fā)明的一實(shí)施例的結(jié)晶硅系薄膜PV太陽能電池的示例剖 面視圖3示出根據(jù)本發(fā)明的一實(shí)施例而用于沉積TCO層的制程流程圖4示出根據(jù)本發(fā)明的一實(shí)施例的串迭型PV太陽能電池的示例剖面視
圖5示出根據(jù)本發(fā)明的一實(shí)施例的三接面PV太陽能電池的示例剖面視圖。
為便于了解，圖式中相同的元件符號(hào)表示相同的元件。某一實(shí)施例采用的 元件當(dāng)不需特別詳述而可應(yīng)用到其它實(shí)施例。
然而，須注意的是，雖然所附附圖公開本發(fā)明特定實(shí)施例，但其并非用以 限定本發(fā)明的精神與范圍，任何熟習(xí)此技術(shù)人員，當(dāng)可作各種地更動(dòng)與潤飾而 得等效實(shí)施例。
具體實(shí)施例方式
本發(fā)明提供一種用于濺射沉積一 TCO層的方法，而此TCO層適用于太陽 能電池的制造。在一實(shí)施例中，TCO層的濺射沉積是通過在濺射期間供應(yīng)不 同氣體混合物及/或不同氣體流速，藉此，調(diào)整薄膜性質(zhì)以使其符合不同或特 定的制程需求。在其它實(shí)施例中，通過在濺射期間提供不同氧氣流速以將TCO 層濺射沉積為太陽能電池單元中的背反射板，藉此，調(diào)整薄膜性質(zhì)以使其符合 不同或特定的制程需求。在又一實(shí)施例中，通過在期望溫度下的第一及第二濺 射期間提供不同氧氣流速，以將TCO層濺射沉積為太陽能電池單元中的背反 射板，藉此，調(diào)整薄膜性質(zhì)以使其符合不同或特定的制程需求。
圖1繪示根據(jù)本發(fā)明的一實(shí)施例而適于濺射沉積材料的示范性的反應(yīng)性 濺射制程室100?？蛇m用且可受益于本發(fā)明的制程室實(shí)例為購自加州圣克拉拉 應(yīng)用材料公司(AppliedMaterials, Inc.)的PVD制程室。但包括來自其它制造 商的其它濺射制程室也可適用而實(shí)施本發(fā)明。
制程室100包括腔室主體108，其具有一界定于其中的處理容積 (processing volume) 118。腔室主體108具有側(cè)壁110以及底部146。腔室主 體108及制程室100的相關(guān)部件的尺寸并未受限，且通常成比例地大于待處理 的基板114的尺寸?？商幚砣魏芜m合的基板尺寸。適當(dāng)?shù)幕宄叽绲膶?shí)例包括 具有表面積約2000cn^或更大的基板，例如4000cn^或更大，又例如約10000 cn^或更大。在一實(shí)施例中，可處理具有約50000 cm2或更大的表面積的基板。
腔室蓋元件104是安裝在腔室主體108的頂部。腔室主體108可以由鋁或 其它適合材料制成?；迦肟?130是穿設(shè)于腔室主體108的側(cè)壁110，以有利 于基板114 (即，太陽能面板、平板顯示器基板、半導(dǎo)體晶圓或其它工件)傳 送進(jìn)出制程室100。入口 130可耦接至傳輸室及/或基板處理系統(tǒng)的其它腔室。氣體源128是耦接至腔室主體108，以將制程氣體供應(yīng)至處理容積118。 在一實(shí)施例中，制程氣體可包括惰性氣體、非反應(yīng)性氣體及反應(yīng)性氣體。氣體 源128所提供的制程氣體的實(shí)例包括但不限于氬氣(Ar)、氦氣(He)、氮 氣(N2)、氧氣(02)及水(H20)。
抽氣口 150是穿設(shè)于腔室主體108的底部146。抽氣裝置152是耦接至處 理容積118，以進(jìn)行排氣并控制其中的壓力。在一實(shí)施例中，制程室100的壓 力層級(jí)可維持在約1托(Torr)或更低。在另一實(shí)施例中，制程室100的壓力 層級(jí)可維持在約10—3托或更低。在又另一實(shí)施例中，制程室100的壓力層級(jí)可 維持在約10-s托 10々托。在另一實(shí)施例，制程室100的壓力層級(jí)可維持在約 10'7托或更低。
蓋元件104通常包括一靶材120以及與其耦接的接地屏蔽元件126。耙材 120提供可在PVD制程期間濺射并沉積至基板114表面的材料來源。耙材120 或靶材板可以由用于沉積物種的材料制成。高壓功率源(例如功率源132)是 連接至靶材120，以利于來自靶材120的材料的濺射。在一實(shí)施例中，靶材120 可以由含有鋅(Zn)金屬的材料制成。在另一實(shí)施例中，靶材120是由包括 金屬鋅(Zn)靶材、鋅合金、鋅鋁合金、鋅鎵合金、含鋅陶瓷氧化物靶材等 的材料制成。
靶材120通常包括周圍部分124以及中央部分116。周圍部分124是設(shè)置 于腔室的側(cè)壁110上方。靶材120的中央部分116可具有彎曲表面，其略微朝 向設(shè)置在基板支撐件138上的基板114表面延伸。靶材120與基板支撐件138 之間的間隔是維持在約50mm 約150mm之間。應(yīng)注意的是，可根據(jù)特定的 制程或基板需求而改變靶材120的尺寸、形狀、材料、配置及直徑。在一實(shí)施 例中，靶材120可更包括一背板，該背板具有一中央部分，而該中央部分是由 期望濺射至基板表面的材料制成，及/或與此材料結(jié)合。靶材120也可包括聚 集在一起而形成靶材的相鄰耙磚或片段材料。
可選擇地，蓋元件104可更包括裝設(shè)在靶材120上方的磁控管元件102， 而磁控管元件102可增進(jìn)處理期間來自靶材120的材料的有效濺射。磁控管元 件的實(shí)例包括線形磁控管、蛇形磁控管、螺旋形磁控管、雙指狀磁控管、矩形 螺旋形磁控管等。
蓋元件104的接地屏蔽元件126包括接地框106及接地屏蔽112。接地屏
9蔽元件126也可包括其它腔室屏蔽構(gòu)件、靶材屏蔽構(gòu)件、暗區(qū)屏蔽、暗區(qū)屏蔽 框。接地屏蔽112通過接地框106而耦接至周圍部分124，且接地框106在處 理容積118中而于靶材120中央部分的下方界定出一上方處理區(qū)域154。接地 框106使接地屏蔽112與靶材120為電性絕緣，并提供一遒過側(cè)壁110而至制 程室100的腔室主體108的接地路徑。接地屏蔽112將處理過程中產(chǎn)生的等離 子體限制在上方處理區(qū)域154中，并迫使靶材源材料自靶材120的中央部分 116移出，藉此，允許移出的靶材源主要沉積在基板表面上而非腔室側(cè)壁110 上。在一實(shí)施例中，接地屏蔽112由一或多個(gè)工件片段及/或數(shù)個(gè)該些部件通 過本技藝已知的制程將其結(jié)合而形成，例如通過焊接、粘接、高壓壓縮等。
軸桿140是延伸穿過腔室主體108的底部146并耦接至升舉機(jī)構(gòu)144。升 舉機(jī)構(gòu)144是配置以將基材支撐件138于下方傳輸位置及上方處理位置之間移 動(dòng)。波紋管(bellow) 142是圍繞于軸桿140周圍并耦接至基板支撐件138以 在其間提供彈性密封，藉此維持腔室處理容積118的真空完整性。
遮蔽框122是設(shè)置在基板支撐件138的周圍部分上，并配置以將由靶材 120所濺射出的來源材料的沉積限制在基板表面的期望部位。腔室屏蔽136可 設(shè)置在腔室主體108的內(nèi)壁上，并具有一往內(nèi)延伸至處理容積118的突唇156， 而突唇156是配置以支撐遮蔽框122，而使其設(shè)置在基板支撐件138的周圍。 隨著基板支撐件138升舉至用于處理的上方位置時(shí)，設(shè)置在基板支撐件138 的基板114的外部邊緣與遮蔽框122接合，而遮蔽框122升高并且與腔室屏蔽 136分隔開。當(dāng)基板支撐件138下降至傳輸位置而鄰近基板傳輸入口 130時(shí)， 遮蔽框112則回到腔室屏蔽136上方。升舉銷(圖中未示)是選擇性地移動(dòng)穿 過基板支撐件138，以將基板114舉高于基板支撐件138之上，而有利于通過 傳輸機(jī)械手臂或其它適合傳輸機(jī)構(gòu)來取得基板114。
控制器148是耦接至制程室100?？刂破?48包括中央處理單元(CPU) 160、內(nèi)存15S以及支持電路162?？刂破?48是用以控制制程順序、調(diào)節(jié)來 自氣體源128至制程室100的氣流以及控制靶材120的離子轟擊。CPU 160可 以為任何形式且可用于工業(yè)設(shè)定的通用計(jì)算機(jī)處理器。軟件例程可儲(chǔ)存在內(nèi)存 158中，例如隨機(jī)存取內(nèi)存、只讀存儲(chǔ)器、軟盤機(jī)或硬盤機(jī)、或是其它的數(shù)字 儲(chǔ)存形式中。支持電路162是如己知地耦接至CPU160，并可包括高速緩存、 時(shí)鐘電路、輸入/輸出子系統(tǒng)、電源等。當(dāng)由CPU 160執(zhí)行軟件例程時(shí)，軟件例程會(huì)轉(zhuǎn)換至控制制程室100的專用計(jì)算機(jī)(控制器)148，則制程會(huì)根據(jù)本 發(fā)明而進(jìn)行。軟件例程也可通過第二控制器(圖中未示)儲(chǔ)存及/或執(zhí)行，而 此第二控制器是遠(yuǎn)離制程室100而設(shè)置。
在處理期間，材料楚fe靶材120濺射出，并沉積在基板114表面上。靶材 120及基板支撐件138通過功率源132而相對(duì)于彼此偏壓，以維持氣體源128 供應(yīng)的制程氣體所形成的等離子體。來自等離子體的離子是加速而朝向靶材 120并攻擊靶材120，因而造成靶材材料自靶材120中被逐出。所逐出的靶材 材料及制程氣體在基板114上形成具有期望組成的一層。
圖2繪示根據(jù)本發(fā)明的一實(shí)施例的非晶硅系薄膜PV太陽能電池 (amorphous silicon-based thin film PV solar cell) 200的剖面視圖。非晶硅系薄 膜PV太陽能電池200包括一基板114。該基板114可以為金屬、塑料、有機(jī) 物質(zhì)、硅、玻璃、石英的薄板、或聚合物或其它適合材料?；?14的表面積 可以大于約lm2，例如大于約2m2。可選擇地，薄膜PV太陽能電池200可以 視需要而制造為結(jié)晶、微晶或其它形式的硅系薄膜。
TCO層202設(shè)置在基板114上，而光電轉(zhuǎn)換單元214則形成在TCO層202 上。光電轉(zhuǎn)換單元214包括p型半導(dǎo)體層204、 n型半導(dǎo)體層208，以及夾設(shè) 在其間而作為光電轉(zhuǎn)換層的本征型(i型)半導(dǎo)體層206。 一選擇性的介電層 (圖中未示)可設(shè)置在基板114及TCO層202之間。在一實(shí)施例中，選擇性 介電層可以為SiON或氧化硅(Si02)層。
p型及n型半導(dǎo)體層204、 208可以為硅系(silicon based)材料，其可摻 雜一選自第III或V族的元素。摻雜有第III族元素的硅薄膜稱之為p型硅薄膜， 而摻雜有第V族元素的硅薄膜稱之為n型硅薄膜。在一實(shí)施例中，n型半導(dǎo)體 層208可以為磷摻雜硅薄膜，而p型半導(dǎo)體層204可以為硼摻雜硅薄膜。摻雜 的硅薄膜(204、 208)包括非晶硅薄膜(a-Si)、多晶硅薄膜(poly-Si)以及 微晶硅薄膜(pc-Si)，且其厚度為5nm 約50nm。可選擇地，p型及n型半 導(dǎo)體層204、 208中的摻雜元素是經(jīng)選擇以符合PV太陽能電池200的需求。p 型及n型半導(dǎo)體層204、 208可通過CVD制程或其它適合沉積制程來沉積。
i型半導(dǎo)體層206為一非摻雜形式的硅系薄膜。i型半導(dǎo)體層206是在受控 以提供具有改進(jìn)光電轉(zhuǎn)換效力的薄膜特性的制程條件下進(jìn)行沉積。在一實(shí)施例 中，i型半導(dǎo)體層206可以由i型多晶硅(poly-Si) 、 i型微晶硅薄膜(pc-Si)、非晶硅(a-Si)或氫化非晶硅(a-Si)制成。
在光電轉(zhuǎn)換單元214于TCO層202上形成之后，背反射板216則設(shè)置在 光電轉(zhuǎn)換單元214上。在一實(shí)施例中，背反射板216可以由堆棧薄膜形成，其 包括穿透導(dǎo)電氧化物(TCO)層210以及導(dǎo)電層212。導(dǎo)電層212可以為Ti、 Cr、 Al、 Ag、 Au、 Cu、 Pt或其合金的至少其中之一者。TCO層210可以由類 似于形成在基板114的TCO層202的材料制成。TCO層202、 210可以由氧 化錫(Sn02)、氧化銦錫(ITO)、氧化鋅(ZnO)或其組合所組成的群組制 成。
在圖2所示的實(shí)施例中，TCO層202、 210的至少其中之一者是通過根據(jù) 本發(fā)明的反應(yīng)性濺射沉積所制成。TCO層202、 210的濺射沉積制程是在制程 室100中進(jìn)行，如圖1所述。
圖3繪示用于在基板114上或光電轉(zhuǎn)換單元214上沉積TCO層(例如 TCO層202、 210)的濺射沉積制程300的一實(shí)施例的流程圖。制程300可以 如同指令而儲(chǔ)存在內(nèi)存158中，且當(dāng)控制器148執(zhí)行該些指令時(shí)，制程300 則會(huì)在制程室100中執(zhí)行。在圖3所示的實(shí)施例中，制程300是在購自應(yīng)用材 料公司的Thin Film Solar PECVE系統(tǒng)中執(zhí)行。
制程300起始于步驟302，是將基板提供至濺射制程室中，以用于在基板 上沉積一 TCO層。在一實(shí)施例中，TCO層是沉積為基板114上的TCO層202。 在另一實(shí)施例中，TCO層是沉積為光電轉(zhuǎn)換單元214上的TCO層而作為背反 射板216。
在步驟304中，進(jìn)行第一濺射沉積步驟以濺射沉積一部分的TCO層。第 一濺射沉積步驟可配置以沉積一部分的TCO層，而此部分與下方將進(jìn)一步描 述地利用第二濺射沉積步驟所沉積的TCO層的第二部分具有不同薄膜特性。 根據(jù)太陽能電池200中所形成的不同層，故TCO層可能需要不同的薄膜特性 需求，因此可通過改變?yōu)R射沉積參數(shù)以產(chǎn)生不同的化合物薄膜成分及質(zhì)量。舉 例來說，底部TCO層202相較于上方TCO層210而需要例如較高紋理化 (textured)表面、高透明度以及高導(dǎo)電性等的薄膜特性。高紋理化表面促進(jìn) 傳送穿過基板114的入射光222于底部TCO層202被捕捉，藉此，使得光透 射效率最大化。雖然上方TCO層210可能也需要高透明度，但是，其對(duì)表面 紋理化的需求遠(yuǎn)小于底部TCO層202。在利用如制程300所述的濺射沉積制程而形成上方TCO層210以作為背反射板的實(shí)施例中，在其與光電轉(zhuǎn)換單元 214之間的界面是期望具有較低紋理化表面、高透明度及高導(dǎo)電性。
在第一濺射步驟中，可將氣體混合物供應(yīng)至制程室100中，以與濺射自靶 材120的來源"物質(zhì)反應(yīng)。在一實(shí)施例中，氣體混合物包括反應(yīng)性氣體、非反應(yīng) 性氣體、惰性氣體等。反應(yīng)性及非反應(yīng)性氣體的實(shí)例包括但不限于為02、 N2、 N20、 N02及NHs、 1120等。惰性氣體的實(shí)例包括但不限于為Ar、 He、 Xe及 Kr等。
在圖2所示的實(shí)施例中，是利用由鋅(Zn)及鋁(Al)金屬合金所制成 的金屬合金靶材來作為用于濺射制程的靶材120的來源物質(zhì)。包括在鋅及鋁金 屬合金靶材120中的鋁金屬比率是控制在約0.5% 約5%之間(以重量計(jì))。 當(dāng)將高壓功率施加至金屬鋅靶材120時(shí)，金屬鋅來源物質(zhì)是以鋅離子(例如 Zn+或Zn2+)的形式自靶材120濺射出。供應(yīng)至靶材120與基板支撐件138之 間的偏壓功率是維持在制程室100中由氣體混合物所形成的等離子體。主要來 自惰性氣體或等離子體中的氣體混合物的離子是轟擊并將靶材120的物質(zhì)濺 射出。反應(yīng)性氣體與生長濺射薄膜反應(yīng)，以在基板114上形成具有期望組成的 層。在濺射沉積制程期間，可改變氣體混合物及/或其它制程參數(shù)，藉此，針 對(duì)不同的薄膜質(zhì)量需求而產(chǎn)生具有期望薄膜特性的變化率。
在一實(shí)施例中，供應(yīng)至制程室100中的氣體混合物包括氧氣、氬氣或其混 合物。氧氣的供應(yīng)流速可介于約0 sccm 約1000 sccm，例如介于約10 sccm 約200sccm，又例如介于約15sccm 約100sccm?？蛇x擇地，氧氣流速可以 被控制在以每腔室計(jì)的一流速，所述流速介于每腔室體積(公升)約0sccm 每腔室體積(公升)約29sccm，例如介于每腔室體積(公升)約0.28sccm 每腔室體積(公升)約6 sccm，又例如介于每腔室體積(公升)約0.43 sccm 每腔室體積(公升)約2.89 sccm。氬氣供應(yīng)至制程室100的流速可介于約100 sccm 約500 sccm之間，例如介于約100 sccm 約250 sccm?？蛇x擇地，氬 氣流速可以被控制在以每腔室計(jì)的一流速，所述流速介于每腔室體積(公升) 約2.89 sccm 每腔室體積(公升)約14.46 sccm，例如介于每腔室體積(公升) 約2.89 sccm 每腔室體積(公升)約7.23 sccm。
由氧氣氣體混合物解離出的氧離子與自靶材濺射出的鋅離子反應(yīng)而形成 氧化鋅(ZnO)層，以作為基板114上的TCO層202的第一部分。在處理過
13程中，RF功率是供應(yīng)至靶材120。在一實(shí)施例中，所供應(yīng)的RF功率密度是介 于約100毫瓦/平方厘米(milliwatts per centimeter square) 約10000毫瓦/平 方厘米，例如為約500毫瓦/平方厘米 約5000毫瓦/平方厘米，又例如為約 1000毫瓦/平方厘米 約4500毫瓦/平方厘米?？蛇x擇地，所供應(yīng)的直流(DC) 功率是介于約1000毫瓦/平方厘米 約30000毫瓦/平方厘米，例如為約500 毫瓦/平方厘米 約1500毫瓦/平方厘米，又例如為約1000毫瓦/平方厘米 約 4500毫瓦/平方厘米。
在步驟304中可調(diào)節(jié)數(shù)種制程參數(shù)。在一實(shí)施例中，制程室100中的氣體 混合物的壓力是調(diào)節(jié)在約0毫托(mTorr) 約100毫托之間，例如介于約1 毫托 約10毫托。基板溫度可以維持在約25"C 約40(TC之間，例如約 15(TC 約250°C。制程時(shí)間可以為預(yù)定的制程期間，或是直到基板上已沉積 有期望厚度的層。在一實(shí)施例中，所進(jìn)行的制程時(shí)間可以介于約15秒 約1200 秒，例如約120秒 約400秒。在另一實(shí)施例中，所進(jìn)行的制程時(shí)間為TCO 層的第一部分的厚度達(dá)到才終止。在一實(shí)施例中，TCO層的第一部分的厚度 是介于約50A 約8000 A。在一實(shí)施例中，第一濺射步驟304是用于沉積上 方TCO層210的第一部分，而所沉積的上方TCO層210的第一部分的厚度是 介于約100A 約800 A。在一實(shí)施例中，第一濺射步驟304是用于沉積底部 TCO層202的第一部分，而所沉積的底部TCO層202的第一部分的厚度是介 于約1000A 約8000 A。在待處理的基板具有不同尺寸的實(shí)施例中，具有不 同尺寸的制程室中所配置的制程、壓力及間隔不需根據(jù)基板及/或腔室尺寸的 改變而有所變化。
可選擇地，在第一濺射步驟中，于TCO層的沉積過程中，可改變供應(yīng)至 制程室100的氣體混合物，以產(chǎn)生層中的特性梯度。也可改變供應(yīng)至耙材120 的濺射來源物質(zhì)的功率。在一實(shí)施例中，供應(yīng)至制程室100的氣體混合物可于 每秒約100sccm 約500sccm之間增加或降低，直到達(dá)到期望氣體流速為止。 相似的，供應(yīng)至靶材120的功率也可在每秒約1000瓦 約10000瓦之間增加 或降低，直到達(dá)到期望處理功率為止。
在濺射制程是用于沉積上方TCO層210以做為太陽能電池200的背反射 板的實(shí)施例中，第一沉積步驟是配置以沉積具有高導(dǎo)電性、高透明度及較低紋 理化表面的TCO層210的第一部分。舉例來說，當(dāng)TCO層210的第一部分直接與光電轉(zhuǎn)換單元214接觸時(shí)，TCO層210的界面層是期望具有高導(dǎo)電性(例 如具有較高比例的金屬元素)以降低接觸電阻，藉此，呈現(xiàn)出一較高的電轉(zhuǎn)換 效率。在一實(shí)施例中，TCO層210的第一界面部分的接觸電阻是小于約lxE—2 Ohm-cm，例如介于約lxE-2Ohm-cm l><E-4Ohm-cm之間。在期望界面?zhèn)}具有 高導(dǎo)電性的實(shí)施例中，氧氣氣體混合物是以較少量供應(yīng)(例如以較低氣體流 速)，以產(chǎn)生具有較高金屬鋅比率(相對(duì)于氧)的濺射沉積薄膜?？蛇x擇地， 可施加高壓功率至靶材120，以濺射較大量的鋅，而產(chǎn)生具有高鋅比率(相對(duì) 于氧元素)的期望薄膜。當(dāng)上方TCO層210形成在光電轉(zhuǎn)換單元214上時(shí)， 用于濺射沉積上方TCO層210的制程溫度是控制在較低溫，例如，低于300°C ， 藉以預(yù)防晶粒結(jié)構(gòu)傷害以及光電轉(zhuǎn)換單元214的硅薄膜的其它相關(guān)熱傷害。在 一實(shí)施例中，用于濺射沉積上方TCO層210的制程溫度是控制在約100°C 約30(TC之間，例如小于約25(TC。
相對(duì)的，針對(duì)沉積為底部TCO層202的TCO層，是期望具有較高紋理化 的表面、高薄膜導(dǎo)電性以及高薄膜透明度。當(dāng)?shù)撞縏CO層202直接沉積在基 板114上時(shí)，可采用較高的制程溫度來濺射沉積底部TCO層202，只要基板 U4不受到熱破壞。舉例來說，當(dāng)基板114的材料為具有高過約450'C的熔點(diǎn) 的玻璃或陶瓷材料時(shí)，則可使用較高的制程溫度范圍，例如高于約30(TC，低 于約450°C，以產(chǎn)生具有高透明度的薄膜。在較高制程溫度下沉積的TCO層 可具有較高的塊體薄膜導(dǎo)電性(bulk film conductivity)，而可在相對(duì)于上方 TCO層210的較高制程溫度下沉積的底部TCO層202，其相對(duì)于上方TCO層 210具有較高的塊體薄膜導(dǎo)電性。在一實(shí)施例中，底部TCO層202的導(dǎo)電性 為約IE—4Ohm-cm，其高于上方TCO層210的導(dǎo)電性。
在步驟306中，進(jìn)行第二濺射沉積步驟，以濺射沉積TCO層直到達(dá)到TCO 層的第二部分的期望厚度或是TCO層的總厚度。在第二步驟306中的制程參 數(shù)及供應(yīng)至制程室100的氣體混合物可不同于第一步驟304，藉此，所沉積的 TCO層的第二部分的薄膜特性會(huì)與第一部分不同。
在步驟306的第二濺射沉積步驟中，于步驟304中所供應(yīng)的第一氣體混合 物及第一氣體混合物的流速可以平順的過渡成為第二氣體混合物及第二氣體 流速。氣體混合物及/或氣體流速的改變是提供反應(yīng)過程中的不同的金屬與氧 的比率，藉此，使得TCO層的第二部分相對(duì)于第一部分而具有不同的鋅金屬與氧的比率。另外，在步驟304所供應(yīng)的功率可不同于在步驟306所供應(yīng)的功 率，藉以調(diào)整制程期間的濺射金屬量。
在利用第二濺射沉積步驟以沉積上方TCO層210的上方第二部分以作為 背反射板的實(shí)施例中，供應(yīng)至制程室的氣體混合物為高含量及/或it流速，以 造成TCO層210的第二部分具有較高的氧相對(duì)于金屬鋅的比率。舉例來說， 在第二濺射沉積制程中具有較高氧氣流速的氣體混合物(相對(duì)于步驟304的第 一濺射沉積制程中的低氧氣流速)可用于產(chǎn)生期望的上方TCO層210，其具 有兩層薄膜，且各具有不同的薄膜特性。較高的氧相對(duì)于金屬鋅的比率是允許 TCO層210的上方部分具有高透明度，而不會(huì)對(duì)TCO層210的總導(dǎo)電性及接 觸電阻造成不利影響。在利用第二濺射沉積步驟以沉積底部TCO層202的上 方第二部分的實(shí)施例中，是期望具有一致的高薄膜透明度，以使光透射效率最 大化。因此，使用高氣體流速是所期望的，以產(chǎn)生底部TCO層202的上方第 二部分而使其具有氧相對(duì)于金屬鋅的高比率。在一實(shí)施例中，底部TCO層202 及/或上方TCO層210的第二部分相對(duì)于底部TCO層202及/或上方TCO層 210的第一部分而具有較高的功函數(shù)(working fbnction)。舉例來說，底部TCO 層202及/或上方TCO層210的第二部分的功函數(shù)是較底部TCO層202及/或 上方TCO層210的第二部分的功函數(shù)高約0.3 eV。
在一實(shí)施例中，供應(yīng)至制程室100中的氣體混合物包括氧氣、氬氣或其混 合物。氧氣的供應(yīng)流速可介于約0 sccm 約1000 sccm，例如介于約10 sccm 約300 sccm，又例如介于約30 sccm 約200 sccm，例如大于25 sccm?？蛇x 擇地，氧氣流速可以被控制在以每腔室計(jì)的一流速，所述流速介于每腔室體積 (公升)約0sccm 每腔室體積(公升)約28.9sccm，例如介于每腔室體積 (公升)約0.289 sccm 每腔室體積(公升)約8.68 sccm，又例如介于每腔室 體積(公升)約0.86 sccm 每腔室體積(公升)約5.78sccm，例如大于每腔 室體積(公升)0.723 sccm。氬氣供應(yīng)至制程室100的流速可介于約100 sccm 約500 sccm之間，例如介于約100 sccm 約250 sccm?？蛇x擇地，氬氣供應(yīng) 至制程室100的流速以每腔室計(jì)可介于每腔室體積(公升)約2.89 sccm 每 腔室體積(公升)約14.47 sccm，例如介于每腔室體積(公升)約2.89 sccm 每腔室體積(公升)約7.23sccm。
可選擇地，在步驟306中用于濺射沉積TCO層的第二部分的氧氣可以較高流速(相對(duì)于步驟304的用于TCO層的第一部分的流速)進(jìn)行供應(yīng)及調(diào)節(jié)。 在一實(shí)施例中，供應(yīng)而用于濺射沉積TCO層的第二部分的氧氣流速可以是介 于約10sccm 約50sccm，例如介于每腔室體積(公升)約0.289 sccm 每腔 室體積(公升)約1.45sccm，而&流速是高于用于濺射沉積TCO層的第一部 分的氧氣流速。在另一實(shí)施例中，供應(yīng)而用于濺射沉積TCO層的第二部分的 氧氣流速是控制在介于約30 sccm 約150 sccm的較高氣體流速，例如介于每 腔室體積(公升)約0.868 sccm 每腔室體積(公升)約4.34 sccm;供應(yīng)而用 于濺射沉積TCO層的第一部分的氧氣流速是控制在介于約5 sccm 約80 sccm 的較低氣體流速，例如介于每腔室體積(公升)約0.145 sccm 每腔室體積(公 升)約2.314 sccm。由氧氣氣體混合物解離出的氧離子是與由靶材濺射出的鋅 離子反應(yīng)，以形成氧化鋅(ZnO)層，而作為基板114上的TCO層202或210。 RF功率是施加至靶材120以激發(fā)制程氣體。在一實(shí)施例中，所供應(yīng)的RF功 率密度是介于約100毫瓦/平方厘米 約10000毫瓦/平方厘米，例如為約500 毫瓦/平方厘米 約5000毫瓦/平方厘米，又例如為約1000毫瓦/平方厘米 約 毫瓦/平方厘米。可選擇地，所供應(yīng)的直流(DC)功率是介于約1000瓦 約 30000瓦，例如為約500毫瓦/平方厘米 約1500毫瓦/平方厘米，又例如為約 1000毫瓦/平方厘米 約4500毫瓦/平方厘米。
在步驟304中可調(diào)節(jié)數(shù)種制程參數(shù)。在一實(shí)施例中，制程室100中的氣體 混合物的壓力是調(diào)節(jié)在約0毫托(mTorr) 約100毫托之間，例如介于約1 毫托 約10毫托?；鍦囟瓤梢跃S持在約25。C 約40(TC之間，例如約 15(TC 約250°C。制程時(shí)間可以為預(yù)定的制程期間，或是直到基板上已沉積 有期望厚度的層。在一實(shí)施例中，所進(jìn)行的制程時(shí)間可以介于約15秒 約1200 秒，例如約120秒 約300秒。在另一實(shí)施例中，所進(jìn)行的制程時(shí)間是為TCO 層的厚度達(dá)到約50A 約4000 A才終止。在利用第二濺射步驟306以沉積上 方TCO層210的第二部分的一實(shí)施例中，TCO層的第二部分的沉積厚度是介 于約100A 約500 A。在利用第二濺射步驟306以沉積底部TCO層202的第 二部分的一實(shí)施例中，所沉積的底部TCO層202的第二部分的厚度是介于約 250A 約5000 A。例如包括在步驟304所沉積的第一部分以及在步驟306所 沉積的第二部分的總厚度，可針對(duì)上方TCO層210而控制在約400A 約 1500A之間，并針對(duì)底部TCO層202而控制在約6000A 約1.3[im之間?？蛇x擇地，在第二濺射步驟306中，可改變供應(yīng)至制程室100的氣體混合 物，以濺射沉積具有特性梯度的TCO層的第二部分。也可改變供應(yīng)至靶材120 的濺射來源物質(zhì)的功率。在一實(shí)施例中，供應(yīng)至制程室100的氣體混合物可于 每秒然f 100 sccm 約500 sccm之間增加或降低，直到達(dá)到期望氣體流速為止。 相似的，供應(yīng)至靶材120的功率也可在每秒約1000瓦 約10000瓦之間增加 或降低，直到達(dá)到期望處理功率為止。
在一實(shí)施例中，根據(jù)本發(fā)明所描述的TCO層202、 210的薄膜電阻(sheet resistance)介于約1500奧姆/平方單位(ohm per square) 約2500奧姆/平方 單位，例如約2000奧姆/平方單位。以波長為約400 nm 約1100 nm的光所測(cè) 量的TCO層的透明度是大于約85X，而TCO層的表面粗糙度是小于約100A。
于一示范性實(shí)施例中，在第一步驟304所供應(yīng)的氧氣氣體流速是控制在約 18 sccm 約22 sccm，例如介于每腔室體積(公升)約0.52 sccm 每腔室體 積(公升)約0.636 sccm;在第二步驟306所供應(yīng)的氧氣氣體流速是控制在大 于約25 sccm，例如每腔室體積(公升)約0.723 sccm。所供應(yīng)的RF功率密度 為約1000毫瓦/平方厘米，腔室壓力則維持在約4毫托。
于一示范性實(shí)施例中，在第一步驟304所供應(yīng)的氧氣氣體流速是控制在約 35 sccm 約40 sccm，例如介于每腔室體積(公升)約1.012 sccm 每腔室體 積(公升)約1.157 sccm;在第二步驟306所供應(yīng)的氧氣氣體流速是控制在大 于約50sccm，例如每腔室體積(公升)約1.446 sccm。所供應(yīng)的RF功率密度 為約2000毫瓦/平方厘米，腔室壓力則維持在約6毫托。
于又一示范性實(shí)施例中，在第一步驟304所供應(yīng)的氧氣氣體流速是控制在 約80 sccm 約90 sccm，例如介于每腔室體積(公升)約2.315 sccm 每腔室 體積(公升)約2.6sccm;在第二步驟306所供應(yīng)的氧氣氣體流速是控制在大 于約100sccm，例如每腔室體積(公升)約2.89sccm。所供應(yīng)的RF功率密度 為約4000毫瓦/平方厘米，腔室壓力則維持在約7毫托。
在操作中，由環(huán)境所提供的入射光222是供應(yīng)至PV太陽能電池200。 PV 太陽能電池200中的光電轉(zhuǎn)換單元214吸收光能，并通過光電轉(zhuǎn)換單元214 中形成的p-i-n接面的操作而將光能轉(zhuǎn)換為電能，藉此產(chǎn)生電力或能量?？蛇x 擇地，PV太陽能電池200可以利用反向順序而制造或沉積。舉例來說，基板 114可沉積在背反射板216上方。
18圖4是繪示根據(jù)本發(fā)明的一實(shí)施例所制造的串迭型(tandem type) PV太 陽能電池400的示例剖面視圖。串迭型PV太陽能電池400的結(jié)構(gòu)與PV太陽 能電池200的結(jié)構(gòu)相似，也包括形成于基板114上的底部TCO層402以及形 成在TCO層402上的第一光電轉(zhuǎn)換單元422。第一光電轉(zhuǎn)換單元422可以為 如同圖2所述的光電轉(zhuǎn)換單元214般而為微晶硅系、多晶硅系或非晶硅系的光 電轉(zhuǎn)換單元。中間層410可形成在第一光電轉(zhuǎn)換單元422與第二光電轉(zhuǎn)換單元 424之間。中間層410可以為由上述的制程300所濺射沉積的TCO層。圖4 所示的第一光電轉(zhuǎn)換單元422與第二光電轉(zhuǎn)換單元424的組合可增加總光電轉(zhuǎn) 換效力。
第二光電轉(zhuǎn)換單元424可以為微晶硅系、多晶硅系或非晶硅系，并且具有 微晶硅系薄膜作為夾設(shè)在p型半導(dǎo)體層412與n型半導(dǎo)體層416之間的i型半 導(dǎo)體層414。背反射板426設(shè)置在第二光電轉(zhuǎn)換單元424上。背反射板426類 似于參照?qǐng)D2所述的背反射板216。背反射板426可包括形成在上方TCO層 418上的導(dǎo)電層420。導(dǎo)電層420與TCO層418的材料可以與參照?qǐng)D2所述的 導(dǎo)電層212與TCO層210的材料相似。
中間TCO層410可以一方式沉積而具有預(yù)定薄膜特性。舉例來說，中間 TCO層410不論在與第二光電轉(zhuǎn)換單元424的上方接觸表面以及與第一光電 轉(zhuǎn)換單元422的下方接觸表面都需要具有較為一均勻的表面、高透明度、高導(dǎo) 電性及低接觸電阻。在一實(shí)施例中，中間TCO層410可通過上述的二步驟濺 射沉積制程來進(jìn)行沉積?？赏ㄟ^在TCO層410的濺射沉積過程中調(diào)整氣體混 合物的流速及氣體成分，以在薄膜中產(chǎn)生期望的金屬與氧的比率。
可選擇地，上方的第三光電轉(zhuǎn)換單元510也可形成在第二光電轉(zhuǎn)換單元 424上，如圖5所示。中間層502設(shè)置在第二光電轉(zhuǎn)換單元424以及第三光電 轉(zhuǎn)換單元510之間。中間層502可以為一TCO層，其類似上方參照?qǐng)D4所描 述的中間TCO層410。第三光電轉(zhuǎn)換單元510可實(shí)質(zhì)相似于第二光電轉(zhuǎn)換單 元424，包括設(shè)置在p型半導(dǎo)體層504與n型半導(dǎo)體層508之間的i型半導(dǎo)體 層506。第三光電轉(zhuǎn)換單元510可以為微晶硅型光電轉(zhuǎn)換單元，其具有由一微 晶硅薄膜所形成的i型半導(dǎo)體層506?？蛇x擇地，i型半導(dǎo)體層506可以由多晶 硅或非晶硅層所形成。p型半導(dǎo)體層504與n型半導(dǎo)體層508可以為非晶硅層。 應(yīng)注意一或多個(gè)光電轉(zhuǎn)換單元可選擇性沉積在第三光電轉(zhuǎn)換單元上，以用于促進(jìn)光電轉(zhuǎn)換效力。
雖然所描述的制程300是為二步驟濺射沉積制程，應(yīng)注意也可采用多步驟 濺射沉積步驟以執(zhí)行本發(fā)明。在部分實(shí)施例中，所沉積的薄膜需要具有單一且 一致的單一薄膜結(jié)構(gòu)及組成，則第二濺射沉積步驟的制程條件發(fā)/或參數(shù)可實(shí) 質(zhì)相似于第一濺射沉積步驟所使用的制程條件及/或參數(shù)，而使得總薄膜特性 近似于以單一步驟濺射制程所獲得的薄膜特性。
因此，本發(fā)明提供用于濺射沉積TCO層的方法。此方法是有利地產(chǎn)生跨 越其厚度而具有不同薄膜特性的TCO層。以此方式，相較于傳統(tǒng)方法，TCO 層有效地增進(jìn)光電轉(zhuǎn)換效力及PV太陽能電池的元件效能。
惟本發(fā)明雖以較佳實(shí)施例說明如上，然其并非用以限定本發(fā)明，任何熟習(xí) 此技術(shù)人員，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)所作的更動(dòng)與潤飾，仍應(yīng)屬本發(fā) 明的技術(shù)范疇。
權(quán)利要求
1、一種用于濺射沉積一透明導(dǎo)電氧化物層的方法，包括將一基板提供至一制程室中；通過一第一濺射沉積步驟而在該基板上形成一透明導(dǎo)電氧化物層的一第一部分；以及通過一第二濺射沉積步驟而形成該透明導(dǎo)電氧化物層的一第二部分。
2、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中上述的形成該透明導(dǎo)電氧化物層的該第一部分的步驟可更包括供應(yīng)一第一氣體混合物至該制程室中；濺射來自設(shè)置在該制程室中的一靶材的一來源物質(zhì)；以及經(jīng)濺射的該來源物質(zhì)與該第一氣體混合物產(chǎn)生反應(yīng)。
3、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中上述的形成該透明導(dǎo)電氧化物層的該第二部分的步驟可更包括供應(yīng)一第二氣體混合物至該制程室中；濺射來自該靶材的該來源物質(zhì)；以及經(jīng)濺射的該來源物質(zhì)與該第二氣體混合物產(chǎn)生反應(yīng)。
4、 根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，其中上述的供應(yīng)該第一氣體混合物的步驟更包括供應(yīng)選自由02、 N20、 N2、 Ar、 He及H20所組成的群組的該第一氣體混合物。
5、 根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，其中該第一氣體混合物包括02及Ar。
6、 根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，其中該靶材是由下列至少其中之一者制成鋅、鋅合金、鋅鋁合金、鋅鎵合金及陶瓷氧化鋅。
7、 根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，其中上述的供應(yīng)該第一氣體混合物的步驟更包括在濺射期間調(diào)整該第一氣體混合物的一流速。
8、 根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，其中上述的濺射來自該靶材的該來源物質(zhì)的步驟更包括施加一第一功率至該靶材。
9、 根據(jù)權(quán)利要求8所述的方法，其中上述的施加該第一功率的步驟更包括在該第一濺射沉積步驟期間調(diào)整施加至該靶材的該第一功率。
10、 根據(jù)權(quán)利要求3所述的方法，其中上述的形成該透明導(dǎo)電氧化物層的該第二部分的步驟更包括供應(yīng)選自由02、 N20、 N2、 Ar、 He及H20所組成的群組的該第二氣體混合物。
11、 根據(jù)權(quán)利要求3所述的方法，其中該第二氣體混合物包括02及Ar。
12、 根據(jù)權(quán)利要求3所述的方法，其中上述的供應(yīng)該第二氣體混合物的步驟更包括在濺射期間調(diào)整該第二氣體混合物的一流速。
13、 根據(jù)權(quán)利要求3所述的方法，其中上述的濺射來自該靶材的該來源物質(zhì)的步驟更包括施加一第二功率至該靶材。
14、 根據(jù)權(quán)利要求B所述的方法，其中上述的施加該第二功率的步驟更包括在該第二濺射沉積步驟期間調(diào)整施加至該靶材的該第二功率。
15、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中該透明導(dǎo)電氧化物層是用作為 一光伏元件中的一背反射板。
16、 一種用于濺射沉積一透明導(dǎo)電氧化物層的方法，包括 將一基板提供至一制程室中； 供應(yīng)一氣體混合物至該制程室中；濺射來自設(shè)置在該制程室中的一靶材的一來源物質(zhì)而沉積一透明導(dǎo)電 氧化物層的一第一部分；在濺射期間調(diào)整供應(yīng)至該制程室的該氣體混合物的一流速；以及 在該基板上形成該透明導(dǎo)電氧化物層的一第二部分。
17、 根據(jù)權(quán)利要求16所述的方法，其中上述的濺射來自該靶材的該來 源物質(zhì)的步驟更包括在濺射期間調(diào)整施加至該靶材的一功率。
18、 根據(jù)權(quán)利要求16所述的方法，其中該透明導(dǎo)電氧化物層為氧化鋅層。
19、 根據(jù)權(quán)利要求16所述的方法，其中該氣體混合物是選自由02、 N20、 N2、 Ar、 He及H20所組成的群組。
20、 根據(jù)權(quán)利要求16所述的方法，其中該靶材是由下列至少其中之一 者制成鋅、鋅合金、鋅鋁合金、鋅鎵合金及陶瓷氧化鋅。
21、 一種用于濺射沉積一透明導(dǎo)電氧化物層的方法，包括 將一基板提供至一制程室中； 供應(yīng)一第一氣體混合物至該制程室中； 濺射來自設(shè)置在該制程室中的一含鋅靶材的一來源物質(zhì)；經(jīng)濺射的該來源物質(zhì)與該第一氣體混合物反應(yīng)，以在該基板上形成一透明導(dǎo)電氧化物層的一第一部分；供應(yīng)一第二氣體混合物至該制程室中，并與經(jīng)濺射的該來源物質(zhì)反應(yīng)；以及在該基板上形成該透明導(dǎo)電氧化物層的一第二部分。
22、 根據(jù)權(quán)利要求21所述的方法，其更包括在濺射期間調(diào)整該第一氣體混合物及該第二氣體混合物的氣體流速。
23、 一種用于濺射沉積一透明導(dǎo)電氧化物層的方法，包括 將一基板提供至一制程室中；供應(yīng)一含有氧氣的第一氣體混合物至該制程室中； 濺射來自設(shè)置在該制程室中的一含鋅靶材的一來源物質(zhì)； 經(jīng)濺射的該來源物質(zhì)與該第一氣體混合物反應(yīng)，以在該基板上形成一透明導(dǎo)電氧化物層的 一第一部分；供應(yīng)一含有氧氣的第二氣體混合物至該制程室中，并與經(jīng)濺射的該來源物質(zhì)反應(yīng)，其中該第二氣體混合物中的氧氣流速大于該第一氣體混合物中的氧氣流速；以及在該基板上形成該透明導(dǎo)電氧化物層的一第二部分。
24、 根據(jù)權(quán)利要求23所述的方法，其中該透明導(dǎo)電氧化物層的該第二 部分的透射率大于該透明導(dǎo)電氧化物層的該第一部分的透射率。
25、 根據(jù)權(quán)利要求23所述的方法，其中上述的濺射該來源物質(zhì)的步驟 更包括調(diào)整供應(yīng)至該耙材的一功率。
26、 根據(jù)權(quán)利要求25所述的方法，其中在該第一氣體混合物中供應(yīng)至 該靶材的該功率低于在該第二氣體混合物中供應(yīng)的該功率。
全文摘要
本發(fā)明是提供一種用于濺射沉積一透明導(dǎo)電氧化物(TCO)層的方法。透明導(dǎo)電氧化物層可以用作為光伏元件中的背反射板。在一實(shí)施例中，該方法包括將一基板提供至一制程室中；通過一第一濺射沉積步驟而在基板上形成透明導(dǎo)電氧化物層的一第一部分；以及通過一第二濺射沉積步驟而形成透明導(dǎo)電氧化物層的一第二部分。
文檔編號(hào)C23C14/00GK101563477SQ200780047064
公開日2009年10月21日 申請(qǐng)日期2007年12月19日 優(yōu)先權(quán)日2006年12月21日
發(fā)明者元泰景, 洋 葉, 安庫爾·凱達(dá)姆, 李洋平, 李立偉, 盛殊然, 蔡容基 申請(qǐng)人:應(yīng)用材料股份有限公司