利用活性硬焊料或釬焊料接合陶瓷體的方法、具有彼此接合的至少兩個陶瓷體的組件,特 ...的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明涉及一種組件，其包括：利用活性硬焊料或釬焊料(5)的接縫連接的第一陶瓷體和第二陶瓷體(1，2)，其中所述活性硬焊料或釬焊料(5)在連續(xù)主體積上均分，所述主體積包括至少50％的所述接縫體積，具有有液相線溫度Tl(CH)的平均組成CH。其中，根據(jù)本發(fā)明，所述接縫的邊緣區(qū)域具有有液相線溫度Tl(CR)的平均組成CR，所述接縫的邊緣區(qū)域接觸所述陶瓷體(1，2)中的至少一個，所述液相線溫度Tl(CR)比所述主體積的平均組成CH的液相線溫度Tl(CH)高至少20K、優(yōu)選地至少50K且特別優(yōu)選地至少100K。
【專利說明】利用活性硬焊料或釬焊料接合陶瓷體的方法、具有彼此接合的至少兩個陶瓷體的組件，特別是壓力測量單元

【技術領域】
[0001]本發(fā)明涉及具有彼此接合的至少兩個陶瓷體的組件，特別是壓力測量單元，以及利用活性硬焊料或釬焊料接合陶瓷體的方法。

【背景技術】
[0002]由于本發(fā)明與壓力測量單元的特殊關聯(lián)性，將首先基于壓力測量單元來解釋本發(fā)明。
[0003]根據(jù)尖端科技的壓力測量單元組合了陶瓷測量膜和陶瓷平臺，其中測量膜與平臺沿含有活性硬焊料或釬焊料的周邊接縫壓密地連接，其中壓力室在測量膜和平臺之間形成，其中由在壓力室中主導的壓力和作用于測量膜背對壓力室的外部的壓力之間的差值產(chǎn)生測量膜的平衡位置。
[0004]充當平臺和測量膜用的材料特別是氧化鋁陶瓷，其由于彈性性質(zhì)和中等抗性而適合于制造壓力測量單元。所提到的陶瓷組件特別地用活性硬焊料或釬焊料接合，該活性硬焊料或釬焊料優(yōu)選為含有Zr、Ni和Ti的活性硬焊料或釬焊料。這種活性硬焊料或釬焊料的制造例如公開在歐洲專利申請文件(Offenlegungsschrift)EP O 490 807 A2中。根據(jù)其中描述的方法，特別地，可制造活性釬焊材料的環(huán)，其可安置在測量膜和平臺之間以將它們彼此硬焊或釬焊。
[0005]然而，熔融的活性硬焊料或釬焊料趨于向內(nèi)徑向流動。因此，為了避免向內(nèi)徑向流動，需要另外的措施。在這方面，例如，專利申請文件DE 100 36 433 Al公開了電容式壓力測量單元，其同樣具有活性硬焊料或釬焊料的接縫，其中在接縫根部，即接縫的內(nèi)徑處，形成環(huán)狀包圍凹槽，其一方面防止局部應力集中在接縫處，且另一方面限定可靠的阻焊層，活性硬焊料或釬焊料不能經(jīng)該阻焊層進一步向內(nèi)徑向流動。
[0006]限制活性硬焊料或釬焊料向內(nèi)徑向流動的實踐方法包括使膜-側電極的表面氧化，該膜-側電極含有鉭且意在與活性硬焊料或釬焊料電流接觸。在相對低的硬焊溫度下，這可防止活性硬焊料或釬焊料進入到壓力室并提供可接受的產(chǎn)率。然而，當硬焊溫度增加時，阻焊層不再可靠，且焊料流過鉭電極的邊緣進入壓力室。
[0007]在又一未公開的專利申請DE 10 2012 103 166中，石墨層作為阻焊層公開。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0008]然而，在指定的情況下，在石墨層中的缺陷可使防濕退化。因此，本發(fā)明的目的是提供組件，具體地為壓力測量單元，在其制造中，可靠地防止焊料流過阻焊層。
[0009]根據(jù)本發(fā)明通過以下實現(xiàn)該目的:獨立專利權利要求1所述的組件、獨立專利權利要求12所述的壓力測量單元和獨立專利權利要求15所述的方法。
[0010]本發(fā)明的組件包括第一陶瓷體和第二陶瓷體，其中第一陶瓷體和第二陶瓷體利用接縫連接，其中接縫含有活性硬焊料或釬焊料，其中活性硬焊料或釬焊料在連續(xù)主體積上均分(averaged)。所述主體積包括至少50%、特別地至少70%且優(yōu)選地至少80%的接縫體積，具有有液相線溫度T1 (Ch)的平均組成Ch，其中Ch: = (cH1，…，Chn)，其中|CH| = 1，且其中cHi為在主體積中的活性硬焊料或釬焊料的平均組成的組分Ki i = 1，...，N的化學計量分數(shù)。其中根據(jù)本發(fā)明，接縫的邊緣區(qū)域具有有液相線溫度T1(Ck)的平均組成Ck;所述邊緣區(qū)域接觸陶瓷體中的至少一個，且其重疊至多8%的主體積例如至多4%且特別地至多2%且優(yōu)選位于主體積之外；所述液相線溫度T1(Ck)比主體積的平均組成Ch的液相線溫度T1 (Ch)高至少20K、優(yōu)選地至少50K且特別優(yōu)選地至少100K，其中CK: = (cE1,…，cEN)，其中|cK| = 1，且其中cKi為在邊緣區(qū)域中的活性硬焊料或釬焊料的平均組成的組分Ki i =1，…，N的化學計量分數(shù)。
[0011]在本發(fā)明的另一發(fā)展中，具有平均組成Ck的邊緣區(qū)域具有如下體積，其總計不低于接縫體積的0.1 %、例如不低于0.5%且特別地不低于1%。
[0012]在本發(fā)明的另一發(fā)展中，接縫為環(huán)狀的，其中主體積由旋轉體限定，所述旋轉體通過圍繞環(huán)的轉動主軸轉動凸多邊形、特別是長方形來形成。
[0013]在本發(fā)明的另一發(fā)展中，具有組成Ck的邊緣區(qū)域沿環(huán)形接縫的內(nèi)緣延伸。
[0014]在本發(fā)明的另一發(fā)展中，液相線溫度T1 (Ch)隨組成從CSlj Ck的改變單調(diào)地升高到液相線溫度T1 (Ce)。
[0015]在本發(fā)明的另一發(fā)展中，組成Ch具有液相線溫度T JCh),其比在組成空間中具有組成Ce的共晶點的液相線溫度T ! (Ce)高至多300K、優(yōu)選地至多150K且優(yōu)選地至多50K，所述共晶點相應地為與共晶谷的最靠近的交叉點，其中(；:=(C61，…，cj，其中|C」=I且其中Cei為組分Ki i = I,…，N在共晶點，即與共晶谷的最靠近的交叉點，的化學計量分數(shù)。
[0016]與共晶谷的最靠近的交叉點由在共晶谷中的點定義，對于其組成C；，認為矢量差
IC6-Ch I的大小在共晶谷中的所有點之中有最小值。
[0017]在本發(fā)明的另一發(fā)展中，接縫的合金在在組成空間中的共晶點，即與共晶谷的最靠近的交叉點，具有組成ce，其中Ce: = (cel，…，cj，其中IcJ = 1，其中Cei為在共晶點，即與共晶谷的最靠近的交叉點，的組分Ki i = 1，...，N的化學計量分數(shù)；其中在組成C6與組成Ch之間的差可用歸一化矢量差D 描述，其中|D』=I ;其中組成Ck與組成Ch之間的差可用歸一化矢量差Deh描述，其中:CK= CH+aEH*DEH, Deh = I ;其中aeH和am為正標量,其中,對于標量積，s eE: = Dea.Deh:s eK〈0,特別地，seE<-0.5,優(yōu)選地，seE<-0.8。
[0018]在本發(fā)明的另一發(fā)展中，第一陶瓷體和/或第二陶瓷體包含A1203。
[0019]在本發(fā)明的另一發(fā)展中，活性硬焊料或釬焊料含有Zr、Ni和Ti，其中在本發(fā)明的實施方式中，至少在主體積中的活性硬焊料或釬焊料是由這些組分和在指定的情況下的鋁構成，在硬焊過程中，鋁從陶瓷擴散到接縫中。
[0020]在本發(fā)明的這一另一發(fā)展的實施方式中，組成Ch包含20原子％?24原子％ N1、13原子％到17原子％ Ti和剩余物Zr以及在指定情況下的鋁，鋁在所硬焊過程中從陶瓷擴散到接縫中，其中組成Ch特別地包含63原子％ Zr、22原子％Ni和15原子％ Ti，其中在指定情況下，Al擴散在其中，其中在存在鋁的情況下，特別地鈦分數(shù)降低，且其中組成Ck與組成Ch相比較具有增加的Ni分數(shù)。
[0021]在本發(fā)明的另一發(fā)展中，邊緣區(qū)域的組成Ck含有與主體積的組成Ch相同的金屬。在本發(fā)明的這一另一發(fā)展的實施方式中，除了在指定情況下的雜質(zhì)之外，組成不含其他元素。在本發(fā)明的另一發(fā)展中，邊緣區(qū)域的組成含有選自包括Cu、Fe、Al、Ag和Au的列表的至少一種另外的金屬。
[0022]本發(fā)明的壓力測量單元包括本發(fā)明的組件，其中第一陶瓷體為壓力測量單元的測量膜的膜體，且其中第二陶瓷體為壓力測量單元的平臺，其中平臺與測量膜利用環(huán)狀的接縫彼此壓密地接合。
[0023]在另一發(fā)展中，壓力測量單元包括電容式傳感器，其中平臺的面向測量膜的表面和/或測量膜的面向平臺的表面分別具有金屬電極，其中所述電極包含金屬，與組成C0相比較，所述金屬在組成(^中富集。在本發(fā)明的另一發(fā)展中，這一金屬包括鎳。
[0024]用于制造第一陶瓷體和第二陶瓷體的組件的其中所述第一陶瓷體和所述第二陶瓷體將利用活性硬焊料或釬焊料接合的本發(fā)明方法包括如下步驟:在陶瓷體之間提供活性硬焊料或釬焊料和阻焊層，其中在硬焊之前活性硬焊料或釬焊料具有液相線溫度為T1 (Cho)的平均組成Cm均分在連續(xù)主體積上，所述主體積包括至少50%、特別地至少70%且優(yōu)選地至少80%的活性硬焊料或釬焊料體積,其中CH(1: = (cH(ll，…，cH(IN),其中|CH(I| = I且其中Cmi為在主體積中的活性硬焊料或釬焊料的平均組成的組分Ki i = 1，...，N的化學計量分數(shù)，其中所述阻焊層具有至少一種材料，其液相線溫度高于所述主體積的組成Cm的液相線溫度，其中所述阻焊層的材料與所述組成Chci的混合至少在將通過所述方法形成的接縫的邊緣區(qū)域中產(chǎn)生平均組成CK，其中所述組成Ck具有液相線溫度T i (Ck)，其在比所述主體積的平均組成Chci的液相線溫度T ! (Cho)高至少20K、優(yōu)選地至少50K且特別優(yōu)選地至少100K，其中CK: = (cK1，一,Ckn)，其中|CK| = 1，且其中cKi為在邊緣區(qū)域中的活性硬焊料或釬焊料的平均組成的組分Ki i = I,…，N的化學計量分數(shù)；以及在真空硬焊、釬焊工藝中將陶瓷體、活性硬焊料或釬焊料和阻焊層至少加熱至使所述組成Ch熔融，其中活性硬焊料或釬焊料在邊緣區(qū)域中的熔體與阻焊層的材料混合，由此在邊緣區(qū)域中的熔體等溫凝固或變得更粘并阻塞。阻塞在這方面是指活性硬焊料或釬焊料的流動達到在邊緣區(qū)域停止的程度。
[0025]在方法的另一發(fā)展中，活性硬焊料或釬焊料包含Zr、Ni和Ti。
[0026]在本發(fā)明的另一發(fā)展中，活性硬焊料或釬焊料的組成Cm在接合之前包含20原子％?24原子％ N1、13原子％?17原子％ T1、剩余物Zr，其中組成Ch特別地包含63原子％ Zr,22原子％ Ni和15原子％ Ti。
[0027]在本發(fā)明的另一發(fā)展中，與在接合之后為接縫的主體積的組成的組成C0相比較，組成Ck具有增加的Ni分數(shù)。
[0028]在本發(fā)明的另一發(fā)展中，阻焊層通過在至少一個陶瓷體的至少一個表面區(qū)段上沉積金屬或各種金屬的混合物來提供，其中，與活性硬焊料或釬焊料的主體積的組成的液相線溫度相比較，金屬或金屬混合物在活性硬焊料或釬焊料中的富集引起液相線溫度增加。
[0029]在本發(fā)明的另一發(fā)展中，沉積的金屬、相應地沉積金屬的混合物含有鎳。
[0030]在本發(fā)明的另一發(fā)展中，在其中提供了阻焊層的陶瓷體的表面區(qū)段與在接縫與陶瓷體之間的接觸表面的重疊為接縫與陶瓷體之間的接觸表面的至多25%、優(yōu)選地至多10%。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0031 ] 現(xiàn)在將基于在附圖中示例的實施方式的實施例來解釋本發(fā)明，附圖的圖顯示如下:
[0032]圖1經(jīng)由二元合金的相圖的實例的區(qū)段；
[0033]圖2本發(fā)明的壓力測量單元的縱截面；
[0034]圖3a在使活性硬焊料或釬焊料的合金熔融之前的組成分布C (r);及
[0035]圖3b在接合工藝之后的組成分布C (r)。

【具體實施方式】
[0036]如在圖1中所示，由兩種金屬或兩種合金A和B的混合物構成的合金在組成C6處具有共晶點，即，與共晶谷的交叉點。在該組成(；的附近，組成Chci具有，與Ce相比較，量稍微增加的組分B，其與組成Ce相比較，其具有僅略微增加的液相線溫度。組分B的進一步富集導致液相線溫度顯著增加，諸如對于組成Ck所指示的。
[0037]從這些考慮開始，將接合壓力測量單元的組件。在接合之前組件的布置提供在圖
2中。壓力測量單元包括陶瓷平臺I和測量膜2，這兩者都包含氧化鋁。測量膜2和平臺將利用活性硬焊料或釬焊料接合。為了保持活性硬焊料或釬焊料在限定的區(qū)域中，例如通過濺射將例如具有例如0.5mm的徑向尺寸r1-rs的環(huán)形阻焊層3沉積在平臺I的面向測量膜2的表面上。該阻焊層的涂層厚度總計例如為0.1 μπι?0.5 μπι。該阻焊層可特別地包含鎳。相應的阻焊層4沉積在測量膜2面向平臺I的表面上，其中在測量膜2上的膜-側阻焊層4特別地可作為完整的表面圓盤形成，為了隨后同時充當電容式傳感器的膜-側電極。并且，以例如0.1 μ m?0.5 μ m的厚度的膜-側阻焊層4可包含鎳。
[0038]在平臺上制備阻焊層3期間，同時，可沉積電容式傳感器的至少一個平臺-側測量電極6。特別地，測量電極6具有與阻焊層4相同的材料。然而，平臺-側測量電極6應與平臺_側阻焊層4電氣絕緣(galvanically isolated)。
[0039]為了制備連接，隨后在平臺與測量膜之間提供從ri向外延伸到1^的活性硬焊料或釬焊料環(huán)5。環(huán)5例如包含三元Zr-N1-Ti活性硬焊料或釬焊料，其具有特別是63原子％Zr,22原子％ Ni和15原子％ Ti的組成CH(I。這個硬焊料或釬焊料具有例如870°C的液相線溫度T1 (Cho)。參考圖1，Zr和Ti的亞組成被視為組分A，而Ni為組分B。在活性硬焊料或釬焊料熔融之前在平臺的表面上的金屬組分的組成C(r)隨半徑的變化示于圖3a中。在Ni的阻焊層區(qū)域中，相應排它地存在組分B，而在活性硬焊料或釬焊料的環(huán)的區(qū)域中，存在作為組成Chci的A和B的混合物。在高真空硬焊工藝中將在圖2的布置加熱到例如890°C的硬焊、釬焊溫度之后，活性硬焊料或釬焊料環(huán)5熔融且其活性組分Ti與測量膜和平臺的陶瓷材料反應。同時，在活性硬焊料或釬焊料與阻焊層的界面處，鎳從阻焊層遷移到熔體中，其中，經(jīng)由鎳的局部富集，在邊緣區(qū)域產(chǎn)生其液相線溫度T1(Ck)高于當前硬焊溫度的組成CK。因此，在邊緣區(qū)域中的熔體凝固，由此可靠地防止活性硬焊料或釬焊料的進一步流入。實際上，由于該硬焊過程，來自陶瓷的鋁可既擴散到主體積中，并且也擴散到邊緣區(qū)域中，同時來自活性硬焊料或釬焊料的鈦擴散到陶瓷中，因此邊緣區(qū)域的組成Ck除了阻焊層和活性硬焊料或釬焊料的金屬之外還含有Al，由此，除了在硬焊之前在活性硬焊料或釬焊料的組成Cm中的元素之外，主體積的組成C 11在硬焊之后還可另外含有鋁。
【權利要求】
1.一種組件，其包括: 第一陶瓷體(I)和第二陶瓷體(2)，其中所述第一陶瓷體(I)和所述第二陶瓷體(2)利用接縫連接，其中所述接縫含有活性硬焊料或釬焊料(5)， 其中在連續(xù)主體積上均分的所述活性硬焊料或釬焊料具有有液相線溫度T1(Ch)的平均組成Ch，所述主體積包括至少50%、特別地至少70%且優(yōu)選地至少80%的所述接縫的體積， 其中CH: = (cH1，...，?_)，其中|CH| = I，且其中cHi為在所述主體積中的所述活性硬焊料或釬焊料的平均組成的組分Ki i = 1，...，N的化學計量分數(shù)， 其特征在于所述接縫的邊緣區(qū)域具有有液相線溫度T1(Ck)的平均組成Ck，所述接縫的邊緣區(qū)域接觸所述陶瓷體中的至少一個且其重疊至多8%的所述主體積，例如至多4%且特別地至多2%的所述主體積，且優(yōu)選位于所述主體積之外，所述液相線溫度T1(Ck)比所述主體積的平均組成Ch的液相線溫度T JCh)高至少20K、優(yōu)選地至少50K且特別優(yōu)選地至少100K, 其中CK: = (cK1，…，Cen)，其中IckI = 1，且其中cKi為所述活性硬焊料或釬焊料的平均組成的組分Ki i = 1，…，N在所述邊緣區(qū)域中的化學計量分數(shù)。
2.根據(jù)權利要求1的所述組件，其中具有所述平均組成Ck的所述邊緣區(qū)域具有總計不低于所述接縫體積的0.1 %、例如不低于0.5%且特別地不低于I %的體積。
3.根據(jù)權利要求1或2的所述組件，其中所述接縫為環(huán)狀的，且其中所述主體積由旋轉體限定，所述旋轉體通過圍繞所述環(huán)的轉動主軸轉動凸多邊形、特別是長方形來形成。
4.根據(jù)權利要求3的所述組件，其中具有組成(:,的所述邊緣區(qū)域沿所述環(huán)形接縫的內(nèi)緣延伸。
5.根據(jù)前述權利要求任一項的所述組件，其中所述液相線溫度!\(Ch)隨著組成從CSlJCk的變化單調(diào)地升高到液相線溫度T JCk)。
6.根據(jù)前述權利要求任一項的所述組件，其中所述組成C11具有液相線溫度T JCh)，其比在組成空間中的具有組成C6的共晶點，即與共晶谷的最靠近的交叉點，的液相線溫度T1(Ce)高至多300K、優(yōu)選地至多150K且優(yōu)選地至多50K， 其中(；:=(cy，cj，其中ICj = 1，且其中Cei為在所述共晶點，即與共晶谷的最靠近的交叉點，的所述組分Ki i = l,…，N的化學計量分數(shù)。
7.根據(jù)前述權利要求任一項的所述組件，其中所述接縫的合金在在組成空間中的共晶點，即與共晶谷的最靠近的交叉點，具有組成C；， 其中，Ce: = (cel，…，cj，其中|Cj = 1，其中Cei為在所述共晶點，即與共晶谷的最靠近的交叉點，的所述組分Ki i = l,…，N的化學計量分數(shù)， 其中所述組成C6與所述組成Ch之間的差可用歸一化矢量差D εΗ描述， 其中:Ce=CH+aeH*DeH，其中 |DeH| = 1， 其中所述組成Ck與所述組成Ch之間的差可用歸一化矢量差Dkh描述， 其中— c，其中 IdehI — 1， 其中aeH和a EH為正標量， 其中，對于標量積，seE: = Ddl.Deh: seK〈0，特別地，seE<-0.5，優(yōu)選地，seE<-0.8。
8.根據(jù)前述權利要求任一項的所述組件，其中所述邊緣區(qū)域的組成(:,含有與所述主體積的組成Ch相同的金屬或者其他金屬。
9.根據(jù)前述權利要求任一項的所述組件，其中所述第一陶瓷體(I)和/或所述第二陶瓷體(2)包含A1203。
10.根據(jù)前述權利要求任一項的所述組件，其中所述活性硬焊料或釬焊料含有Zr、Ni和Ti。
11.根據(jù)前述權利要求任一項的所述組件，其中所述組成(^包含20原子％?24原子％N1、13原子％?17原子％ Ti和剩余物Zr以及在指定情況下的鋁，所述鋁在硬焊工藝中從所述陶瓷擴散到所述接縫中，其中所述組成Q/t#別地包含63原子％ Zr、22原子％ Ni和15原子％ Ti，其中在指定情況下，Al擴散在其中，其中在Al存在的情況下，特別地，鈦分數(shù)減小，且其中與所述組成Ch相比較，所述組成Ck具有增加的Ni分數(shù)。
12.—種壓力傳感器，其包括根據(jù)前述權利要求任一項的所述組件， 其中所述第一陶瓷體為所述壓力傳感器的測量膜的膜體， 其中所述第二陶瓷體為所述壓力傳感器的平臺，且 其中所述平臺和所述測量膜利用環(huán)狀的接縫彼此壓密地接合。
13.根據(jù)權利要求12的所述壓力傳感器，其中所述壓力傳感器包括電容式傳感器， 其中所述平臺的面向所述測量膜的表面和/或所述測量膜的面向所述平臺的表面分別具有金屬電極，且 其中所述電極包含金屬，與所述組成Ch相比較，所述金屬在所述組成C ,中富集。
14.根據(jù)權利要求13的所述壓力傳感器，其中所述電極包含的所述金屬包括鎳。
15.一種制造組件、特別是根據(jù)前述權利要求任一項的所述組件的方法，所述組件包括第一陶瓷體(I)和第二陶瓷體(2)，其中所述第一陶瓷體(I)和所述第二陶瓷體(2)利用活性硬焊料或釬焊料(5)接合， 其中所述方法包括如下步驟: 在所述陶瓷體之間提供所述活性硬焊料或釬焊料和阻焊層，其中在連續(xù)主體積上均分的所述活性硬焊料或釬焊料具有有液相線溫度T1 (Cho)的平均組成Chci,，所述主體積包括至少50%、特別地至少70%且優(yōu)選地至少90°的所述活性硬焊料或釬焊料體積，其中Cm:=(Cmi，…，Chcin),其中IchciI = 1，且其中Cm為在所述主體積中所述活性硬焊料或釬焊料的平均組成的組分Ki i = I,…，N的化學計量分數(shù)，其中所述阻焊層具有至少一種材料，其液相線溫度在所述主體積的組成Ch的液相線溫度之上，且其中所述阻焊層的材料與所述組成Ch的混合至少在將通過所述方法形成的接縫的邊緣區(qū)域中產(chǎn)生平均組成Ck，其中所述組成Ck具有液相線溫度T1 (Ce)，所述液相線溫度T1 (Ce)比所述主體積的平均組成Chci的液相線溫度T1(Cho)高至少20K、優(yōu)選地至少50K且特別優(yōu)選地至少100K，其中Ck: = (cK1，…，cKN)，其中CeI = 1，且其中cKi為在所述邊緣區(qū)域中的所述活性硬焊料或釬焊料的平均組成的組分Kii = 1，…，N的化學計量分數(shù)，以及 在真空硬焊、釬焊工藝中將所述陶瓷體、所述活性硬焊料或釬焊料和所述阻焊層至少加熱到使所述組成Ch熔融，其中所述活性硬焊料或釬焊料在所述邊緣區(qū)域中的熔體與所述阻焊層的材料混合，由此在所述邊緣區(qū)域中的熔體等溫凝固或變得更粘且阻塞。
16.根據(jù)權利要求15的所述方法，其中所述阻焊層通過在至少一個陶瓷體的至少一個表面區(qū)段上沉積金屬或各種金屬的混合物來提供，其中與所述活性硬焊料或釬焊料的主體積的組成的液相線溫度相比較，所述金屬或所述金屬混合物在所述活性硬焊料或釬焊料中的富集弓I起液相線溫度增加。
17.根據(jù)權利要求16的所述方法，其中所述陶瓷體的在其中提供了所述阻焊層的表面區(qū)段與在所述接縫與所述陶瓷體之間的接觸表面的重疊為所述接縫與所述陶瓷體之間的接觸表面的至多25%、優(yōu)選地至多10%。
【文檔編號】B23K1/00GK104470666SQ201380036655
【公開日】2015年3月25日 申請日期:2013年6月7日 優(yōu)先權日:2012年7月11日
【發(fā)明者】尼爾斯·波納特, 安德烈亞斯·羅斯貝格, 埃爾克·施密特 申請人:恩德萊斯和豪瑟爾兩合公司