專利名稱：蔭罩和具有該蔭罩的淀積裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及蔭罩(shadowmask)和具有該蔭罩的淀積裝置。
背景技術(shù)：
近來，已經(jīng)開發(fā)出能夠在短時間內(nèi)處理大容量存儲數(shù)據(jù)的信息處理 器以及能夠?qū)⒃撔畔⑻幚砥魉幚淼臄?shù)據(jù)顯示為圖像的顯示裝置。
顯示裝置典型地包括液晶顯示器(LCD)、有機(jī)發(fā)光二極管(OLED)、 等離子體顯示板(PDP)等。
在以上裝置中，OLED能夠在低電壓下工作并且可以制造得較薄。
此外，OLED具有寬的視角和快的響應(yīng)速度。
此外，OLED可以顯示具有與LCD或PDP所提供的顯示質(zhì)量相似 的顯示質(zhì)量的圖像，并且還可通過簡單的工藝進(jìn)行制造。
通常，OLED包括設(shè)置在透明基板上的透明電極、設(shè)置在該透明 電極上的有機(jī)發(fā)光層、以及設(shè)置在該有機(jī)發(fā)光層上的金屬電極。
在它們之中，有機(jī)發(fā)光層具有包括各種有機(jī)材料的多層結(jié)構(gòu)。例如， 有機(jī)發(fā)光層包括諸如空穴注入層HIL和空穴傳輸層HTL、發(fā)射層EML、 電子注入層EIL和電子傳輸層ETL的有機(jī)層。
通常，通過汽相淀積法形成有機(jī)發(fā)光層。形成有機(jī)發(fā)光層的現(xiàn)有技 術(shù)汽相淀積裝置包括室(chamber)和蔭罩。詳細(xì)地說，現(xiàn)有技術(shù)的汽 相淀積裝置包括呈圓柱形的室以及呈矩形板形狀并具有開口的蔭 罩。在室的下表面上設(shè)置有具有構(gòu)成有機(jī)發(fā)光層的淀積材料的有機(jī) 端P 。
有機(jī)端口中的淀積材料在升華溫度下升華，并且升華的材料通 過蔭罩的開口向室的上表面移動。穿過蔭罩的淀積材料以預(yù)定圖案
淀積在室的上表面上設(shè)置的基板上。
然而，為了形成有機(jī)發(fā)光層而從淀積裝置的有機(jī)端口升華的淀 積材料是通過室與蔭罩之間的間隙以及蔭罩的開口而提供至基板 的。因此，基板和室的內(nèi)部容易被污染。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明一個目的是提供一種能夠防止室和基板被污染的蔭罩。 本發(fā)明的另一目的是提供一種具有能夠防止室和基板被污染的蔭罩 的淀積裝置。
為了實現(xiàn)以上目的，本發(fā)明提供了一種蔭罩，該蔭罩包括罩體， 該罩體的外側(cè)沿室的內(nèi)側(cè)隔開預(yù)定間隔；和開口，該開口透過所述罩體
而形成。
為了實現(xiàn)以上目的，本發(fā)明提供了一種淀積裝置，該淀積裝置包括 室；蔭罩，該蔭罩將所述室分成上部和下部，并且具有使所述上部和所 述下部相連通的開口；淀積單元，該淀積單元設(shè)置在所述室的所述下部，
其中所述淀積單元容納有淀積材料；和支承部件，該支承部件沿所述室
的內(nèi)側(cè)設(shè)置以支承所述蔭罩的邊緣。


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圖1是根據(jù)本發(fā)明的一個實施方式的蔭罩的平面圖2是根據(jù)本發(fā)明的另一實施方式的蔭罩的平面圖3是根據(jù)本發(fā)明的一個實施方式的淀積裝置的剖視圖4是根據(jù)本發(fā)明的又一實施方式的圖2中所示的蔭罩的平面圖5是根據(jù)本發(fā)明的再一實施方式的蔭罩的平面圖6是示出了根據(jù)本發(fā)明的另一實施方式的淀積裝置的室的平面
圖7是示出了蔭罩被連接至圖6中的淀積裝置的狀態(tài)的平面圖； 圖8是示出了根據(jù)本發(fā)明的又一實施方式的淀積裝置的室的平面 圖；以及
圖9是示出了蔭罩被連接至圖8中的淀積裝置的狀態(tài)的平面圖。
具體實施例方式
雖然將參照附圖描述根據(jù)實施方式的蔭罩和具有該蔭罩的淀積裝 置，但是應(yīng)該理解，本領(lǐng)域的技術(shù)人員能夠想到會落入本公開的原理的 精神和范圍內(nèi)的許多其他變型例和實施方式。在附圖中，為了本發(fā)明的 精確，放大或縮小了室、淀積單元、基板固定單元、蔭罩和其他結(jié)構(gòu)的 大小。在本發(fā)明中，當(dāng)描述層形成在…"上"、"上表面上"或"下表面 上"時，意味著所述層直接或間接地形成在室、淀積單元、基板固定單 元、蔭罩和其他結(jié)構(gòu)的上表面或下表面上，并且其他室、淀積單元、基 板固定單元、蔭罩和結(jié)構(gòu)可以另外形成在基板上。
蔭罩
圖1是根據(jù)本發(fā)明的一個實施方式的蔭罩的平面圖。
參照圖1，蔭罩10包括罩體12和貫穿罩體12形成的開口 14。
罩體12呈板形。在本實施方式中，罩體12具有與和罩體12相連接
的室16的形狀相對應(yīng)的形狀。
蔭罩10的罩體12的外側(cè)與室16的內(nèi)側(cè)隔開預(yù)定間隔。
例如，連接至圓柱形的室16的罩體12與室16的內(nèi)側(cè)隔幵預(yù)定間隔，
從而罩體12呈盤形。
可在圓柱室16的內(nèi)側(cè)設(shè)置支承體以支承罩體12。支承體可以為沿
著罩體12的邊沿的環(huán)形。
圖2是根據(jù)本發(fā)明另一實施方式的蔭罩的平面圖。
參照圖2，蔭罩20包括罩體22和貫穿罩體22形成的開口 24。
罩體22呈板形。在本實施方式中，罩體22具有與和罩體22相連接
的室18的形狀相對應(yīng)的形狀。
蔭罩20的罩體22的外側(cè)與室18的內(nèi)側(cè)隔開預(yù)定間隔。
例如，連接至呈六面體形的室18的罩體22與室18的內(nèi)側(cè)隔開預(yù)定
間隔，從而罩體22呈矩形板形狀。
可在呈六面體形的室18的內(nèi)側(cè)設(shè)置支承部件以支承罩體22。支承
部件可以為沿著罩體22的邊沿的矩形帶形狀。在以上實施方式中，室16呈圓柱形，室18呈六面體形，蔭罩10呈 盤形，而蔭罩20呈矩形板形狀。然而，蔭罩可以具有各種與室的形狀相 對應(yīng)的形狀。
根據(jù)以上實施方式，因為蔭罩10的外側(cè)與室16的內(nèi)側(cè)之間的間隔 以及蔭罩20的外側(cè)與室18的內(nèi)側(cè)之間的間隔是固定地形成的，所以從 室16和18產(chǎn)生的有機(jī)材料可以通過蔭罩10和20的開口 14和24而排 出到室16和18之外。
淀積裝置
圖3是根據(jù)本發(fā)明的一個實施方式的淀積裝置的剖視圖。 參照圖3，淀積裝置100包括室10、蔭罩40、淀積單元20和支承 部件50。
室10為具有容納空間的三維形狀。例如，室10為具有容納空間的 多面體形或圓柱形。在本實施方式中，室10可呈例如圓柱形。然而，室 10也可呈六面體形或多面體形。
呈例如圓柱形的室10包括下室體12和連接至下室體12的上室體 14。上室體14打開或關(guān)閉室10。室IO連接至用于將室的內(nèi)部壓力降低 到大氣壓以下的真空泵16。真空泵16通過管18而連接至室10。
在室10中設(shè)置有淀積單元20。淀積單元20可被設(shè)置在室10的底 表面上并且呈槽形。淀積單元20具有容納空間，并且在其容納空間中可 以容納可升華有機(jī)材料。
在淀積單元20的外側(cè)設(shè)置有加熱單元27，用以使容納在淀積單元 20中的有機(jī)材料升華。加熱單元27可包括電加熱器，并且加熱單元27 可使容納在淀積單元20中的有機(jī)材料升華。
在室10上設(shè)置有面對淀積單元20的基板固定單元30?；骞潭▎?元30呈板形，并且在基板固定單元30下方設(shè)置有基板34。在本實施方 式中，基板34呈例如長方體板形。呈長方體板形的基板34可應(yīng)用于例 如具有有機(jī)光產(chǎn)生層32的OLED。
有機(jī)光產(chǎn)生層32可包括形成在基板34上的空穴注入層、空穴傳輸 層、有機(jī)發(fā)光層、電子傳輸層以及電子注入層。 基板固定單元30例如使用真空壓力吸住并固定基板34。然而，基
板固定單元30也可使用靜電來固定基板34。
將支承部件50設(shè)置在例如下室體12的內(nèi)側(cè)。支承部件50可呈例如
從下室體12的內(nèi)側(cè)突出的環(huán)形。然而，可以沿著下室體12的內(nèi)側(cè)以預(yù)
定間隔形成多個支承部件50。支承部件50支承蔭罩40。此外，支承部
件50向蔭罩40施加張力以防止蔭罩40彎曲。
圖4是根據(jù)本發(fā)明又一實施方式的圖2所示的蔭罩的平面圖。 參照圖4,蔭罩40包括罩體44和貫穿罩體44形成的開口 42。 罩體44呈板形。在本實施方式中，罩體44具有與和罩體44相連接
的室10的形狀相對應(yīng)的形狀。
蔭罩40的罩體44的外側(cè)43與室10的內(nèi)側(cè)隔開預(yù)定間隔。
例如，當(dāng)室10呈圓柱形時，連接至圓柱形的室10的罩體44與室
10的內(nèi)側(cè)隔開預(yù)定間隔。相應(yīng)地，當(dāng)在平面圖中觀察時，罩體44呈盤形。 將蔭罩40設(shè)置在室10的內(nèi)側(cè)設(shè)置的支承部件50上。 圖5是根據(jù)本發(fā)明再一實施方式的蔭罩的平面圖。 參照圖5，連接至室10的蔭罩60包括罩體64和貫穿罩體64形成
的開口 62。
當(dāng)在平面圖中觀察時，罩體64呈矩形板形狀。在本實施方式中，罩 體64具有與和罩體64相連接的室10的形狀相對應(yīng)的形狀。
蔭罩60的罩體64的外側(cè)與室10的內(nèi)側(cè)隔幵預(yù)定間隔。
當(dāng)室10呈六面體形時，連接至室10的罩體64與室10的內(nèi)側(cè)隔開 預(yù)定間隔。相應(yīng)地，罩體64呈矩形板形狀。
可以沿著六面體形的室10的內(nèi)側(cè)將支承部件50設(shè)置在室10中，以 支承罩體64。
在圖4和5中，室IO呈圓柱形或六面體形，蔭罩40呈盤形，而蔭 罩60呈矩形板形狀。然而，蔭罩40和60可具有各種與室的形狀相對應(yīng) 的形狀。
在下文中，將參照附圖描述根據(jù)本發(fā)明的淀積裝置的操作。 參照圖3至5，打幵室10的上室體14，然后將具有淀積材料25 (例
如可升華有機(jī)材料)的淀積單元20設(shè)置在室10中。
在本實施方式中，可升華有機(jī)材料可包括構(gòu)成空穴注入層的空穴注 入材料、構(gòu)成空穴傳輸層的空穴傳輸材料、構(gòu)成有機(jī)發(fā)光層的有機(jī)發(fā)光 材料、構(gòu)成電子傳輸層的電子傳輸材料、以及構(gòu)成電子注入層的電子注 入材料。
在將具有淀積材料25的淀積單元20設(shè)置在室10內(nèi)的狀態(tài)下，將蔭 罩40安裝在設(shè)置在室10內(nèi)的支承部件50上，其中蔭罩40的外側(cè)沿著 室10的內(nèi)側(cè)隔開預(yù)定間隔。
將基板34固定到室10中的基板固定單元30上，以在像素區(qū)32上 形成有機(jī)光產(chǎn)生層。通過真空壓力或靜電將基板34固定到基板固定單元 30上。
在將基板34固定到基板固定單元30上之后，將上室體14連接至下 室體12，從而使室10密封。
然后，通過真空泵16的工作，在密封的室10內(nèi)部形成真空壓力， 并且通過由加熱單元27所產(chǎn)生的熱而使淀積單元20中容納的淀積材料 25升華。
從淀積單元20升華的淀積材料向室10的上部移動，從而到達(dá)蔭罩 40。然后，淀積材料穿過蔭罩40的開口 42而淀積在基板34上形成的像 素區(qū)32上。
因為蔭罩40的外側(cè)與室10的內(nèi)側(cè)隔開了預(yù)定間隔，所以從淀積單 元20升華的淀積材料通過形成在蔭罩40中的開口而淀積在基板34上的 指定位置(例如像素區(qū)32)上，而不會從蔭罩40和室IO的內(nèi)側(cè)之間穿 過。
圖6是示出了根據(jù)本發(fā)明的另一實施方式的淀積裝置的室的平面 圖，而圖7是示出了蔭罩被連接至圖6中的淀積裝置的狀態(tài)的平面圖。
參照圖6，淀積裝置100包括室10、淀積單元20和遮擋部件80， 并且在淀積裝置100中設(shè)置有圖6和7所示的蔭罩60。
室io為具有容納空間的三維形狀。例如，室10為具有容納空間的 多面體形或圓柱形。在本實施方式中，室10可呈例如圓柱形。
如圖3所示，呈圓柱形的室10包括下室體12和連接至下室體12的 上室體14。上室體14打開或關(guān)閉室10。室10連接至用于將室的內(nèi)部壓 力降低到大氣壓以下的真空泵16。真空泵16通過管18而連接至室10。 在室10中設(shè)置有淀積單元20。淀積單元20可被設(shè)置在室10的底 表面上并且呈槽形。淀積單元20具有容納空間，并且在其容納空間中容 納有可升華有機(jī)材料。
在淀積單元20的外側(cè)設(shè)置有加熱單元27，用以使淀積單元20中的 有機(jī)材料升華。加熱單元27可包括電加熱器，加熱單元27使容納在淀 積單元20中的有機(jī)材料升華。
在室10上設(shè)置有面對淀積單元20的基板固定單元30?；骞潭▎?元30呈板形，基板34設(shè)置在基板固定單元30下方。在本實施方式中， 基板34呈例如長方體板形。呈長方體板形的基板34可應(yīng)用于例如具有 有機(jī)光產(chǎn)生層32的OLED。
有機(jī)光產(chǎn)生層32可包括形成在基板34上的空穴注入層、空穴傳輸 層、有機(jī)發(fā)光層、電子傳輸層以及電子注入層。
基板固定單元30使用例如真空壓力吸住并固定基板34。然而，基 板固定單元30也可使用靜電來固定基板34。
參照圖6，蔭罩60包括罩體64和貫穿罩體64形成的開口 62。 當(dāng)在平面圖中觀察時，罩體64呈板形。在本實施方式中，當(dāng)在平面 圖中觀察時，罩體64呈矩形板形狀。即，在本實施方式中，室10呈圓 柱形，并且蔭罩60呈矩形板形狀。
當(dāng)如上所述室10呈圓柱形并且蔭罩60呈矩形板形狀時，在蔭罩60 的外側(cè)與室IO之間形成了隔開的空隙。因此，從淀積單元20升華的有 機(jī)材料從蔭罩60的外側(cè)與室10的內(nèi)側(cè)之間以及蔭罩60的開口 62穿過， 從而室10和基板34會被污染。
遮擋部件80防止有機(jī)材料從室10的內(nèi)側(cè)與蔭罩60的外側(cè)之間穿過。
艮口，遮擋部件80與蔭罩60的邊緣部分重疊，從而防止了有機(jī)材料 從室10的內(nèi)側(cè)與蔭罩60的外側(cè)之間穿過。因此，當(dāng)在平面圖中觀察時，
通過遮擋部件80而在室10中形成了這樣的矩形開口，該矩形開口實際
上與蔭罩40的外形相同。
雖然室10的形狀與蔭罩60的形狀不同，但是通過遮擋部件80可以 防止有機(jī)材料從室10與蔭罩60之間穿過。
在本實施方式中，將遮擋部件80設(shè)置成可從室10拆下，將固定部 件(未示出)的一部分設(shè)置在遮擋部件80上并將該固定部件的其余部分 連接到室IO的內(nèi)側(cè)部分，以將遮擋部件80固定到室IO的內(nèi)側(cè)部分。
圖8是示出了根據(jù)本發(fā)明的又一實施方式的淀積裝置的室的平面 圖，而圖9是示出了蔭罩被連接至圖8中的淀積裝置的狀態(tài)的平面圖。
圖8所示的淀積裝置100包括室10、淀積單元20和遮擋部件90。 將圖8和9所示的蔭罩40設(shè)置在圖3所示的淀積裝置100上。
室10為具有容納空間的三維形狀。例如，室10為具有容納空間的 六面體形。
如圖3所示，呈六面體形的室10包括下室體12和連接至下室體12 的上室體14。上室體14打開或關(guān)閉室10。室10連接至用于將室10的 內(nèi)部壓力降低到大氣壓以下的真空泵16。真空泵16通過管18而連接至 室10。
在室10中設(shè)置有淀積單元20。淀積單元20可被設(shè)置在室10的底
表面上并且呈槽形。淀積單元20具有容納空間，并且在其容納空間中容 納有可升華有機(jī)材料。
在淀積單元20的外側(cè)設(shè)置有加熱單元27，用以使淀積單元20中的 有機(jī)材料升華。加熱單元27可包括電加熱器，并且加熱單元27使容納 在淀積單元20中的有機(jī)材料升華。
在室10上設(shè)置有面對淀積單元20的基板固定單元30?；骞潭▎?元30呈板形，基板34設(shè)置在基板固定單元30下方。在本實施方式中， 基板34呈例如長方體板形。呈長方體板形的基板34可應(yīng)用于例如具有 有機(jī)光產(chǎn)生層32的OLED。
有機(jī)光產(chǎn)生層32可包括形成在基板34上的空穴注入層、空穴傳輸 層、有機(jī)發(fā)光層、電子傳輸層以及電子注入層。
基板固定單元30使用例如真空壓力吸住并固定基板34。然而，基 板固定單元30也可使用靜電來固定基板34。
參照圖9，蔭罩40包括罩體44和貫穿罩體44形成的開口 42。
當(dāng)在平面圖中觀察時，罩體44呈板形。在本實施方式中，當(dāng)在平面 圖中觀察時，罩體44呈盤形。即，在本實施方式中，室10呈六面體形， 并且蔭罩40呈盤形。
當(dāng)如上所述室10呈六面體形并且蔭罩40呈盤形時，在蔭罩40的外 側(cè)與室IO之間形成了隔幵的空隙。因此，從淀積單元20升華的有機(jī)材 料從蔭罩40的外側(cè)與室10的內(nèi)側(cè)之間以及蔭罩40的開口 42穿過，從 而室10和基板34會被污染。
遮擋部件90防止有機(jī)材料從室10的內(nèi)側(cè)與蔭罩40的外側(cè)之間穿過。
艮口，遮擋部件90與蔭罩40的邊緣部分重疊，從而防止了有機(jī)材料 從室10的內(nèi)側(cè)與蔭罩40的外側(cè)之間穿過。因此，當(dāng)在平面圖中觀察時， 通過遮擋部件90而在室10中形成了這樣的圓形開口，該圓形開口實際 上與蔭罩40的外形相同。
雖然室10的形狀與蔭罩40的形狀不同，但是遮擋部件90可以防止 有機(jī)材料從室10與蔭罩40之間穿過。
在本實施方式中，將遮擋部件90設(shè)置成可從室10拆下，將固定部 件(未示出)的一部分設(shè)置在遮擋部件卯上并將該固定部件的其余部分 連接到室10的內(nèi)側(cè)部分，以將遮擋部件90固定到室10的內(nèi)側(cè)部分。
根據(jù)如上所述的本發(fā)明，防止了從淀積單元升華的淀積材料從蔭罩 的開口以外的地方穿過蔭罩，從而防止了室的內(nèi)部被污染，從而提高了 薄膜淀積裝置的工作能力。此外，可以防止附于室的內(nèi)側(cè)的淀積材料與 室分離，從而淀積材料不會成為顆粒。
雖然已參照本發(fā)明的多個說明性實施方式而描述了實施方式，但是 應(yīng)該理解，本領(lǐng)域的技術(shù)人員可以想到將落入本公開的原理的精神和范 圍內(nèi)的許多其他變型例和實施方式。
權(quán)利要求
1、一種蔭罩，該蔭罩包括罩體，該罩體的外側(cè)沿室的內(nèi)側(cè)隔開預(yù)定間隔；和開口，該開口貫穿所述罩體而形成。
2、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的蔭罩，其中，所述室呈圓柱形并且所述罩 體呈盤形。
3、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的蔭罩，其中，所述室呈六面體形并且所述 罩體呈矩形板形狀。
4、 一種淀積裝置，該淀積裝置包括 室；蔭罩，該蔭罩將所述室分成上部和下部并且具有開口，所述上部通 過所述開口與所述下部相連通； .淀積單元，該淀積單元設(shè)置在所述室的所述下部，其中所述淀積單 元容納有淀積材料；和支承部件，該支承部件沿所述室的內(nèi)側(cè)設(shè)置以支承所述蔭罩的邊緣。
5、 根據(jù)權(quán)利要求4所述的淀積裝置，其中，所述室呈圓柱形并且所 述蔭罩呈盤形。
6、 根據(jù)權(quán)利要求4所述的淀積裝置，其中，所述室呈六面體形并且 所述蔭罩呈矩形板形狀。
7、 根據(jù)權(quán)利要求4所述的淀積裝置，其中，所述支承部件沿著所述 室的內(nèi)側(cè)呈閉合環(huán)形突出。
8、 根據(jù)權(quán)利要求4所述的淀積裝置，其中，所述支承部件包括從所 述室的內(nèi)側(cè)突出預(yù)定長度的突起。
9、 根據(jù)權(quán)利要求4所述的淀積裝置，其中，在所述室的上部設(shè)置有基板固定單元以固定基板。
10、 一種淀積裝置，該淀積裝置包括 蔭罩，該蔭罩具有開口；室，在該室中具有所述蔭罩；淀積單元，該淀積單元設(shè)置在所述室的下部，其中所述淀積單元容納有淀積材料；和遮擋部件，該遮擋部件介于所述室的內(nèi)側(cè)與所述蔭罩的外側(cè)之間， 用以防止所述淀積材料從所述室的內(nèi)側(cè)與所述蔭罩的外側(cè)之間穿過。
11、 根據(jù)權(quán)利要求10所述的淀積裝置，其中，所述蔭罩呈矩形板形 狀并且所述室呈圓柱形。
12、 根據(jù)權(quán)利要求ll所述的淀積裝置，其中，所述遮擋部件遮住所 述蔭罩的側(cè)面與所述室的曲面之間的空隙。
13、 根據(jù)權(quán)利要求10所述的淀積裝置，其中，所述蔭罩呈盤形并且 所述室呈六面體形。
14、 根據(jù)權(quán)利要求13所述的淀積裝置，其中，所述遮擋部件遮住所 述蔭罩的曲面與所述室的內(nèi)側(cè)之間的空隙。
15、 根據(jù)權(quán)利要求10所述的淀積裝置，其中，所述遮擋部件還包括 設(shè)置在所述室的內(nèi)側(cè)的拉伸單元，以對所述蔭罩施加張力以防止所述蔭 罩彎曲。
16、 根據(jù)權(quán)利要求10所述的淀積裝置，其中，所述遮擋部件與所述 蔭罩的邊緣重疊。
17、 根據(jù)權(quán)利要求10所述的淀積裝置，其中，在所述淀積單元周圍 設(shè)置有加熱單元，用以對所述淀積單元進(jìn)行加熱。
18、 根據(jù)權(quán)利要求17所述的淀積裝置，其中，所述加熱單元包括電 加熱器。
19、 根據(jù)權(quán)利要求10所述的淀積裝置，其中，在所述室的內(nèi)側(cè)設(shè)置 有支承部件，以支承所述遮擋部件。
全文摘要
本發(fā)明公開了蔭罩和具有該蔭罩的淀積裝置。該淀積裝置包括蔭罩，該蔭罩具有開口；室，在該室中具有所述蔭罩；淀積單元，該淀積單元設(shè)置在所述室的下部，其中所述淀積單元容納有淀積材料；和遮擋部件，該遮擋部件介于所述室的內(nèi)側(cè)與所述蔭罩的外側(cè)之間，用以防止所述淀積材料從所述室的內(nèi)側(cè)與所述蔭罩的外側(cè)之間穿過。防止了從淀積單元升華的淀積材料從蔭罩的開口以外的地方穿過蔭罩，從而防止了室的內(nèi)部被污染，從而提高了薄膜淀積裝置的工作能力。可以防止附于室的內(nèi)側(cè)的淀積材料與室分離，從而淀積材料不會成為顆粒。
文檔編號C23C14/12GK101096746SQ20071012690
公開日2008年1月2日 申請日期2007年6月29日 優(yōu)先權(quán)日2006年6月30日
發(fā)明者李在允, 李相根, 金廷炫 申請人:Lg.菲利浦Lcd株式會社