專利名稱：等離子體處理裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及等離子體處理裝置，尤其涉及將微波供給平面天線部件、產(chǎn)生等離子體、處理半導(dǎo)體裝置等的等離子體處理裝置。
背景技術(shù)：
圖9為專利第3136054號(hào)公報(bào)中所述的等離子體處理裝置的截面圖，圖10為表示平面天線部件的平面圖。
在圖9中，等離子體處理裝置2具有整體形成為筒狀的處理容器4。處理容器4的頂部開(kāi)放，通過(guò)密封件5機(jī)密地設(shè)置石英板8，在處理容器4內(nèi)部形成密閉的處理空間S。
在處理容器4內(nèi)容納有將作為被處理體的半導(dǎo)體晶片W載置在其上面的載置臺(tái)10。載置臺(tái)10通過(guò)絕緣件14，由支承臺(tái)12設(shè)置在處理容器4內(nèi)的底部上。從偏置用高頻電源20向載置臺(tái)10供給例如13.56MHZ的偏壓。
在密閉處理容器4的上部的石英板8的上部設(shè)置有平面天線部件3。該平面天線部件3作為由高度低的中空?qǐng)A筒狀容器構(gòu)成的徑向波導(dǎo)箱40的底板構(gòu)成，安裝在石英板8的上面。在平面天線部件3的上部設(shè)置有電介體50。
平面天線部件3由例如直徑為50cm、厚度為1mm以下的銅板形成。如圖10所示，在該銅板上，從比中心部稍微向外側(cè)偏離例如數(shù)cm左右的位置開(kāi)始形成多個(gè)縫31，其呈漩渦狀，逐漸朝向周邊部，呈兩圈漩渦。從微波發(fā)生器42經(jīng)由同軸波導(dǎo)管44的內(nèi)側(cè)電纜44B，向平面天線部件3的中心部供給微波，縫(slit)31接收微波，在位于下方的處理空間S中形成均勻的電場(chǎng)分布。此外，在圖10中，接近一圈的放射元件32使其端部形成為在半徑方向上相互不同，這樣是為了提高天線效率。
在利用專利第3136054號(hào)公報(bào)所述的等離子體處理裝置進(jìn)行的等離子體CVD、蝕刻、氧化、氮化等的等離子體加工(process)中，要求成批、高速而且均勻地處理大口徑的基板。
一般，為了提高利用等離子體進(jìn)行處理的速度，必需提高在半導(dǎo)體晶片W上的等離子體密度。而且，在利用微波激勵(lì)的高密度等離子體中，由于等離子體密度離石英板8越遠(yuǎn)越低，在盡量接近與平面天線部件3接觸的石英板8的地方，形成均勻的等離子體，因此需要將半導(dǎo)體晶片W設(shè)置在那里。
然而，由于微波在電介體50中，以從中心向外擴(kuò)展的方式傳播出去，所以越接近中心的槽口(slot)，從槽口放射的電場(chǎng)越強(qiáng)。因此，在現(xiàn)有的裝置中，在石英板8和等離子體的邊界上形成的電場(chǎng)強(qiáng)度，也與越靠近中心越高相對(duì)應(yīng)，有在周邊部上電場(chǎng)強(qiáng)度減弱的傾向。結(jié)果，在石英板8附近，等離子體分布不均勻，如果平面天線部件3和半導(dǎo)體晶片W的間隔D離開(kāi)規(guī)定的距離以上，則不能夠使作用在半導(dǎo)體晶片W上的等離子體分布均勻。
但是，為了提高效率，要求使半導(dǎo)體晶片W接近平面天線部件3。

發(fā)明內(nèi)容
這里，本發(fā)明的目的在于提供具有即使使被處理體接近，也能夠高速而且均勻地進(jìn)行處理的天線部件的等離子體處理裝置。
本發(fā)明的特征在于，包括在內(nèi)部設(shè)置有載置被處理體的載置臺(tái)的處理容器；產(chǎn)生微波的微波發(fā)生器；將在微波發(fā)生器中產(chǎn)生的微波導(dǎo)入處理容器中用的波導(dǎo)管；和與波導(dǎo)管連接、與載置臺(tái)相對(duì)配置的平面天線部件，其中，平面天線部件，利用實(shí)質(zhì)上封閉的環(huán)形槽區(qū)分為內(nèi)導(dǎo)體區(qū)域和外導(dǎo)體區(qū)域。
根據(jù)本發(fā)明，由于在平面天線部件上由封閉的環(huán)形槽區(qū)分為內(nèi)導(dǎo)體和外導(dǎo)體，即使增厚平面天線部件的厚度，微波也不會(huì)衰減，容易通過(guò)，能夠得到均勻的電場(chǎng)分布，所以能夠得到平面的均勻的等離子體分布，能夠使被處理體靠近天線部件，可以高速而且均勻地處理被處理體。
在一個(gè)實(shí)施方式中，設(shè)置有多個(gè)環(huán)形槽，它們按同心圓進(jìn)行配置，更具體地說(shuō)，設(shè)置有多個(gè)環(huán)形槽，它們按同心矩形進(jìn)行配置。
優(yōu)選，環(huán)形槽為在平面天線部件的厚度方向上貫通的槽。
在另一個(gè)實(shí)施方式中，利用橫穿環(huán)形槽的連接部件連接內(nèi)導(dǎo)體和外導(dǎo)體。通過(guò)用連接部件連接內(nèi)導(dǎo)體區(qū)域和外導(dǎo)體區(qū)域，使內(nèi)導(dǎo)體區(qū)域和外導(dǎo)體區(qū)域電位相同，能夠消除產(chǎn)生不必要的異常放電的可能性。
優(yōu)選，連接部件在環(huán)形槽內(nèi)的高度方向上連接內(nèi)導(dǎo)體區(qū)域和外導(dǎo)體區(qū)域。
平面天線部件包括由環(huán)形槽區(qū)分的絕緣部件和涂布在絕緣部件的表面上、構(gòu)成由環(huán)形槽隔開(kāi)的內(nèi)導(dǎo)體區(qū)域和外導(dǎo)體區(qū)域的導(dǎo)電性部件。
優(yōu)選，平面天線部件形成為周邊部的厚度相對(duì)得厚、中心部相對(duì)得薄。
在一個(gè)實(shí)施方式中，平面天線部件包括構(gòu)成由環(huán)狀槽區(qū)分的內(nèi)導(dǎo)體區(qū)域和外導(dǎo)體區(qū)域的金屬部件；和覆蓋金屬部件的絕緣部件，在另一實(shí)施方式中，平面天線部件包括由環(huán)形槽區(qū)分的絕緣部件；和涂布在絕緣部件的表面上、構(gòu)成由環(huán)形槽隔開(kāi)的內(nèi)導(dǎo)體區(qū)域和外導(dǎo)體區(qū)域的導(dǎo)電性部件。
優(yōu)選，以環(huán)形槽為邊界，相對(duì)的薄地形成內(nèi)導(dǎo)體，相對(duì)的厚地形成外導(dǎo)體。通過(guò)使內(nèi)導(dǎo)體變薄，使外導(dǎo)體變厚，能夠減小天線部件中心的電子密度，增大周邊部的電子密度，可以均勻地處理被處理體。
優(yōu)選，在周邊部的形成為厚的部分上形成冷卻通路。通過(guò)形成冷卻通路，可以控制天線部件的溫度。


圖1為在本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方式的等離子體處理裝置中使用的天線部件的平面圖。
圖2為沿著圖1所示的II-II線的縱截面圖。
圖3A為表示在本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方式的等離子體處理裝置中使用的天線部件的另一個(gè)例子的半徑部分的截面圖。
圖3B為表示在本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方式的等離子體處理裝置中使用的天線部件的又一個(gè)例子的半徑部分的截面圖。
圖4A為表示薄薄地形成整體的天線部件的半徑部分的截面圖。
圖4B為表示形成為周邊部的厚度厚，中心部的厚度薄的天線部件的半徑部分的截面圖。
圖4C為表示厚厚地形成整體的厚度的天線部件的半徑部分的截面圖。
圖4D為表示形成為周邊部薄、中心部厚的天線部件的半徑部分的截面圖。
圖5A為表示在將圖4A～4D所示的天線部件3a～3d配置在離天線面Z＝70mm的位置時(shí)的電子密度分布的圖。
圖5B為表示在將圖4A～4D所示的天線部件3a～3d配置在離天線面Z＝80mm的位置時(shí)的電子密度分布的圖。
圖5C為表示在將圖4A～4D所示的天線部件3a～3d配置在離天線面Z＝100mm的位置時(shí)的電子密度分布的圖。
圖5D為表示在將圖4A～4D所示的天線部件3a～3d配置在離天線面Z＝150mm的位置時(shí)的電子密度分布的圖。
圖6為表示天線部件的其他例子的圖。
圖7A為表示利用導(dǎo)電體連接天線部件的各導(dǎo)體之間的例子的平面圖。
圖7B為表示利用導(dǎo)電體連接天線部件的各導(dǎo)體之間的例子的、沿著圖7A的B-B線的截面圖。
圖7C為表示用導(dǎo)電體連接天線部件的各導(dǎo)體之間的另一例子的截面圖。
圖8A為天線部件的平面圖。
圖8B為放大天線部件的各個(gè)槽之間的結(jié)合部分的截面圖。
圖8C為放大天線部件的各個(gè)槽之間的結(jié)合部分的另一個(gè)例子的截面圖。
圖9為在專利第3136054號(hào)公報(bào)中所述的等離子體處理裝置的截面圖。
圖10為表示平面天線部件的平面圖。
具體實(shí)施例方式
圖1為在本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方式的等離子體處理裝置中使用的天線部件的平面圖，圖2為沿著圖1所示的II-II線的縱截面圖。
在圖1中，天線部件3由銅等的導(dǎo)電材料制成，由多個(gè)同心圓形成作為環(huán)狀的封閉的槽的槽口(slot)300～304，區(qū)分成內(nèi)導(dǎo)體區(qū)域和外導(dǎo)體區(qū)域。這些槽口300～304從天線部件3的厚度方向的一面向另一面，以例如大約1mm的寬度貫通形成。各個(gè)槽口300、301、302、303的各自的間隔L選擇為微波的管內(nèi)波長(zhǎng)的整數(shù)倍，更加優(yōu)先選擇為微波的管內(nèi)波長(zhǎng)的長(zhǎng)度，最外周的槽口304和天線部件3的外周邊緣的間隔選擇為大約L/2。將槽口304和天線部件3的外周邊緣的間隔選擇為大約L/2是因?yàn)榈竭_(dá)最外周的槽口的微波和通過(guò)該槽口、由壁反射后返回來(lái)的微波的相位相同(因?yàn)橥稻嚯x為L(zhǎng))，雙方的微波共振，能夠形成強(qiáng)的電場(chǎng)。
由槽口300～304將天線部件3分離為導(dǎo)體310～315。中心側(cè)的導(dǎo)體310、311的厚度形成為相對(duì)的薄，例如以2mm的厚度形成，而周邊的導(dǎo)體312～315的厚度形成為相對(duì)的厚，為管內(nèi)波長(zhǎng)的λ/8以上，更優(yōu)選為λ/4以上，具體地說(shuō)就是以例如20mm的厚度形成。這樣，通過(guò)改變天線部件3的厚度，能夠使在厚度厚的導(dǎo)體312～315之間形成的槽口302～304的前端和等離子體的距離接近，因此可以局部地調(diào)整等離子體密度。因此，能夠改善電場(chǎng)的均勻性，得到所希望的等離子體分布。
就在上述的圖9中所示的縫31來(lái)說(shuō)，當(dāng)增厚天線部件3的厚度時(shí)，微波衰減，處理效率不好，因此不得不減薄厚度。與此相對(duì)，在這個(gè)實(shí)施方式中，即使增厚天線部件3的厚度，形成有多個(gè)槽口300～304，當(dāng)著眼于例如槽口301時(shí)，導(dǎo)體311成為同軸波導(dǎo)管的內(nèi)導(dǎo)體，導(dǎo)體312成為外導(dǎo)體，由于作為波導(dǎo)管(wave guide)起作用，微波容易通過(guò)。結(jié)果，能夠使天線部件3的下部的處理空間S的電場(chǎng)分布均勻。此外，在圖1中，將多個(gè)槽口300～304形成同心狀，但也可以只形成一個(gè)槽。
另外，通過(guò)增加周邊部的導(dǎo)體312～314的厚度，可在該部分上形成使制冷劑流動(dòng)用的冷卻通路，能夠得到可控制槽口300～304本身以及天線部件3的溫度的第二位的效果。
圖3A～3B為表示在本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方式的等離子體處理裝置中使用的天線部件的另一個(gè)例子的半徑部分的截面圖。圖2所示的天線部件3由銅等的導(dǎo)電材料制成，與此相對(duì)，如圖3A所示的天線部件3e將導(dǎo)電性材料352涂布在例如陶瓷等的絕緣部件351的表面上，再利用絕緣部件353覆蓋在其上。
由于金屬的熱膨脹率大，在溫度上升的情況下，有尺寸變化的影響，與此相對(duì)，由于絕緣部件351相對(duì)來(lái)說(shuō)熱膨脹率小，如果將導(dǎo)電性材料352涂布在絕緣部件351的表面上，則可作為平面天線部件使用。另外，通過(guò)將絕緣部件353涂布在導(dǎo)電性材料352的表面上，可改善異常放電電阻。
另外，圖3B所示的天線部件3f是將導(dǎo)電性材料352涂布在陶瓷等絕緣部件351的表面上、利用電介體30代替絕緣部件353覆蓋上部和下部的部件。
圖4A～4D為表示厚度不同的各種天線部件的半徑部分的截面圖雖然圖4A～4D所示的任一個(gè)天線部件3a～3d也是由多個(gè)同心圓形成環(huán)狀的槽口，但是厚度不同。
即、圖4A所示的天線部件3a全體作得薄。圖4B所示的天線部件3b可在本發(fā)明一個(gè)實(shí)施方式中適用，其周邊部分的厚度作得厚，中心部分的厚度作得薄。圖4C所示的天線部件3c可在本發(fā)明的另一個(gè)實(shí)施方式中適用，其全體的厚度作得厚，其厚度為管內(nèi)波長(zhǎng)的λ/8以上，優(yōu)選為λ/4以上。這里，在有多個(gè)圓環(huán)狀槽口的情況下，任何一個(gè)區(qū)分內(nèi)導(dǎo)體和外導(dǎo)體的槽口都可以，對(duì)于選擇的一個(gè)槽口來(lái)說(shuō)，能夠以內(nèi)側(cè)的導(dǎo)體作為內(nèi)導(dǎo)體，以外側(cè)的導(dǎo)體作外導(dǎo)體。圖4D所示的天線部件3d作成周邊部分薄、中心部分厚。
圖5A～5D分別表示在天線部件3a～3d的處理空間S側(cè)的下方向(Z方向)上，當(dāng)以天線面的上表面為Z＝0時(shí)，在Z＝70mm、80mm、100mm、150mm的位置上的電子密度分布，在縱軸上表示電子密度ne(cm-3)，在橫軸上表示半徑方向的距離(r)。此外，圖5A～5D的任何一個(gè)都是表示處理空間S內(nèi)的壓力為0.5Torr、微波的入射電力為3000W時(shí)的電子密度分布。
圖5A～圖5D的波形a表示圖4A的天線部件3a引起的電子密度分布，波形b表示圖4B的天線部件3b引起的電子密度分布，波形c表示圖4C的天線部件3c引起的電子密度分布，波形d表示圖4D的天線部件3d引起的電子密度分布。
對(duì)比圖5A～圖5D的各個(gè)波形可看出，在圖5A所示的Z＝70mm的附近，波形d的中心附近的電子密度分布與周邊的差很大。這是由于天線部件3d的中心部分附近的厚度作得厚，而周邊部分的厚度作得薄。波形a在中心的電子密度比天線部件3d的波形d小，但與周邊部分的電子密度比較還是大。這是因?yàn)樘炀€部件a全體作得薄。與此相對(duì)，可看出波形b、c的中心部分和周邊部分的電子密度的差小，可得到均勻的電場(chǎng)。這是由于天線部件3b、3c的周邊部分作得厚。
在圖5B所示的Z＝80mm附近，天線部件3a、3d的波形a、d的中心部分附近和周邊部分附近的電子密度分布的差大，天線部件3b、3c的波形b、c在中心部分和周邊部分的電子密度分布的差小，能夠使之均勻。如在圖5C所示的Z＝100mm附近以及圖5D所示的Z＝150mm那樣，Z方向的距離越大，波形a～d的電子密度的絕對(duì)值越低。
根據(jù)這些特性，r＝0～150mm的、例如能夠得到電子密度差為±10％左右的均勻性的情況為就天線部件3a、3d來(lái)說(shuō)，是在150mm附近，就天線部件3b來(lái)說(shuō)，是在80mm附近，就天線部件3c來(lái)說(shuō)，是在Z＝100mm附近的結(jié)果。因此，為了實(shí)現(xiàn)高密度并且均勻的等離子體分布，優(yōu)選圖4B所示的天線部件3b。
圖6為表示天線部件的另一例子的圖。這個(gè)例子是將天線部件30全體作成矩形形狀，以多個(gè)同心的矩形形成作為環(huán)狀的封閉的槽的槽口330～334，利用這些槽口330～334將天線部件分離為導(dǎo)體340～345。在這個(gè)例子中，與圖1所示的天線部件3同樣，將中心側(cè)的導(dǎo)體340、341的厚度作得相對(duì)的薄，將周邊的導(dǎo)體342～345的厚度作得相對(duì)的厚。選擇其他的條件等與圖1同樣。
圖7A～7C表示利用導(dǎo)電體連接天線部件的各導(dǎo)體之間的例子，圖7A為平面圖，圖7B為沿著圖7A的B-B線的截面圖，圖7C為表示導(dǎo)電體的另一例子的圖。
在圖1所示的天線部件3上，由于利用各個(gè)槽口300～304以電的方式分離各導(dǎo)體310～315，具有在微波通過(guò)各槽口時(shí)并不衰減的優(yōu)點(diǎn)。但是，在各導(dǎo)體310～315上電荷充電，有可能產(chǎn)生不必要的異常放電。
這里，圖7A所示的例子是利用作為多個(gè)連接部件的導(dǎo)電體320以電的方式連接各導(dǎo)體310～315之間，通過(guò)使各導(dǎo)體310～315分別為同一電位，能夠消除產(chǎn)生不必要的異常放電的可能性。
如圖7B所示，導(dǎo)電體320高度方向的下半部分連接導(dǎo)體314和315，上半部分從導(dǎo)體314、315的表面突出?；蛘哒f(shuō)，如圖7C所示，也可以導(dǎo)電體320的高度方向的全部連接導(dǎo)體314和315。簡(jiǎn)要地說(shuō)，并不是設(shè)置在各導(dǎo)體310～315之間的槽口300～304的高度方向的全部，而是可以用導(dǎo)電體320連接其一部分，優(yōu)選導(dǎo)電體320的厚度形成為盡量的薄。
另外，在圖6所示的天線部件30上，也可以設(shè)置圖7所示的導(dǎo)電體320。
圖8A～8C為表示在天線部件的各槽口之間形成結(jié)合部分的例子的圖。圖8A為天線部件的平面圖，圖8B為結(jié)合部分的放大的截面圖，圖8C為表示結(jié)合部分的另一例子的截面圖。
圖8A所示的例子，由于使各導(dǎo)體311～315的電位分別相同，形成作為連接部件的結(jié)合部分321，使不貫通各個(gè)槽口(slot)300～304的一部分，剩下一部分。在這個(gè)例子中，在各導(dǎo)體310～315間，能夠消除產(chǎn)生不必要的異常放電的可能性。另外，結(jié)合部分321也可以適用于圖6所示的天線部件30。
圖8B所示的例子為利用槽口301區(qū)分厚度薄的導(dǎo)體311和厚度厚的導(dǎo)體312，但不限定于此，如圖8C所示，也可以設(shè)置具有由在高度方向上厚度薄的部分和厚度厚的部分構(gòu)成的臺(tái)階部的導(dǎo)體316。即、不必要以槽口為邊界設(shè)置厚度薄的導(dǎo)體和厚度厚的導(dǎo)體，另外，作為圖8C的內(nèi)導(dǎo)體來(lái)說(shuō)，相當(dāng)于導(dǎo)體310、311、316。
以上，參照附圖，說(shuō)明了本發(fā)明的實(shí)施方式，但本發(fā)明不是僅限定于圖示的實(shí)施方式。相對(duì)于圖示的實(shí)施方式，在與本發(fā)明相同的范圍內(nèi)，或均等的范圍內(nèi)，可以施加各種修正或變形。
產(chǎn)業(yè)上的可利用性本發(fā)明的等離子體處理裝置由于通過(guò)供給微波在天線部件附近形成均勻的電場(chǎng)，能夠在處理空間內(nèi)產(chǎn)生平面的均勻的高密度等離子體，所以能夠利用在對(duì)半導(dǎo)體晶片等進(jìn)行等離子體CVD、蝕刻、氧化、氮化等的等離子體加工(process)處理中。
權(quán)利要求
1.一種等離子體處理裝置，其特征在于，包括在內(nèi)部設(shè)置有載置被處理體的載置臺(tái)的處理容器；發(fā)生微波的微波發(fā)生器；將所述微波發(fā)生器產(chǎn)生的微波導(dǎo)入所述處理容器用的波導(dǎo)管；和與所述波導(dǎo)管連接、與所述載置臺(tái)相對(duì)配置的平面天線部件；其中，所述平面天線部件由實(shí)質(zhì)上封閉的環(huán)形槽區(qū)分為內(nèi)導(dǎo)體區(qū)域和外導(dǎo)體區(qū)域。
2.如權(quán)利要求1所述的等離子體處理裝置，其特征在于設(shè)置有多個(gè)所述環(huán)形槽，其按同心圓進(jìn)行配置。
3.如權(quán)利要求1所述的等離子體處理裝置，其特征在于設(shè)置有多個(gè)所述環(huán)形槽，其按同心矩形進(jìn)行配置。
4.如權(quán)利要求1所述的等離子體處理裝置，其特征在于所述環(huán)形槽為在所述平面天線部件的厚度方向上貫通的槽。
5.如權(quán)利要求1所述的等離子體處理裝置，其特征在于所述內(nèi)導(dǎo)體區(qū)域和所述外導(dǎo)體區(qū)域利用橫穿所述環(huán)形槽的連接部件進(jìn)行連接。
6.如權(quán)利要求5所述的等離子體處理裝置，其特征在于所述連接部件在所述環(huán)形槽內(nèi)的高度方向上連接所述內(nèi)導(dǎo)體區(qū)域和所述外導(dǎo)體區(qū)域。
7.如權(quán)利要求1所述的等離子體處理裝置，其特征在于所述平面天線部件形成為周邊部分的厚度相對(duì)的較厚，中心部分相對(duì)的較薄。
8.如權(quán)利要求1所述的等離子體處理裝置，其特征在于所述平面天線部件包括構(gòu)成由所述環(huán)狀槽區(qū)分的所述內(nèi)導(dǎo)體區(qū)域和所述外導(dǎo)體區(qū)域的金屬部件，和覆蓋所述金屬部件的絕緣部件。
9.如權(quán)利要求1所述的等離子體處理裝置，其特征在于所述平面天線部件包括，由所述環(huán)形槽區(qū)分的絕緣部件；和涂布在所述絕緣部件的表面上，構(gòu)成由所述環(huán)形槽隔開(kāi)的所述內(nèi)導(dǎo)體區(qū)域和所述外導(dǎo)體區(qū)域的導(dǎo)電性部件。
10.如權(quán)利要求7所述的等離子體處理裝置，其特征在于以所述環(huán)形槽為邊界，所述內(nèi)導(dǎo)體區(qū)域相對(duì)地形成為較薄，所述外導(dǎo)體區(qū)域相對(duì)地形成為較厚。
11.如權(quán)利要求7所述的等離子體處理裝置，其特征在于與所述環(huán)形槽鄰近的內(nèi)導(dǎo)體區(qū)域包括在厚度方向上形成有薄的部分和厚的部分的臺(tái)階部。
12.如權(quán)利要求7所述的等離子體處理裝置，其特征在于在所述周邊部分的形成為厚的部分上形成冷卻通路。
13.如權(quán)利要求1所述的等離子體處理裝置，其特征在于所述平面天線部件的厚度形成為λ/8以上。
全文摘要
在平面天線部件(3)上由多個(gè)同心圓形成環(huán)狀的槽口(300～304)，將中心部的導(dǎo)體(310、311)的厚度形成為相對(duì)的薄，將周邊部的導(dǎo)體(312～315)的厚度形成為相對(duì)的厚，由此，微波不衰減，易于通過(guò)槽口(300～304)，能夠得到均勻的電場(chǎng)分布，能夠在處理空間內(nèi)平均地產(chǎn)生均勻的高密度的等離子體，所以能夠使被處理體接近天線部件(3)，可以高速且均勻地處理被處理體。
文檔編號(hào)C23C16/511GK1998272SQ20058002096
公開(kāi)日2007年7月11日 申請(qǐng)日期2005年6月20日 優(yōu)先權(quán)日2004年6月25日
發(fā)明者斧高一, 上坂裕之, 石橋清隆, 澤田郁夫 申請(qǐng)人:東京毅力科創(chuàng)株式會(huì)社