專利名稱：濺射源、濺射裝置和濺射方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及磁控濺射裝置。
背景技術(shù)：
近年來，隨著作為成膜對象體的基板的大型化，濺射源也要求大型化，但由于靶的大型化很困難，如圖6所示，所以考慮具有多個小型靶115的濺射源103。該濺射源103的靶115被并置在同一平面上，各靶115之間配置陽極電極113。
各靶115的表面與作為成膜對象體的基板對置，在背面?zhèn)确謩e配置磁場形成裝置125，放置濺射源103的真空槽內(nèi)導入濺射氣體，在將各陽極電極113置于接地電位的狀態(tài)下，同時向各靶115施加電壓時，通過由磁場形成裝置125形成的磁場，將電子聚集到靶表面附近，這樣靶115被濺射。
但是，該濺射源103中，為了在靶115之間配置陽極電極113，因此，靶115之間的間隙增大了陽極電極113的大小，和基板的靶間的間隙相對的部分的膜質(zhì)與和靶相對的部分的膜質(zhì)不同。
例如，使用4個由長1380mm、寬230mm、厚6mm的ITO(氧化銦錫)構(gòu)成的靶，在各靶之間配置陽極電極，在成膜溫度為200℃、向各靶施加的直流功率分別為5.7kW，4.6kW，4.6kW，5.7kW、磁體部件的掃描次數(shù)為7次、成膜壓力為0.67Pa、氬氣的流量為100sccm的條件下，在長880mm、寬680mm、厚0.7mm的基板的表面上推定膜厚為100nm的ITO薄膜成膜的情況下，如圖7所示，與靶的間隙相對的位置上，片電阻值高，片電阻值的分布為25±10Ω/□。這樣，用已有技術(shù)的濺射源，形成的膜的膜質(zhì)偏差大，難以在大型基板上形成膜質(zhì)均勻的薄膜。參見專利文獻美國專利第6,284,106號說明書，美國專利第6,093,293號說明書發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明是為了解決上述已有技術(shù)的不妥之處，其目的是提供一種在大型基板上形成膜質(zhì)均勻的薄膜的技術(shù)。
為解決上述問題，本發(fā)明是一種多個靶被一起濺射的濺射源，該濺射源在靶安裝板的表面配置多根細長陽極電極，在上述陽極電極和上述陽極電極之間的位置上配置陰極電極，上述各個靶配置在上述陰極電極上，在上述靶安裝板的背面?zhèn)?，在上述各靶的正背面位置上分別配置磁場形成裝置，上述各陽極電極和上述各靶相對上述靶安裝板固定，上述各磁場形成裝置和上述靶安裝板構(gòu)成為可相對移動。
本發(fā)明是一種濺射裝置，具有真空槽；配置在上述真空槽內(nèi)、配置成膜對象的夾持器；配置在上述真空槽內(nèi)的與上述夾持器相對的位置上、設置多個靶的濺射源，上述各靶被一起濺射，該濺射源在靶安裝板的表面配置多根細長陽極電極，上述陽極電極和上述陽極電極之間的位置上分別配置陰極電極，上述靶配置在上述各個陰極電極上，在上述靶安裝板的背面?zhèn)扰渲么朋w保持部件，在上述磁體保持部件上的上述各靶的正背面位置上分別配置上述各靶的表面上形成磁場的磁場形成裝置，上述靶安裝板和上述磁體保持部件連接移動裝置，上述移動裝置構(gòu)成為在與上述各靶的表面所在的平面平行的方向上使上述靶相對上述夾持器移動，同時使上述磁場形成裝置相對上述靶移動。
本發(fā)明是一種濺射裝置，上述移動裝置構(gòu)成為使上述磁場形成裝置相對于上述夾持器相對地移動。
本發(fā)明是一種濺射裝置，在使上述磁場形成裝置移動的情況下，上述移動裝置使上述磁場形成裝置在上述陽極電極和上述陽極電極之間的范圍內(nèi)移動，使得上述磁場形成裝置不位于上述陽極電極的正背面。
本發(fā)明是一種濺射裝置，上述各陽極電極彼此平行地配置，上述移動裝置構(gòu)成為使上述各靶在與相對上述陽極電極的縱方向大致垂直的方向上往復移動。
本發(fā)明是一種濺射裝置，上述移動裝置構(gòu)成為使上述靶的相對于上述陽極電極的縱方向的垂直方向的移動量在上述陽極電極的寬度以上。
本發(fā)明是一種濺射方法，使用如下的濺射源多根細長的陽極電極配置在大致相同的平面上，在上述陽極電極和上述陽極電極之間的位置上配置陽極電極，上述各個靶配置在上述陰極電極上，在上述各靶的背面?zhèn)确謩e配置上述靶表面上形成磁場的磁場形成裝置，并且，相對上述各靶的表面配置成膜對象體，濺射上述各靶，從上述各靶使濺射粒子一起釋放出，在上述成膜對象體表面上形成薄膜，其中，在上述濺射中，不改變上述各靶表面所在的平面與上述成膜對象體的表面所在的平面之間的距離，使上述各靶相對上述成膜對象體相對地移動，同時不改變上述磁場形成裝置與上述各靶的上述背面之間的距離，使上述磁場形成裝置和上述靶相對地移動。
本發(fā)明是一種濺射方法，上述各陽極電極的寬度大致相等，上述各陽極電極彼此平行地配置，上述靶對上述成膜對象體的移動量中相對于上述陽極電極的縱方向的垂直成分比上述陽極電極的寬度大。
本發(fā)明是一種濺射方法，使上述各靶與上述各陽極電極一起在同一方向上移動。
本發(fā)明是一種濺射方法，使上述磁場形成裝置與上述成膜對象體相對地移動。
本發(fā)明是一種濺射方法，使上述磁場形成裝置在上述陽極電極和上述陽極電極之間的范圍內(nèi)移動，使得上述磁場形成裝置不位于上述陽極電極的正背面。
本發(fā)明為如上構(gòu)成，在陰極電極和陰極電極之間的位置上配置陽極電極。因此，陰極電極和陽極電極接近，各陰極電極上施加相對于陽極電極的負的高電壓、或交流電壓時，位于各陰極電極上的靶的表面上形成均勻的等離子體。
在各陰極電極上配置用相同材料構(gòu)成的靶，向各陰極電極施加相同大小的電壓時，各靶的濺射速度變相同。
與各靶相對，配置1塊大直徑基板、使各靶相對基板移動的情況下，使各靶移動陽極電極的寬度以上時，基板的任何位置上都沒有了仍與陽極電極相對的部分，全部的部分與靶相對，因此基板表面上可形成膜厚、膜質(zhì)分布均勻的薄膜。
具有寬度不同的陽極電極的情況下，各靶的移動量為最大寬度以上。各靶和陽極電極之間的距離大到不能忽視的情況下，各靶的移動量可在靶與靶之間的間隔以上。
而且，在各靶的背面?zhèn)扰渲玫拇艌鲂纬裳b置，一邊相對于各靶相對地移動一邊進行濺射，其結(jié)果是靶的很寬區(qū)域被濺射，靶的使用效率提高。
并且，各磁場形成裝置相對靶移動，且相對于成膜對象的基板作相對移動時，由各磁場形成裝置形成的磁場也相對于基板作相對移動，其結(jié)果是基板表面上形成的薄膜的膜厚分布更均勻。
各磁場形成裝置在陽極電極與陽極電極之間的范圍中移動，使得其不位于陽極電極的正背面，因此不在陽極電極表面形成強磁場，不濺射陽極電極。


圖1是說明本發(fā)明的濺射裝置的剖面圖；圖2是說明陽極電極和靶的位置關(guān)系的平面圖；圖3是說明靶相對基板移動時的位置關(guān)系的剖面圖；圖4是說明第二濺射源的剖面圖；圖5是說明第三濺射源的剖面圖；圖6是說明已有技術(shù)的濺射源的剖面圖；圖7是說明使用已有技術(shù)的濺射源的情況下的膜質(zhì)分布的曲線。
具體實施例方式
下面參考

本發(fā)明的實施例。圖1的符號1表示使用本發(fā)明的濺射源的濺射裝置。該濺射裝置1具有真空槽2、配置在真空槽2內(nèi)部的天井側(cè)的基板夾持器7、配置在真空槽2內(nèi)部的與基板夾持器7的下方相對的位置上的濺射源3。
濺射源3具有靶安裝板11。靶安裝板11上彼此平行地分開配置多根細長的陽極電極31。如圖2所示，各陽極電極31的兩端配置細長的連接電極32。各陽極電極31和兩端的連接電極32彼此連接，通過這些電極31，32形成開口39。
各開口39內(nèi)部配置陰極電極13，使得其不與陽極電極31和連接電極32接觸，因此各陰極電極13位于陽極電極31和陽極電極31之間。
各陰極電極13上配置靶15，使得其與陰極電極13同樣，不與陽極電極31和連接電極32接觸。靶15形成得比開口39直徑小，靶15位于開口39的中央部分，因此，在靶15的表面，與陰極電極13相反側(cè)的面在開口39內(nèi)露出。
將各靶15的表面作到同一平面上，將后述的基板保持在基板夾持器7的狀態(tài)下，基板與各靶15的表面平行地配置。在靶安裝板11的背面位置上，在與陰極電極13相反側(cè)的位置上將板狀的磁體保持部件21與靶安裝板11大致平行地配置。
在磁體保持部件21上，在靶安裝板11與磁體保持部件21之間的位置上配置多個磁場形成裝置25。各磁場形成裝置25位于陰極電極13和靶15的正背面，結(jié)果，靶15和磁場形成裝置25夾持靶安裝板11與陰極電極13彼此相對。
磁場形成裝置25的寬度比陰極電極13、靶15的寬度小，在磁場形成裝置25靜止的狀態(tài)下，磁場形成裝置25位于靶15的正背面。該濺射裝置1具有在真空槽2外部配置的移動裝置41。移動裝置41具有第一、第二馬達42a，42b。
靶安裝板11與磁體保持部件21經(jīng)動力傳輸部件43a，43b連接第一、第二馬達42a，42b，使第一、第二馬達42a，42b動作時，第一、第二馬達42a，42b的動力通過動力傳輸部件43a，43b傳遞到靶安裝板11與磁體保持部件21，靶安裝板11與磁體保持部件21仍維持彼此平行的狀態(tài)進行移動。
靶安裝板11上的陽極電極31、陰極電極13和靶15分別相對靶安裝板11被固定，如上所述，使第一馬達42a動作、移動靶安裝板11時，陽極電極31、陰極電極13和靶15一起在相同方向上動作。
磁場形成裝置25由1或2個以上的永磁體構(gòu)成，各磁體分別固定在磁體保持部件21上，因此如上所述，使第二馬達42b動作、移動磁體保持部件21時，各磁場形成裝置25一起在相同方向上動作。
真空槽2外配置真空排氣系統(tǒng)9和濺射氣體供給系統(tǒng)8，通過真空排氣系統(tǒng)9將真空槽2的內(nèi)部進行排真空，形成真空狀態(tài)。仍維持真空槽2的內(nèi)部的真空狀態(tài)、將作為成膜對象體的基板10運送進真空槽2內(nèi)，使之保持在基板夾持器7上。接著，從濺射氣體供給系統(tǒng)8向真空槽2內(nèi)部導入作為濺射氣體的氬(Ar)氣，形成規(guī)定壓力的成膜狀態(tài)。
該濺射裝置1中，將陽極電極31和真空槽2置于接地電位，仍維持真空槽2內(nèi)部的成膜狀態(tài)、向各陰極電極13施加相同的負電壓時，各靶15的表面分別被濺射，從各靶15釋放出的濺射粒子到達一塊基板10的表面。
靶15被濺射時，基板10在靜止狀態(tài)下保持于基板夾持器7上，但通過移動裝置41，靶安裝板11相對基板10移動。
圖1的符號S表示放置基板10的與濺射源3相對側(cè)的面的第一平面，符號T表示分別放置靶15的表面的第二平面。
如上所述，由于基板10與各靶15的表面平行地保持在基板夾持器7上，因此第一平面S和第二平面T彼此平行。
通過移動裝置41，靶安裝板11使各靶15的表面在相對第二平面T平行的方向上移動。各靶15與靶安裝板11一起移動，各靶15的表面通過該移動而移動過第二平面T內(nèi)部。
如上所述，由于第二平面T與第一平面S平行，因此各靶15在其平面相對基板4平行的狀態(tài)下移動。因此，各靶15在不改變第一平面S和第二平面T之間的距離D1的狀態(tài)下進行移動。
當陽極電極31的寬度為A時，在各靶15相對基板10平行的方向上，即在相對陽極電極31的縱向方向的垂直方向上，如果移動得大于寬度A，則基板10的表面全部與陽極電極31以外的部分，即與陽極電極和陽極電極之間的部分相對。
這里，陽極電極31和靶15之間的距離非常短，設靶15和靶15之間的間隔為A’時，間隔A’與陽極電極31的寬度A大致相等，因此如果使靶15移動陽極電極31的寬度A以上，則基板10的表面全部與靶15相對。
圖3的符號(a)～(c)表示往復移動各靶15時的狀態(tài)，圖3中，靶15在圖的紙面左右方向上往復時，(a)是靶向左方向移動的時候，(b)是靶15向右方向移動的時候，(c)表示其中間狀態(tài)。
在靶15往復移動的情況下，靶15相對陽極電極31的寬度方向，由于向左方向和右方向的兩方移動，所以靶15的移動量是以陽極電極的寬度方向的中心為原點，將靶15往復移動，使得在其寬度方向上為左A/2(+A/2)以上、右A/2(-A/2)以上，此時，靶15的陽極電極31的寬度方向的移動量為陽極電極31的寬度(A)以上，結(jié)果，基板10的表面全部與靶15相對。
靶15在相對陽極電極31的縱向方向的不垂直方向上移動時，其移動量分為相對陽極電極31的縱向平行的方向和相對其垂直的方向，如果相對陽極電極31的縱向方向的垂直方向的移動量在陽極電極31的寬度A以上，那么即便是靶15進行圓周運動的情況下，或相對陽極電極31傾斜移動的情況下，靶15都使得基板10的表面全部與陽極電極31以外的部分，即與濺射源3的基板10側(cè)的面的陽極電極31以外的部分相對。
此時，相對陽極電極31的縱向方向的垂直方向的移動量，如果在靶15的間隔A’以上，則基板10的表面全部與靶15相對，因此而更好。
另外，靶15被濺射時，各磁場形成裝置25也相對靶15往復移動。
圖1的符號M是磁場形成裝置25的表面，表示朝向靶15的面的第三平面。
如上所述，由于磁體保持部件21在仍維持相對靶安裝板11平行的情況下移動，因此第三平面M相對靶15平行地移動。
因此，各磁場形成裝置25的表面如果在同一平面，則磁場形成裝置25在不改變到靶15背面的距離D2的狀態(tài)下進行移動，因此隨著磁場形成裝置25的移動，靶15的表面處的泄漏磁場強度不改變，濺射速度一定。但是，靶15上的特定位置的磁場強度變化。
使各磁場形成裝置25相對靶15移動時，如果使各磁場形成裝置25在配置在一個靶兩側(cè)的陽極電極31之間的位置上移動，則磁場形成裝置25不與陽極電極31相對，從而被磁場高效濺射的區(qū)域不會涉及到陽極電極31。
上述濺射裝置1中，將4個ITO構(gòu)成的靶15(長1380mm、寬230mm、厚6mm)配置在濺射源3，在成膜溫度為200℃、對各靶15的投入功率分別為5.7kW，4.6kW，4.6kW，5.7kW、磁體形成裝置25的掃描次數(shù)為7次、成膜壓力為0.67Pa、氬氣的流量為100sccm的條件下，在長880mm、寬680mm、厚0.7mm的基板的表面上將推定膜厚為100nm的ITO薄膜進行成膜，測定片電阻，其片電阻值的分布為25±3Ω/□的范圍，與原來相比，確認了片電阻值的偏差很小。
另外，靶安裝板11具有支持板12、支持板12的一面上安裝的絕緣性的冷卻板14，在冷卻板14的安裝于支持板12上的一側(cè)的面上設置溝槽，在該溝槽的內(nèi)周面和支持板12包圍的空間中流過冷卻媒體。由于陰極電極13與該冷卻板14緊密安裝，因此如果在溝槽的內(nèi)周面和支持板12包圍的空間中流過冷卻媒體，則可冷卻陰極電極13和靶15。
以上說明了全部的靶15的表面相對基板10平行配置的情況，本發(fā)明不限定于此。圖4表示在具有相對基板10的表面傾斜的靶55的第二濺射源50之間，配置上述濺射源3的例子，各濺射源3，50被配置成陽極電極31、61在縱向上彼此平行。
僅使用靶15的表面全部與基板10平行設置的濺射源3，容易將基板10的端部的膜厚做的薄，但通過第二濺射源50由于能補充到達基板10表面端部的濺射粒子的量，從而基板10的表面上形成膜厚分布均勻的膜。
第二濺射源50使靶55、安裝板51、陽極電極61和陰極電極53一起往復移動，使得靶55的朝向基板10的面在同一平面內(nèi)移動。因此，靶55的表面仍維持相對基板傾斜的角度而移動。圖4的符號69表示該往復移動的方向。
在第二濺射源50的靶55的背面?zhèn)鹊奈恢蒙吓渲么艌鲂纬裳b置65，當靶55移動時，由于該磁場形成裝置65也相對靶55往復移動，因此靶55的很寬區(qū)域被濺射。
不限于靶55往復移動的情況。圖5的符號70表示第三濺射源，在該第三濺射源70中，靶75將通過其表面中心部分的垂線88所處的一點作為中心89，僅移動開±θ來一起旋轉(zhuǎn)安裝板71、陽極電極81、陰極電極73。
上述濺射源3被配置在2個第三濺射源70之間，各濺射源3，70被配置成陽極電極31、81在縱方向上彼此平行。
在第三濺射源70中，由于磁場形成裝置85一邊與靶75一起旋轉(zhuǎn)，一邊相對靶75的表面平行地往復移動，因此靶75的很寬區(qū)域被濺射。
以上說明了1個濺射源中配置的全部的靶15都一起移動的情況，但本發(fā)明不限定于此，只要靶15彼此不沖突，可將各個靶15固定在各自的安裝板上，分別使之移動。
以上說明了使靶15相對基板10移動陽極電極31的寬度A以上的情況，但陽極電極31和靶15之間的距離大到不能忽視的情況下，靶15的相對陽極電極31的縱向方向的垂直方向的移動量，最好在靶15和靶15的間隔A’以上。
以上說明了在使基板10靜止的狀態(tài)下進行濺射的情況，但本發(fā)明不限定于此。例如，一邊使基板10在水平面內(nèi)旋轉(zhuǎn)一邊濺射的情況、或使基板10和靶15二者一起移動的情況也包含在本發(fā)明中。
在使基板10和靶15二者一起移動的情況下，結(jié)果，由于磁場形成裝置25相對基板10和靶15二者相對地移動，因此也可使磁場形成裝置25靜止。另外，如果磁場形成裝置25相對基極10、或靶15相對移動，則使基板10和靶15移動的同時，也可使磁場形成裝置25移動。
濺射時，可向各陰極電極13施加各自不同的大小的電壓。例如，如果向靠近基板10兩端的位置的陰極電極13施加比其他陰極電極13大的電壓，則基板10上形成的膜的膜厚分布更均勻。進一步，通過陽極電極的位置、形狀、電位等適當變化也可調(diào)整膜厚分布。
濺射氣體的種類不限定于氬氣，可使用氙氣(Xe)、氪氣(Kr)等的種種氣體。也可與濺射氣體一起一邊向真空槽2內(nèi)供給像氧氣(O2)的這類反應氣體一邊進行濺射。磁場形成裝置25不限定于由永磁體構(gòu)成的情況，可使用由1或2個電磁體構(gòu)成的磁場形成裝置25。
根據(jù)本發(fā)明，由于在濺射中靶相對基板移動，因此基板上形成的膜的膜厚分布和膜質(zhì)分布變得均勻。在濺射中，由于磁場形成裝置相對靶相對地移動，因此基板的很寬區(qū)域被濺射。進一步，如果使磁場形成裝置相對基板也相對移動，則大部分被濺射的靶的區(qū)域相對基板移動，從而基板上形成的膜的膜厚更均勻。另外，由于磁場形成裝置在配置于1個靶的兩側(cè)的陽極電極之間的位置上動作，因此不濺射陽極電極。
權(quán)利要求
1.一種多個靶一起被濺射的濺射源，其特征在于，該濺射源在靶安裝板的表面配置多根細長陽極電極，在上述陽極電極和上述陽極電極之間的位置上配置陰極電極，上述各個靶被配置在上述陰極電極上，在上述靶安裝板的背面?zhèn)?，上述各靶的正背面位置上分別配置磁場形成裝置，上述各陽極電極和上述各靶相對于上述靶安裝板被固定，上述各磁場形成裝置和上述靶安裝板構(gòu)成為可相對移動。
2.一種濺射裝置，具有真空槽；配置在上述真空槽內(nèi)的、并配置成膜對象的夾持器；配置在上述真空槽內(nèi)的與上述夾持器相對的位置上的、設置有多個靶的濺射源，并且，上述各靶一起被濺射，其特征在于，該濺射源在靶安裝板的表面配置多根細長陽極電極，在上述陽極電極和上述陽極電極之間的位置上分別配置陰極電極，上述靶配置在上述各個陰極電極上，在上述靶安裝板的背面?zhèn)扰渲么朋w保持部件，在上述磁體保持部件上的上述各靶的正背面位置上，分別配置上述各靶的表面上形成磁場的磁場形成裝置，上述靶安裝板和上述磁體保持部件連接移動裝置，上述移動裝置構(gòu)成為在與上述各靶的表面所在的平面平行的方向上，使上述靶相對上述夾持器移動，同時使上述磁場形成裝置相對上述靶移動。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的濺射裝置，其特征在于，上述移動裝置構(gòu)成為使上述磁場形成裝置相對于上述夾持器相對地移動。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的濺射裝置，其特征在于，在使上述磁場形成裝置移動的情況下，上述移動裝置使上述磁場形成裝置在上述陽極電極和上述陽極電極之間的范圍內(nèi)移動，以使上述磁場形成裝置不位于上述陽極電極的正背面。
5.根據(jù)權(quán)利要求2所述的濺射裝置，其中上述各陽極電極彼此平行地配置，其特征在于，上述移動裝置構(gòu)成為使上述各靶在相對于上述陽極電極的縱方向大致垂直的方向上往復移動。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的濺射裝置，其特征在于，上述移動裝置構(gòu)成為使上述靶的相對于上述陽極電極的縱方向的垂直方向的移動量在上述陽極電極的寬度以上。
7.一種濺射方法，使用多根細長的陽極電極配置在大致相同的平面上的、在上述陽極電極和上述陽極電極之間的位置上配置陰極電極的、在上述陰極電極上分別配置靶的、在上述各靶的背面?zhèn)确謩e配置上述靶表面上形成磁場的磁場形成裝置的濺射源，并且，相對上述各靶的表面配置成膜對象體，濺射上述各靶，從上述各靶使濺射粒子一起釋放，在上述成膜對象體表面上形成薄膜，其特征在于，在上述濺射中，在不改變上述各靶表面所在的平面與上述成膜對象體的表面所在的平面之間的距離的狀態(tài)下，使上述各靶相對上述成膜對象體相對地移動，同時在不改變上述磁場形成裝置與上述各靶的上述背面之間的距離的狀態(tài)下，使上述磁場形成裝置和上述靶相對地移動。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的濺射方法，其特征在于，上述各陽極電極的寬度大致相等，上述各陽極電極彼此平行地配置，上述靶對上述成膜對象體的移動量中，相對于上述陽極電極的縱方向的垂直成分比上述陽極電極的寬度大。
9.根據(jù)權(quán)利要求7所述的濺射方法，其特征在于，使上述各靶與上述各陽極電極一起，在同一方向上移動。
10.根據(jù)權(quán)利要求8所述的濺射方法，其特征在于，使上述各靶與上述各陽極電極一起，在同一方向上移動。
11.根據(jù)權(quán)利要求7所述的濺射方法，其特征在于，使上述磁場形成裝置與上述成膜對象體相對地移動。
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的濺射方法，其特征在于，使上述磁場形成裝置在上述陽極電極和上述陽極電極之間的范圍內(nèi)移動，以使上述磁場形成裝置不位于上述陽極電極的正背面。
全文摘要
在本發(fā)明中，當靶(15)被濺射時，由于各個靶(15)相對基板(10)移動，濺射時基板(10)的全部區(qū)域變?yōu)槎寂c靶(15)相對，可在基板(10)的表面上形成膜質(zhì)均勻的膜。另外，在濺射時，由于不僅靶(15)相對基板(10)移動，磁場形成裝置(25)也相對靶(15)移動，因此靶(15)的很寬區(qū)域被濺射。進而，如果使磁場形成裝置(25)也相對基板(10)移動，則靶(15)就變?yōu)榇蟛糠直粸R射的區(qū)域相對基板(10)移動，以使基板(10)上形成的膜的膜厚分布更均勻。
文檔編號C23C14/34GK1572900SQ200410045720
公開日2005年2月2日 申請日期2004年5月21日 優(yōu)先權(quán)日2003年5月23日
發(fā)明者佐藤重光, 末代政輔, 大空弘樹, 清田淳也, 中村肇, 石橋曉, 太田淳 申請人:株式會社愛發(fā)科