專利名稱：高密度碳納米管陣列復(fù)合材料的制備方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種碳納米管陣列復(fù)合材料的制備方法，尤其涉及一種高密 度碳納米管陣列復(fù)合材料的制備方法。
背景技術(shù)：
自1991年日本NEC公司的Iijima發(fā)現(xiàn)碳納米管(Carbon Nanotube, CNT)以來(IilimaS., Nature, vol 354, p56(1991)),立即引起科學(xué)界及產(chǎn)業(yè)界 的極大重視。碳納米管具有優(yōu)良的機(jī)械和光電性能，被認(rèn)為是復(fù)合材料的理 想添加物。碳納米管/聚合物復(fù)合材料首次報(bào)道后已成為世界科學(xué)研究的熱 點(diǎn)(Ajayan P.M., Stephan O., Colliex C., Tranth D., Science" vol 265, pl212(1994): Calvert P., Nature, vol 399, p210(1999))。石友納米管作為增強(qiáng)體和 導(dǎo)電體，形成的復(fù)合材料具有抗靜電，吸收微波和屏蔽電磁等性能，具有廣 泛的應(yīng)用前景。
碳納米管復(fù)合材料的制備方法通常有原位聚合法、溶液共混法和熔體共 混法。原位聚合法是利用碳納米管表面的官能團(tuán)參與聚合或利用引發(fā)劑打開
碳納米管的7T鍵，使其參與聚合反應(yīng)而達(dá)到與有機(jī)相的良好相容。溶液共混 一般是把碳納米管分散到聚合物的溶劑中，再將聚合物溶入其中，加工成型 后將溶劑清除，從而制得復(fù)合材料。融體共混法是把碳納米管與聚合物基體 材料在大于基體材料熔點(diǎn)的溫度下熔融并均勻混合而得到碳納米管復(fù)合材 料。
由于碳納米管具有優(yōu)異的機(jī)械強(qiáng)度和熱導(dǎo)率，利用定向排列的碳納米管 陣列結(jié)構(gòu)，可制備性能優(yōu)異的碳納米管導(dǎo)熱材料和碳納米管復(fù)合增強(qiáng)材料。 碳納米管對(duì)復(fù)合材料的導(dǎo)熱性能和機(jī)械性能增強(qiáng)效果與碳納米管在復(fù)合材 料中的密度相關(guān)。
目前，采用化學(xué)氣相沉積(CVD)方法制備碳納米管陣列的技術(shù)已經(jīng)相當(dāng) 成熟。然而，CVD方法直接生長所得到的碳納米管陣列的密度小于0.01克 每立方厘米(g/cm3)，在微觀上看是較為松散的，碳納米管之間的間距大于碳
納米管自身直徑的數(shù)倍。CVD法直接生長所得到的碳納米管陣列受CVD方 法生長的限制，在其陣列中碳納米管的密度基本上是確定的，無法任意調(diào)控。 以該低密度碳納米管陣列制備的復(fù)合材料，由于其中碳納米管導(dǎo)熱通道的密 度太低，從而使得其在導(dǎo)熱或復(fù)合材料等應(yīng)用中并沒有達(dá)到理想的效果。
Don N.Futaba等人(請(qǐng)參見"Shape-engineerable and highly densely packed single-walled carbon nanotubes and their application as super-capacitor electrodes", Don N.Futaba et al" Nature Materials, vol 5， p987(2006))利用>1欠縮 效應(yīng)把單壁碳納米管收縮成高密度碳納米管陣列，且證實(shí)了其所制備的高密 度碳納米管陣列，具有單個(gè)碳納米管的固有特性，例如大的比表面積、優(yōu)異 的柔韌性以及導(dǎo)電性等。高密度碳納米管陣列可應(yīng)用于彈性加熱器和密閉能 量存儲(chǔ)器件的超級(jí)電容器的電極上，但是該方法制備的工序較復(fù)雜，且制備 的碳納米管陣列的密度也不可以任意調(diào)控。
因此，提供一種工序筒單、密度可控的高密度碳納米管陣列復(fù)合材料的 制備方法十分必要。

發(fā)明內(nèi)容
以下將以實(shí)施例說明 一種工序簡(jiǎn)單、密度可控的高密度碳納米管陣列復(fù) 合材料的制備方法。
一種高密度碳納米管陣列復(fù)合材料的制備方法，其包括以下步驟提供 一形成于一基底的碳納米管陣列和一高分子前驅(qū)體溶液；將碳納米管陣列和 高分子前驅(qū)體溶液混合，形成一高分子前驅(qū)體/碳納米管陣列混合體；沿著平 行于基底的方向擠壓該高分子前驅(qū)體/碳納米管陣列混合體，形成一高分子前 驅(qū)體/高密度碳納米管陣列混合體；聚合高分子前驅(qū)體/高密度碳納米管陣列 混合體中的高分子前驅(qū)體，從而形成高密度碳納米管陣列復(fù)合材料。
與現(xiàn)有技術(shù)相比較，利用本發(fā)明所提供的方法制備的高密度碳納米管陣 列復(fù)合材料中，碳納米管陣列的密度可根據(jù)需要控制為CVD法直接生長所 得到的碳納米管陣列復(fù)合材料的10-200倍，即復(fù)合材料中碳納米管導(dǎo)熱通 道的密度提高了 10-200倍，從而該碳納米管陣列復(fù)合材料具有良好的導(dǎo)熱 性能。其次，由于碳納米管之間緊密地填充高分子材料，使得碳納米管之間 連接穩(wěn)定，比純碳納米管陣列的力學(xué)性能更為優(yōu)良。


圖1是本發(fā)明實(shí)施例高密度碳納米管陣列的制備方法的流程示意圖。
圖2是本發(fā)明實(shí)施例高密度碳納米管陣列復(fù)合材料的擠壓裝置的結(jié)構(gòu)示 意圖。
圖3是本發(fā)明實(shí)施例高密度碳納米管陣列復(fù)合材料的制備方法的流程示 意圖。
具體實(shí)施例方式
下面將結(jié)合附圖及具體實(shí)施例，對(duì)本技術(shù)方案作進(jìn)一步的詳細(xì)說明。
請(qǐng)參閱圖1,本技術(shù)方案實(shí)施例提供了一種硅橡膠/高密度碳納米管陣列 復(fù)合材料的制備方法，其具體包括以下步驟
(一)提供一形成于一基底的碳納米管陣列和一高分子前驅(qū)體溶液。
制備該碳納米管陣列的方法為化學(xué)氣相沉積法。本實(shí)施例中碳納米管陣 列的制備過程具體為
首先，提供一基底，該基底可選用P型或N型硅基底，或選用石英片， 此外還可選用玻璃，本實(shí)施例優(yōu)選為采用4英寸的硅基底；
其次，在基底上沉積一個(gè)催化劑層，催化劑可以選用鐵(Fe)、鈷(Co)、 鎳(Ni)或者其任意組合的合金之一，本實(shí)施例優(yōu)選為鐵作催化劑，所形成 的催化劑薄膜的厚度為0.5 5納米(nm),本實(shí)施例優(yōu)選為lnm厚度鐵催化劑 薄膜，此外，形成催化劑層的方法還可以是電子束蒸發(fā)或^f茲控賊射；
再次，將沉積有催化劑層的基底放置在空氣中，在300。C下退火0.2 12h， 催化劑層經(jīng)退火后形成氧化顆粒；
再次，將基底放置在低壓反應(yīng)爐中，通入保護(hù)氣體，在保護(hù)氣體的保護(hù) 下加熱至一個(gè)預(yù)定溫度， 一般為600~1000°C。保護(hù)氣體為惰性氣體或氮?dú)猓?優(yōu)選地，保護(hù)氣體為氬氣；以及
再次，通入碳源氣與載氣的混合氣體，反應(yīng)0.1 2小時(shí)生長出碳納米管 陣列。其中，碳源氣為碳?xì)浠衔?，可為乙炔、乙烯、曱烷等，?yōu)選地，碳 源氣為乙炔；載氣為惰性氣體或者氫氣，優(yōu)選地，載氣為氬氣。
該碳納米管陣列為多個(gè)彼此平行且垂直于基底生長的碳納米管形成的 純碳納米管陣列，由于生成的碳納米管長度較長，部分碳納米管會(huì)相互纏繞。
通過控制上述生長條件，該超順排碳納米管陣列中基本不含有雜質(zhì)，如無定 型碳或殘留的催化劑金屬顆粒等?？梢岳斫猓緦?shí)施例提供的碳納米管陣列 不限于上述制備方法。本實(shí)施例提供的碳納米管陣列包括單壁碳納米管陣 列、雙壁碳納米管陣列以及多壁碳納米管陣列中的 一種。
其中，高分子前驅(qū)體溶液為由硅橡膠、灌封膠、環(huán)氧樹脂或石臘中的一 種組成的溶液?？梢岳斫?，本^支術(shù)方案中所涉及的高分子前驅(qū)體溶液并不僅 限于上述的溶液，只要是通過低粘度的前驅(qū)體固化方式聚合的、可以溶解以 及熔化形成的低粘度液體的高分子材料均可。
本實(shí)施方式采用的高分子前驅(qū)體溶液為石圭橡月交溶液。該硅橡月交溶液的制 備方法為在硅橡膠中加入適量乙酸乙酯稀釋，攪拌均勻后，形成一種硅橡膠 的溶液。
(二)將碳納米管陣列和高分子前驅(qū)體溶液混合，形成一高分子前驅(qū)體 /碳納米管陣列混合體。
其中，將碳納米管陣列和高分子前驅(qū)體溶液混合為在一擠壓裝置中進(jìn)行
混合。請(qǐng)參閱圖2,本實(shí)施例中所述的擠壓裝置10包括一上壓板12， 一下 壓板14，兩個(gè)第一側(cè)板16，兩個(gè)第二側(cè)板18。上述的兩個(gè)第一側(cè)板16與上 述的兩個(gè)第二側(cè)板18設(shè)置于上壓板12和下壓板14之間，并在上壓^反12和 下壓板14之間的中心位置形成一空腔22。上壓板12通過螺絲24對(duì)稱地固 定于下壓板14上，上壓板12的面積與下壓板14相等。進(jìn)一步地，兩個(gè)第 一側(cè)板16沿第一方向?qū)ΨQ地分布在空腔22的兩側(cè)；兩個(gè)第二側(cè)板18沿第 二方向?qū)ΨQ地分布在空腔22的另外兩側(cè)，其中，上述的第一方向與第二方 向相互垂直。
本實(shí)施例中，將石友納米管陣列40和高分子前驅(qū)體溶液50混合包括以下 步驟將上述碳納米管陣列40連同基底30放置于擠壓裝置10的空腔22中， 之后，將高分子前驅(qū)體溶液50倒入放置有碳納米管陣列40的擠壓裝置10 空腔22中進(jìn)行混合后，形成一高分子前驅(qū)體/碳納米管陣列混合體60。
其中，將一碳納米管陣列40連同基底30直接放置于上述擠壓裝置10 的空腔22中，具體的，先將上述的兩個(gè)第一側(cè)板16和兩個(gè)第二側(cè)板18放 置在下壓板14上，在下壓板14的中心位置形成一空腔22，再將碳納米管陣 列40連同基底30直接放置到上述的空腔22中，再將高分子前驅(qū)體溶液50倒入放置有碳納米管陣列40的擠壓裝置空腔22中，之后將再將上壓板12 固定到下壓板14上。
其中，將高分子前驅(qū)體溶液50倒入擠壓裝置10空腔22中后，進(jìn)一步 還包括一抽真空的過程。其包括以下步驟首先將放置于擠壓裝置10空腔 22中的碳納米管陣列40浸沒在高分子前驅(qū)體溶液50中；之后，將擠壓裝置 IO放入真空室抽真空，真空度小于0.2大氣壓(atm),真空度和抽真空的時(shí)間 可根據(jù)實(shí)際需要進(jìn)行選擇，抽真空過程可以使得碳納米管陣列40中的氣泡 膨脹，從而浮出液面；待碳納米管陣列40中的空氣排凈后，高分子前驅(qū)體 溶液50便可充分填充石灰納米管之間的間隙，使得高分子前驅(qū)體溶液50和碳_ 納米管陣列40形成良好的混合，從而形成一種高分子前驅(qū)體/碳納米管陣列 混合體60。
可以理解，本發(fā)明所述的將碳納米管陣列40和高分子前驅(qū)體溶液50混 合并不限于本實(shí)施例所述的采用在擠壓裝置10中進(jìn)行混合的方式。只要是 能保證將碳納米管陣列40浸沒在高分子前驅(qū)體溶液50中，使高分子前驅(qū)體 溶液50充分填充^ 友納米管之間的間隙的混合方式均可。
(三)沿著平行于基底的方向擠壓高分子前驅(qū)體/碳納米管陣列混合體 60，形成一 高分子前驅(qū)體/高密度碳納米管陣列混合體70。
請(qǐng)參閱圖3，本實(shí)施例中所述的沿著平行于基底的方向擠壓高分子前驅(qū) 體/碳納米管陣列混合體60為采用上述的擠壓裝置10進(jìn)行擠壓。該擠壓過程 包括以下步驟用第一側(cè)板16沿著第一方向相對(duì)移動(dòng)，對(duì)高分子前驅(qū)體/石友 納米管陣列混合體60進(jìn)行擠壓；之后，用第二側(cè)板18沿著第二方向相對(duì)移 動(dòng)，對(duì)高分子前驅(qū)體/碳納米管陣列混合體60進(jìn)行擠壓。
所述的用第一側(cè)板16沿著第一方向相對(duì)移動(dòng)，對(duì)高分子前驅(qū)體/碳納米 管陣列混合體60進(jìn)行擠壓，包括以下步驟首先通過兩個(gè)第二側(cè)板18固定 設(shè)置在擠壓裝置10的空腔22中的高分子前驅(qū)體/碳納米管陣列混合體60， 之后通過兩個(gè)第一側(cè)板16沿著第一方向相對(duì)移動(dòng)，對(duì)高分子前驅(qū)體/碳納米 管陣列混合體60進(jìn)行擠壓，隨著擠壓形變程度的增大，上述高分子前驅(qū)體/ 碳納米管陣列混合體60中的碳納米管之間的間距在第一方向上減小。
所述的用第二側(cè)板18沿著第二方向相對(duì)移動(dòng)，對(duì)高分子前驅(qū)體/碳納米 管陣列混合體60進(jìn)行擠壓，包括以下步驟用兩個(gè)第一側(cè)板16把上述擠壓
后的高分子前驅(qū)體/石友納米管陣列混合體60固定，通過兩個(gè)第二側(cè)板18沿著 第二方向相對(duì)移動(dòng)，對(duì)上述擠壓后的高分子前驅(qū)體/碳納米管陣列混合體60
進(jìn)行擠壓，隨著擠壓形變程度的增大，上述擠壓后的高分子前驅(qū)體/碳納米管 陣列混合體60中的碳納米管之間的間距在第二方向上減小。
其中，通過對(duì)上述的高分子前驅(qū)體/碳納米管陣列混合體60的擠壓使得 高分子前驅(qū)體/碳納米管陣列混合體60中的碳納米管陣列的密度達(dá)到預(yù)先設(shè) 定的密度，從而形成高分子前驅(qū)體/高密度碳納米管陣列混合體70。該預(yù)先 設(shè)定的密度可根據(jù)實(shí)際需要進(jìn)行選擇。
可以理解，碳納米管陣列40中的碳納米管之間的間距隨著擠壓形變的 增大而減小；碳納米管陣列40的密度隨著擠壓形變的增大而增加。因此， 本實(shí)施例可通過控制對(duì)碳納米管陣列40施加的擠壓形變的程度的大小，進(jìn) 而控制所述的高分子前驅(qū)體/高密度碳納米管陣列混合體70中碳納米管陣列 的密度。
本實(shí)施例獲得的高分子前驅(qū)體/高密度碳納米管陣列混合體70的碳納米 管陣列的密度為CVD法直接生長所得到的碳納米管陣列40密度的50倍； 該高分子前驅(qū)體/高密度碳納米管陣列混合體70中的碳納米管排列緊密，且 定向排列。
另外，本發(fā)明中所采用的擠壓裝置IO并不限于采用圖2所示的結(jié)構(gòu)， 進(jìn)一步，本發(fā)明高分子前驅(qū)體/高密度碳納米管陣列混合體70的制備并不限 于采用特定的擠壓裝置IO壓縮的方式，其關(guān)鍵在于能沿著平行于基底的方 向?qū)μ技{米管陣列40施加一機(jī)械壓力，通過擠壓使碳納米管陣列40中的碳 納米管之間的間距減小，密度增大，從而獲得高分子前驅(qū)體/高密度碳納米管 陣列混合體70,因此依據(jù)本發(fā)明精神對(duì)本發(fā)明所述擠壓裝置作其它非實(shí)質(zhì)性 變化，都應(yīng)包含在本發(fā)明所要求的保護(hù)范圍內(nèi)。
(四)聚合高分子前驅(qū)體/高密度碳納米管陣列混合體70中的高分子前 驅(qū)體溶液50，從而形成高密度>5友納米管陣列復(fù)合材料80。
其中，高分子前驅(qū)體溶液50固化步驟包括在高分子前驅(qū)體溶液50中 預(yù)先加入少量固化劑，控制固化劑的添加量以使高分子前驅(qū)體溶液50的固 化時(shí)間多于兩個(gè)小時(shí)為準(zhǔn)；按該高分子材料的適當(dāng)固化方法，如加熱，使高 分子前驅(qū)體溶液50聚合固化。此外，高分子前驅(qū)體溶液50為單組分的高分
子前驅(qū)體50時(shí)，還可以采用室溫靜置固化的方式進(jìn)行聚合，即在室溫下， 靜置該單組分的高分子前驅(qū)體溶液50進(jìn)行固化聚合。
固化劑包括環(huán)氧樹脂固化劑、堿性類固化劑及酸性類固化劑，其中堿性 類固化劑包括脂肪族二胺、芳香族多胺、改性脂肪胺及其它含氮化合物，酸 性類固化劑包括有機(jī)酸、酸酐、三氟化硼及其絡(luò)合物。
本實(shí)施例所得到的硅橡膠/高密度碳納米管陣列復(fù)合材料的熱導(dǎo)率為3 瓦/米.K (W/mK)，而CVD法直接生長所得到的硅橡膠/碳納米管陣列復(fù)合 材料的熱導(dǎo)率僅為1W/mK,因此，本實(shí)施例的硅橡膠/高密度碳納米管陣列 復(fù)合材料與CVD法直接生長所得到的硅橡膠/碳納米管陣列復(fù)合材料相比， 導(dǎo)熱性能更好。
所制備的高密度碳納米管陣列復(fù)合材料中，碳納米管陣列的密度可達(dá)到 CVD法直接生長所得到的碳納米管陣列密度的10-200倍。
本實(shí)施例所制備的高密度碳納米管陣列復(fù)合材料，因?yàn)槠渲械奶技{米管 陣列的密度可根據(jù)需要控制為CVD法直接生長所得到的碳納米管陣列復(fù)合 材料的50倍，從而該高碳納米管陣列復(fù)合材料具有良好的導(dǎo)熱性能；此外， 本實(shí)施例所制備的硅橡膠/高密度碳納米管陣列復(fù)合材料，由于其中的碳納米 管之間緊密填充有硅橡膠材料，使得碳納米管之間連接穩(wěn)定，比純碳納米管 陣列的力學(xué)性能更為優(yōu)良，在導(dǎo)熱領(lǐng)域具有很好的應(yīng)用。
可以理解，本發(fā)明所述的高密度碳納米管陣列復(fù)合材料的制備方法并不 只限于上述的制備步驟，也可是先對(duì)碳納米管陣列進(jìn)行擠壓，之后將高分子 前驅(qū)體溶液灌入擠壓后的碳納米管陣列中，聚合高分子前驅(qū)體溶液，形成高 密度碳納米管復(fù)合材料。
另外，本領(lǐng)域技術(shù)人員還可以在本發(fā)明精神內(nèi)做其它變化，當(dāng)然，這些 依據(jù)本發(fā)明精神所做的變化，都應(yīng)包含在本發(fā)明所要求保護(hù)的范圍內(nèi)。
權(quán)利要求
1.一種高密度碳納米管陣列復(fù)合材料的制備方法，其包括以下步驟提供一形成于一基底的碳納米管陣列和一高分子前驅(qū)體溶液；將碳納米管陣列和高分子前驅(qū)體溶液混合，形成一高分子前驅(qū)體/碳納米管陣列混合體；沿著平行于基底的方向擠壓該高分子前驅(qū)體/碳納米管陣列混合體，形成一高分子前驅(qū)體/高密度碳納米管陣列混合體；以及聚合高分子前驅(qū)體/高密度碳納米管陣列混合體中的高分子前驅(qū)體溶液，從而形成高密度碳納米管陣列復(fù)合材料。
2. 如權(quán)利要求1所述的高密度碳納米管陣列復(fù)合材料的制備方法，其特征在 于，所述的碳納米管陣列的制備方法為化學(xué)氣相沉積法，該方法包括以下步 驟提供一基底；在基底表面形成一催化劑層；將上述形成有催化劑層的基 底在空氣中退火；將退火后的基底置于低壓反應(yīng)爐中加熱，然后通入碳源氣 體與載氣的混合氣體進(jìn)行反應(yīng)，生長得到碳納米管陣列。
3. 如權(quán)利要求2所述的高密度碳納米管陣列復(fù)合材料的制備方法，其特征在 于，所述的碳納米管陣列為單壁碳納米管陣列、雙壁碳納米管陣列或多壁碳 納米管陣列中的一種。
4. 如權(quán)利要求1所述的高密度碳納米管陣列復(fù)合材料的制備方法，其特征在 于，所述的高分子前驅(qū)體溶液為由硅橡膠、灌封膠、環(huán)氧樹脂或者石臘中的 一種高分子材料組成的溶液。
5. 如權(quán)利要求1所述的高密度碳納米管陣列復(fù)合材料的制備方法，其特征在 于，將碳納米管陣列和高分子前驅(qū)體溶液混合為在一擠壓裝置中將碳納米管 陣列和高分子前驅(qū)體溶液混合。
6. 如權(quán)利要求5所述的高密度碳納米管陣列的制備方法，其特征在于，所述的 擠壓裝置包括一下壓板， 一上壓板，兩個(gè)第一側(cè)板與兩個(gè)第二側(cè)板設(shè)置于上 壓板和下壓板之間，并在上壓板和下壓澤反之間的中心位置形成一空腔；上壓 板通過螺絲對(duì)稱地固定于下壓板上，上壓板的面積與下壓板相等；兩個(gè)第一 側(cè)板沿第 一方向?qū)ΨQ地分布于空腔的兩側(cè)，兩個(gè)第二側(cè)板沿第二方向?qū)ΨQ地分布于空腔的另外兩側(cè)，其中，第一方向與第二方向相互垂直。
7. 如權(quán)利要求6所述的高密度碳納米管陣列復(fù)合材料的制備方法，其特征在 于，沿著平行于基底的方向^^壓高分子前驅(qū)體/義友納米管陣列混合體為采用上述的擠壓裝置進(jìn)行擠壓，該擠壓過程包括用第一側(cè)板沿著第一方向相對(duì) 移動(dòng)，對(duì)高分子前驅(qū)體/碳納米管陣列混合體進(jìn)行擠壓；之后，用第二側(cè)板 沿著第二方向相對(duì)移動(dòng)，對(duì)高分子前驅(qū)體/碳納米管陣列混合體進(jìn)行擠壓。
8. 如權(quán)利要求5所述的高密度碳納米管陣列復(fù)合材料的制備方法，其特征在 于，將碳納米管陣列和高分子前驅(qū)體溶液混合后，進(jìn)一步包括一抽真空處理 過程。
9. 如權(quán)利要求8所述的高密度碳納米管陣列復(fù)合材料的制備方法，其特征在 于，所述的抽真空處理過程，包括以下步驟首先將放置于擠壓裝置空腔中 的碳納米管陣列浸沒在高分子前驅(qū)體溶液中；之后，將上述的擠壓裝置放入 真空室抽真空，真空度小于0.2大氣壓。
10. 如權(quán)利要求1所述的高密度碳納米管陣列復(fù)合材料的制備方法，其特征在 于，高密度碳納米管陣列復(fù)合材料中碳納米管陣列的密度可為化學(xué)氣相沉積 法直接生長所得到的碳納米管陣列密度的10-200倍。
11. 如權(quán)利要求1所述的高密度碳納米管陣列復(fù)合材料的制備方法，其特征在 于，聚合高分子前驅(qū)體/高密度碳納米管陣列混合體中的高分子前驅(qū)體溶液 的過程包括以下步驟摻入固化劑，混合均勻，加熱聚合固化。
全文摘要
一種高密度碳納米管陣列復(fù)合材料的制備方法，該方法包括以下步驟提供一形成于一基底的碳納米管陣列和一高分子前驅(qū)體溶液；將碳納米管陣列和高分子前驅(qū)體溶液混合，形成一高分子前驅(qū)體/碳納米管陣列混合體；沿著平行于基底的方向擠壓高分子前驅(qū)體/碳納米管陣列混合體，形成一高分子前驅(qū)體/高密度碳納米管陣列混合體；聚合高分子前驅(qū)體/高密度碳納米管陣列混合體中的高分子前驅(qū)體，從而形成高密度碳納米管陣列復(fù)合材料。本發(fā)明的高密度碳納米管陣列復(fù)合材料具有良好的導(dǎo)熱性能，可廣泛地應(yīng)用于導(dǎo)熱材料或復(fù)合材料等方面。
文檔編號(hào)C23C16/26GK101353785SQ200710075300
公開日2009年1月28日 申請(qǐng)日期2007年7月25日 優(yōu)先權(quán)日2007年7月25日
發(fā)明者亮 劉, 劉長洪, 姜開利, 羅春香, 范守善 申請(qǐng)人:清華大學(xué);鴻富錦精密工業(yè)(深圳)有限公司