本發(fā)明涉及非晶合金產(chǎn)品生產(chǎn)技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種非晶合金電子產(chǎn)品外殼與中板的接合方法。

背景技術(shù)：

非晶合金具有絕佳力學(xué)性能、高化學(xué)穩(wěn)定性及奢華外觀效果，因此在3C產(chǎn)品應(yīng)用上具有很大潛力。在手機(jī)應(yīng)用方面，非晶合金極適合用來(lái)制作手機(jī)外殼以達(dá)到高強(qiáng)度、耐刮、耐腐蝕、高質(zhì)感外觀效果。同時(shí)，考慮到非晶合金電子產(chǎn)品外殼本身設(shè)計(jì)需求，需要將非晶合金電子產(chǎn)品外殼與中板結(jié)合。但若同時(shí)要以非晶合金成型中板結(jié)構(gòu)，非晶合金電子產(chǎn)品外殼與非晶合金中板結(jié)合后，則會(huì)使得產(chǎn)品存在過(guò)重及散熱不夠好的問(wèn)題。因此，較適合以其它材質(zhì)如鋁合金、鎂合金、不銹鋼或者特種塑膠等來(lái)制作中板，藉由與非晶合金電子產(chǎn)品外殼相結(jié)合以達(dá)到減輕重量及解決散熱性能需求的問(wèn)題。

目前，非晶合金電子產(chǎn)品外殼與中板的結(jié)合方法存在缺陷，以及結(jié)合強(qiáng)度不好是業(yè)內(nèi)亟待解決的問(wèn)題?，F(xiàn)有技術(shù)中，非晶合金電子產(chǎn)品外殼與中板的結(jié)合方法主要有焊接、粘接和鉚接三種。然而，如果采用焊接的方式，當(dāng)非晶合金電子產(chǎn)品外殼與中板結(jié)合時(shí)，焊接產(chǎn)生的熱量容易使得非晶合金電子產(chǎn)品外殼發(fā)生結(jié)晶化、氧化或焊縫脆化等問(wèn)題。而如果使用粘接的方式，則不僅要求待粘接的兩種材料表面具有一定的粗糙度及清潔度，更要求兩種材料之間有足夠的粘接面積，另外，通過(guò)粘接的方式，雖然可以達(dá)到結(jié)合效果，但是產(chǎn)品中的粘接膠料容易受到所使用環(huán)境(光、熱、濕等)的影響，進(jìn)而容易發(fā)生脆化、老化等問(wèn)題，因而會(huì)導(dǎo)致粘接膠料失效。

另外，鉚接的方式是目前較具可行性方案之一，但是，現(xiàn)有技術(shù)中，非晶合金電子產(chǎn)品外殼與中板鉚接時(shí)需要使非晶合金電子產(chǎn)品外殼加熱至溫度為T(mén)g～Tx之間，Tg～Tx之間的溫度由于較高，因而增加了非晶合金電子產(chǎn)品外殼結(jié)晶化及表面氧化的風(fēng)險(xiǎn)，即使其可在具有腔室的特殊設(shè)備中并且真空或惰性氣氛下進(jìn)行來(lái)避免上述結(jié)晶化及表面氧化的問(wèn)題，但是，這樣會(huì)相應(yīng)的使生產(chǎn)成本增加，并且不具量產(chǎn)性。而且，Tg～Tx之間的溫度高于某些特種中板材料的失效溫度(如：特種塑膠溫度僅可耐200～250℃)，因此，鉚接的方式局限了應(yīng)用范圍。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本發(fā)明的目的在于針對(duì)現(xiàn)有技術(shù)的不足，提供一種非晶合金電子產(chǎn)品外殼與中板的接合方法，該非晶合金電子產(chǎn)品外殼與中板的接合方法能夠避免非晶合金電子產(chǎn)品外殼發(fā)生氧化及結(jié)晶化反應(yīng)，并能提高接合強(qiáng)度，降低生產(chǎn)投入，且具量產(chǎn)性。

為了實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明采用如下技術(shù)方案：

提供一種非晶合金電子產(chǎn)品外殼與中板的接合方法，它包括以下步驟：

步驟一，預(yù)結(jié)合：將非晶合金電子產(chǎn)品外殼與中板進(jìn)行預(yù)結(jié)合，其中，所述非晶合金電子產(chǎn)品外殼具有凸柱結(jié)構(gòu)，所述中板開(kāi)設(shè)有通孔；所述非晶合金電子產(chǎn)品外殼的凸柱結(jié)構(gòu)套入所述中板的通孔中，并通過(guò)夾治具鎖緊以使得所述非晶合金電子產(chǎn)品外殼與所述中板進(jìn)行預(yù)結(jié)合，得到預(yù)結(jié)合的整體；

所述中板的通孔的上部設(shè)置有倒角結(jié)構(gòu)或圓凹結(jié)構(gòu)，或者，所述中板的通孔的孔壁面設(shè)置有小槽或凹坑結(jié)構(gòu)；

所述小槽或凹坑結(jié)構(gòu)的內(nèi)壁面進(jìn)行粗糙化處理；

步驟二，加熱：將步驟一得到的預(yù)結(jié)合的整體放入腔室內(nèi)，并對(duì)非晶合金電子產(chǎn)品外殼的凸柱結(jié)構(gòu)進(jìn)行加熱到(Tg－100℃)～Tg之間或者加熱到100℃～Tg；

步驟三，施壓：利用沖頭對(duì)非晶合金電子產(chǎn)品外殼的凸柱結(jié)構(gòu)進(jìn)行施壓一定時(shí)間，以使得非晶合金電子產(chǎn)品外殼的凸柱結(jié)構(gòu)發(fā)生塑形變形并填充所述中板的通孔；所述沖頭能夠在XYZ三個(gè)維度并以360度的方向進(jìn)行移動(dòng)施壓；

步驟四，冷卻定型：步驟三的施壓完成后，進(jìn)行冷卻定型，即完成非晶合金電子產(chǎn)品外殼與中板的接合。

上述技術(shù)方案中，所述凸柱結(jié)構(gòu)為實(shí)心圓柱、空心圓柱、實(shí)心圓臺(tái)、空心圓臺(tái)、實(shí)心圓錐、實(shí)心長(zhǎng)方體或空心長(zhǎng)方體中的一種；所述凸柱結(jié)構(gòu)能夠在XYZ三個(gè)維度并以360度的方向進(jìn)行移動(dòng)施壓。

上述技術(shù)方案中，所述步驟一預(yù)結(jié)合步驟中，當(dāng)預(yù)結(jié)合時(shí)，所述非晶合金電子產(chǎn)品外殼的凸柱結(jié)構(gòu)的高度大于所述中板的通孔的深度，當(dāng)完成接合后，所述非晶合金電子產(chǎn)品外殼的凸柱結(jié)構(gòu)套入所述中板的通孔中的深度為等于或小于所述通孔的深度；

所述非晶合金電子產(chǎn)品外殼的凸柱結(jié)構(gòu)與所述中板的通孔之間為間隙配合或者過(guò)度配合。

上述技術(shù)方案中，所述步驟二加熱步驟中，利用加熱裝置對(duì)非晶合金電子產(chǎn)品外殼的凸柱結(jié)構(gòu)進(jìn)行加熱，具體加熱方式為以感應(yīng)加熱、電阻加熱或者紅外線加熱的方式先加熱沖頭,再以沖頭移動(dòng)接觸非晶合金電子產(chǎn)品外殼的凸柱結(jié)構(gòu)以傳遞熱量給凸柱結(jié)構(gòu)，使得凸柱結(jié)構(gòu)溫度達(dá)到制程溫度，并且過(guò)程中增加惰性氣氛進(jìn)行吹氣以實(shí)現(xiàn)局部保護(hù)，防止非晶合金氧化或晶化，進(jìn)而沖頭繼續(xù)下壓凸柱結(jié)構(gòu)，使得凸柱結(jié)構(gòu)受壓力而流動(dòng)并填充中板的通孔，然后撤回沖頭完成結(jié)合。

上述技術(shù)方案中，所述步驟二加熱步驟中，利用加熱裝置對(duì)非晶合金電子產(chǎn)品外殼的凸柱結(jié)構(gòu)進(jìn)行加熱的時(shí)間為2s～60s。

上述技術(shù)方案中，所述步驟三施壓步驟中，利用沖頭對(duì)非晶合金電子產(chǎn)品外殼的凸柱結(jié)構(gòu)進(jìn)行施壓的壓力為0.1N～80N，施壓的時(shí)間為3s～20s。

上述技術(shù)方案中，所述步驟三施壓步驟中，利用沖頭對(duì)非晶合金電子產(chǎn)品外殼的凸柱結(jié)構(gòu)進(jìn)行施壓，具體是，沖頭的軸心與通孔的軸心同軸且位于通孔的正上方，施壓時(shí)，沖頭往下移動(dòng)然后壓縮所述非晶合金電子產(chǎn)品外殼的凸柱結(jié)構(gòu)，施壓完成后沖頭返回原始位置。

上述技術(shù)方案中，所述步驟三施壓步驟中，所述沖頭與所述中板的通孔之間保持間隙，間隙大小為0.03mm～0.07mm。

上述技術(shù)方案中，所述步驟四冷卻定型步驟中，利用自然冷卻的方式進(jìn)行冷卻定型。

上述技術(shù)方案中，所述步驟一預(yù)結(jié)合步驟中，所述夾治具包括治具底座和治具上蓋，非晶合金電子產(chǎn)品外殼的凸柱結(jié)構(gòu)套入所述中板的通孔中后，所述治具底座用于放置非晶合金電子產(chǎn)品外殼，所述治具上蓋壓住所述中板，通過(guò)所述治具底座和所述治具上蓋的壓合鎖緊使得所述非晶合金電子產(chǎn)品外殼與所述中板進(jìn)行預(yù)結(jié)合。

本發(fā)明與現(xiàn)有技術(shù)相比較，有益效果在于：

(1)本發(fā)明提供的一種非晶合金電子產(chǎn)品外殼與中板的接合方法，與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明是對(duì)非晶合金電子產(chǎn)品外殼的凸柱結(jié)構(gòu)加熱至(Tg－100℃)～Tg之間或者加熱到熔點(diǎn)然后進(jìn)行加壓一段時(shí)間，此溫度下非晶合金電子產(chǎn)品外殼的結(jié)構(gòu)不會(huì)發(fā)生質(zhì)變，即仍保持非晶合金結(jié)構(gòu)，進(jìn)而能夠避免非晶合金電子產(chǎn)品外殼發(fā)生氧化及結(jié)晶化反應(yīng)。參看附圖15的粘度溫度曲線，(Tg－100℃)～Tg之間的溫度區(qū)域內(nèi)的粘度足夠使得非晶合金電子產(chǎn)品外殼的凸柱結(jié)構(gòu)的原子移動(dòng)，因此能夠誘發(fā)熱塑成型。

(2)本發(fā)明提供的一種非晶合金電子產(chǎn)品外殼與中板的接合方法，與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明不需對(duì)非晶合金電子產(chǎn)品外殼加熱到玻璃轉(zhuǎn)化溫度Tg以上，并且可選擇無(wú)保護(hù)氣氛下(即空氣下)生產(chǎn)，達(dá)到避免結(jié)晶及氧化的效果，因此，該非晶合金電子產(chǎn)品外殼與中板的接合方法能夠降低生產(chǎn)投入，縮短生產(chǎn)周期。

(3)本發(fā)明提供的一種非晶合金電子產(chǎn)品外殼與中板的接合方法，由于中板的通孔的上部設(shè)置有倒角結(jié)構(gòu)或圓凹結(jié)構(gòu)，結(jié)合時(shí)倒角結(jié)構(gòu)或圓凹結(jié)構(gòu)區(qū)域會(huì)被非晶合金填充，整體看形成倒卡扣狀，以增加結(jié)合時(shí)的結(jié)合面從而增強(qiáng)結(jié)合強(qiáng)度性能。另外，由于中板的通孔的孔壁面設(shè)置有小槽或凹坑結(jié)構(gòu)，且小槽或凹坑結(jié)構(gòu)的內(nèi)壁面進(jìn)行粗糙化處理，例如噴砂處理，以增加結(jié)合時(shí)的結(jié)合面積，從而增強(qiáng)結(jié)合強(qiáng)度性能；因此，能夠使得非晶合金電子產(chǎn)品外殼與中板之間的結(jié)合強(qiáng)度好，且具有能大量生產(chǎn)性、高生產(chǎn)效率和較低生產(chǎn)成本的優(yōu)點(diǎn)。

(4)本發(fā)明提供的一種非晶合金電子產(chǎn)品外殼與中板的接合方法，由于利用自然冷卻的方式進(jìn)行冷卻定型即可，不需要特殊冷卻處理，并且該非晶合金電子產(chǎn)品外殼與中板的接合方法僅需結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單的夾治具配合生產(chǎn)即可，因此，該非晶合金電子產(chǎn)品外殼與中板的接合方法能夠進(jìn)一步降低生產(chǎn)投入，及縮短生產(chǎn)周期。

(5)本發(fā)明提供的一種非晶合金電子產(chǎn)品外殼與中板的接合方法，具有方法簡(jiǎn)單，生產(chǎn)成本低，并能夠適用于大規(guī)模生產(chǎn)的特點(diǎn)。

附圖說(shuō)明

圖1是本發(fā)明的實(shí)施例1的非晶合金電子產(chǎn)品外殼與中板進(jìn)行預(yù)結(jié)合的結(jié)構(gòu)示意圖。

圖2是本發(fā)明的實(shí)施例1的非晶合金電子產(chǎn)品外殼與中板進(jìn)行預(yù)結(jié)合和接合后的結(jié)構(gòu)示意圖。

圖3是本發(fā)明的實(shí)施例2的非晶合金電子產(chǎn)品外殼與中板進(jìn)行預(yù)結(jié)合和接合后的結(jié)構(gòu)示意圖。

圖4是本發(fā)明的實(shí)施例3的非晶合金電子產(chǎn)品外殼與中板進(jìn)行預(yù)結(jié)合和接合后的結(jié)構(gòu)示意圖。

圖5是本發(fā)明的實(shí)施例4的非晶合金電子產(chǎn)品外殼與中板進(jìn)行預(yù)結(jié)合和接合后的結(jié)構(gòu)示意圖。

圖6是本發(fā)明的實(shí)施例5的非晶合金電子產(chǎn)品外殼與中板進(jìn)行預(yù)結(jié)合和接合后的結(jié)構(gòu)示意圖。

圖7是本發(fā)明的實(shí)施例6的非晶合金電子產(chǎn)品外殼與中板進(jìn)行預(yù)結(jié)合和接合后的結(jié)構(gòu)示意圖。

圖8是本發(fā)明的實(shí)施例7的非晶合金電子產(chǎn)品外殼與中板進(jìn)行預(yù)結(jié)合的結(jié)構(gòu)示意圖。

圖9是本發(fā)明的實(shí)施例8的非晶合金電子產(chǎn)品外殼與中板進(jìn)行預(yù)結(jié)合的結(jié)構(gòu)示意圖。

圖10是本發(fā)明的實(shí)施例9的非晶合金電子產(chǎn)品外殼與中板進(jìn)行預(yù)結(jié)合的結(jié)構(gòu)示意圖。

圖11是本發(fā)明的實(shí)施例10的非晶合金電子產(chǎn)品外殼與中板進(jìn)行預(yù)結(jié)合的結(jié)構(gòu)示意圖。

圖12是本發(fā)明的實(shí)例應(yīng)用圖。其中，非晶合金邊框設(shè)有立凸柱結(jié)構(gòu)，對(duì)手件設(shè)有孔結(jié)構(gòu)，非晶合金邊框上示意出8個(gè)支撐臺(tái)，在支撐臺(tái)上有凸柱結(jié)構(gòu)，對(duì)手件上在對(duì)應(yīng)非晶合金的支撐臺(tái)的位置開(kāi)設(shè)通孔(孔軸平行于鋁合金板厚度方向)。

圖13是三種沖頭的結(jié)構(gòu)示意圖。

圖14是感應(yīng)加熱、電阻加熱或者紅外線加熱的方式的加熱曲線圖。其中，曲線a代表本發(fā)明的熱塑成型制程，在100℃～Tg間進(jìn)行加熱，由于曲線不會(huì)經(jīng)過(guò)結(jié)晶區(qū)，因此無(wú)晶化及氧化的風(fēng)險(xiǎn)；曲線b代表傳統(tǒng)的熱塑成型制程，在Tg～Tx間進(jìn)行加熱，因其延長(zhǎng)的虛線進(jìn)入了晶化區(qū)，因此有發(fā)生晶化及氧化的風(fēng)險(xiǎn)。

圖15是純金屬的粘度溫度曲線圖。

圖16是應(yīng)用中的非晶合金電子產(chǎn)品外殼的結(jié)構(gòu)示意圖。

圖17是應(yīng)用中的鋁合金中板的結(jié)構(gòu)示意圖。

圖18是應(yīng)用中的圖16的非晶合金電子產(chǎn)品外殼與圖17的鋁合金中板之間的結(jié)合效果的結(jié)構(gòu)示意圖。

附圖中包括：

非晶合金電子產(chǎn)品外殼 1、凸柱結(jié)構(gòu) 11；

中板 2、通孔 21、倒角結(jié)構(gòu) 201、圓凹結(jié)構(gòu) 202、小槽或凹坑結(jié)構(gòu) 203；

夾治具 3、治具底座 31、治具上蓋 32；

沖頭 4。

具體實(shí)施方式

為了使本發(fā)明所解決的技術(shù)問(wèn)題、技術(shù)方案及有益效果更加清楚明白，以下結(jié)合實(shí)施例，對(duì)本發(fā)明進(jìn)行進(jìn)一步詳細(xì)說(shuō)明。應(yīng)當(dāng)理解，此處所描述的具體實(shí)施例僅僅用以解釋本發(fā)明，并不用于限定本發(fā)明。

本發(fā)明中所提及的Tg是指玻璃轉(zhuǎn)化溫度，Tx是指結(jié)晶溫度。

其中，本發(fā)明提及的(Tg－100℃)～Tg，其中，(Tg－100℃)是指Tg溫度值與100℃相減所得的溫度值。

實(shí)施例1。

參見(jiàn)圖1和圖2。一種非晶合金電子產(chǎn)品外殼與中板的接合方法，它包括以下步驟：

步驟一，預(yù)結(jié)合：將非晶合金電子產(chǎn)品外殼1與中板2進(jìn)行預(yù)結(jié)合，其中，非晶合金電子產(chǎn)品外殼1具有凸柱結(jié)構(gòu)11，中板2開(kāi)設(shè)有通孔21；非晶合金電子產(chǎn)品外殼1的凸柱結(jié)構(gòu)11套入中板2的通孔21中，并通過(guò)夾治具3鎖緊以使得非晶合金電子產(chǎn)品外殼1與中板2進(jìn)行預(yù)結(jié)合，得到預(yù)結(jié)合的整體；本實(shí)施例中，凸柱結(jié)構(gòu)11為實(shí)心圓柱；其中，中板2的通孔的上部設(shè)置有倒角結(jié)構(gòu)201；

本實(shí)施例中，當(dāng)預(yù)結(jié)合時(shí)，非晶合金電子產(chǎn)品外殼1的凸柱結(jié)構(gòu)11的高度大于中板2的通孔21的深度，當(dāng)完成接合后，非晶合金電子產(chǎn)品外殼1的凸柱結(jié)構(gòu)11套入中板2的通孔21中的深度為等于或小于通孔21的深度；其中，非晶合金電子產(chǎn)品外殼1的凸柱結(jié)構(gòu)11與中板2的通孔21之間為間隙配合。

其中，夾治具3包括治具底座31和治具上蓋32，非晶合金電子產(chǎn)品外殼1的凸柱結(jié)構(gòu)11套入中板2的通孔21中后，治具底座31用于放置非晶合金電子產(chǎn)品外殼1，治具上蓋32壓住中板2，通過(guò)治具底座31和治具上蓋32的壓合鎖緊使得非晶合金電子產(chǎn)品外殼1與中板2進(jìn)行預(yù)結(jié)合。

步驟二，加熱：將步驟一得到的預(yù)結(jié)合的整體放入腔室內(nèi)，并利用加熱裝置對(duì)非晶合金電子產(chǎn)品外殼1的凸柱結(jié)構(gòu)11進(jìn)行加熱到(Tg－100℃)～Tg之間；本實(shí)施例中，具體加熱方式為電阻加熱；本實(shí)施例中，加熱時(shí)間為30s；

步驟三，施壓：利用沖頭4對(duì)非晶合金電子產(chǎn)品外殼1的凸柱結(jié)構(gòu)11進(jìn)行施壓10s，以使得非晶合金電子產(chǎn)品外殼1的凸柱結(jié)構(gòu)11發(fā)生塑形變形并填充中板2的通孔21；本實(shí)施例中，利用沖頭4對(duì)非晶合金電子產(chǎn)品外殼1的凸柱結(jié)構(gòu)11進(jìn)行施壓的壓力為50N；其中，沖頭4能夠在XYZ三個(gè)維度并以360度的方向進(jìn)行移動(dòng)施壓；凸柱結(jié)構(gòu)11能夠在XYZ三個(gè)維度并以360度的方向進(jìn)行移動(dòng)施壓。

本實(shí)施例中，利用沖頭4對(duì)非晶合金電子產(chǎn)品外殼1的凸柱結(jié)構(gòu)11進(jìn)行施壓，具體是，沖頭4的軸心與通孔21的軸心同軸且位于通孔21的正上方，施壓時(shí)，沖頭4往下移動(dòng)然后壓縮非晶合金電子產(chǎn)品外殼1的凸柱結(jié)構(gòu)11，施壓完成后沖頭4返回原始位置。另外，沖頭4有行程，能確保每次壓縮量一致，也不會(huì)過(guò)度壓縮。其中，沖頭4與中板2的通孔21之間保持間隙，間隙大小為0.05mm；

本實(shí)施例的一種非晶合金電子產(chǎn)品外殼與中板的接合方法，與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明是對(duì)非晶合金電子產(chǎn)品外殼1的凸柱結(jié)構(gòu)11加熱至(Tg－100℃)～Tg之間然后進(jìn)行加壓一段時(shí)間，此溫度下非晶合金電子產(chǎn)品外殼1的結(jié)構(gòu)不會(huì)發(fā)生質(zhì)變，即仍保持非晶合金結(jié)構(gòu)，進(jìn)而能夠避免非晶合金電子產(chǎn)品外殼1發(fā)生氧化及結(jié)晶化反應(yīng)。另外，該非晶合金電子產(chǎn)品外殼與中板的接合方法能夠降低生產(chǎn)投入，縮短生產(chǎn)周期，并能夠使得非晶合金電子產(chǎn)品外殼1與中板2之間的結(jié)合強(qiáng)度好，且具有能大量生產(chǎn)性、高生產(chǎn)效率和較低生產(chǎn)成本的優(yōu)點(diǎn)。

實(shí)施例2。

見(jiàn)圖3。一種非晶合金電子產(chǎn)品外殼與中板的接合方法，它包括以下步驟：

步驟一，預(yù)結(jié)合：將非晶合金電子產(chǎn)品外殼與中板2進(jìn)行預(yù)結(jié)合，其中，非晶合金電子產(chǎn)品外殼具有凸柱結(jié)構(gòu)11，中板2開(kāi)設(shè)有通孔21；非晶合金電子產(chǎn)品外殼的凸柱結(jié)構(gòu)11套入中板2的通孔21中，并通過(guò)夾治具3鎖緊以使得非晶合金電子產(chǎn)品外殼與中板2進(jìn)行預(yù)結(jié)合，得到預(yù)結(jié)合的整體；本實(shí)施例中，凸柱結(jié)構(gòu)11為實(shí)心圓柱；其中，中板2的通孔的上部設(shè)置有倒角結(jié)構(gòu)201；

本實(shí)施例中，當(dāng)預(yù)結(jié)合時(shí)，非晶合金電子產(chǎn)品外殼1的凸柱結(jié)構(gòu)11的高度大于中板2的通孔21的深度，當(dāng)完成接合后，非晶合金電子產(chǎn)品外殼1的凸柱結(jié)構(gòu)11套入中板2的通孔21中的深度為等于或小于通孔21的深度；其中，非晶合金電子產(chǎn)品外殼1的凸柱結(jié)構(gòu)11與中板2的通孔21之間為間隙配合。

其中，夾治具包括治具底座和治具上蓋，非晶合金電子產(chǎn)品外殼的凸柱結(jié)構(gòu)套入中板的通孔21中后，治具底座用于放置非晶合金電子產(chǎn)品外殼，治具上蓋壓住中板，通過(guò)治具底座和治具上蓋的壓合鎖緊使得非晶合金電子產(chǎn)品外殼與中板進(jìn)行預(yù)結(jié)合。

步驟二，加熱：將步驟一得到的預(yù)結(jié)合的整體放入腔室內(nèi)，并利用加熱裝置對(duì)非晶合金電子產(chǎn)品外殼的凸柱結(jié)構(gòu)進(jìn)行加熱到熔點(diǎn)；本實(shí)施例中，具體加熱方式為電磁感應(yīng)加熱；本實(shí)施例中，加熱時(shí)間為2s；

步驟三，施壓：利用沖頭4對(duì)非晶合金電子產(chǎn)品外殼的凸柱結(jié)構(gòu)11進(jìn)行施壓3s，以使得非晶合金電子產(chǎn)品外殼的凸柱結(jié)構(gòu)11發(fā)生塑形變形并填充中板2的通孔21；本實(shí)施例中，利用沖頭4對(duì)非晶合金電子產(chǎn)品外殼的凸柱結(jié)構(gòu)11進(jìn)行施壓的壓力為0.1N；其中，沖頭4能夠在XYZ三個(gè)維度并以360度的方向進(jìn)行移動(dòng)施壓；凸柱結(jié)構(gòu)11能夠在XYZ三個(gè)維度并以360度的方向進(jìn)行移動(dòng)施壓。

本實(shí)施例中，利用沖頭4對(duì)非晶合金電子產(chǎn)品外殼1的凸柱結(jié)構(gòu)11進(jìn)行施壓，具體是，沖頭4的軸心與通孔21的軸心同軸且位于通孔21的正上方，施壓時(shí)，沖頭4往下移動(dòng)然后壓縮非晶合金電子產(chǎn)品外殼1的凸柱結(jié)構(gòu)11，施壓完成后沖頭4返回原始位置。另外，沖頭4有行程，能確保每次壓縮量一致，也不會(huì)過(guò)度壓縮。其中，沖頭4與中板2的通孔21之間保持間隙，間隙大小為0.03mm；

本實(shí)施例的一種非晶合金電子產(chǎn)品外殼與中板的接合方法，與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明是對(duì)非晶合金電子產(chǎn)品外殼的凸柱結(jié)構(gòu)加熱至熔點(diǎn)然后進(jìn)行加壓一段時(shí)間，此溫度下非晶合金電子產(chǎn)品外殼的結(jié)構(gòu)不會(huì)發(fā)生質(zhì)變，即仍保持非晶合金結(jié)構(gòu)，進(jìn)而能夠避免非晶合金電子產(chǎn)品外殼發(fā)生氧化及結(jié)晶化反應(yīng)。另外，該非晶合金電子產(chǎn)品外殼與中板的接合方法能夠降低生產(chǎn)投入，縮短生產(chǎn)周期，并能夠使得非晶合金電子產(chǎn)品外殼與中板之間的結(jié)合強(qiáng)度好，且具有能大量生產(chǎn)性、高生產(chǎn)效率和較低生產(chǎn)成本的優(yōu)點(diǎn)。

實(shí)施例3。

見(jiàn)圖4。一種非晶合金電子產(chǎn)品外殼與中板的接合方法，它包括以下步驟：

步驟一，預(yù)結(jié)合：將非晶合金電子產(chǎn)品外殼與中板2進(jìn)行預(yù)結(jié)合，其中，非晶合金電子產(chǎn)品外殼具有凸柱結(jié)構(gòu)11，中板2開(kāi)設(shè)有通孔21；非晶合金電子產(chǎn)品外殼的凸柱結(jié)構(gòu)11套入中板2的通孔21中，并通過(guò)夾治具鎖緊以使得非晶合金電子產(chǎn)品外殼與中板2進(jìn)行預(yù)結(jié)合，得到預(yù)結(jié)合的整體；本實(shí)施例中，凸柱結(jié)構(gòu)11為實(shí)心圓臺(tái)；其中，中板2的通孔的上部設(shè)置有倒角結(jié)構(gòu)201；

本實(shí)施例中，當(dāng)預(yù)結(jié)合時(shí)，非晶合金電子產(chǎn)品外殼1的凸柱結(jié)構(gòu)11的高度大于中板2的通孔21的深度，當(dāng)完成接合后，非晶合金電子產(chǎn)品外殼1的凸柱結(jié)構(gòu)11套入中板2的通孔21中的深度為等于或小于通孔21的深度；其中，非晶合金電子產(chǎn)品外殼1的凸柱結(jié)構(gòu)11與中板2的通孔21之間為過(guò)度配合。

其中，夾治具包括治具底座和治具上蓋，非晶合金電子產(chǎn)品外殼的凸柱結(jié)構(gòu)套入中板的通孔21中后，治具底座用于放置非晶合金電子產(chǎn)品外殼，治具上蓋壓住中板，通過(guò)治具底座和治具上蓋的壓合鎖緊使得非晶合金電子產(chǎn)品外殼與中板進(jìn)行預(yù)結(jié)合。

步驟二，加熱：將步驟一得到的預(yù)結(jié)合的整體放入腔室內(nèi)，并利用加熱裝置對(duì)非晶合金電子產(chǎn)品外殼的凸柱結(jié)構(gòu)進(jìn)行加熱到(Tg－100℃)～Tg之間；本實(shí)施例中，具體加熱方式為電阻加熱；本實(shí)施例中，加熱時(shí)間為10s；

步驟三，施壓：利用沖頭4對(duì)非晶合金電子產(chǎn)品外殼的凸柱結(jié)構(gòu)11進(jìn)行施壓6s，以使得非晶合金電子產(chǎn)品外殼的凸柱結(jié)構(gòu)11發(fā)生塑形變形并填充中板2的通孔21；本實(shí)施例中，利用沖頭4對(duì)非晶合金電子產(chǎn)品外殼的凸柱結(jié)構(gòu)11進(jìn)行施壓的壓力為20N；其中，沖頭4能夠在XYZ三個(gè)維度并以360度的方向進(jìn)行移動(dòng)施壓；凸柱結(jié)構(gòu)11能夠在XYZ三個(gè)維度并以360度的方向進(jìn)行移動(dòng)施壓。

本實(shí)施例中，利用沖頭4對(duì)非晶合金電子產(chǎn)品外殼的凸柱結(jié)構(gòu)11進(jìn)行施壓，具體是，沖頭4的軸心與通孔21的軸心同軸且位于通孔21的正上方，施壓時(shí)，沖頭4往下移動(dòng)然后壓縮非晶合金電子產(chǎn)品外殼1的凸柱結(jié)構(gòu)11，施壓完成后沖頭4返回原始位置。另外，沖頭4有行程，能確保每次壓縮量一致，也不會(huì)過(guò)度壓縮。其中，沖頭4與中板2的通孔21之間保持間隙，間隙大小為0.04mm；

本實(shí)施例的一種非晶合金電子產(chǎn)品外殼與中板的接合方法，與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明是對(duì)非晶合金電子產(chǎn)品外殼的凸柱結(jié)構(gòu)加熱至(Tg－100℃)～Tg之間然后進(jìn)行加壓一段時(shí)間，此溫度下非晶合金電子產(chǎn)品外殼的結(jié)構(gòu)不會(huì)發(fā)生質(zhì)變，即仍保持非晶合金結(jié)構(gòu)，進(jìn)而能夠避免非晶合金電子產(chǎn)品外殼發(fā)生氧化及結(jié)晶化反應(yīng)。另外，該非晶合金電子產(chǎn)品外殼與中板的接合方法能夠降低生產(chǎn)投入，縮短生產(chǎn)周期，并能夠使得非晶合金電子產(chǎn)品外殼與中板之間的結(jié)合強(qiáng)度好，且具有能大量生產(chǎn)性、高生產(chǎn)效率和較低生產(chǎn)成本的優(yōu)點(diǎn)。

實(shí)施例4。

見(jiàn)圖5。一種非晶合金電子產(chǎn)品外殼與中板的接合方法，它包括以下步驟：

步驟一，預(yù)結(jié)合：將非晶合金電子產(chǎn)品外殼與中板2進(jìn)行預(yù)結(jié)合，其中，非晶合金電子產(chǎn)品外殼具有凸柱結(jié)構(gòu)11，中板2開(kāi)設(shè)有通孔21；非晶合金電子產(chǎn)品外殼的凸柱結(jié)構(gòu)11套入中板2的通孔21中，并通過(guò)夾治具鎖緊以使得非晶合金電子產(chǎn)品外殼與中板2進(jìn)行預(yù)結(jié)合，得到預(yù)結(jié)合的整體；本實(shí)施例中，凸柱結(jié)構(gòu)11為實(shí)心圓臺(tái)；其中，中板2的通孔的上部設(shè)置有倒角結(jié)構(gòu)201；

本實(shí)施例中，當(dāng)預(yù)結(jié)合時(shí)，非晶合金電子產(chǎn)品外殼1的凸柱結(jié)構(gòu)11的高度大于中板2的通孔21的深度，當(dāng)完成接合后，非晶合金電子產(chǎn)品外殼1的凸柱結(jié)構(gòu)11套入中板2的通孔21中的深度為等于或小于通孔21的深度；其中，非晶合金電子產(chǎn)品外殼1的凸柱結(jié)構(gòu)11與中板2的通孔21之間為過(guò)度配合。

其中，夾治具包括治具底座和治具上蓋，非晶合金電子產(chǎn)品外殼的凸柱結(jié)構(gòu)套入中板的通孔21中后，治具底座用于放置非晶合金電子產(chǎn)品外殼，治具上蓋壓住中板，通過(guò)治具底座和治具上蓋的壓合鎖緊使得非晶合金電子產(chǎn)品外殼與中板進(jìn)行預(yù)結(jié)合。

步驟二，加熱：將步驟一得到的預(yù)結(jié)合的整體放入腔室內(nèi)，并利用加熱裝置對(duì)非晶合金電子產(chǎn)品外殼的凸柱結(jié)構(gòu)進(jìn)行加熱到(Tg－100℃)～Tg之間；本實(shí)施例中，具體加熱方式為電阻加熱；本實(shí)施例中，加熱時(shí)間為10s；

步驟三，施壓：利用沖頭4對(duì)非晶合金電子產(chǎn)品外殼的凸柱結(jié)構(gòu)11進(jìn)行施壓6s，以使得非晶合金電子產(chǎn)品外殼的凸柱結(jié)構(gòu)11發(fā)生塑形變形并填充中板2的通孔21；本實(shí)施例中，利用沖頭4對(duì)非晶合金電子產(chǎn)品外殼的凸柱結(jié)構(gòu)11進(jìn)行施壓的壓力為20N；其中，沖頭4能夠在XYZ三個(gè)維度并以360度的方向進(jìn)行移動(dòng)施壓；凸柱結(jié)構(gòu)11能夠在XYZ三個(gè)維度并以360度的方向進(jìn)行移動(dòng)施壓。

本實(shí)施例中，利用沖頭4對(duì)非晶合金電子產(chǎn)品外殼的凸柱結(jié)構(gòu)11進(jìn)行施壓，具體是，沖頭4的軸心與通孔21的軸心同軸且位于通孔21的正上方，施壓時(shí)，沖頭4往下移動(dòng)然后壓縮非晶合金電子產(chǎn)品外殼1的凸柱結(jié)構(gòu)11，施壓完成后沖頭4返回原始位置。另外，沖頭4有行程，能確保每次壓縮量一致，也不會(huì)過(guò)度壓縮。其中，沖頭4與中板2的通孔21之間保持間隙，間隙大小為0.04mm；

本實(shí)施例的一種非晶合金電子產(chǎn)品外殼與中板的接合方法，與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明是對(duì)非晶合金電子產(chǎn)品外殼的凸柱結(jié)構(gòu)加熱至(Tg－100℃)～Tg之間然后進(jìn)行加壓一段時(shí)間，此溫度下非晶合金電子產(chǎn)品外殼的結(jié)構(gòu)不會(huì)發(fā)生質(zhì)變，即仍保持非晶合金結(jié)構(gòu)，進(jìn)而能夠避免非晶合金電子產(chǎn)品外殼發(fā)生氧化及結(jié)晶化反應(yīng)。另外，該非晶合金電子產(chǎn)品外殼與中板的接合方法能夠降低生產(chǎn)投入，縮短生產(chǎn)周期，并能夠使得非晶合金電子產(chǎn)品外殼與中板之間的結(jié)合強(qiáng)度好，且具有能大量生產(chǎn)性、高生產(chǎn)效率和較低生產(chǎn)成本的優(yōu)點(diǎn)。

實(shí)施例5。

見(jiàn)圖6。一種非晶合金電子產(chǎn)品外殼與中板的接合方法，它包括以下步驟：

步驟一，預(yù)結(jié)合：將非晶合金電子產(chǎn)品外殼與中板2進(jìn)行預(yù)結(jié)合，其中，非晶合金電子產(chǎn)品外殼具有凸柱結(jié)構(gòu)11，中板2開(kāi)設(shè)有通孔21；非晶合金電子產(chǎn)品外殼的凸柱結(jié)構(gòu)11套入中板2的通孔21中，并通過(guò)夾治具鎖緊以使得非晶合金電子產(chǎn)品外殼與中板2進(jìn)行預(yù)結(jié)合，得到預(yù)結(jié)合的整體；本實(shí)施例中，凸柱結(jié)構(gòu)11為空心圓柱；其中，中板2的通孔的上部設(shè)置有倒角結(jié)構(gòu)201；

本實(shí)施例中，當(dāng)預(yù)結(jié)合時(shí)，非晶合金電子產(chǎn)品外殼1的凸柱結(jié)構(gòu)11的高度大于中板2的通孔21的深度，當(dāng)完成接合后，非晶合金電子產(chǎn)品外殼1的凸柱結(jié)構(gòu)11套入中板2的通孔21中的深度為等于或小于通孔21的深度；其中，非晶合金電子產(chǎn)品外殼的凸柱結(jié)構(gòu)11與中板2的通孔21之間為間隙配合。

其中，夾治具包括治具底座和治具上蓋，非晶合金電子產(chǎn)品外殼的凸柱結(jié)構(gòu)套入中板的通孔中后，治具底座用于放置非晶合金電子產(chǎn)品外殼，治具上蓋壓住中板，通過(guò)治具底座和治具上蓋的壓合鎖緊使得非晶合金電子產(chǎn)品外殼與中板進(jìn)行預(yù)結(jié)合。

步驟二，加熱：將步驟一得到的預(yù)結(jié)合的整體放入腔室內(nèi)，并利用加熱裝置對(duì)非晶合金電子產(chǎn)品外殼的凸柱結(jié)構(gòu)11進(jìn)行加熱到(Tg－100℃)～Tg之間；本實(shí)施例中，具體加熱方式為電磁感應(yīng)加熱；本實(shí)施例中，加熱時(shí)間為2s；

步驟三，施壓：利用沖頭4對(duì)非晶合金電子產(chǎn)品外殼的凸柱結(jié)構(gòu)11進(jìn)行施壓3s，以使得非晶合金電子產(chǎn)品外殼的凸柱結(jié)構(gòu)11發(fā)生塑形變形并填充中板2的通孔21；本實(shí)施例中，利用沖頭4對(duì)非晶合金電子產(chǎn)品外殼的凸柱結(jié)構(gòu)11進(jìn)行施壓的壓力為0.1N；其中，沖頭4能夠在XYZ三個(gè)維度并以360度的方向進(jìn)行移動(dòng)施壓；凸柱結(jié)構(gòu)11能夠在XYZ三個(gè)維度并以360度的方向進(jìn)行移動(dòng)施壓。

本實(shí)施例中，利用沖頭4對(duì)非晶合金電子產(chǎn)品外殼的凸柱結(jié)構(gòu)11進(jìn)行施壓，具體是，沖頭4的軸心與通孔21的軸心同軸且位于通孔21的正上方，施壓時(shí)，沖頭4往下移動(dòng)然后壓縮非晶合金電子產(chǎn)品外殼的凸柱結(jié)構(gòu)11，施壓完成后沖頭4返回原始位置。另外，沖頭4有行程，能確保每次壓縮量一致，也不會(huì)過(guò)度壓縮。其中，沖頭4與中板2的通孔21之間保持間隙，間隙大小為0.03mm；

本實(shí)施例的一種非晶合金電子產(chǎn)品外殼與中板的接合方法，與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明是對(duì)非晶合金電子產(chǎn)品外殼的凸柱結(jié)構(gòu)加熱至(Tg－100℃)～Tg之間然后進(jìn)行加壓一段時(shí)間，此溫度下非晶合金電子產(chǎn)品外殼的結(jié)構(gòu)不會(huì)發(fā)生質(zhì)變，即仍保持非晶合金結(jié)構(gòu)，進(jìn)而能夠避免非晶合金電子產(chǎn)品外殼發(fā)生氧化及結(jié)晶化反應(yīng)。另外，該非晶合金電子產(chǎn)品外殼與中板的接合方法能夠降低生產(chǎn)投入，縮短生產(chǎn)周期，并能夠使得非晶合金電子產(chǎn)品外殼與中板之間的結(jié)合強(qiáng)度好，且具有能大量生產(chǎn)性、高生產(chǎn)效率和較低生產(chǎn)成本的優(yōu)點(diǎn)。

實(shí)施例6。

見(jiàn)圖7。一種非晶合金電子產(chǎn)品外殼與中板的接合方法，它包括以下步驟：

步驟一，預(yù)結(jié)合：將非晶合金電子產(chǎn)品外殼與中板2進(jìn)行預(yù)結(jié)合，其中，非晶合金電子產(chǎn)品外殼具有凸柱結(jié)構(gòu)11，中板2開(kāi)設(shè)有通孔21；非晶合金電子產(chǎn)品外殼的凸柱結(jié)構(gòu)11套入中板2的通孔21中，并通過(guò)夾治具鎖緊以使得非晶合金電子產(chǎn)品外殼與中板2進(jìn)行預(yù)結(jié)合，得到預(yù)結(jié)合的整體；本實(shí)施例中，凸柱結(jié)構(gòu)11為空心圓柱；其中，中板2的通孔的上部設(shè)置有倒角結(jié)構(gòu)201；

本實(shí)施例中，當(dāng)預(yù)結(jié)合時(shí)，非晶合金電子產(chǎn)品外殼1的凸柱結(jié)構(gòu)11的高度大于中板2的通孔21的深度，當(dāng)完成接合后，非晶合金電子產(chǎn)品外殼1的凸柱結(jié)構(gòu)11套入中板2的通孔21中的深度為等于或小于通孔21的深度；其中，非晶合金電子產(chǎn)品外殼的凸柱結(jié)構(gòu)11與中板2的通孔21之間為間隙配合。

其中，夾治具包括治具底座和治具上蓋，非晶合金電子產(chǎn)品外殼的凸柱結(jié)構(gòu)套入中板的通孔中后，治具底座用于放置非晶合金電子產(chǎn)品外殼，治具上蓋壓住中板，通過(guò)治具底座和治具上蓋的壓合鎖緊使得非晶合金電子產(chǎn)品外殼與中板進(jìn)行預(yù)結(jié)合。

步驟二，加熱：將步驟一得到的預(yù)結(jié)合的整體放入腔室內(nèi)，并利用加熱裝置對(duì)非晶合金電子產(chǎn)品外殼的凸柱結(jié)構(gòu)11進(jìn)行加熱到(Tg－100℃)～Tg之間；本實(shí)施例中，具體加熱方式為電磁感應(yīng)加熱；本實(shí)施例中，加熱時(shí)間為2s；

步驟三，施壓：利用沖頭4對(duì)非晶合金電子產(chǎn)品外殼的凸柱結(jié)構(gòu)11進(jìn)行施壓3s，以使得非晶合金電子產(chǎn)品外殼的凸柱結(jié)構(gòu)11發(fā)生塑形變形并填充中板2的通孔21；本實(shí)施例中，利用沖頭4對(duì)非晶合金電子產(chǎn)品外殼的凸柱結(jié)構(gòu)11進(jìn)行施壓的壓力為0.1N；其中，沖頭4能夠在XYZ三個(gè)維度并以360度的方向進(jìn)行移動(dòng)施壓；凸柱結(jié)構(gòu)11能夠在XYZ三個(gè)維度并以360度的方向進(jìn)行移動(dòng)施壓。

本實(shí)施例中，利用沖頭4對(duì)非晶合金電子產(chǎn)品外殼的凸柱結(jié)構(gòu)11進(jìn)行施壓，具體是，沖頭4的軸心與通孔21的軸心同軸且位于通孔21的正上方，施壓時(shí)，沖頭4往下移動(dòng)然后壓縮非晶合金電子產(chǎn)品外殼的凸柱結(jié)構(gòu)11，施壓完成后沖頭4返回原始位置。另外，沖頭4有行程，能確保每次壓縮量一致，也不會(huì)過(guò)度壓縮。其中，沖頭4與中板2的通孔21之間保持間隙，間隙大小為0.03mm；

本實(shí)施例的一種非晶合金電子產(chǎn)品外殼與中板的接合方法，與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明是對(duì)非晶合金電子產(chǎn)品外殼的凸柱結(jié)構(gòu)加熱至(Tg－100℃)～Tg之間然后進(jìn)行加壓一段時(shí)間，此溫度下非晶合金電子產(chǎn)品外殼的結(jié)構(gòu)不會(huì)發(fā)生質(zhì)變，即仍保持非晶合金結(jié)構(gòu)，進(jìn)而能夠避免非晶合金電子產(chǎn)品外殼發(fā)生氧化及結(jié)晶化反應(yīng)。另外，該非晶合金電子產(chǎn)品外殼與中板的接合方法能夠降低生產(chǎn)投入，縮短生產(chǎn)周期，并能夠使得非晶合金電子產(chǎn)品外殼與中板之間的結(jié)合強(qiáng)度好，且具有能大量生產(chǎn)性、高生產(chǎn)效率和較低生產(chǎn)成本的優(yōu)點(diǎn)。

實(shí)施例7。

一種非晶合金電子產(chǎn)品外殼與中板的接合方法，它包括以下步驟：

步驟一，預(yù)結(jié)合：將非晶合金電子產(chǎn)品外殼與中板進(jìn)行預(yù)結(jié)合，其中，非晶合金電子產(chǎn)品外殼具有凸柱結(jié)構(gòu)，中板開(kāi)設(shè)有通孔；非晶合金電子產(chǎn)品外殼的凸柱結(jié)構(gòu)套入中板的通孔中，并通過(guò)夾治具鎖緊以使得非晶合金電子產(chǎn)品外殼與中板進(jìn)行預(yù)結(jié)合，得到預(yù)結(jié)合的整體；本實(shí)施例中，凸柱結(jié)構(gòu)為空心圓臺(tái)；其中，中板2的通孔的上部設(shè)置有倒角結(jié)構(gòu)201；

本實(shí)施例中，當(dāng)預(yù)結(jié)合時(shí)，非晶合金電子產(chǎn)品外殼1的凸柱結(jié)構(gòu)11的高度大于中板2的通孔21的深度，當(dāng)完成接合后，非晶合金電子產(chǎn)品外殼1的凸柱結(jié)構(gòu)11套入中板2的通孔21中的深度為等于或小于通孔21的深度；其中，非晶合金電子產(chǎn)品外殼的凸柱結(jié)構(gòu)與中板的通孔之間為過(guò)度配合。

其中，夾治具包括治具底座和治具上蓋，非晶合金電子產(chǎn)品外殼的凸柱結(jié)構(gòu)套入中板的通孔中后，治具底座用于放置非晶合金電子產(chǎn)品外殼，治具上蓋壓住中板，通過(guò)治具底座和治具上蓋的壓合鎖緊使得非晶合金電子產(chǎn)品外殼與中板進(jìn)行預(yù)結(jié)合。

步驟二，加熱：將步驟一得到的預(yù)結(jié)合的整體放入腔室內(nèi)，并利用加熱裝置對(duì)非晶合金電子產(chǎn)品外殼的凸柱結(jié)構(gòu)進(jìn)行加熱到(Tg－100℃)～Tg之間；本實(shí)施例中，具體加熱方式為紅外線加熱；本實(shí)施例中，加熱時(shí)間為60s；

步驟三，施壓：利用沖頭對(duì)非晶合金電子產(chǎn)品外殼的凸柱結(jié)構(gòu)進(jìn)行施壓20s，以使得非晶合金電子產(chǎn)品外殼的凸柱結(jié)構(gòu)發(fā)生塑形變形并填充中板的通孔；本實(shí)施例中，利用沖頭對(duì)非晶合金電子產(chǎn)品外殼的凸柱結(jié)構(gòu)進(jìn)行施壓的壓力為80N；其中，沖頭4能夠在XYZ三個(gè)維度并以360度的方向進(jìn)行移動(dòng)施壓；凸柱結(jié)構(gòu)11能夠在XYZ三個(gè)維度并以360度的方向進(jìn)行移動(dòng)施壓。

本實(shí)施例中，利用沖頭對(duì)非晶合金電子產(chǎn)品外殼的凸柱結(jié)構(gòu)進(jìn)行施壓，具體是，沖頭的軸心與通孔的軸心同軸且位于通孔的正上方，施壓時(shí)，沖頭往下移動(dòng)然后壓縮非晶合金電子產(chǎn)品外殼的凸柱結(jié)構(gòu)，施壓完成后沖頭返回原始位置。另外，沖頭有行程，能確保每次壓縮量一致，也不會(huì)過(guò)度壓縮。其中，沖頭與中板的通孔之間保持間隙，間隙大小為0.07mm；

本實(shí)施例的一種非晶合金電子產(chǎn)品外殼與中板的接合方法，與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明是對(duì)非晶合金電子產(chǎn)品外殼的凸柱結(jié)構(gòu)加熱至(Tg－100℃)～Tg之間然后進(jìn)行加壓一段時(shí)間，此溫度下非晶合金電子產(chǎn)品外殼的結(jié)構(gòu)不會(huì)發(fā)生質(zhì)變，即仍保持非晶合金結(jié)構(gòu)，進(jìn)而能夠避免非晶合金電子產(chǎn)品外殼發(fā)生氧化及結(jié)晶化反應(yīng)。另外，該非晶合金電子產(chǎn)品外殼與中板的接合方法能夠降低生產(chǎn)投入，縮短生產(chǎn)周期，并能夠使得非晶合金電子產(chǎn)品外殼與中板之間的結(jié)合強(qiáng)度好，且具有能大量生產(chǎn)性、高生產(chǎn)效率和較低生產(chǎn)成本的優(yōu)點(diǎn)。

實(shí)施例8。

一種非晶合金電子產(chǎn)品外殼與中板的接合方法，它包括以下步驟：

步驟一，預(yù)結(jié)合：將非晶合金電子產(chǎn)品外殼與中板進(jìn)行預(yù)結(jié)合，其中，非晶合金電子產(chǎn)品外殼具有凸柱結(jié)構(gòu)，中板開(kāi)設(shè)有通孔；非晶合金電子產(chǎn)品外殼的凸柱結(jié)構(gòu)套入中板的通孔中，并通過(guò)夾治具鎖緊以使得非晶合金電子產(chǎn)品外殼與中板進(jìn)行預(yù)結(jié)合，得到預(yù)結(jié)合的整體；本實(shí)施例中，凸柱結(jié)構(gòu)為實(shí)心圓錐；其中，中板2的通孔的上部設(shè)置有倒角結(jié)構(gòu)201；

本實(shí)施例中，當(dāng)預(yù)結(jié)合時(shí)，非晶合金電子產(chǎn)品外殼1的凸柱結(jié)構(gòu)11的高度大于中板2的通孔21的深度，當(dāng)完成接合后，非晶合金電子產(chǎn)品外殼1的凸柱結(jié)構(gòu)11套入中板2的通孔21中的深度為等于或小于通孔21的深度；其中，非晶合金電子產(chǎn)品外殼的凸柱結(jié)構(gòu)與中板的通孔之間為間隙配合。

其中，夾治具包括治具底座和治具上蓋，非晶合金電子產(chǎn)品外殼的凸柱結(jié)構(gòu)套入中板的通孔中后，治具底座用于放置非晶合金電子產(chǎn)品外殼，治具上蓋壓住中板，通過(guò)治具底座和治具上蓋的壓合鎖緊使得非晶合金電子產(chǎn)品外殼與中板進(jìn)行預(yù)結(jié)合。

步驟二，加熱：將步驟一得到的預(yù)結(jié)合的整體放入腔室內(nèi)，并利用加熱裝置對(duì)非晶合金電子產(chǎn)品外殼的凸柱結(jié)構(gòu)進(jìn)行加熱到(Tg－100℃)～Tg之間；本實(shí)施例中，具體加熱方式為電磁感應(yīng)加熱；本實(shí)施例中，加熱時(shí)間為20s；

步驟三，施壓：利用沖頭對(duì)非晶合金電子產(chǎn)品外殼的凸柱結(jié)構(gòu)進(jìn)行施壓15s，以使得非晶合金電子產(chǎn)品外殼的凸柱結(jié)構(gòu)發(fā)生塑形變形并填充中板的通孔；本實(shí)施例中，利用沖頭對(duì)非晶合金電子產(chǎn)品外殼的凸柱結(jié)構(gòu)進(jìn)行施壓的壓力為70N；其中，沖頭4能夠在XYZ三個(gè)維度并以360度的方向進(jìn)行移動(dòng)施壓；凸柱結(jié)構(gòu)11能夠在XYZ三個(gè)維度并以360度的方向進(jìn)行移動(dòng)施壓。

本實(shí)施例中，利用沖頭對(duì)非晶合金電子產(chǎn)品外殼的凸柱結(jié)構(gòu)進(jìn)行施壓，具體是，沖頭的軸心與通孔的軸心同軸且位于通孔的正上方，施壓時(shí)，沖頭往下移動(dòng)然后壓縮非晶合金電子產(chǎn)品外殼的凸柱結(jié)構(gòu)，施壓完成后沖頭返回原始位置。另外，沖頭有行程，能確保每次壓縮量一致，也不會(huì)過(guò)度壓縮。其中，沖頭與中板的通孔之間保持間隙，間隙大小為0.06mm；

本實(shí)施例的一種非晶合金電子產(chǎn)品外殼與中板的接合方法，與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明是對(duì)非晶合金電子產(chǎn)品外殼的凸柱結(jié)構(gòu)加熱至(Tg－100℃)～Tg之間然后進(jìn)行加壓一段時(shí)間，此溫度下非晶合金電子產(chǎn)品外殼的結(jié)構(gòu)不會(huì)發(fā)生質(zhì)變，即仍保持非晶合金結(jié)構(gòu)，進(jìn)而能夠避免非晶合金電子產(chǎn)品外殼發(fā)生氧化及結(jié)晶化反應(yīng)。另外，該非晶合金電子產(chǎn)品外殼與中板的接合方法能夠降低生產(chǎn)投入，縮短生產(chǎn)周期，并能夠使得非晶合金電子產(chǎn)品外殼與中板之間的結(jié)合強(qiáng)度好，且具有能大量生產(chǎn)性、高生產(chǎn)效率和較低生產(chǎn)成本的優(yōu)點(diǎn)。

實(shí)施例9。

一種非晶合金電子產(chǎn)品外殼與中板的接合方法，它包括以下步驟：

步驟一，預(yù)結(jié)合：將非晶合金電子產(chǎn)品外殼與中板進(jìn)行預(yù)結(jié)合，其中，非晶合金電子產(chǎn)品外殼具有凸柱結(jié)構(gòu)，中板開(kāi)設(shè)有通孔；非晶合金電子產(chǎn)品外殼的凸柱結(jié)構(gòu)套入中板的通孔中，并通過(guò)夾治具鎖緊以使得非晶合金電子產(chǎn)品外殼與中板進(jìn)行預(yù)結(jié)合，得到預(yù)結(jié)合的整體；本實(shí)施例中，凸柱結(jié)構(gòu)為實(shí)心長(zhǎng)方體；其中，中板2的通孔的上部設(shè)置有圓凹結(jié)構(gòu)202；

本實(shí)施例中，當(dāng)預(yù)結(jié)合時(shí)，非晶合金電子產(chǎn)品外殼1的凸柱結(jié)構(gòu)11的高度大于中板2的通孔21的深度，當(dāng)完成接合后，非晶合金電子產(chǎn)品外殼1的凸柱結(jié)構(gòu)11套入中板2的通孔21中的深度為等于或小于通孔21的深度；其中，非晶合金電子產(chǎn)品外殼的凸柱結(jié)構(gòu)與中板的通孔之間為過(guò)度配合。

其中，夾治具包括治具底座和治具上蓋，非晶合金電子產(chǎn)品外殼的凸柱結(jié)構(gòu)套入中板的通孔中后，治具底座用于放置非晶合金電子產(chǎn)品外殼，治具上蓋壓住中板，通過(guò)治具底座和治具上蓋的壓合鎖緊使得非晶合金電子產(chǎn)品外殼與中板進(jìn)行預(yù)結(jié)合。

步驟二，加熱：將步驟一得到的預(yù)結(jié)合的整體放入腔室內(nèi)，并利用加熱裝置對(duì)非晶合金電子產(chǎn)品外殼的凸柱結(jié)構(gòu)進(jìn)行加熱到(Tg－100℃)～Tg之間；本實(shí)施例中，具體加熱方式為紅外線加熱；本實(shí)施例中，加熱時(shí)間為50s；

步驟三，施壓：利用沖頭對(duì)非晶合金電子產(chǎn)品外殼的凸柱結(jié)構(gòu)進(jìn)行施壓8s，以使得非晶合金電子產(chǎn)品外殼的凸柱結(jié)構(gòu)發(fā)生塑形變形并填充中板的通孔；本實(shí)施例中，利用沖頭對(duì)非晶合金電子產(chǎn)品外殼的凸柱結(jié)構(gòu)進(jìn)行施壓的壓力為60N；其中，沖頭4能夠在XYZ三個(gè)維度并以360度的方向進(jìn)行移動(dòng)施壓；凸柱結(jié)構(gòu)11能夠在XYZ三個(gè)維度并以360度的方向進(jìn)行移動(dòng)施壓。

本實(shí)施例中，利用沖頭對(duì)非晶合金電子產(chǎn)品外殼的凸柱結(jié)構(gòu)進(jìn)行施壓，具體是，沖頭的軸心與通孔的軸心同軸且位于通孔的正上方，施壓時(shí)，沖頭往下移動(dòng)然后壓縮非晶合金電子產(chǎn)品外殼的凸柱結(jié)構(gòu)，施壓完成后沖頭返回原始位置。另外，沖頭有行程，能確保每次壓縮量一致，也不會(huì)過(guò)度壓縮。其中，沖頭與中板的通孔之間保持間隙，間隙大小為0.05mm；

本實(shí)施例的一種非晶合金電子產(chǎn)品外殼與中板的接合方法，與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明是對(duì)非晶合金電子產(chǎn)品外殼的凸柱結(jié)構(gòu)加熱至(Tg－100℃)～Tg之間然后進(jìn)行加壓一段時(shí)間，此溫度下非晶合金電子產(chǎn)品外殼的結(jié)構(gòu)不會(huì)發(fā)生質(zhì)變，即仍保持非晶合金結(jié)構(gòu)，進(jìn)而能夠避免非晶合金電子產(chǎn)品外殼發(fā)生氧化及結(jié)晶化反應(yīng)。另外，該非晶合金電子產(chǎn)品外殼與中板的接合方法能夠降低生產(chǎn)投入，縮短生產(chǎn)周期，并能夠使得非晶合金電子產(chǎn)品外殼與中板之間的結(jié)合強(qiáng)度好，且具有能大量生產(chǎn)性、高生產(chǎn)效率和較低生產(chǎn)成本的優(yōu)點(diǎn)。

實(shí)施例10。

一種非晶合金電子產(chǎn)品外殼與中板的接合方法，它包括以下步驟：

步驟一，預(yù)結(jié)合：將非晶合金電子產(chǎn)品外殼與中板進(jìn)行預(yù)結(jié)合，其中，非晶合金電子產(chǎn)品外殼具有凸柱結(jié)構(gòu)，中板開(kāi)設(shè)有通孔；非晶合金電子產(chǎn)品外殼的凸柱結(jié)構(gòu)套入中板的通孔中，并通過(guò)夾治具鎖緊以使得非晶合金電子產(chǎn)品外殼與中板進(jìn)行預(yù)結(jié)合，得到預(yù)結(jié)合的整體；本實(shí)施例中，凸柱結(jié)構(gòu)為空心長(zhǎng)方體；其中，中板2的通孔的孔壁面設(shè)置有小槽或凹坑結(jié)構(gòu)203，其中，小槽或凹坑結(jié)構(gòu)的內(nèi)壁面進(jìn)行粗糙化處理，例如噴砂處理；

本實(shí)施例中，當(dāng)預(yù)結(jié)合時(shí)，非晶合金電子產(chǎn)品外殼1的凸柱結(jié)構(gòu)11的高度大于中板2的通孔21的深度，當(dāng)完成接合后，非晶合金電子產(chǎn)品外殼1的凸柱結(jié)構(gòu)11套入中板2的通孔21中的深度為等于或小于通孔21的深度；其中，非晶合金電子產(chǎn)品外殼的凸柱結(jié)構(gòu)與中板的通孔之間為間隙配合。

其中，夾治具包括治具底座和治具上蓋，非晶合金電子產(chǎn)品外殼的凸柱結(jié)構(gòu)套入中板的通孔中后，治具底座用于放置非晶合金電子產(chǎn)品外殼，治具上蓋壓住中板，通過(guò)治具底座和治具上蓋的壓合鎖緊使得非晶合金電子產(chǎn)品外殼與中板進(jìn)行預(yù)結(jié)合。

步驟二，加熱：將步驟一得到的預(yù)結(jié)合的整體放入腔室內(nèi)，并利用加熱裝置對(duì)非晶合金電子產(chǎn)品外殼的凸柱結(jié)構(gòu)進(jìn)行加熱到100℃～Tg之間；本實(shí)施例中，具體加熱方式為電阻加熱；本實(shí)施例中，加熱時(shí)間為40s；

步驟三，施壓：利用沖頭對(duì)非晶合金電子產(chǎn)品外殼的凸柱結(jié)構(gòu)進(jìn)行施壓17s，以使得非晶合金電子產(chǎn)品外殼的凸柱結(jié)構(gòu)發(fā)生塑形變形并填充中板的通孔；本實(shí)施例中，利用沖頭對(duì)非晶合金電子產(chǎn)品外殼的凸柱結(jié)構(gòu)進(jìn)行施壓的壓力為30N；其中，沖頭4能夠在XYZ三個(gè)維度并以360度的方向進(jìn)行移動(dòng)施壓；凸柱結(jié)構(gòu)11能夠在XYZ三個(gè)維度并以360度的方向進(jìn)行移動(dòng)施壓。

本實(shí)施例中，利用沖頭對(duì)非晶合金電子產(chǎn)品外殼的凸柱結(jié)構(gòu)進(jìn)行施壓，具體是，沖頭的軸心與通孔的軸心同軸且位于通孔的正上方，施壓時(shí)，沖頭往下移動(dòng)然后壓縮非晶合金電子產(chǎn)品外殼的凸柱結(jié)構(gòu)，施壓完成后沖頭返回原始位置。另外，沖頭有行程，能確保每次壓縮量一致，也不會(huì)過(guò)度壓縮。其中，沖頭與中板的通孔之間保持間隙，間隙大小為0.03mm；

本實(shí)施例的一種非晶合金電子產(chǎn)品外殼與中板的接合方法，與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明是對(duì)非晶合金電子產(chǎn)品外殼的凸柱結(jié)構(gòu)加熱至(Tg－100℃)～Tg之間然后進(jìn)行加壓一段時(shí)間，此溫度下非晶合金電子產(chǎn)品外殼的結(jié)構(gòu)不會(huì)發(fā)生質(zhì)變，即仍保持非晶合金結(jié)構(gòu)，進(jìn)而能夠避免非晶合金電子產(chǎn)品外殼發(fā)生氧化及結(jié)晶化反應(yīng)。另外，該非晶合金電子產(chǎn)品外殼與中板的接合方法能夠降低生產(chǎn)投入，縮短生產(chǎn)周期，并能夠使得非晶合金電子產(chǎn)品外殼與中板之間的結(jié)合強(qiáng)度好，且具有能大量生產(chǎn)性、高生產(chǎn)效率和較低生產(chǎn)成本的優(yōu)點(diǎn)。

其中，常用合金的玻璃轉(zhuǎn)化溫度如表1所示。

表1 常用合金的玻璃轉(zhuǎn)化溫度

其中，本發(fā)明的一種非晶合金電子產(chǎn)品外殼與中板的接合方法的實(shí)施例1至10，所制得的鉚接產(chǎn)品的結(jié)合拉拔力的測(cè)試數(shù)據(jù)如表2所示。

表2 結(jié)合拉拔力測(cè)試數(shù)據(jù)對(duì)比表

最后應(yīng)當(dāng)說(shuō)明的是，以上實(shí)施例僅用以說(shuō)明本發(fā)明的技術(shù)方案，而非對(duì)本發(fā)明保護(hù)范圍的限制，盡管參照較佳實(shí)施例對(duì)本發(fā)明作了詳細(xì)地說(shuō)明，本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員應(yīng)當(dāng)理解，可以對(duì)本發(fā)明的技術(shù)方案進(jìn)行修改或者等同替換，而不脫離本發(fā)明技術(shù)方案的實(shí)質(zhì)和范圍。