專利名稱：等離子體化學(xué)氣相沉積系統(tǒng)及涂覆襯底兩側(cè)的方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及等離子體化學(xué)氣相沉積(CVD)系統(tǒng)及涂覆襯底兩側(cè)的方法，尤其是涉及可用材料均勻涂覆襯底兩側(cè)的等離子體CVD系統(tǒng)和方法。
背景技術(shù)：
通常，塑料襯底比玻璃襯底輕，且更不易破碎。從而，近年來，作為用于薄膜晶體管(TFT)液晶顯示器(LCD)的玻璃襯底以及用作有機(jī)電致發(fā)光(EL)襯底的材料的替代品，塑料襯底已經(jīng)得到積極地發(fā)展。由于與硅或者玻璃襯底相比，塑料襯底具有更小的硬度，從而其易于受外力彎曲。
尤其是，對于TFT LCD或者有機(jī)EL顯示器，諸如非晶硅層、金屬層、氧化硅層和氮化硅層的各個(gè)層向該襯底施加高應(yīng)力。由于硅或者玻璃襯底具有足夠的硬度以抵制該高應(yīng)力，從而該高應(yīng)力對于這些襯底來說可能并非致命問題。然而，高應(yīng)力對于塑料襯底來說可能是致命的，其可能惡化對準(zhǔn)并破裂所沉積的各層。
在TFT LCD制造工藝中，在沉積用作層間介電(ILD)層和金屬間介電(IMD)層的3000-6000厚的氧化硅層的過程中，向襯底施加最高應(yīng)力。從而，當(dāng)氧化硅層涂覆于襯底的第一側(cè)時(shí)，該襯底將受到劇烈彎曲。結(jié)果，即使在翻轉(zhuǎn)該襯底并在其第二側(cè)上涂覆氧化硅層時(shí)，將在彎曲部分產(chǎn)生破裂。
圖1A至1C示出根據(jù)現(xiàn)有技術(shù)在襯底兩側(cè)涂覆氧化硅層的情況。
圖1A示出一塑料襯底，該塑料襯底由于利用感應(yīng)耦合(inductive coupling)式等離子體CVD在第一側(cè)上涂覆3000厚的氧化硅層102而嚴(yán)重彎曲。
圖1B示出具有依次涂覆有氧化硅層的兩側(cè)的塑料襯底101。雖然該塑料襯底101是平坦的，但是可能的裂紋103產(chǎn)生于塑料襯底101的周邊部分，所述周邊部分以相對較高的曲率受到彎曲。
圖1C示出破裂部分的金屬斷面顯微圖。也就是，塑料襯底101由在塑料襯底101的第一側(cè)沉積3000厚的氧化硅層102而受到劇烈地彎曲。為了平整該受到彎曲的塑料襯底101，將其翻過來并在其第二側(cè)上沉積3000厚的氧化硅層。在此情況下，雖然平整了塑料襯底101，但是在塑料襯底101的周邊部分產(chǎn)生了裂紋103。因此，為了防止產(chǎn)生裂紋，應(yīng)該在塑料襯底的兩側(cè)上同時(shí)沉積氧化硅層。
于是，提出了兩側(cè)涂覆方法以防止上述問題。在制造硬盤和太陽能電池中也需要兩側(cè)涂覆方法。因此，已經(jīng)提出了多種用于執(zhí)行該兩側(cè)涂覆方法的CVD設(shè)備。日本專利公開No.H14-093722公開了一種用于涂覆太陽能電池的硅襯底兩側(cè)而不用翻轉(zhuǎn)該硅襯底的CVD系統(tǒng)。此外，日本專利公開No.H14-105651公開了用于用類金剛石碳(DLC)涂覆硬盤兩側(cè)的配置有細(xì)絲線圈的兩側(cè)涂覆設(shè)備。在這些專利中公開的設(shè)備是采用陰極和陽極的電容性等離子體CVD系統(tǒng)。
然而，這種電容性等離子體CVD系統(tǒng)的問題在于，用作陽極的后板應(yīng)該設(shè)置在高阻值襯底或者介電襯底的后表面上以形成襯底上的薄膜。如果不用后板，由于高頻電流難以沿該襯底流動(dòng)，襯底的表面上的等離子體密度顯著降低。從而，位于中心部分的薄膜和位于周邊部分的薄膜之間可能存在厚度差異，導(dǎo)致薄膜特性的不一致性。襯底的尺寸越大，上述問題越嚴(yán)重。從而，在涂覆襯底中難以實(shí)際應(yīng)用電容性等離子體CVD系統(tǒng)。
為了解決電容性等離子體CVD系統(tǒng)的這些問題，PCT公告No.WO2002/581,121公開了一種感應(yīng)耦合式等離子體生成設(shè)備。
圖1D和1E示出了此類感應(yīng)耦合式等離子體CVD系統(tǒng)。
如圖所示，兩個(gè)感應(yīng)耦合電極11和11′設(shè)置于腔室12中。襯底13安裝在電極11和11′之間的襯底支座14上。腔室12配置有反應(yīng)氣體注入孔15和15′以及形成于反應(yīng)氣體注入孔15和15′相對側(cè)的氣體排出孔16。
在氣體注入孔15和15′處生成的等離子體擴(kuò)散以抵達(dá)襯底13。從而，即使當(dāng)襯底為高阻襯底或者介電襯底時(shí)，高頻電流的密度也不會(huì)發(fā)生變化，而不用考慮襯底的位置。然而，由于感應(yīng)耦合式電極11和11′形成于腔室12中，所以通過腔室12中電極11和11′之間產(chǎn)生的等離子體濺射或者起弧現(xiàn)象(arching phenomenon)使雜質(zhì)可能與將沉積于襯底12上的材料混合。
此外，由于感應(yīng)耦合式電極11和11′固定于腔室12中，因此不可能調(diào)節(jié)電極11和11′的位置。從而，難以改變等離子體的密度。在單側(cè)涂覆設(shè)備的情況下，由于不可能垂直移動(dòng)襯底，從而可以在襯底和電極之間等離子體密度最均勻的地方實(shí)現(xiàn)涂覆。然而，如圖1D和1E所示，由于其間設(shè)置襯底13的電極11和11′是對稱設(shè)置的，所以當(dāng)移動(dòng)移動(dòng)襯底13以在襯底的一側(cè)上均勻沉積一層時(shí)，另一側(cè)上的均勻性就會(huì)惡化。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明提供了一種用于沉積襯底兩側(cè)的等離子體CVD系統(tǒng)，其設(shè)計(jì)為均勻地分布等離子體密度以在襯底的兩側(cè)上提供均勻涂覆層。
根據(jù)本發(fā)明的一方面，提供了一種等離子體化學(xué)氣相沉積系統(tǒng)，其包括配置有氣體注入孔的腔室；安裝在該腔室上的氣體排放單元；設(shè)置在該腔室的中心區(qū)域以在暴露該襯底兩側(cè)的狀態(tài)下支撐襯底的襯底支座；以及生成感應(yīng)磁場的第一和第二線圈，該第一和第二線圈分別繞該腔室的上、下外周邊設(shè)置。
該襯底支座可設(shè)置為封閉該襯底支座的外周邊。
該氣體排放單元可在內(nèi)周邊配置有內(nèi)側(cè)氣體排放孔，并且在外周邊配置有外側(cè)排放孔，該腔室中的氣體通過該內(nèi)側(cè)氣體排放孔排出，而該外側(cè)排放孔連接于泵。
該內(nèi)側(cè)氣體排放孔可形成于氣體排放單元內(nèi)周邊的至少兩部分上，內(nèi)側(cè)排放孔的各尺寸隨著其遠(yuǎn)離外側(cè)排放孔而增大。
該第一和第二線圈由螺旋型線圈或者扁平天線型線圈中的一種形成，并設(shè)置為可沿該腔室的外周邊移動(dòng)，從而可調(diào)節(jié)第一和第二線圈之間的距離。
該第一和第二線圈可相對于該襯底支座對稱設(shè)置。
該第一和第二線圈的第一端共用高頻發(fā)生器并且該第一和第二線圈的第二端分別連接于第一和第二調(diào)諧電容器。
該氣體注入孔對稱地形成于該腔室的相對端部上。
根據(jù)本發(fā)明的另一方面，提供了一種等離子體化學(xué)氣相沉積方法，該方法包括在配置有氣體注入孔和氣體排出孔的腔室的中心區(qū)域中的襯底支座上設(shè)置襯底；以及通過向其間設(shè)置有該襯底的第一和第二線圈施加高頻而在該襯底的兩側(cè)上生成均勻感應(yīng)磁場，從而在該襯底兩側(cè)上形成均勻薄膜。


通過參照附圖對本發(fā)明的示例性實(shí)施例進(jìn)行詳細(xì)說明，本發(fā)明的上述和其他特征和優(yōu)點(diǎn)將變得更明顯，其中
圖1A是塑料襯底的視圖，其通過根據(jù)現(xiàn)有技術(shù)在該塑料襯底的第一側(cè)上涂覆氧化硅層而嚴(yán)重彎曲；圖1B是示出根據(jù)現(xiàn)有技術(shù)將圖1中所示的塑料襯底翻轉(zhuǎn)并在該塑料襯底的第二側(cè)上涂覆氧化硅層的狀態(tài)的視圖；圖1C是使用傳統(tǒng)等離子體CVD系統(tǒng)涂覆于塑料襯底上的氧化硅層的破裂部分的金屬斷面顯微圖；圖1D和1E是傳統(tǒng)感應(yīng)耦合式等離子體CVD系統(tǒng)的視圖；圖2A是根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的等離子體CVD系統(tǒng)的剖視圖；圖2B是用于根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的等離子體CVD系統(tǒng)的氣體排放單元的視圖；圖3A是示出當(dāng)線圈設(shè)置在等離子體CVD系統(tǒng)的腔室一側(cè)時(shí)磁場分布的示圖；圖3B和3C是示出當(dāng)兩線圈設(shè)置在根據(jù)本發(fā)明的等離子體CVD系統(tǒng)的腔室兩側(cè)時(shí)磁場分布的示圖；圖4A至4C是示出根據(jù)線圈結(jié)構(gòu)和本發(fā)明的等離子體CVD系統(tǒng)的線圈之間的距離的磁場分布的示圖；以及圖4D是示出根據(jù)本發(fā)明的等離子體CVD系統(tǒng)的腔室的內(nèi)圓周的等離子體密度分布在襯底上等離子體密度分布的示圖。
具體實(shí)施例方式
下面參照附圖將更全面說明本發(fā)明，附圖中示出本發(fā)明的示例性實(shí)施例。然而，本發(fā)明可以許多不同形式實(shí)施并且不應(yīng)理解為限于在此描述的實(shí)施例；提供這些實(shí)施例以使該公開是詳盡和完全的，并且將向本領(lǐng)域技術(shù)人員充分表述本發(fā)明的概念。
首先參照圖2A，將沉積以所需材料的襯底22被安裝在腔室21中的襯底支座22′上。生成感應(yīng)磁場的第一和第二線圈23和23′相對于襯底22繞腔室21的上、下周邊設(shè)置。第一和第二線圈23和23′可以是彼此相對的螺旋型線圈或者扁平天線型線圈(flat antenna type coil)。線圈23和23′的第一端電連接至匹配器25，該匹配器25連接至高頻發(fā)生器24，而線圈23和23′的第二端分別連接至調(diào)諧電容器C1和C2。如上所述，本發(fā)明的特征在于生成感應(yīng)磁場的線圈23和23′繞腔室21的上、下周邊設(shè)置。
腔室21配置有多個(gè)氣體注入孔，用于生成等離子體的氣體和將沉積于襯底22的反應(yīng)氣體可通過這些注入孔注入腔室21中。為了涂覆襯底22的兩側(cè)，注入孔可對稱地形成于腔室21的兩側(cè)上。然而，本發(fā)明并不局限于此結(jié)構(gòu)。
氣體排放單元26繞腔室21的中部周邊設(shè)置?？蛇m當(dāng)調(diào)節(jié)氣體排放單元26的排放孔的尺寸，以均勻地將反應(yīng)氣體排出腔室21。
圖2B示出氣體排放單元26的實(shí)施例。
氣體排放單元26在內(nèi)周邊上配置有內(nèi)側(cè)氣體排放孔26a并且在外周邊上配置有外側(cè)排放孔26b，其中腔室21中的氣體通過內(nèi)側(cè)氣體排放孔26a排出，而外側(cè)排放孔26b連接泵(參見圖2A)。內(nèi)側(cè)排放孔26a的尺寸隨著它遠(yuǎn)離外排放孔26b而增大，以均勻地將氣體排出腔室21。
在上述等離子體CVD系統(tǒng)中，通過繞腔室上、下周邊設(shè)置的線圈23和23′可在腔室21中產(chǎn)生均勻的等離子體。均勻產(chǎn)生的等離子體擴(kuò)散至設(shè)置在線圈23和23′之間的腔室內(nèi)中心部位的襯底22上，從而在襯底22的兩側(cè)上均勻地形成所需層。腔室21由石英管形成。線圈23和23′設(shè)計(jì)為沿腔室21的外周邊自由移動(dòng)，從而使得可以調(diào)節(jié)在襯底22和腔室21中等離子體生成部分之間的等離子體密度分布。即使在線圈23和23′設(shè)計(jì)為不能自由移動(dòng)時(shí)，由于線圈23和23′分別連接與電容器C1和C2，所以可以調(diào)節(jié)向線圈23和23′施加的電流量。從而，等離子體密度分布可通過調(diào)節(jié)向線圈23和23′施加的電流量而得以調(diào)節(jié)，而無需移動(dòng)線圈。線圈23和23′共用匹配器25，該匹配器25連接于產(chǎn)生感應(yīng)電流的高頻發(fā)生器24。
線圈23和23′可設(shè)置在腔室21中。然而，在此情況下，可能由等離子體產(chǎn)生濺射現(xiàn)象而生成可沉積于襯底22上的雜質(zhì)。從而，優(yōu)選的是，線圈23和23′繞腔室21的外周邊設(shè)置。此外，更為優(yōu)選的是，線圈23和23′設(shè)置為可沿腔室21的外周邊移動(dòng)，從而可調(diào)節(jié)線圈23和23′之間的距離。由于線圈23和23′彼此面對地設(shè)置，共用高頻發(fā)生器24，所以它們可同時(shí)在腔室21中施加磁場。當(dāng)線圈23和23′設(shè)置在腔室21的兩側(cè)時(shí)，可在腔室內(nèi)分布更均勻的磁場。
下面將簡述用于利用上述等離子體CVD系統(tǒng)在襯底的兩側(cè)沉積材料的工藝。
將諸如Ar的惰性氣體通過氣體注入孔注入腔室21中，以在襯底22的兩側(cè)生成等離子體。惰性氣體等離子體擴(kuò)散至襯底22的兩側(cè)，以溶解注入襯底22周圍的沉積材料氣體(即氣體3)，從而在襯底22上沉積預(yù)定層。
所沉積的層的均勻性取決于襯底22上的等離子體密度和均勻氣流?，F(xiàn)有的單側(cè)CVD系統(tǒng)配置有形成于襯底支座的下部的排放孔，從而可繞襯底居中地形成排放氣體氣流。然而，在襯底懸置于腔室的中心區(qū)域的兩側(cè)CVD系統(tǒng)中，難以形成繞襯底的均勻氣流。從而，在本發(fā)明中，氣體排放單元26設(shè)置在襯底22周圍，該氣體排放單元26具有外側(cè)排放孔26b和內(nèi)側(cè)排放孔26a，內(nèi)側(cè)排放孔26a的尺寸隨著遠(yuǎn)離外側(cè)排放孔26a而增加，從而生成均勻氣流。
下面將說明利用本發(fā)明的上述等離子體CVD系統(tǒng)在塑料襯底上沉積薄膜的工藝。
在塑料顯示器的TFT制造工藝中，通過等離子體CVD系統(tǒng)沉積諸如保護(hù)層、層間介電層和金屬間介電層的氧化硅層。塑料顯示器必須具有高透明度，以使其可具有多種用途。從而，在有機(jī)襯底和無機(jī)沉積層之間涂覆透明氧化層作為保護(hù)層，以提供其間的粘附強(qiáng)度。由于氧化硅層是透明的，即使在涂覆襯底的兩側(cè)時(shí)，塑料襯底的透明度也不會(huì)惡化。
首先將塑料襯底安裝在圖2A所示的等離子體CVD的襯底支座22′上。為了使腔室21處于高真空狀態(tài)，將腔室21中的氣體抽出并且向腔室21中注入生成等離子體的諸如Ar的惰性氣體。從高頻發(fā)生器24向線圈23和23′施加高頻以在腔室21中生成等離子體。然后，將反應(yīng)氣體SiH4和N2O通過反應(yīng)氣體注入孔26、26′、27和27′注入腔室21中以在襯底的兩側(cè)涂覆氧化硅層，該氧化硅層是保護(hù)層。在此，在腔室21中生成的等離子體均勻分布于襯底22的兩側(cè)，從而在襯底22的兩側(cè)均勻沉積氧化硅層。
層間介電層和金屬間介電層也通過采用等離子體系統(tǒng)的相同工藝形成于襯底的兩側(cè)。在完成沉積工藝或者在沉積工藝進(jìn)行過程中，腔室21中的氣體由氣體排放單元26通過內(nèi)側(cè)和外側(cè)排放孔26a和26b排出腔室21。如上所述，氣體排放單元26設(shè)計(jì)為具有雙排氣孔26a和26b并且內(nèi)側(cè)排放孔26a的尺寸隨著其遠(yuǎn)離外側(cè)排放孔26b而增大。
參照圖3A至3C，將比較當(dāng)僅在腔室的一側(cè)上形成線圈時(shí)產(chǎn)生的磁場和當(dāng)在腔室的兩側(cè)上都形成線圈時(shí)產(chǎn)生的磁場。
圖3A示出當(dāng)在腔室的一側(cè)上設(shè)置線圈時(shí)磁場分布的曲線。
圖中，水平軸R表示在腔室左部沿線圈纏繞方向的距離，而垂直軸Z表示形成于線圈中沿磁場方向的距離。
如該曲線所示，當(dāng)線圈僅形成于腔室的一側(cè)上時(shí)，磁場是不均勻分布的，而是其寬度與離線圈的距離成比例的增加。也就是，在等離子體中生成的電子沿磁場的運(yùn)動(dòng)變得無規(guī)則并且等離子體密度根據(jù)襯底上的位置而變化。
然而，如圖3B和3C所示，當(dāng)兩個(gè)線圈以接近對稱的結(jié)構(gòu)設(shè)置在腔室兩側(cè)時(shí)，通過由線圈形成的磁場之間的相互干擾在設(shè)置于線圈之間的襯底周圍分布均勻磁場。此外，即使當(dāng)線圈之間的距離發(fā)生變化，也可保持均勻磁場。從而，當(dāng)相對的兩個(gè)線圈用于涂覆襯底的兩側(cè)時(shí)，可在襯底上形成更加均勻的等離子體密度。
雖然如圖3B和3C所示可通過調(diào)節(jié)線圈之間的距離來調(diào)節(jié)等離子體密度分布，其也可以通過如圖2A所示的將線圈連接于相應(yīng)的電容器上并改變感應(yīng)電流來加以調(diào)節(jié)，而不用改變線圈之間的距離。
雖然圖3B和3C示出同相電流沿線圈流動(dòng)的情況，但是可應(yīng)用反相電流沿線圈流動(dòng)的情況。在此，圖4B和圖4C中示出根據(jù)線圈之間的距離的磁場分布，其中反相電流沿線圈流動(dòng)。
圖4A示出當(dāng)如圖2A所示設(shè)置在腔室21周圍的線圈23和23′的電流方向彼此不同時(shí)磁場分布的曲線，圖4B和4C示出當(dāng)線圈之間的距離(D＝12cm，20cm)變化時(shí)根據(jù)襯底的R值的磁場分布曲線。
參照圖4B和4C，即使當(dāng)沿線圈流動(dòng)反相電流時(shí)，形成于垂直方向上的磁場Bz是均勻的，沒有受到線圈之間的距離D的影響。然而，同心圓方向上的磁場Br根據(jù)線圈之間的距離D的變化而顯著變化。也就是，當(dāng)距離從20cm降低至12cm時(shí)，磁場強(qiáng)度隨著襯底的R值從0增大而提高。也就是，等離子體密度隨著其從腔室21的室壁向腔室21的中心而降低。在實(shí)際應(yīng)用中，這種等離子體分布有助于在襯底22周圍提供均勻徑向等離子體密度。
圖4D示出根據(jù)在腔室21的內(nèi)周邊上的等離子體密度分布在襯底上的等離子體密度分布的示圖。電子易于在腔室21的室壁上擴(kuò)散而惡化等離子體的效率。從而，當(dāng)?shù)入x子體密度在接近腔室21的室壁部分很高時(shí)，安裝在腔室21的中心部分的襯底22上的等離子體密度如圖4D所示均勻分布，從而在襯底22上均勻形成薄膜。
根據(jù)上述本發(fā)明，可能形成于一側(cè)涂覆的柔性襯底(例如塑料襯底)上的裂紋不會(huì)形成于涂覆在柔性襯底的薄膜中，可獲得采用該塑料襯底的高質(zhì)量塑料顯示器或者高質(zhì)量裝置。
此外，由于生成等離子體的線圈布置在腔室的外周邊上，可防止由于等離子體和電極之間的濺射現(xiàn)象而產(chǎn)生雜質(zhì)。
此外，由于線圈的位置可易于沿腔室的外圓周位移，所以可在所需工藝條件下在襯底周圍分布均勻等離子體密度。當(dāng)同相或者反相電流沿線圈流動(dòng)時(shí)，可在同心圓方向上改變等離子體密度。從而，可在襯底上簡便地獲得均勻等離子體密度。
此外，由于用于將氣體排出腔室的氣體排放單元設(shè)計(jì)為具有連接于泵的主排放孔和子排放孔，子排放孔的尺寸隨著其遠(yuǎn)離主排放孔而增大。
雖然已經(jīng)參照本發(fā)明的示例性實(shí)施例詳細(xì)示出并說明了本發(fā)明，但是本領(lǐng)域技術(shù)人員應(yīng)該理解的是，在不脫離由所附權(quán)利要求確定的本發(fā)明的精神和范圍的情況下可在形式和細(xì)節(jié)上進(jìn)行各種變化。
權(quán)利要求
1.一種等離子體化學(xué)氣相沉積系統(tǒng)，包括腔室，其配置有氣體注入孔；氣體排放單元，其安裝于該腔室上；襯底支座，其設(shè)置于腔室的中心區(qū)域以在暴露該襯底的兩側(cè)的狀態(tài)下支撐襯底；第一和第二線圈，它們生成感應(yīng)磁場，所述第一和第二線圈分別繞該腔室的上、下外周邊設(shè)置。
2.如權(quán)利要求1所述的等離子體化學(xué)氣相沉積系統(tǒng)，其中該襯底支座設(shè)置為封閉該襯底支座的外圓周。
3.如權(quán)利要求2所述的等離子體化學(xué)氣相沉積系統(tǒng)，其中氣體排放單元在其內(nèi)周邊配置有內(nèi)側(cè)氣體排放孔并且在其外周邊配置有外側(cè)排放孔，該腔室中的氣體通過該內(nèi)側(cè)氣體排放孔排出，而該外側(cè)排放孔連接于泵。
4.如權(quán)利要求2所述的等離子體化學(xué)氣相沉積系統(tǒng)，其中該內(nèi)側(cè)氣體排放孔形成于氣體排放單元內(nèi)周邊的至少兩部分上，內(nèi)側(cè)排放孔的各尺寸隨著其遠(yuǎn)離外側(cè)排放孔而增大。
5.如權(quán)利要求2所述的等離子體化學(xué)氣相沉積系統(tǒng)，其中該第一和第二線圈可由螺旋型線圈或者扁平天線型線圈中的一種形成。
6.如權(quán)利要求1所述的等離子體化學(xué)氣相沉積系統(tǒng)，其中該第一和第二線圈設(shè)置為可沿該腔室的外周邊移動(dòng)，從而可調(diào)節(jié)第一和第二線圈之間的距離。
7.如權(quán)利要求1所述的等離子體化學(xué)氣相沉積系統(tǒng)，其中該第一和第二線圈相對于該襯底支座對稱設(shè)置。
8.如權(quán)利要求1所述的等離子體化學(xué)氣相沉積系統(tǒng)，其中該第一和第二線圈的第一端共用高頻發(fā)生器并且該第一和第二線圈的第二端分別連接于第一和第二調(diào)諧電容器。
9.如權(quán)利要求1所述的等離子體化學(xué)氣相沉積系統(tǒng)，其中該氣體注入孔對稱地形成于該腔室的相對的端部上。
10.一種等離子體化學(xué)氣相沉積方法，包括在配置有氣體注入孔和氣體排出孔的腔室的中心區(qū)域中的襯底支座上設(shè)置襯底；以及通過向其間設(shè)置有該襯底的第一和第二線圈施加高頻而在該襯底的兩側(cè)上生成均勻感應(yīng)磁場，從而在該襯底兩側(cè)上形成均勻薄膜。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種等離子體化學(xué)氣相沉積系統(tǒng)，該系統(tǒng)包括腔室，該腔室配置有氣體注入孔；安裝于該腔室上的氣體排放單元；設(shè)置在該腔室的中心區(qū)域的襯底支座，用于將襯底支撐為暴露該襯底兩側(cè)的狀態(tài)；以及生成感應(yīng)磁場的第一和第二線圈。該第一和第二線圈分別繞該腔室的上、下外周邊設(shè)置。
文檔編號(hào)C23C16/507GK1648283SQ200510006108
公開日2005年8月3日 申請日期2005年1月28日 優(yōu)先權(quán)日2004年1月30日
發(fā)明者樸永洙, 尤里·托馬切夫 申請人:三星電子株式會(huì)社