用于電路板絕緣保護層的開口方法
【專利摘要】本發(fā)明公開一種用于電路板絕緣保護層的開口方法，其首先提供一電路板，其中該電路板包含一基材、設(shè)置于該基材的一表面上的一導(dǎo)電層及設(shè)置于該導(dǎo)電層上的一絕緣保護層。該開口方法接著以一激光光束照射該絕緣保護層以形成一開口，使得該導(dǎo)電層能經(jīng)由該開口露出。在實作上，此導(dǎo)電層露出的部分即作為焊接墊。因此，本發(fā)明使用工序數(shù)較少，且具有加工成本低的優(yōu)點并可提供高精度的開口，適于高密度布線的電路板制作工藝且能避免現(xiàn)有采用曝光、顯影方式的開口成形制作工藝可能引起對位偏移、油墨殘留、油墨異物、油墨剝離及化金滲金等問題。
【專利說明】用于電路板絕緣保護層的開口方法

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001] 本發(fā)明涉及一種電路板制作工藝，尤其是涉及一種用于電路板絕緣保護層的開口 方法。

【背景技術(shù)】
[0002] 現(xiàn)有電路板于絕緣保護層形成開口的方法多采用曝光顯影的方式，整個流程大致 為保護膠層壓合、塞孔油墨印刷、感光油墨（Photo-imageable Solder Resist，PSR)印刷、 熟化、PSR曝光、PSR顯影、熟化、化金等。對應(yīng)不同產(chǎn)品需制作對應(yīng)的底片，以供PSR曝光流 程使用，但是當(dāng)制品因前制流程或其他因素致使制品有漲縮現(xiàn)象，可能造成對應(yīng)原尺寸的 底片與制品匹配偏差，甚至不宜再適用，而需再制尺寸修改后的底片以供使用，徒增制作工 藝復(fù)雜度。此外，前述現(xiàn)有開口成形方法牽涉步驟繁多，任一步驟的瑕疵均會嚴(yán)重影響制品 品質(zhì)，故其制作工藝變異不易縮小。另有先于保護膠層形成開口后再粘合于電路板上的開 口方法，此方法于小開口的生產(chǎn)方式中，通常使用一般模具一次沖切或使用連續(xù)模多次沖 切保護膠層成形。其可形成的最小開口 口孔約0. 5mm，孔間距約0. 25mm，沖切精度約0. 05至 0.075mm，但連續(xù)模費用較高，不同規(guī)格的制品需備有對應(yīng)的連續(xù)模，造成模具費用居高不 下，且此方法仍有前述制品漲縮的問題。在實作上，在大開口與小開口混合的生產(chǎn)方式中， 可采用大開口的部分由一般模具一次沖切形成，小開口的部分則由PSR曝光顯影的方法形 成，期以兼取模具較高的成形精度及PSR曝光顯影方法相對低成本的優(yōu)點，但此方法同樣 有前述制品漲縮的問題。在實作上，前述開口成形方法常見的問題還有對位偏移、油墨殘 留、油墨異物、油墨剝尚及化金滲金等等。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0003] 鑒于先前技術(shù)中的問題，本發(fā)明的目的之一在于提供一種用于電路板絕緣保護層 的開口方法，其使用激光光束照射絕緣保護層以切割該絕緣保護層，進而形成開口，工序數(shù) 少、定位精度高，且具有加工成本低的優(yōu)點并能避免現(xiàn)有采用曝光、顯影方式的開口成形制 作工藝可能引起的制作工藝瑕疵問題。
[0004] 本發(fā)明的用于電路板絕緣保護層的開口方法，首先提供一電路板，其中該電路板 包含一基材、設(shè)置于該基材的一表面上的一導(dǎo)電層及設(shè)置于該導(dǎo)電層上的一絕緣保護層。 該開口方法接著以一激光光束照射（或謂切割）該絕緣保護層以形成一開口，使得該導(dǎo)電 層能經(jīng)由該開口露出。因此，本發(fā)明的開口方法使用激光切割技術(shù)，使得整體工序數(shù)較少， 制作工藝變異控制相對容易，且對于不同規(guī)格的制品，加工成本均低并可提供高精度的開 口，適于高密度布線的電路板制作工藝且能避免現(xiàn)有采用曝光、顯影方式的開口成形制作 工藝可能引起對位偏移、油墨殘留、油墨異物、油墨剝離及化金滲金等問題。此外，本發(fā)明的 開口方法激光光束照射位置可先通過識別電路板的方法（例如電路板上設(shè)置特定位定圖 案或結(jié)構(gòu)以供識別），以決定出需激光光束照射的范圍，故可配合每一片電路板進行精確的 定位，可免除現(xiàn)有制品因某些原因造成漲縮現(xiàn)象導(dǎo)致制作工藝變異（例如開口相對于焊接 墊偏移）的問題。
[0005] 另外，在實際應(yīng)用上，該激光光束可使用紫外線激光光束，其照射方式采用平行路 徑掃描的方式實施，Z軸偏離高度（離該絕緣保護層的高度）可設(shè)定為0. 1-3. 0mm，切割速 度可設(shè)定為l〇_500mm/sec，重復(fù)率（Repetition Rate)可設(shè)定為40-80KHz，加工能量（功 率）可設(shè)定為1.0-10. 0W，路徑掃描遍數(shù)可設(shè)定為1-20遍；前述導(dǎo)電層露出的部分即作為 焊接墊。此外，本發(fā)明也適用于多層板，各層間的穿孔（via)也得以激光光束照射形成。
[0006] 關(guān)于本發(fā)明的優(yōu)點與精神可以通過以下的發(fā)明詳述及所附附圖得到進一步的了 解。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0007] 圖1為根據(jù)本發(fā)明的一較佳實施例的開口方法的流程圖；
[0008] 圖2為根據(jù)圖1的流程圖的開口方法的電路板的剖視圖；
[0009] 圖3為圖2中電路板上形成有開口的剖視圖；
[0010] 圖4為根據(jù)一實施例的具有開口的電路板的俯視圖；
[0011] 圖5為根據(jù)圖1的流程圖的開口方法的激光光束掃描路徑的示意圖；
[0012] 圖6為根據(jù)本發(fā)明的另一較佳實施例的開口方法的流程圖；
[0013] 圖7為根據(jù)圖6的流程圖的開口方法的電路板形成有開口及盲孔的剖視圖；
[0014] 圖8為圖7中電路板形成有電連接結(jié)構(gòu)的剖視圖；
[0015] 圖9為根據(jù)本發(fā)明的另一較佳實施例的開口方法的流程圖；
[0016] 圖10為根據(jù)圖9的流程圖的開口方法的電路板形成有開口及通孔的剖視圖；
[0017] 圖11為圖10中電路板形成有新增的導(dǎo)電層及電連接結(jié)構(gòu)的剖視圖；
[0018] 圖12為根據(jù)本發(fā)明的另一較佳實施例的開口方法的流程圖；
[0019] 圖13為根據(jù)圖9的流程圖的開口方法的電路板形成有開口及盲孔的剖視圖；
[0020] 圖14為圖13中電路板形成有新增的導(dǎo)電層及電連接結(jié)構(gòu)的剖視圖。
[0021] 符號說明
[0022] 10 電路板 20 激光產(chǎn)生裝置
[0023] 20a 激光光束 100 基材
[0024] 100a 第一表面 100b 第二表面
[0025] 102 第一導(dǎo)電層 104 第二導(dǎo)電層
[0026] 106 第一絕緣保護層108 第二絕緣保護層
[0027] 110 盲孔 112 電連接結(jié)構(gòu)
[0028] 114 通孔 116 第三導(dǎo)電層
[0029] 118 電連接結(jié)構(gòu) 120 絕緣保護層
[0030] 122 盲孔 124 電連接結(jié)構(gòu)
[0031] 1022 焊接墊 1062 開口
[0032] 實施步驟 S100-S130、S200-S230、S300-S340、S400-S440

【具體實施方式】
[0033] 請參閱圖1，其為根據(jù)本發(fā)明的一較佳實施例的開口方法的流程圖。本發(fā)明的開 口方法是使用激光切割技術(shù)以于電路板整絕緣保護層上形成開口，在本實施例中，該開口 方法首先需提供一電路板10,如步驟S100所示；電路板10的剖面示意圖如圖2所示，其 中為簡化圖面線條，剖面線未予繪示，在后續(xù)圖中，亦同，不另贅述。電路板10包含一基 材100、設(shè)置于基材100的一第一表面100a上的一第一導(dǎo)電層102、設(shè)置于基材100的一 第二表面100b上的一第二導(dǎo)電層104、設(shè)置于第一導(dǎo)電層102上的一第一絕緣保護層106 及設(shè)置于第二導(dǎo)電層104上的一第二絕緣保護層108 ;其中，第二表面100b相對于第一表 面100a。此電路板10可采用現(xiàn)有制作工藝制作，在本實施例中，基材100可為聚酰亞胺 (p 〇lyimide，PI)，第一導(dǎo)電層102及第二導(dǎo)電層104可為銅箔，第一絕緣保護層106及第二 絕緣保護層108可為非感光或感光型的防焊披覆層（例如liquid photoimageable，LPI) 或其他絕緣覆蓋層（例如通過粘膠（以影線表示于圖中）粘著于第一導(dǎo)電層102及第二導(dǎo) 電層104上），但本發(fā)明不以此為限。
[0034] 接著，該開口方法以一激光光束20a照射第一絕緣保護層106,如步驟S110及圖2 所示。在實作上，激光光束20a可由特定的激光產(chǎn)生裝置20產(chǎn)生，此為該【技術(shù)領(lǐng)域】熟知技 術(shù)者可輕易完成，不另贅述。第一絕緣保護層106經(jīng)激光光束20a照射一段時間后，在第一 絕緣保護層106上即可形成開口 1062,使得第一導(dǎo)電層102能經(jīng)由開口 1062露出，如步驟 S120及圖3所不。根據(jù)一實施例，如圖4所不，其為一俯視圖，開口 1062形成于第一導(dǎo)電 層102的焊接墊1022 (以影線表示并虛線表示其輪廓）上；原則上，開口 1062大小小于焊 接墊1022的大小，亦即開口 1062于第一導(dǎo)電層102的投影落于焊接墊1022的區(qū)域內(nèi)，但 本發(fā)明不以此為限。
[0035] 另夕卜，于一般情形，開口 1062大小遠大于激光光束20a光束直徑（例如 20-30 μ m)，故于實作上，激光光束20a照射第一絕緣保護層106多沿特定路徑掃描實施，此 特定路徑原則上將能使激光光束20a走遍開口 1062預(yù)定區(qū)域，此路徑可為同心圓路徑、平 行路徑或其他幾何形態(tài)的路徑，抑或為前述路徑的組合，但本發(fā)明不以此為限。在本實施例 中，激光光束20a沿一平行路徑掃描照射第一絕緣保護層106,該平行路徑的示意圖如圖5 所示，其中路徑以實線表示，圖中虛線圓圈大致表示開口 1062。采用平行路徑掃描有助于 避免開口 1062中心及外圍易留有不同間隙而導(dǎo)致后續(xù)廢料殘留。在實作上，可通過于電路 板10上設(shè)置特定位定圖案或結(jié)構(gòu)，以判斷出前述欲形成開口 1062的位置。此外，前述開口 1062的輪廓不限于圓形或矩形，掃描路徑也不限于前述同心圓及平行路徑，例如掃描路徑 依開口 1062輪廓而定。因此，根據(jù)本發(fā)明的開口方法可配合每一片電路板10進行精確的定 位，可免除現(xiàn)有制品因某些原因造成漲縮現(xiàn)象導(dǎo)致制作工藝變異（例如開口相對于焊接墊 偏移）的問題。另外，于實作上，基于第一絕緣保護層106的厚度及對第一絕緣保護層106 熔融的穩(wěn)定性，激光光束20a通常會重復(fù)沿前述特定路徑照射第一絕緣保護層106數(shù)遍。
[0036] 開口 1062形成后，該開口方法進一步使用等離子體清潔開口 1062,以清除開口 1062內(nèi)的殘留物（包含保護層殘留的絕緣物質(zhì)、氧化物等等），如步驟S130所示。清潔后， 第一導(dǎo)電層102經(jīng)由開口 1062露出的部分（例如前述的焊接墊1022)表面干凈，以便于 后續(xù)制作工藝，例如化金。后續(xù)化金等制作工藝可為本【技術(shù)領(lǐng)域】熟知技術(shù)者所輕易完成， 不另贅述。補充說明的是，激光種類的選用及實施參數(shù)可視待照射物質(zhì)特性而定，于本實施 例中，該開口方法使用紫外線激光，Z軸偏離高度（離第一絕緣保護層106的高度）可設(shè)定 為0. 1-3. 0mm，光束移動速度可設(shè)定為10-500mm/sec，重復(fù)率可設(shè)定為40-80KHZ，加工功率 (能量）可設(shè)定為1.0-10. 0W，掃描遍數(shù)可設(shè)定為1-20遍；但本發(fā)明均不以此為限。
[0037] 在前述實施例中，該開口方法僅利用激光光束20a于第一絕緣保護層106形成開 口 1062,但本發(fā)明不以此為限。請參閱圖6,其為根據(jù)本發(fā)明的另一較佳實施例的開口方法 的流程圖。相比較于圖1所示的流程圖，根據(jù)圖6所示的流程圖的開口方法于開口 1062后， 還包含進一步以激光光束20a經(jīng)由開口 1062照射第一導(dǎo)電層102及基材100,如步驟S200 所不。第一導(dǎo)電層102及基材100經(jīng)激光光束20a照射一段時間后，貫穿第一導(dǎo)電層102 及基材100的一盲孔110即可形成，使得第二導(dǎo)電層104能輕由盲孔110露出，如步驟S210 及圖7所示。接著，該開口方法使用等離子體清潔開口 1062及盲孔110,以清除開口 1062 及盲孔110內(nèi)的殘留物，如步驟S220所示。之后，該開口方法形成一電連接結(jié)構(gòu)112 (以影 線表示于圖中），經(jīng)由盲孔110電連接第一導(dǎo)電層102及第二導(dǎo)電層104,如步驟S230及圖 8所示。在實作上，此電連接結(jié)構(gòu)112可使用銅油墨（Cu ink)或銅膏填充盲孔110,硬化以 形成電連接結(jié)構(gòu)112 ;但本發(fā)明不以此為限。之后，電路板10即可進行后續(xù)制作工藝，例如 化金。同樣地，在本實施例中，基材100下方的導(dǎo)線（即形成于第二導(dǎo)電層104的導(dǎo)線）也 得通過本發(fā)明的開口方法以與形成于基材100上方的焊接墊（即形成于第一導(dǎo)電層102) 電連接，進而降低基材100上方布線密度，有利于間距較小的焊接墊配置。補充說明的是， 關(guān)于激光種類的選用及實施參數(shù)，本發(fā)明所屬【技術(shù)領(lǐng)域】具有通常知識者應(yīng)可參酌前述各實 施例的相關(guān)說明而作適當(dāng)?shù)募す夥N類的選用及實施參數(shù)的設(shè)定，不待贅述。
[0038] 請參閱圖9,其為根據(jù)本發(fā)明的另一較佳實施例的開口方法的流程圖。相較于圖 6所示的流程圖，根據(jù)圖9所示的流程圖的開口方法于開口 1062后，還包含進一步以激光 光束20a經(jīng)由開口 1062照射第一導(dǎo)電層102、基材100、第二導(dǎo)電層104及第二絕緣保護層 108,如步驟S300所示。第一導(dǎo)電層102、基材100、第二導(dǎo)電層104及第二絕緣保護層108 經(jīng)激光光束20a照射一段時間后，貫穿第一導(dǎo)電層102、基材100、第二導(dǎo)電層104及第二絕 緣保護層108的一通孔114即可形成，如步驟S310及圖10所示。接著，該開口方法使用等 離子體清潔開口 1062及通孔114,以清除開口 1062及通孔114內(nèi)的殘留物，如步驟S320 所示。之后，該開口方法于第二絕緣保護層108上形成一第三導(dǎo)電層116(以影線表示于圖 中），如步驟S330及圖11所示；該開口方法也形成一電連接結(jié)構(gòu)118(也以影線表示于圖 中），經(jīng)由通孔114電連接第一導(dǎo)電層102、第二導(dǎo)電層104及第三導(dǎo)電層116,如步驟S340 及圖11所示。同樣地，在實作上，第三導(dǎo)電層116及電連接結(jié)構(gòu)118可使用銅油墨或銅膏填 充通孔114及涂布于第二絕緣保護層108上，硬化以分別形成第三導(dǎo)電層116及電連接結(jié) 構(gòu)118,故步驟S330及S340可同時實施；但本發(fā)明不以此為限。之后，電路板10即可進行 后續(xù)制作工藝，例如化金。另外，在實作上，第三導(dǎo)電層116上可再形成一絕緣保護層120， 例如防焊層或與前述第一絕緣保護層106及第二絕緣保護層108相同的結(jié)構(gòu)層。補充說明 的是，關(guān)于激光種類的選用及實施參數(shù)，本發(fā)明所屬【技術(shù)領(lǐng)域】具有通常知識者應(yīng)可參酌前 述各實施例的相關(guān)說明而作適當(dāng)?shù)募す夥N類的選用及實施參數(shù)的設(shè)定，不待贅述。
[0039] 在前述各實施例中，激光均自電路板10同一側(cè)照射電路板10,以形成開口 1062、 盲孔110、通孔114等結(jié)構(gòu)，但本發(fā)明不以此為限。請參閱圖12,其為根據(jù)本發(fā)明的另一較 佳實施例的開口方法的流程圖。相較于圖9所示的流程圖，根據(jù)圖12所示的流程圖的開口 方法于開口 1062后，激光光束20a不再繼續(xù)照射第一導(dǎo)電層102,而是自電路板10的另一 側(cè)照射第二絕緣保護層108、第二導(dǎo)電層104及基材100,如步驟S400所示。第二絕緣保護 層108、第二導(dǎo)電層104及基材100經(jīng)激光光束20a照射一段時間后，貫穿第二絕緣保護層 108、第二導(dǎo)電層104及基材100的一盲孔122即可形成，如步驟S410及圖13所示。接著， 該開口方法使用等離子體清潔開口 1062及盲孔122,以清除開口 1062及盲孔122內(nèi)的殘留 物，如步驟S420所示。在實作上，等離子體清潔開口 1062及盲孔122的步驟可分開或一同 實施。之后，該開口方法如同步驟S330,在第二絕緣保護層108上形成第三導(dǎo)電層116(以 影線表示于圖中），如步驟S430及圖14所示；該開口方法也形成一電連接結(jié)構(gòu)124 (也以影 線表示于圖中），經(jīng)由盲孔122電連接第一導(dǎo)電層102、第二導(dǎo)電層104及第三導(dǎo)電層116， 如步驟S440及圖14所示。同樣地，在實作上，第三導(dǎo)電層116及電連接結(jié)構(gòu)124可使用 銅油墨或銅膏填充盲孔122及涂布于第二絕緣保護層108上，硬化以分別形成第三導(dǎo)電層 116及電連接結(jié)構(gòu)124,故步驟S430及S440可同時實施；但本發(fā)明不以此為限。之后，電路 板10即可進行后續(xù)制作工藝，例如化金。此外，在實作上，第三導(dǎo)電層116上可再形成絕緣 保護層120,例如防焊層或與前述第一絕緣保護層106及第二絕緣保護層108相同的結(jié)構(gòu) 層。根據(jù)圖12的流程圖制作的電路板10 (如圖14所示）與根據(jù)圖9的流程圖制作的電路 板10 (如圖11所示）結(jié)構(gòu)邏輯相同，但根據(jù)圖12的流程圖的開口方法未破壞第一導(dǎo)電層 102,可保持第一導(dǎo)電層102結(jié)構(gòu)的完整性。補充說明的是，關(guān)于激光種類的選用及實施參 數(shù)，本發(fā)明所屬【技術(shù)領(lǐng)域】具有通常知識者應(yīng)可參酌前述各實施例的相關(guān)說明而作適當(dāng)?shù)募?光種類的選用及實施參數(shù)的設(shè)定，不待贅述。
[0040] 如前述各實施例的說明，本發(fā)明的開口方法非僅適用于絕緣保護層的開口作業(yè) (如圖3所示的架構(gòu)），也可適用于雙層板的穿孔（via)作業(yè)（如圖8所示的架構(gòu)），或多 層板的穿孔（via)作業(yè)（如圖11所示的架構(gòu)，其為2. 5層電路板）。此外，基于激光加工 精度相對較高，故本發(fā)明的開口方法成形的開口、通孔精準(zhǔn)度也高，適于高密度布線的電路 板，尤其是小間距的焊接墊的開口形成作業(yè)。相較于現(xiàn)有采用曝光、顯影方式的開口成形制 作工藝，根據(jù)本發(fā)明的開口方法使用的工序數(shù)較少，對于不同規(guī)格的制品，開口成形的加工 成本均低且定位精度高，適于高密度布線的電路板制作工藝且能避免現(xiàn)有制作工藝可能引 起對位偏移、油墨殘留、油墨異物、油墨剝離及化金滲金等問題。
[0041] 以上所述僅為本發(fā)明的較佳實施例，凡依本發(fā)明權(quán)利要求所做的均等變化與修 飾，皆應(yīng)屬本發(fā)明的涵蓋范圍。
【權(quán)利要求】
1. 一種用于電路板絕緣保護層的開口方法，包含下列步驟： 提供一電路板，該電路板包含一基材、設(shè)置于該基材的一第一表面上的一第一導(dǎo)電層 及設(shè)置于該第一導(dǎo)電層上的一第一絕緣保護層；以及 以一激光光束照射該第一絕緣保護層以形成一開口，使得該第一導(dǎo)電層能經(jīng)由該開口 露出。
2. 如權(quán)利要求1所述的開口方法，該電路板包含設(shè)置于該基材的一第二表面上的一第 二導(dǎo)電層，該第二表面相對于該第一表面，其中該開口方法還包含下列步驟： 以該激光光束經(jīng)由該開口照射該第一導(dǎo)電層及該基材以形成一盲孔，使得該第二導(dǎo)電 層能輕由該盲孔露出。
3. 如權(quán)利要求2所述的開口方法，還包含下列步驟： 形成一電連接結(jié)構(gòu)，經(jīng)由該盲孔電連接該第一導(dǎo)電層及該第二導(dǎo)電層。
4. 如權(quán)利要求3所述的開口方法，包含下列步驟： 以一銅油墨或銅膏填充該盲孔以形成該電連接結(jié)構(gòu)。
5. 如權(quán)利要求1所述的開口方法，該電路板包含設(shè)置于該基材的一第二表面上的一第 二導(dǎo)電層及設(shè)置于該第二導(dǎo)電層上的一第二絕緣保護層，該第二表面相對于該第一表面， 其中該開口方法還包含下列步驟： 以該激光光束經(jīng)由該開口照射該第一導(dǎo)電層以形成一通孔，貫穿該第一導(dǎo)電層、該基 材、該第二導(dǎo)電層及該第二絕緣保護層； 在該第二絕緣保護層上形成一第三導(dǎo)電層；以及 形成一電連接結(jié)構(gòu)，經(jīng)由該通孔電連接該第一導(dǎo)電層、該第二導(dǎo)電層及該第三導(dǎo)電層。
6. 如權(quán)利要求5所述的開口方法，包含下列步驟： 以一銅油墨或銅膏填充該通孔以形成該電連接結(jié)構(gòu)。
7. 如權(quán)利要求5所述的開口方法，包含下列步驟： 以一銅油墨或銅膏同時填充該通孔及涂布于該第二絕緣保護層上，以分別形成該電連 接結(jié)構(gòu)及該第三導(dǎo)電層。
8. 如權(quán)利要求1所述的開口方法，該電路板包含設(shè)置于該基材的一第二表面上的一第 二導(dǎo)電層及設(shè)置于該第二導(dǎo)電層上的一第二絕緣保護層，該第二表面相對于該第一表面， 其中該開口方法還包含下列步驟： 以該激光光束照射該第二絕緣保護層以形成一盲孔，貫穿該第二絕緣保護層、該第二 導(dǎo)電層及該基材，使得該第一導(dǎo)電層能經(jīng)由該盲孔露出； 在該第二絕緣保護層上形成一第三導(dǎo)電層；以及 形成一電連接結(jié)構(gòu)，經(jīng)由該盲孔電連接該第一導(dǎo)電層、該第二導(dǎo)電層及該第三導(dǎo)電層。
9. 如權(quán)利要求8所述的開口方法，包含下列步驟： 以一銅油墨或銅膏填充該盲孔以形成該電連接結(jié)構(gòu)。
10. 如權(quán)利要求8所述的開口方法，包含下列步驟： 以一銅油墨或銅膏同時填充該盲孔及涂布于該第二絕緣保護層上，以分別形成該電連 接結(jié)構(gòu)及該第三導(dǎo)電層。
11. 如權(quán)利要求1所述的開口方法，其中該激光光束以一平行路徑掃描照射該第一絕 緣保護層以形成該開口。
12. 如權(quán)利要求1所述的開口方法，還包含下列步驟： 根據(jù)該電路板的相對位置，以決定一掃描路徑，使得該激光光束以該掃描路徑照射該 第一絕緣保護層以形成該開口。
13. 如權(quán)利要求1所述的開口方法，其中該激光光束為紫外線激光光束，光束移動速度 為10-500mm/sec，重復(fù)率為40-80KHZ，加工功率為1.0-10. 0W，掃描遍數(shù)可設(shè)定為1-20遍。
14. 如權(quán)利要求1所述的開口方法，其中該第一導(dǎo)電層經(jīng)由該開口露出的部分作為焊 接墊，該開口于該第一導(dǎo)電層的投影落于該焊接墊之內(nèi)。
【文檔編號】B23K26/38GK104066275SQ201310091743
【公開日】2014年9月24日 申請日期:2013年3月21日 優(yōu)先權(quán)日:2013年3月21日
【發(fā)明者】孫永祥, 黃文宏, 黃小燕 申請人:毅嘉科技股份有限公司