本實(shí)用新型涉及一種電弧通道，尤其涉及一種等離子電弧通道，屬于等離子設(shè)備技術(shù)領(lǐng)域。

背景技術(shù)：

在現(xiàn)代熱加工領(lǐng)域中，焊接、切割、熱噴涂、表面熱處理等加工應(yīng)用廣泛。隨著科學(xué)技術(shù)的不斷發(fā)展，傳統(tǒng)的加工工藝已難以滿足新型材料及特殊結(jié)構(gòu)的加工要求。常用的傳統(tǒng)熱源如炔氧焰、氫氧焰應(yīng)用簡(jiǎn)便，成本低，但其最高溫度只有3000攝氏度左右，難以加工高熔點(diǎn)金屬、耐高溫陶瓷材料；利用電弧放電產(chǎn)生的熱源多用于焊接領(lǐng)域，技術(shù)成熟，但對(duì)于特種焊接及陶瓷、復(fù)合材料的焊接卻難以實(shí)現(xiàn)。最近幾十年內(nèi)，高能束熱源研究快速發(fā)展，以激光、電子束、熱等離子體的研究應(yīng)用最為廣泛，這三種熱流都具有很高的能量密度，加工溫度高，升溫快。其中，激光上午加工精度高，但激光成本高，一次性投資大，功率也較小，目前工業(yè)用半導(dǎo)體泵浦激光器最大功率為10KW左右，加上能量轉(zhuǎn)化率低（20%左右），極大限制了其他工業(yè)上的推廣運(yùn)用；電子束利用加速狀態(tài)的電子轟擊工件產(chǎn)生熱能，屬于精度微細(xì)加工方法，但加工條件復(fù)雜，需要一整套專用設(shè)備和真空系統(tǒng)，價(jià)格昂貴，且電子束轟擊材料產(chǎn)生的X射線會(huì)損害人體細(xì)胞，安全問(wèn)題不容忽視。熱等離子體技術(shù)利用電能將普通氣體電離以產(chǎn)生等離子體，使等離子體攜帶能量并傳輸給工件，和激光及電子束相比，具有加工應(yīng)用簡(jiǎn)單，設(shè)備成本低，安全性高等優(yōu)點(diǎn)。

而在熱等離子體設(shè)置中，發(fā)生器為等離子系統(tǒng)的核心裝置，發(fā)生器包括底座、電極、電弧通道、冷卻裝置和噴嘴等。在電弧等離子發(fā)射過(guò)程中，會(huì)產(chǎn)生大量高溫、極速的電弧等離子束，這些電弧等離子束會(huì)穿過(guò)電弧通道，雜亂的進(jìn)入外界環(huán)境，造成不利影響。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本實(shí)用新型旨在解決上述問(wèn)題，而提出了一種等離子電弧通道。通過(guò)對(duì)電弧通道裝置的新型涉及，解決電弧等離子對(duì)電弧通道的破壞，也解決電弧等離子對(duì)外界環(huán)境的影響。

為了解決現(xiàn)有技術(shù)問(wèn)題，提出如下的技術(shù)方案：

一種等離子電弧通道，一端連接發(fā)生器底座，另一端連接發(fā)生器噴嘴，其特征在于：所述電弧通道為雙層結(jié)構(gòu)，包括內(nèi)層裝置和外層裝置，所述內(nèi)層裝置設(shè)置有柵片滅弧室；所述外層裝置為絕緣層，外層裝置內(nèi)設(shè)置有冷卻裝置。

進(jìn)一步的，所述柵片滅弧室包括觸頭、彈簧、電路，觸頭連接彈簧。

進(jìn)一步的，所述內(nèi)層壁上涂有耐磨、耐高溫材料。

進(jìn)一步的，所述冷卻裝置內(nèi)的冷卻介質(zhì)為軟水。

柵片滅弧室原理為：

在交流低壓開(kāi)關(guān)電器中，當(dāng)觸頭間產(chǎn)生電弧時(shí)，電弧在磁力線的收縮力作用下被拉入滅弧柵片。一個(gè)長(zhǎng)弧被分隔成多段短弧。當(dāng)交流電流過(guò)零時(shí)，所有短弧同時(shí)熄滅，由于近陰極效應(yīng)，每段短弧的陰極附近都立即出現(xiàn)150-250V的起始介質(zhì)強(qiáng)度，只要所有串聯(lián)短弧的起始介質(zhì)強(qiáng)度總和大于觸頭間的外加電壓，電弧將不再重燃。

采用本技術(shù)方案，帶來(lái)的有益技術(shù)效果為：

在本實(shí)用新型中，通過(guò)對(duì)電弧通道的新型設(shè)置，引導(dǎo)電弧等離子束有序的進(jìn)入噴嘴；當(dāng)部分高溫、快速的電弧等離子接觸電弧通道時(shí)，有效的防止電弧等離子向外界傳遞，及隔斷高溫對(duì)外界的影響。內(nèi)層壁上涂有耐磨、耐高溫材料，防止電弧等離子對(duì)電弧通道內(nèi)壁的沖擊，也防止高溫對(duì)內(nèi)壁的腐蝕；冷卻介質(zhì)為軟水，能循環(huán)使用，并有效的避免冷卻水鈣化后附著在冷卻裝置壁上，影響裝置設(shè)備。

附圖說(shuō)明

圖1 本實(shí)用新型的結(jié)構(gòu)示意圖

圖中，1、內(nèi)層裝置，2、外層裝置，3、柵片滅弧室，4、冷卻裝置。

具體實(shí)施方式

下面通過(guò)對(duì)本實(shí)用新型實(shí)施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實(shí)施例僅是本實(shí)用新型的一部分實(shí)施例，而不是全部的實(shí)施例。基于本實(shí)用新型中的實(shí)施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒(méi)有做出創(chuàng)造性勞動(dòng)前提下所獲得的所有其它實(shí)施例，都屬于本實(shí)用新型保護(hù)的范圍。

實(shí)施例1

一種等離子電弧通道，一端連接發(fā)生器底座，另一端連接發(fā)生器噴嘴，其特征在于：所述電弧通道為雙層結(jié)構(gòu)，包括內(nèi)層裝置1和外層裝置2，所述內(nèi)層裝置1設(shè)置有柵片滅弧室3；所述外層裝置2為絕緣層，外層裝置2內(nèi)設(shè)置有冷卻裝置4。

柵片滅弧室3原理為：

在交流低壓開(kāi)關(guān)電器中，當(dāng)觸頭間產(chǎn)生電弧時(shí)，電弧在磁力線的收縮力作用下被拉入滅弧柵片。一個(gè)長(zhǎng)弧被分隔成多段短弧。當(dāng)交流電流過(guò)零時(shí)，所有短弧同時(shí)熄滅，由于近陰極效應(yīng)，每段短弧的陰極附近都立即出現(xiàn)150-250V的起始介質(zhì)強(qiáng)度，只要所有串聯(lián)短弧的起始介質(zhì)強(qiáng)度總和大于觸頭間的外加電壓，電弧將不再重燃。

實(shí)施例2

如圖1所示：一種等離子電弧通道，一端連接發(fā)生器底座，另一端連接發(fā)生器噴嘴，其特征在于：所述電弧通道為雙層結(jié)構(gòu)，包括內(nèi)層裝置1和外層裝置2，所述內(nèi)層裝置1設(shè)置有柵片滅弧室3；所述外層裝置2為絕緣層，外層裝置2內(nèi)設(shè)置有冷卻裝置4。

所述柵片滅弧室3包括觸頭、彈簧、電路，觸頭連接彈簧。

所述內(nèi)層壁上涂有耐磨、耐高溫材料。

所述冷卻裝置4內(nèi)的冷卻介質(zhì)為軟水。