專利名稱：在基板上敷設(shè)導(dǎo)電透明涂層的方法及設(shè)備的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種在基板上、尤其是在玻璃或塑料基板上敷設(shè)導(dǎo)電透明涂層或TCO涂層(TCO＝透明導(dǎo)電氧化物)的等離子脈沖CVD方法。本發(fā)明還涉及一種實(shí)現(xiàn)上述方法的反應(yīng)器設(shè)備。
在等離子脈沖CVD方法(或簡(jiǎn)稱為PICVD方法，其中PICVD是等離子脈沖化學(xué)氣相淀積(Plasma Impulse Chemical VaporDeposition)的縮寫)中，所期望的涂層從等離子相(plasma phase)中淀積出來(lái)，所述等離子相是通過(guò)使用指定的微波注入設(shè)備在反應(yīng)器設(shè)備的等離子腔或覆膜腔中注入具有適當(dāng)密度及脈沖持續(xù)時(shí)間的微波脈沖而形成的。這里可通過(guò)適當(dāng)選擇用于形成等離子體的處理氣體，按照需要控制所述涂層的成分。所述處理氣體通常包括由一種或多種用于形成實(shí)際層的前導(dǎo)氣體(precursor gas)、一種或多種摻雜氣體以及一種或多種承載氣體組成的對(duì)于層特定的氣體混合物?？蛇x地，也可以通過(guò)如下方式在各個(gè)微波脈沖之間任意地改變其化學(xué)成分，即在工藝流程或涂層操作期間淀積出針對(duì)應(yīng)用特定的、定制的(made-to-measure)、由多個(gè)不同層組成的多層系統(tǒng)。所述脈沖操作模式是指，所述層的形成是通過(guò)小步驟實(shí)現(xiàn)的，從而形成了非常致密且均勻的層或?qū)酉到y(tǒng)。也可以實(shí)現(xiàn)非常低的處理溫度，因此PICVD方法也特別適合塑料的涂覆。
但是，當(dāng)從等離子相進(jìn)行淀積時(shí)，不僅僅如所希望的那樣對(duì)基板進(jìn)行涂覆，而且還在微波注入設(shè)備上淀積出相應(yīng)的涂層，致使其電導(dǎo)率改變，愈加削弱了所需微波的透射性。這樣一來(lái)，將逐漸減小所述等離子體的密度，最終完全阻礙了等離子體的形成，由于上述原因，通常認(rèn)為長(zhǎng)時(shí)間在基板上通過(guò)PICVD方法生成導(dǎo)電涂層是不可行的。因此，通常通過(guò)其他化學(xué)或物理淀積方法敷設(shè)相應(yīng)的涂層，例如濺射法，如在EP 1220234中所描述的。另一方面，由于上述關(guān)于微波脈沖注入的問(wèn)題，PICVD方法通常只能實(shí)際應(yīng)用在非導(dǎo)電涂層或弱導(dǎo)電涂層的形成中。
DE 101 39 305 A1公開(kāi)了一種PICVD方法，用于通過(guò)將至少一個(gè)屏蔽涂層淀積在適當(dāng)?shù)幕宀牧?例如塑料基板)的一側(cè)從而生成合成材料。在這種情況下，所述屏蔽涂層特別是還可以包括導(dǎo)電層和SnOx層，其中x∈
。
DE 39 26 023 C2公開(kāi)了一種用于形成介電層和金屬層的PICVD涂層方法，該方法例如可應(yīng)用在光學(xué)器件和光波導(dǎo)中。還描述了一種用于實(shí)現(xiàn)上述方法的設(shè)備。
然而，在上面提及的兩篇文檔中并未闡述之前所述的由于在微波注入設(shè)備上形成導(dǎo)電涂層而導(dǎo)致的微波透射性被逐漸削弱的問(wèn)題，以及伴隨微波脈沖注入而產(chǎn)生的問(wèn)題。
DE 39 38 830 C2描述了一種微波等離子CVD反應(yīng)器，其具有一個(gè)覆膜腔以及多個(gè)指定的微波注入窗口，這些微波注入窗口一個(gè)疊加在另一個(gè)之上，其中的一個(gè)微波注入窗口曝露于所述覆膜腔，并且可以在所述覆膜腔與一個(gè)相鄰的刻蝕腔之間移動(dòng)。當(dāng)在覆膜腔內(nèi)進(jìn)行涂覆操作時(shí)，在該微波注入窗口上淀積的不希望產(chǎn)生的涂層將借助刻蝕腔內(nèi)適當(dāng)?shù)目涛g氣體被侵蝕掉，從而對(duì)該微波注入窗口進(jìn)行清潔，這樣可以避免形成不需要的厚層，并實(shí)現(xiàn)了較長(zhǎng)的操作時(shí)間，特別地，甚至是在高微波強(qiáng)度下也能實(shí)現(xiàn)上述效果。所描述的這種反應(yīng)器用于通過(guò)一種MWPCVD方法(微波等離子CVD方法(Microwave PlasmaCVD method))淀積大面積的半導(dǎo)體層。而不會(huì)淀積出導(dǎo)電層。
本發(fā)明的目的在于提供一種簡(jiǎn)單且低成本的PICVD方法，用于淀積導(dǎo)電透明涂層或TCO涂層，這種方法使得在基本上恒定的等離子強(qiáng)度下的長(zhǎng)時(shí)間操作成為可能。這里希望所述TCO涂層的透射性T大于可視光譜范圍(VIS)中的約80％，而其電阻率ρ應(yīng)當(dāng)小于大約10Ω·cm。本發(fā)明的目的還在于提供一種用于實(shí)現(xiàn)上述方法的反應(yīng)器設(shè)備。
根據(jù)本發(fā)明，該目標(biāo)通過(guò)如權(quán)利要求1所述的方法以及如權(quán)利要求21所述的反應(yīng)器設(shè)備來(lái)實(shí)現(xiàn)。根據(jù)本發(fā)明的優(yōu)選方法變體以及實(shí)施例可從分別相關(guān)的從屬權(quán)利要求得到。
在根據(jù)本發(fā)明的PICVD方法中，可以通過(guò)TCO保護(hù)設(shè)備專門抑制在微波注入設(shè)備上形成的不希望產(chǎn)生的導(dǎo)電涂層，這樣，與常規(guī)PICVD方法不同的是，即使在相對(duì)長(zhǎng)的操作時(shí)間內(nèi)，微波也能基本上不受阻擋地穿過(guò)微波注入設(shè)備，從而始終可以在等離子腔內(nèi)得到形成等離子體所需的足夠高的微波強(qiáng)度。
特別地，還可以在等離子腔及微波注入設(shè)備之間設(shè)置一個(gè)微波可穿透的覆蓋或分離設(shè)備例如作為TCO保護(hù)設(shè)備，如果其上生成了不可接受的厚涂層，它被可選地以特定時(shí)間間隔清潔或更換。微波發(fā)射設(shè)備例如可以被基本上完全由覆蓋或分離設(shè)備所覆蓋或屏蔽。然而，根據(jù)本發(fā)明，也可以為所述等離子腔使用一個(gè)分隔壁形式的、基本上不透射等離子的分離設(shè)備，作為微波注入設(shè)備的覆蓋保護(hù)。
例如可以使用適當(dāng)?shù)谋∧?，如Kapton薄膜，或者膠帶(adhesivetape)作為所述覆蓋或分離設(shè)備。
根據(jù)本發(fā)明，可選地，這里所述薄膜可以是循環(huán)薄膜(endlessfilm)的形式，在涂覆操作期間，例如通過(guò)卷繞和展開(kāi)(winding-up andunwinding)設(shè)備或傳送滾筒等適當(dāng)?shù)膫魉驮O(shè)備，持續(xù)地或基本上持續(xù)地以特定的速度移動(dòng)，穿過(guò)所述微波注入設(shè)備或等離子腔，從而可以可靠地避免生成不可接受的厚層。
根據(jù)本發(fā)明，特別地，需要涂覆的基板通過(guò)以下方式設(shè)置后，其本身也可以用作覆蓋或分離設(shè)備，即相對(duì)于所述等離子腔，以等離子不能穿透的方式基本上屏蔽所述微波注入設(shè)備。這里所述基板的朝向等離子腔的一側(cè)被涂覆所希望的導(dǎo)電涂層，而所述基板的背對(duì)等離子腔且朝向微波注入設(shè)備的一側(cè)、以及微波注入設(shè)備將保持沒(méi)有被涂覆。根據(jù)本發(fā)明，在這種方法變體的情況下，所述基板在一側(cè)被涂覆?？蛇x地，通過(guò)隨后翻轉(zhuǎn)所述基板，也可以在雙側(cè)敷設(shè)涂層。跟據(jù)本發(fā)明，這種方法變體例如可以應(yīng)用到對(duì)具有微波注入窗口的PICVD平面系統(tǒng)中的基本上呈平面狀的基板進(jìn)行涂覆的過(guò)程。這里，所述基板的不希望被涂覆的一側(cè)放置或敷設(shè)到微波注入窗口上，使得所述微波注入窗基本上完全或完全被覆蓋，從而有效地防止生成不希望產(chǎn)生的TCO涂層。
根據(jù)本發(fā)明，附加地或作為上述方法的替代，還可以通過(guò)適當(dāng)控制等離子腔中的氣體成分或氣體傳導(dǎo)來(lái)抑制不希望的導(dǎo)電涂層在微波注入設(shè)備上形成。例如，可使用一類屏蔽氣體方案，通過(guò)使用適當(dāng)?shù)臍怏w饋送設(shè)備使相應(yīng)的承載氣體分別在微波注入設(shè)備周圍流動(dòng)。附加地或作為上述方法的替代，通過(guò)相應(yīng)的氣體饋送設(shè)備可引導(dǎo)所述前導(dǎo)氣體經(jīng)過(guò)所述微波注入設(shè)備，直接引導(dǎo)到要被涂覆的基板上。這兩種方法都具有使前導(dǎo)氣體遠(yuǎn)離微波注入設(shè)備的效果，由此可以有效地抑制不希望產(chǎn)生的導(dǎo)電涂層的形成。
根據(jù)本發(fā)明，還可以通過(guò)冷卻微波注入設(shè)備和/或保護(hù)設(shè)備(例如覆蓋或分離設(shè)備)來(lái)抑制在微波注入設(shè)備上形成導(dǎo)電涂層，即通過(guò)一個(gè)指定的冷卻設(shè)備將溫度降為足夠低的水平，在這種溫度下僅能淀積出非導(dǎo)電層或弱導(dǎo)電層，并且可以允許微波基本上不受阻擋地穿過(guò)。這樣，即使在相對(duì)長(zhǎng)的操作時(shí)間內(nèi)，也不能顯著地阻擋或者甚至阻止等離子體的形成。在等離子腔中的實(shí)際處理溫度以及基板溫度基本上不會(huì)受到上述冷卻措施的影響，因此使得所述基板本身被設(shè)置所需要的導(dǎo)電涂層。這里所述微波注入設(shè)備和/或保護(hù)設(shè)備最好被冷卻到至少大約40℃的溫度。為了實(shí)現(xiàn)上述冷卻操作，例如將足夠冷的空氣從波導(dǎo)饋送通過(guò)所述冷卻設(shè)備。但是也可以使用非導(dǎo)電的液體或流體進(jìn)行冷卻。
最好在基板溫度為大約50℃至320℃之間時(shí)進(jìn)行導(dǎo)電涂層的淀積，尤其是在塑料基板的情況下，使用小于大約100℃的基板溫度。
由于這種非常低的溫度水平，根據(jù)本發(fā)明的PICVD方法特別適用于涂覆剛性的或具有柔韌性的塑料基板。然而，其也可以有利地用于對(duì)無(wú)機(jī)基板、例如玻璃基板或陶瓷玻璃基板進(jìn)行涂覆。所述基板也可以是等同于保護(hù)設(shè)備的一種薄膜。所述(塑料)薄膜需要(基本上)連續(xù)的涂覆。
在對(duì)塑料基板進(jìn)行涂覆的情況下，在敷設(shè)導(dǎo)電涂層之前，首先要在塑料基板上敷設(shè)一個(gè)增進(jìn)附著層或增進(jìn)附著層系統(tǒng)。這里處理氣體的成分在涂覆操作期間會(huì)以以下方式發(fā)生改變，即在基板一側(cè)上形成一個(gè)具有基本上為有機(jī)成分的梯度層(gradient layer)或梯度層系統(tǒng)，并在TCO涂層一側(cè)上形成一個(gè)具有基本上為無(wú)機(jī)成分的梯度層或梯度層系統(tǒng)，所述成分被選擇為與基板或TCO涂層基本相同。所述增進(jìn)附著層的前體(precursor)最好含有六甲基二硅氧烷(HMDSO)。
所描述的根據(jù)本發(fā)明的PICVD方法最好被用于敷設(shè)含有摻雜ZnO2或摻雜SnO2的銦錫氧化物(indium tin oxide)或縮寫為ITO(In2O3:SnO2)的導(dǎo)電涂層。
最好使用氧氣、氮?dú)饣蛘哌@兩種氣體的混合物作為承載氣體。特別地，對(duì)于摻雜的氧化錫SnO2，氯化錫SnCl4或四甲基錫(tetramethyltin)(TNT)可用作前導(dǎo)氣體?，F(xiàn)已證明使用四氯甲烷或氟作為摻雜氣體的效果良好。對(duì)于ITO涂層，三甲基銦In(CH3)3、高氯酸銦In(ClO4)3或具有氯化錫SnCl4或四甲基錫Sn(CH3)3成分的三甲基銦In(C6H7O2)3可用作前導(dǎo)氣體。對(duì)于ZnO:F，二甲基鋅Zn(CH3)2或硫酸鋅ZnSnO4可用作前導(dǎo)氣體，CF4或F2作為摻雜氣體。
根據(jù)本發(fā)明的PICVD方法最好被連續(xù)地或基本上連續(xù)地執(zhí)行。
當(dāng)前的PICVD方法被用于敷設(shè)透射性T大于可見(jiàn)光譜范圍(VIS)中的大約80％而電阻率ρ小于約10Ω·Cm的TCO涂層。
根據(jù)本發(fā)明的用于實(shí)現(xiàn)上述PICVD方法的反應(yīng)器設(shè)備包括具有進(jìn)氣口和出氣口的等離子腔，所述進(jìn)氣口和出氣口經(jīng)由一個(gè)第一氣體饋送設(shè)備可以連接或連接到一個(gè)指定的用于處理氣體和/或氣體沖洗的供氣設(shè)備。所述等離子腔設(shè)置有一個(gè)微波注入設(shè)備，例如微波注入窗口或石英管，其經(jīng)由一個(gè)微波導(dǎo)體可連接或連接到一個(gè)指定的微波發(fā)生器，所述微波發(fā)生器用于生成具有適當(dāng)強(qiáng)度及適當(dāng)脈沖持續(xù)時(shí)間的微波脈沖。根據(jù)本發(fā)明，在這里所述微波注入設(shè)備受到微波可穿透的TCO保護(hù)設(shè)備的保護(hù)，從而不會(huì)形成不希望的導(dǎo)電涂層。另外，還為要被涂覆的基板額外提供夾持、引導(dǎo)或傳送設(shè)備。
特別地，所述保護(hù)設(shè)備包括一個(gè)微波可穿透的覆蓋或分離設(shè)備，例如設(shè)置在等離子腔和微波注入設(shè)備之間的薄膜或膠帶。這里所述覆蓋或分離設(shè)備最好被如此形成，使得所述覆蓋或分離設(shè)備能夠被更換或清潔。它可以被直接敷設(shè)或粘附到所述微波注入設(shè)備上。然而，它也可以作為用于隔離等離子腔或覆膜腔的等離子不能穿透的分隔壁或分離設(shè)備。還可以為所述覆蓋或分離設(shè)備提供一個(gè)傳送設(shè)備，例如卷繞和展開(kāi)設(shè)備。
根據(jù)對(duì)本發(fā)明的一個(gè)優(yōu)選改進(jìn)，所述保護(hù)設(shè)備還可包括一個(gè)用于夾持或引導(dǎo)設(shè)備和/或用于微波注入設(shè)備的第二氣體饋送設(shè)備。
另外，根據(jù)本發(fā)明，所述保護(hù)設(shè)備還設(shè)置有為其自身和/或微波注入設(shè)備進(jìn)行冷卻的冷卻設(shè)備。
特別地，所述反應(yīng)器設(shè)備還可包括一個(gè)用于控制方法序列的控制設(shè)備。
下文的表1中示例性地編輯了通過(guò)本發(fā)明所述PICVD方法敷設(shè)的多個(gè)TCO層的重要特征數(shù)據(jù)，所述的層被敷設(shè)在上述類型的PICVD平面反應(yīng)器的等離子或覆膜腔中，被敷設(shè)到基本上呈平面狀的玻璃或塑料基板上。在商業(yè)上可以獲得的、商品名為Kapton的聚碳酸脂(PC)和聚酰亞胺可用作所述塑料。
所述PICVD平面反應(yīng)器包括一個(gè)用于注入所需微波的微波注入窗口，所述微波在一個(gè)指定的微波生成器中產(chǎn)生，并經(jīng)過(guò)一個(gè)微波波導(dǎo)饋送到所述微波注入窗口。在微波功率輸出在3-9千瓦時(shí)，所注入的微波脈沖的脈沖持續(xù)時(shí)間和脈沖間隔分別為1-4ms或10-80ms。
這里等離子腔中的工作壓強(qiáng)通常為150-300μbar。
流經(jīng)等離子腔的總的氣流在每分鐘100-400標(biāo)準(zhǔn)立方厘米(sccm)之間。摻雜有0.25-4sccm CF4的100-400sccm氧氣被用作承載氣體。濃度為承載氣體中1％-66.7％的氯化錫或四甲基錫(TMT)被用作前導(dǎo)氣體。
87-99sccm的氮?dú)獗挥米鞯入x子腔的沖洗氣體。
基板溫度Ts為PC基板的情況下適用的100℃與玻璃基板的情況下適用的最高320℃之間。
要被涂覆的基板上無(wú)需涂覆的一側(cè)被放置或敷設(shè)到微波注入窗口上，以完全覆蓋所述微波注入窗口，并可靠地防止形成不需要的TCO涂層。另一方面，所述基板朝向等離子腔的一側(cè)設(shè)置了具有下面所列屬性的所需導(dǎo)電SnO2:F涂層。
Table 1對(duì)于塑料基板的情況，在淀積SnO2:F涂層之前，首先敷設(shè)HMDSO增進(jìn)附著梯度層。
在指定的示范性實(shí)施例的情況下，層的厚度d在0.2-0.7μm之間。然而，應(yīng)用本發(fā)明所述的方法，淀積TCO涂層的層厚度d也可以達(dá)到大約8μm。另外，還可形成層厚度僅為約0.1μm的TCO層。
所指定的TCO層的電阻率ρ在玻璃基板情況下的6×10-4Ω·cm到PC基板情況下的0.16Ω·cm之間。
也可淀積出表面電阻率Rsq最高為大約108Ω的TCO層。
在使用玻璃基板和塑料基板這兩種情況下，TCO層的透射性T在可視光譜范圍(VIS)內(nèi)有時(shí)超過(guò)了80％。
權(quán)利要求
1.一種用于在反應(yīng)器設(shè)備的等離子腔內(nèi)的基板上敷設(shè)導(dǎo)電透明涂層(TCO涂層)的等離子脈沖CVD方法(PICVD方法)，通過(guò)以下步驟實(shí)現(xiàn)將一種承載氣體和一種前導(dǎo)氣體饋送到一種處理氣體中，并通過(guò)一個(gè)微波注入設(shè)備注入微波脈沖以產(chǎn)生等離子體，其中通過(guò)一個(gè)保護(hù)設(shè)備抑制導(dǎo)電涂層在微波注入設(shè)備上的形成。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中一個(gè)設(shè)置在所述等離子腔和微波注入設(shè)備之間的微波可穿透的覆蓋、屏蔽或分離設(shè)備被用作所述保護(hù)設(shè)備。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，其中以特定的間隔清潔或更換所述覆蓋、屏蔽或分離設(shè)備，或者，所述覆蓋、屏蔽或分離設(shè)備被連續(xù)地或基本上連續(xù)地以一定的速度移動(dòng)，經(jīng)過(guò)所述微波注入設(shè)備或等離子腔。
4.根據(jù)權(quán)利要求2或3所述的方法，其中使用薄膜或膠帶作為所述覆蓋、屏蔽或分離設(shè)備。
5.根據(jù)權(quán)利要求2或3所述的方法，其中使用所述基板本身作為所述覆蓋或分離設(shè)備。
6.根據(jù)之前任一權(quán)利要求所述的方法，其中所述保護(hù)設(shè)備被用于控制所述等離子腔中的氣體成分或氣體傳導(dǎo)。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的方法，所述前導(dǎo)氣體被直接引導(dǎo)到所述基板上。
8.根據(jù)之前任一權(quán)利要求所述的方法，其中使用氯化錫或四甲基錫作為所述前導(dǎo)氣體。
9.根據(jù)權(quán)利要求6-8中任一項(xiàng)所述的方法，其中使所述承載氣體在所述微波注入設(shè)備周圍流動(dòng)，從而使所述前導(dǎo)氣體遠(yuǎn)離所述微波注入設(shè)備。
10.根據(jù)之前任一權(quán)利要求所述的方法，其中使用氧、氮或者這兩種氣體的混合氣體作為承載氣體。
11.根據(jù)之前任一權(quán)利要求所述的方法，其中所述處理氣體包括摻雜CF4的氣體或F2(氟)。
12.根據(jù)之前任一權(quán)利要求所述的方法，其中所述微波注入設(shè)備和/或保護(hù)設(shè)備被冷卻到至少40℃。
13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的方法，其中使用空氣或非導(dǎo)電液體進(jìn)行冷卻。
14.根據(jù)之前任一權(quán)利要求所述的方法，其中所述淀積發(fā)生在基板溫度為50℃至320℃時(shí)。
15.根據(jù)之前任一權(quán)利要求所述的方法，其中玻璃或塑料的基板、玻璃陶瓷或塑料的薄膜被涂覆。
16.根據(jù)權(quán)利要求15所述的方法，其中首先將一個(gè)增進(jìn)附著層敷設(shè)到所述塑料基板上。
17.根據(jù)權(quán)利要求16所述的方法，其中所述增進(jìn)附著層包括HMDSO(六甲基二硅氧烷)。
18.根據(jù)之前任一權(quán)利要求所述的方法，其中敷設(shè)包括摻雜ITO(In2O3:SnO2)的ZnO2或摻雜的SnO2的透明導(dǎo)電涂層。
19.根據(jù)之前任一權(quán)利要求所述的方法，其中所述方法被連續(xù)地或基本上連續(xù)地執(zhí)行。
20.一種反應(yīng)器設(shè)備，包括具有進(jìn)氣口和出氣口的等離子腔；指定的微波注入設(shè)備；以及用于要涂覆的基板的夾持、引導(dǎo)或傳送設(shè)備，其中所述夾持、引導(dǎo)或傳送設(shè)備包括用于所述微波注入設(shè)備的保護(hù)設(shè)備。
21.根據(jù)權(quán)利要求20所述的反應(yīng)器設(shè)備，其中所述保護(hù)設(shè)備包括用于所述微波注入設(shè)備的微波可穿透的覆蓋、屏蔽或分離設(shè)備。
22.根據(jù)權(quán)利要求21所述的反應(yīng)器設(shè)備，其中所述分離設(shè)備作為等離子腔分隔壁的形式形成。
23.根據(jù)權(quán)利要求21或22所述的反應(yīng)器設(shè)備，其中所述覆蓋、屏蔽或分離設(shè)備被形成為可更換的形式。
24.根據(jù)權(quán)利要求21-23中任一項(xiàng)所述的反應(yīng)器設(shè)備，其中所述覆蓋、屏蔽或分離設(shè)備包括薄膜或膠帶。
25.根據(jù)權(quán)利要求21-24中任一項(xiàng)所述的反應(yīng)器設(shè)備，其包括用于所述屏蔽或分離設(shè)備的傳送設(shè)備。
26.根據(jù)權(quán)利要求21-25中任一項(xiàng)所述的反應(yīng)器設(shè)備，其中所述保護(hù)設(shè)備包括用于所述基板的所述夾持、引導(dǎo)或傳送設(shè)備和/或用于所述微波注入設(shè)備的氣體饋送設(shè)備。
27.根據(jù)權(quán)利要求21-26中任一項(xiàng)所述的反應(yīng)器設(shè)備，其中所述保護(hù)設(shè)備包括冷卻設(shè)備。
全文摘要
本發(fā)明涉及一種用于在反應(yīng)器的等離子腔內(nèi)的基板上敷設(shè)導(dǎo)電透明涂層或TCO涂層的等離子脈沖CVD方法(PICVD方法)，通過(guò)微波注入設(shè)備將具有適當(dāng)強(qiáng)度和脈沖持續(xù)時(shí)間的微波脈沖注入到所述等離子腔中以產(chǎn)生等離子體。通過(guò)使用保護(hù)設(shè)備專門抑制了導(dǎo)電涂層在微波注入設(shè)備上的形成，否則微波透射性的較大削弱將會(huì)造成等離子體強(qiáng)度的下降，最終抑制等離子體的形成。用于抑制層的形成的所述保護(hù)設(shè)備例如可以是位于等離子腔和微波注入設(shè)備之間的覆蓋、屏蔽或分離設(shè)備，其例如是薄膜或膠帶，可選地能夠以特定的間隔被清潔或更換?；灞旧硪部梢员挥米鞲采w或分離設(shè)備。通過(guò)控制等離子腔內(nèi)的氣體成分，也可以有效抑制不需要的層的形成。所述微波注入設(shè)備和/或所述保護(hù)設(shè)備可以被冷卻到一定的溫度水平，在這種溫度水平下淀積出基本上不阻礙微波透射的非導(dǎo)電或弱導(dǎo)電的涂層。本發(fā)明還涉及一種用于實(shí)現(xiàn)上述方法的PICVD反應(yīng)器。
文檔編號(hào)C23C16/18GK101044263SQ200580035585
公開(kāi)日2007年9月26日 申請(qǐng)日期2005年9月7日 優(yōu)先權(quán)日2004年9月15日
發(fā)明者斯蒂芬·鮑爾, 尼科·斯庫(kù)爾特茲, 克里斯蒂安·赫恩, 安德列亞·安東 申請(qǐng)人:肖特股份公司