專利名稱：用于制作有機(jī)電致發(fā)光顯示器的蒸鍍裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種用于制作有機(jī)電致發(fā)光顯示器的蒸鍍裝置。
背景技術(shù)：
目前國內(nèi)外在有機(jī)電致發(fā)光顯示器的制作過程中，所使用的蒸鍍裝置采用將待蒸鍍的基片與蒸發(fā)源置放在同一真空腔室中，蒸發(fā)源放置在待蒸鍍的基片的下方，所述基片的下表層貼有一層掩模板，所述的掩模板根據(jù)不同的蒸鍍要求，比如，需要在基片上蒸鍍出特定的圖形，則事先在掩模板上制作出特定要求的圖形小孔；在該真空腔室中置放有用來鍍膜的蒸發(fā)源(一般為固態(tài)或粉末態(tài)的有機(jī)小分子材料)，蒸鍍時(shí)將該蒸發(fā)源加熱至預(yù)定溫度，促使置放于其中的蒸發(fā)源升華或蒸發(fā)，最終，沉積在帶掩模板的基片上，蒸鍍完成后去除該掩模板即可得到所需圖形的有機(jī)電致發(fā)光顯示器的發(fā)光層。
這種結(jié)構(gòu)的蒸鍍裝置存在的缺陷主要有由于與基片處于同一真空腔室中的蒸發(fā)源放置在基片的下方，基片的待蒸鍍面必須面向蒸發(fā)源，由此，掩模板則只能貼在基片的下表層，因?yàn)橛袡C(jī)發(fā)光顯示器的象素精度在微米量級，為保證圖形精度，掩模板很薄，這樣易造成貼于基片下表層的掩模板受自重影響，產(chǎn)生中部下沉現(xiàn)象，使得掩模板與基片之間間隙不一致，致使蒸鍍出來的圖形不準(zhǔn)確；另外，傳統(tǒng)的蒸發(fā)源為點(diǎn)狀蒸發(fā)源，由于點(diǎn)狀蒸發(fā)源在升華后，是以蒸發(fā)源為中心成圓錐形放射狀向基片擴(kuò)散并沉積的，如圖1所示，這樣易造成基片各處的膜厚不均勻，為克服此缺點(diǎn)，一般采用增加點(diǎn)源與基片之間的距離，以便提高膜厚均勻性，由此又帶來了其它兩個(gè)缺陷1、真空室體積變大，使整個(gè)真空系統(tǒng)造價(jià)提高；2、更為嚴(yán)重的是造成了有機(jī)材料的利用率極低，造成了生產(chǎn)運(yùn)營成本的大幅度提高。還有一種方式就是在同一真空腔室中設(shè)置多個(gè)點(diǎn)狀蒸發(fā)源，但是，通過增加蒸發(fā)源的數(shù)量的方式來提高蒸鍍圖案的精確性以及膜厚的均勻性總是有一定限度的，因?yàn)楦鱾€(gè)點(diǎn)狀蒸發(fā)源之間仍然是間斷的或不連續(xù)的。這樣在對蒸鍍圖案的精確性以及膜厚的均勻性要求較高的場合，此種結(jié)構(gòu)的蒸鍍裝置并不能滿足實(shí)際生產(chǎn)的要求，尤其是在使用多種蒸發(fā)源的場合，很難有理想的效果。
另外，這種結(jié)構(gòu)的蒸鍍裝置由于將待蒸鍍的基片與蒸發(fā)源置于同一真空腔室中，當(dāng)需要重新添加蒸發(fā)源時(shí)，必須在大氣狀態(tài)下將該真空腔室打開，裝入蒸發(fā)源后再關(guān)閉真空室門，重新抽真空，對生產(chǎn)效率影響很大。在生產(chǎn)中，經(jīng)常需要添加或更換蒸發(fā)源中的主材料和摻雜材料，因此，這種結(jié)構(gòu)的蒸鍍裝置的缺陷就更加明顯。
此外，由于這種蒸鍍裝置中作為蒸發(fā)源的有機(jī)小分子材料本身導(dǎo)熱性能并不強(qiáng)，因此，蒸發(fā)器中最先升華的往往是位于蒸發(fā)器的內(nèi)壁周圍的那部分蒸發(fā)源，而位于蒸發(fā)器中心部位的蒸發(fā)源則不易受熱，難以升華。這會(huì)使得作為蒸發(fā)源的有機(jī)小分子材料不能完全利用，由于蒸鍍發(fā)光顯示器發(fā)光層所用的蒸發(fā)源材料價(jià)格特別昂貴，比如常用的蒸發(fā)源材料NPB的價(jià)格達(dá)90美元/克，所以此種蒸鍍裝置對蒸發(fā)源材料利用率很低致使蒸鍍成本較高。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明所要解決的技術(shù)問題是旨在提出一種可以得到精確的基片蒸鍍圖案的蒸鍍裝置。
本發(fā)明另一個(gè)目的是提出一種可以得到均勻厚度的基片蒸鍍膜的蒸鍍裝置。
本發(fā)明進(jìn)一步的目的是提出一種可以有效地提高蒸發(fā)源的利用率的蒸鍍裝置。
根據(jù)本發(fā)明，一種用于制作有機(jī)電致發(fā)光顯示器的蒸鍍裝置，包括至少一個(gè)可以被密封的第一蒸發(fā)器，第一蒸發(fā)源放置在所述的第一蒸發(fā)器的內(nèi)腔中，還包括第一加熱器，所述的第一加熱器位于所述的第一蒸發(fā)器的壁體之中或壁體的外側(cè)；還包括有一個(gè)真空狀態(tài)的蒸鍍室，所述的蒸鍍室獨(dú)立于第一蒸發(fā)器之外并和第一蒸發(fā)器相連通，基片位于所述的蒸鍍室內(nèi)的工作臺(tái)的臺(tái)面上，掩模板貼于所述的基片的上表面或外表層，所述的蒸鍍室與真空抽氣裝置相通。
本發(fā)明還可進(jìn)一步包括有混合腔室和第二蒸發(fā)器，所述的混合腔室通過第一輸入管道與所述的第一蒸發(fā)器相通、通過第二輸入管道與所述的第二蒸發(fā)器相通、通過輸出管道與所述的蒸鍍室相通，第二蒸發(fā)源放置在所述的第二蒸發(fā)器的內(nèi)腔中，第二加熱器位于所述的第二蒸發(fā)器的壁體之中或壁體的外側(cè)。
本發(fā)明還可進(jìn)一步包括一個(gè)氣源，所述的氣源通過第一輸氣管道與所述的第一蒸發(fā)器的內(nèi)腔相通并可以通過第一輸氣管道向所述的第一蒸發(fā)源的表面輸送熱氣；所述的氣源通過第二輸氣管道與所述的第二蒸發(fā)器的內(nèi)腔相通并可以通過第二輸氣管道向所述的第二蒸發(fā)源的表面輸送熱氣。
由于本發(fā)明將待蒸鍍的基片與蒸發(fā)源分別置放在不同的真空腔室蒸鍍室與蒸發(fā)器中，使得基片的待蒸鍍面可以朝上放置在蒸鍍室內(nèi)的工作臺(tái)上，這樣掩模板就可以貼于所述的基片的上表面，相比較現(xiàn)有技術(shù)，掩模板因自重下垂而與基片產(chǎn)生的間隙，在本發(fā)明中將不復(fù)存在，由此間隙而致的蒸鍍不精確的現(xiàn)象，在本發(fā)明中得到了徹底的根除，即使使用低成本的掩模板仍然可以得到滿足要求的各種精確蒸鍍圖案。
由于在本發(fā)明的蒸鍍室與蒸發(fā)器之間還進(jìn)一步地設(shè)有混合腔室，這樣不同的蒸發(fā)源可以放置在不同的蒸發(fā)器中，蒸發(fā)以后的氣態(tài)的蒸發(fā)源材料在進(jìn)入蒸鍍室前可以在混合腔室內(nèi)事先得到充分的混合，不需要設(shè)置較大空間的蒸鍍室就可以對基片進(jìn)行均勻的蒸鍍，因而在降低設(shè)備成本的同時(shí)，還可以得到均勻厚度的基片蒸鍍膜。
此外，由于本發(fā)明另外設(shè)置了由氣源和各輸氣管道構(gòu)成的可以向各蒸發(fā)源的表面輸送熱氣的獨(dú)立的氣體加熱系統(tǒng)，因此，實(shí)際使用中可以由各個(gè)加熱器對各蒸發(fā)源進(jìn)行預(yù)加熱，等到蒸發(fā)源接近工作狀態(tài)時(shí)，可以通過增設(shè)的氣體加熱系統(tǒng)向其表面輸送熱氣，使蒸發(fā)源表面溫度繼續(xù)升高達(dá)到或略高于作為蒸發(fā)源的有機(jī)小分子材料蒸發(fā)溫度，這樣，置放在蒸發(fā)器的內(nèi)腔中的蒸發(fā)源升華時(shí)總是自其表面由上而下依次升華，并由所輸送氣體攜帶至基片上，不會(huì)出現(xiàn)有機(jī)小分子材料受熱不均勻、蒸鍍濃度不穩(wěn)定的現(xiàn)象，既有利于提高蒸鍍質(zhì)量，又可以大幅度提高各蒸發(fā)源的利用率，從而有效地降低生產(chǎn)成本本發(fā)明的目的，特征及優(yōu)點(diǎn)將通過實(shí)施例結(jié)合附圖進(jìn)行詳細(xì)說明。


圖1是現(xiàn)有技術(shù)中的蒸鍍裝置在蒸鍍時(shí)的示意圖；圖2是本發(fā)明用于制作有機(jī)電致發(fā)光顯示器的蒸鍍裝置一種實(shí)施例的結(jié)構(gòu)示意圖；圖3是本發(fā)明用于制作有機(jī)電致發(fā)光顯示器的蒸鍍裝置中使用的噴淋頭在氣流進(jìn)管與氣流勻化腔結(jié)合處的橫截面圖；圖4是本發(fā)明用于制作有機(jī)電致發(fā)光顯示器的蒸鍍裝置中使用的噴淋頭的結(jié)構(gòu)示意圖。
具體的實(shí)施方式參照圖2，一種用于制作有機(jī)電致發(fā)光顯示器的蒸鍍裝置，包括至少一個(gè)可以被密封的第一蒸發(fā)器20，第一蒸發(fā)源202放置在所述的第一蒸發(fā)器20的內(nèi)腔中，還包括第一加熱器201，所述的第一加熱器201位于所述的第一蒸發(fā)器20的壁體之中或壁體的外側(cè)；還可進(jìn)一步包括一個(gè)氣源1，所述的氣源通過第一輸氣管道10與所述的第一蒸發(fā)器20的內(nèi)腔相通并可以通過第一輸氣管道10向所述的第一蒸發(fā)源202的表面輸送熱氣；還有一個(gè)真空狀態(tài)的蒸鍍室60，所述的蒸鍍室60獨(dú)立于第一蒸發(fā)器20之外并和第一蒸發(fā)器20相連通，基片8位于所述的蒸鍍室60內(nèi)的工作臺(tái)9的臺(tái)面上，掩模板7貼于所述的基片8的向上的表層，所述的蒸鍍室60可以在底部與真空抽氣裝置61相通。
由于本發(fā)明將待蒸鍍的基片與蒸發(fā)源分別置放在不同的真空腔室蒸鍍室與各個(gè)蒸發(fā)器中，這樣，掩模板7就可以貼于所述的基片8的上表層，基片8則可以位于所述的蒸鍍室內(nèi)的工作臺(tái)9的的臺(tái)面上，顯然，本發(fā)明的工作臺(tái)9的臺(tái)面并不局限于水平狀態(tài)，傾斜一定的角度，甚至為垂直狀態(tài)也是可以的，此時(shí)，掩模板7就貼于所述的基片8的上表面或外表層，這樣的改動(dòng)應(yīng)該仍在本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。通過與蒸鍍室60相通的真空抽氣管道61，保持蒸鍍室60一定的真空度，完成對基片的蒸鍍工序，相比較現(xiàn)有技術(shù)，掩模板因自重下垂而與基片產(chǎn)生的間隙，在本發(fā)明中將不復(fù)存在，由此間隙而致的蒸鍍不準(zhǔn)確的現(xiàn)象，在本發(fā)明中得到了徹底的根除。實(shí)際生產(chǎn)中，即使使用厚度達(dá)0.2毫米的低成本的掩模板就可以獲得在現(xiàn)有技術(shù)中使用0.02毫米的掩模板才能獲得的各種精確蒸鍍圖案，減低成本的同時(shí)還可以提高蒸鍍質(zhì)量。
本發(fā)明還可以包括有混合腔室4和第二蒸發(fā)器21，所述的混合腔室4通過第一輸入管道30與所述的第一蒸發(fā)器20相通、通過第二輸入管道31與所述的第二蒸發(fā)器2 1相通、通過輸出管道32與所述的蒸鍍室60相通，第二蒸發(fā)源212放置在所述的第二蒸發(fā)器21的內(nèi)腔中，第二加熱器211位于所述的第二蒸發(fā)器2 1的壁體之中或壁體的外側(cè)；本發(fā)明可以進(jìn)一步的在所述的第一輸入管道30、第二輸入管道31、輸出管道32上均設(shè)有控制管道開合的閥門5；所述的氣源1則通過第二輸氣管道11與所述的第二蒸發(fā)器21的內(nèi)腔相通并可以通過第二輸氣管道11向所述的第二蒸發(fā)源212的表面輸送熱氣。這樣設(shè)置的目的是蒸發(fā)以后的氣態(tài)的蒸發(fā)源材料，即氣態(tài)的有機(jī)小分子材料在進(jìn)入蒸鍍室前，在混合腔室4內(nèi)可以得到充分、均勻的混合，避免了因不同的氣態(tài)的蒸發(fā)源材料在蒸鍍室中的不均勻的分布而造成基片各處的攙雜不均勻等現(xiàn)象，這樣，也就不再需要設(shè)置較大空間的蒸鍍室，提高蒸鍍的膜厚的均勻性和蒸鍍的精確度，因而可以降低設(shè)備成本；另外，當(dāng)需要重新添加某一個(gè)作為蒸發(fā)源的有機(jī)小分子材料時(shí)，只需要關(guān)閉相應(yīng)管道的閥門，并單獨(dú)打開置放該蒸發(fā)源的蒸發(fā)器即可，無需改變蒸鍍室的真空狀態(tài)，就可以非常方便地對不同的蒸鍍源進(jìn)行單獨(dú)連續(xù)加料，這樣，利用本發(fā)明時(shí)，可以有效地提高了生產(chǎn)效率。
由上所述，由于在本發(fā)明中另外設(shè)置了由氣源1和各輸氣管道構(gòu)成的可以向各蒸發(fā)源的表面輸送熱氣的獨(dú)立的氣體加熱系統(tǒng)，因此，實(shí)際使用中，若所使用某一蒸發(fā)源的蒸發(fā)溫度為T，可以由第一加熱器或第二加熱器對該蒸發(fā)源進(jìn)行預(yù)加熱，升溫至T1，T1的值略微低于T的值，使得該蒸發(fā)源接近工作狀態(tài)，此時(shí)，可以通過增設(shè)的氣體加熱系統(tǒng)向其表面輸送溫度為T2的熱氣，T2的值略微高于T的值，所輸送的熱氣最好是不會(huì)與該蒸發(fā)源中的有機(jī)小分子材料發(fā)生反應(yīng)的氣體，這樣可以保證蒸發(fā)源原有的性能不變化；經(jīng)該熱氣源第二次加熱后，蒸發(fā)源的表面溫度繼續(xù)升高達(dá)到或略高于其蒸發(fā)溫度T，此時(shí)，蒸發(fā)源表面部分的有機(jī)小分子材料開始升華，采用本發(fā)明后，置放在各蒸發(fā)器內(nèi)腔中的蒸發(fā)源升華時(shí)總是自其表面由上而下依次升華，并由所輸送的氣體經(jīng)混合腔室4攜帶至蒸鍍室內(nèi)，不會(huì)出現(xiàn)不同部位的蒸發(fā)源受熱不均勻、氣態(tài)的蒸發(fā)源材料，即氣態(tài)的有機(jī)小分子材料濃度前后不穩(wěn)定的現(xiàn)象，既有利于提高蒸鍍質(zhì)量，又可以大幅度提高蒸發(fā)源的利用率，從而有效地降低生產(chǎn)成本。同時(shí)。本發(fā)明由于有兩套獨(dú)立的加熱系統(tǒng)，一套為由加熱器構(gòu)成的加熱系統(tǒng)，另一套為由各個(gè)輸氣管道構(gòu)成的氣體加熱系統(tǒng)，還產(chǎn)生了一個(gè)另外的效果即可以通過控制進(jìn)入蒸發(fā)器內(nèi)腔的熱氣體與各個(gè)加熱器的溫度差，達(dá)到控制各蒸發(fā)源的蒸鍍時(shí)間和生產(chǎn)節(jié)拍；在各個(gè)輸氣管道上還可以進(jìn)一步安裝氣體流量計(jì)15以準(zhǔn)確控制進(jìn)入各個(gè)蒸發(fā)器內(nèi)的熱氣源的速率，使得蒸鍍時(shí)間和生產(chǎn)節(jié)拍的控制更為精確。
為了進(jìn)一步提高蒸鍍的膜厚的均勻性和蒸鍍圖案的精確度，克服現(xiàn)有技術(shù)中的單點(diǎn)蒸發(fā)源或多點(diǎn)蒸發(fā)源對提高蒸鍍膜厚的均勻性和蒸鍍圖案的精確度的限制，本發(fā)明還可以進(jìn)一步包括一個(gè)噴淋頭63，參照圖3和圖4，所述的噴淋頭63包括氣流進(jìn)管631，氣流勻化腔632，噴淋縫633，加熱管634，所述的噴淋頭63位于蒸鍍室60內(nèi)，所述的輸出管道32在蒸鍍室60內(nèi)的開口與所述的噴淋頭63的氣流進(jìn)管631密封對接；所述的氣流進(jìn)管631依次經(jīng)氣流勻化腔632、噴淋縫633再與蒸鍍室60的內(nèi)腔相通，所述的噴淋縫633面向所述的基片8，所述的加熱管634位于氣流勻化腔632的壁體之中(可以如圖3中所示，并行設(shè)置多個(gè)加熱管)，目的是為了使進(jìn)入氣流勻化腔632的氣態(tài)蒸發(fā)源材料能夠保溫，維持在蒸發(fā)或升華狀態(tài)，避免氣態(tài)的蒸發(fā)源材料在氣流勻化腔632中過早地沉積或凝結(jié)。
采用這種結(jié)構(gòu)的噴淋頭(即線源)后，由于噴淋縫633本身為連續(xù)的線狀縫隙，經(jīng)過此種連續(xù)的縫隙而噴出的氣態(tài)蒸發(fā)源材料最終可以均勻地沉積(或分布)在基片的表面，由于單個(gè)的點(diǎn)狀或多個(gè)點(diǎn)狀蒸發(fā)源直接面向基片，而出現(xiàn)的基片各處與蒸發(fā)源的距離不一致，致使蒸鍍的膜厚的不均勻和蒸鍍圖案的不精確的現(xiàn)象在本發(fā)明中將不再存在，實(shí)際上，采用本發(fā)明后，可以進(jìn)一步使用更小體積的真空蒸鍍室而不會(huì)影響蒸鍍質(zhì)量。
為了使蒸鍍質(zhì)量更臻完美，在實(shí)際生產(chǎn)中，可以將所述的噴淋縫633制作的盡量精密，即噴淋縫的寬度盡量小一些，使氣態(tài)的蒸發(fā)源以線的形式噴出，即成為“線性源”，使得基片蒸鍍膜厚更加均勻，而噴淋縫633的長度則可以稍微大于被蒸鍍的基片8的寬度，即噴淋縫633的長度足以覆蓋基片8的縱向或橫向范圍，以避免出現(xiàn)基片的縱向或橫向邊緣蒸鍍不充分或得不到蒸鍍等現(xiàn)象；為了使基片的整個(gè)蒸鍍面也能夠得到充分均勻的蒸鍍，可以使用現(xiàn)有的多種方式使所述的噴淋頭63沿基片的橫向或縱向(即相對于前述的基片的縱向或橫向)來回平行移動(dòng)，比如，輸出管道32與蒸鍍室60的結(jié)合采用可伸縮式密封插接，與噴淋頭63連為一體的輸出管道32、混合腔室4、各個(gè)蒸發(fā)器可以放置在一個(gè)可以沿基片的橫向或縱向來回平行移動(dòng)的小車上(圖2中未示出)，或者使工作臺(tái)連同蒸鍍室一起相對于噴淋縫633作來回平行運(yùn)動(dòng)，道理是一樣的。
權(quán)利要求
1.一種用于制作有機(jī)電致發(fā)光顯示器的蒸鍍裝置，包括至少一個(gè)可以被密封的第一蒸發(fā)器(20)，第一蒸發(fā)源(202)放置在所述的第一蒸發(fā)器(20)的內(nèi)腔中，還包括第一加熱器(201)，所述的第一加熱器(201)位于所述的第一蒸發(fā)器(20)的壁體之中或壁體的外側(cè)；其特征在于還包括有一個(gè)真空狀態(tài)的蒸鍍室(60)，所述的蒸鍍室(60)獨(dú)立于第一蒸發(fā)器(20)之外并和第一蒸發(fā)器相連通，基片(8)位于所述的蒸鍍室(60)內(nèi)的工作臺(tái)(9)的臺(tái)面上，掩模板(7)貼于所述的基片(8)的上表面或外表層，所述的蒸鍍室(60)與真空抽氣裝置(61)相通。
2.如權(quán)利要求1所述的用于制作有機(jī)電致發(fā)光顯示器的蒸鍍裝置，其特征在于還包括有混合腔室(4)和第二蒸發(fā)器(21)，所述的混合腔室(4)通過第一輸入管道(30)與所述的第一蒸發(fā)器(20)相通、通過第二輸入管道(31)與所述的第二蒸發(fā)器(21)相通、通過輸出管道(32)與所述的蒸鍍室(60)相通，第二蒸發(fā)源(212)放置在所述的第二蒸發(fā)器(21)的內(nèi)腔中，第二加熱器(211)位于所述的第二蒸發(fā)器(21)的壁體之中或壁體的外側(cè)。
3.如權(quán)利要求2所述的用于制作有機(jī)電致發(fā)光顯示器的蒸鍍裝置，其特征在于所述的第一輸入管道(30)、第二輸入管道(31)、輸出管道(32)上均設(shè)有控制管道開合的閥門(5)。
4.如權(quán)利要求1、2或3所述的用于制作有機(jī)電致發(fā)光顯示器的蒸鍍裝置，其特征在于還包括一個(gè)氣源(1)，所述的氣源(1)通過第一輸氣管道(10)與所述的第一蒸發(fā)器(20)的內(nèi)腔相通并可以通過第一輸氣管道(10)向所述的第一蒸發(fā)源(202)的表面輸送熱氣。
5.如權(quán)利要求2或3所述的用于制作有機(jī)電致發(fā)光顯示器的蒸鍍裝置，其特征在于還包括一個(gè)氣源(1)，所述的氣源(1)通過第一輸氣管道(10)與所述的第一蒸發(fā)器(20)的內(nèi)腔相通并可以通過第一輸氣管道(10)向所述的第一蒸發(fā)源(202)的表面輸送熱氣；所述的氣源(1)通過第二輸氣管道(11)與所述的第二蒸發(fā)器(21)的內(nèi)腔相通并可以通過第二輸氣管道(11)向所述的第二蒸發(fā)源(212)的表面輸送熱氣。
6.如權(quán)利要求5所述的用于制作有機(jī)電致發(fā)光顯示器的蒸鍍裝置，其特征在于還包括一個(gè)噴淋頭(63)，所述的噴淋頭(63)包括氣流進(jìn)管(631)，氣流勻化腔(632)，噴淋縫(633)；所述的噴淋頭(63)位于蒸鍍室(60)內(nèi)，所述的輸出管道(32)在蒸鍍室(60)內(nèi)的開口與所述的噴淋頭(63)的氣流進(jìn)管(631)密封對接；所述的氣流進(jìn)管(631)依次經(jīng)氣流勻化腔(632)、噴淋縫(633)再與蒸鍍室(60)的內(nèi)腔相通，所述的噴淋縫(633)面向所述的基片(8)。
7.如權(quán)利要求6所述的用于制作有機(jī)電致發(fā)光顯示器的蒸鍍裝置，其特征在于所述的噴淋頭(63)還包括加熱管(634)，所述的加熱管(634)位于氣流勻化腔(632)的壁體之中。
8.如權(quán)利要求6所述的用于制作有機(jī)電致發(fā)光顯示器的蒸鍍裝置，其特征在于所述的噴淋縫(633)為連續(xù)的線狀縫隙。
9.如權(quán)利要求8所述的用于制作有機(jī)電致發(fā)光顯示器的蒸鍍裝置，其特征在于所述的噴淋縫(633)的長度足以覆蓋基片(8)的縱向或橫向范圍，所述的輸出管道(32)與蒸鍍室(60)的結(jié)合采用可伸縮式密封插接，與噴淋頭(63)連為一體的輸出管道(32)、混合腔室(4)、各個(gè)蒸發(fā)器可以放置在一個(gè)可以沿基片(8)的橫向或縱向來回平行移動(dòng)的小車上。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種用于制作有機(jī)電致發(fā)光顯示器的蒸鍍裝置，旨在解決現(xiàn)有的蒸鍍裝置導(dǎo)致的基片蒸鍍圖案不精確、蒸鍍膜后不均勻等問題，包括一個(gè)與各個(gè)蒸發(fā)器相連通并獨(dú)立于各個(gè)蒸發(fā)器之外的真空狀態(tài)的蒸鍍室(60)，基片(8)位于蒸鍍室(60)內(nèi)的工作臺(tái)(9)的臺(tái)面上，掩模板(7)貼于基片(8)的上表面或外表層，蒸鍍室(60)的底部與真空抽氣系統(tǒng)(61)相通，所述的蒸鍍室(60)與各個(gè)蒸發(fā)器之間還可以進(jìn)一步設(shè)置有混合腔室(4)。采用本發(fā)明后，可以得到精確、均勻的基片蒸鍍圖案，縮小真空蒸鍍室的體積，降低蒸鍍的成本，此外，本發(fā)明還具有在不改變蒸鍍室的真空狀態(tài)下，可以對不同的蒸鍍源單獨(dú)連續(xù)加料等優(yōu)點(diǎn)。
文檔編號C23C14/24GK1468972SQ0312678
公開日2004年1月21日 申請日期2003年6月4日 優(yōu)先權(quán)日2003年6月4日
發(fā)明者周衛(wèi)華, 付東, 張泓, 尚婭嫻, 舒逸, 姜翠寧, 黃啟耀 申請人:深圳市創(chuàng)歐科技有限公司