專利名稱：電路修復(fù)的方法和系統(tǒng)的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明通常涉及電路修復(fù)。相關(guān)申請的交叉引用本申請要求于2009年3月2日提交的題為“A Method and System for Electrical Circuit R印air (電路修復(fù)的方法和系統(tǒng))”的第197349號以色列專利申請的優(yōu)先權(quán)，上述被要求優(yōu)先權(quán)的申請通過引用并入本文。
背景技術(shù)：
以下出版物被認(rèn)為代表該項(xiàng)技術(shù)的現(xiàn)狀第4，752，455 號、第 4，970，196 號、第 4，987，006 號、第 5，173，441 號以及第 5，292，559號美國專利；"Metal deposition from a supported metal film(來自支撐的金屬膜的金屬沉積)”，Bohandy，B. F. Kim 以及 F. J. Adrian，應(yīng)用物理雜志(J. Appl. Phys.) 60 (1986) 1538 ； 以及"A study of the mechanism of metal deposition by the laser-induced forward transfer process (對由激光誘致的前向轉(zhuǎn)遞過程的金屬沉積機(jī)制的研究)”， F. J. Adrian, J. Bohandy, B. F. Kim 以及 A. N. Jette，真空科學(xué)技術(shù)雜志(Journal ofVacuum Science and Technology) B 5，1490 (1989)，第 1490-1494 頁。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明尋求提供一種改良的電路修復(fù)的系統(tǒng)和方法。因此，根據(jù)本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例提供一種修復(fù)電路的方法，包括利用激光器和至少一個(gè)激光束傳輸路徑，對形成于電路基板上的導(dǎo)體的至少一個(gè)導(dǎo)體修復(fù)區(qū)域進(jìn)行激光預(yù)處理；以及利用激光器和至少一個(gè)激光束傳輸路徑的至少一部分，將至少一個(gè)激光束應(yīng)用至施體基板，使得施體基板的至少一部分從施體基板分離并轉(zhuǎn)移至至少一個(gè)預(yù)定的導(dǎo)體位置。根據(jù)本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例，預(yù)處理包括激光剝蝕。優(yōu)選地，在激光預(yù)處理與應(yīng)用至施體基板的過程中，激光器工作在不同的功率等級。根據(jù)本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例，預(yù)處理包括基板修復(fù)區(qū)域的預(yù)處理和導(dǎo)體修復(fù)區(qū)域的預(yù)處理。另外，激光剝蝕引起基板修復(fù)區(qū)域和導(dǎo)體修復(fù)區(qū)域的表面粗糙化。再者，基板修復(fù)區(qū)域的預(yù)處理和導(dǎo)體修復(fù)區(qū)域的預(yù)處理包括不同程度的表面粗糙化。優(yōu)選地，通過自動(dòng)光學(xué)檢查來選擇至少一個(gè)導(dǎo)體修復(fù)區(qū)域。根據(jù)本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例，修復(fù)電路的方法還包括利用激光器和至少一個(gè)激光束傳輸路徑對過量導(dǎo)體材料進(jìn)行激光剝蝕。另外，過量導(dǎo)體材料是由從施體基板分離的材料形成的。另外或另一選擇為，對過量導(dǎo)體材料進(jìn)行的激光剝蝕是在將至少一個(gè)激光束應(yīng)用至施體基板之后執(zhí)行的，將至少一個(gè)激光束應(yīng)用至施體基板又是在激光預(yù)處理之后執(zhí)行的。根據(jù)本發(fā)明另一優(yōu)選實(shí)施例還提供一種修復(fù)電路的方法，包括利用激光器和至少一個(gè)激光束傳輸路徑，對形成于電路基板上的導(dǎo)體的至少一個(gè)導(dǎo)體修復(fù)區(qū)域中的過量導(dǎo)體材料進(jìn)行激光剝蝕；以及利用激光器和至少一個(gè)激光束傳輸路徑的至少一部分，將至少一個(gè)激光束應(yīng)用至施體基板，使得施體基板的至少一部分從施體基板分離并轉(zhuǎn)移至至少一個(gè)預(yù)定的導(dǎo)體位置。根據(jù)本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例，對過量導(dǎo)體材料進(jìn)行的激光剝蝕產(chǎn)生對短路的修復(fù)。 優(yōu)選地，在激光剝蝕與應(yīng)用至施體基板的過程中，激光器工作在不同的功率等級。根據(jù)本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例，修復(fù)電路的方法還包括對至少一個(gè)導(dǎo)體修復(fù)區(qū)域進(jìn)行表面粗糙化。優(yōu)選地，通過自動(dòng)光學(xué)檢查來選擇至少一個(gè)導(dǎo)體修復(fù)區(qū)域。根據(jù)本發(fā)明的又一優(yōu)選實(shí)施例還提供一種修復(fù)電路的方法，包括預(yù)處理電路基板的至少一個(gè)電路基板修復(fù)區(qū)域和導(dǎo)體的至少一個(gè)導(dǎo)體修復(fù)區(qū)域，其中導(dǎo)體形成于電路基板上并與至少一個(gè)電路基板修復(fù)區(qū)域鄰接；以及將至少一個(gè)激光束應(yīng)用至施體基板，使得施體基板的至少一部分從施體基板分離并轉(zhuǎn)移至至少一個(gè)電路基板修復(fù)區(qū)域中的至少一個(gè)預(yù)定的電路基板位置和至少一個(gè)導(dǎo)體修復(fù)區(qū)域中的至少一個(gè)預(yù)定的導(dǎo)體位置，由此在至少一個(gè)導(dǎo)體修復(fù)區(qū)域處至少部分地與導(dǎo)體的一部分重疊，并在至少一個(gè)電路基板修復(fù)區(qū)域中形成導(dǎo)體的至少一個(gè)延伸部。根據(jù)本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例，預(yù)處理包括激光剝蝕。另外，激光剝蝕形成表面粗糙化。優(yōu)選地，預(yù)處理和應(yīng)用是由同一激光器實(shí)施的。另外，預(yù)處理和應(yīng)用是由同一激光器以不同的功率等級實(shí)施的。根據(jù)本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例，基板修復(fù)區(qū)域的預(yù)處理和導(dǎo)體修復(fù)區(qū)域的預(yù)處理是由同一激光器以不同的功率等級實(shí)施。另外，基板修復(fù)區(qū)域的預(yù)處理和導(dǎo)體修復(fù)區(qū)域的預(yù)處理包括不同程度的表面粗糙化。優(yōu)選地，通過自動(dòng)學(xué)檢查來選擇至少一個(gè)基板修復(fù)區(qū)域中的至少一個(gè)預(yù)定的基板位置和至少一個(gè)導(dǎo)體修復(fù)區(qū)域中的至少一個(gè)預(yù)定的導(dǎo)體位置。根據(jù)本發(fā)明的再一優(yōu)選實(shí)施例還提供一種用于修復(fù)電路的系統(tǒng)，包括激光器和激光束傳輸路徑；激光預(yù)處理功能組件，利用激光器和激光束傳輸路徑的至少一部分，對形成于電路基板上的導(dǎo)體的至少一個(gè)導(dǎo)體修復(fù)區(qū)域進(jìn)行激光預(yù)處理；以及導(dǎo)體沉積功能組件，利用激光器和激光束傳輸路徑的至少一部分，將至少一個(gè)激光束應(yīng)用至施體基板，使得施體基板的至少一部分從施體基板分離，并轉(zhuǎn)移至至少一個(gè)預(yù)定的導(dǎo)體位置。根據(jù)本發(fā)明的另一優(yōu)選實(shí)施例還提供一種用于修復(fù)電路的系統(tǒng)，包括激光器和激光束傳輸路徑；過量導(dǎo)體剝蝕功能組件，利用激光器和激光束傳輸路徑的至少一部分，對形成于電路基板上的導(dǎo)體的至少一個(gè)導(dǎo)體修復(fù)區(qū)域中的過量導(dǎo)體材料進(jìn)行激光剝蝕；以及導(dǎo)體沉積功能組件，利用激光器和激光束傳輸路徑的至少一部分，將至少一個(gè)激光束應(yīng)用至施體基板，使得施體基板的至少一部分從施體基板分離并轉(zhuǎn)移至至少一個(gè)預(yù)定的導(dǎo)體位置。優(yōu)選地，對過量導(dǎo)體材料進(jìn)行的激光剝蝕產(chǎn)生對短路的修復(fù)。根據(jù)本發(fā)明的又一優(yōu)選實(shí)施例還提供一種用于修復(fù)電路的系統(tǒng)，包括激光器和激光束傳輸路徑；預(yù)處理功能組件，利用激光器和激光束傳輸路徑的至少一部分來處理電路基板的至少一個(gè)電路基板修復(fù)區(qū)域和導(dǎo)體的至少一個(gè)導(dǎo)體修復(fù)區(qū)域，其中導(dǎo)體形成于電路基板上并與至少一個(gè)電路基板修復(fù)區(qū)域鄰接；以及導(dǎo)體沉積功能組件，利用激光器和激光束傳輸路徑的至少一部分，將至少一個(gè)激光束應(yīng)用至施體基板，使得施體基板的至少一部分從施體基板分離，并轉(zhuǎn)移至至少一個(gè)電路基板修復(fù)區(qū)域中的至少一個(gè)預(yù)定的電路基板位置和至少一個(gè)導(dǎo)體修復(fù)區(qū)域中的至少一個(gè)預(yù)定的導(dǎo)體位置，由此在至少一個(gè)導(dǎo)體修復(fù)區(qū)域處至少部分地與導(dǎo)體的一部分重疊，并在至少一個(gè)電路基板修復(fù)區(qū)域中形成導(dǎo)體的至少一個(gè)延伸部。


通過下文的詳細(xì)描述并結(jié)合附圖將能更好地理解本發(fā)明，其中圖1是根據(jù)本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例構(gòu)造和工作的修復(fù)電路的系統(tǒng)的簡化圖示；圖2是圖1的系統(tǒng)的光學(xué)子系統(tǒng)的實(shí)施例的簡化圖示；圖3A-3H是示出圖1的系統(tǒng)的運(yùn)作的簡化剖視圖；圖4是圖1的系統(tǒng)的附加功能的簡化圖示；以及圖5A-5C是示出圖4的功能的運(yùn)作的簡化剖視圖。
具體實(shí)施例方式現(xiàn)在參見圖1和圖2，圖1是根據(jù)本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例構(gòu)造和工作的用于修復(fù)電路的系統(tǒng)的簡化圖示，圖2是圖1的系統(tǒng)的光學(xué)子系統(tǒng)的實(shí)施例的簡化圖示。如圖1所示，該系統(tǒng)優(yōu)選地包括底架100，底架100優(yōu)選地安裝在傳統(tǒng)的光學(xué)平臺 102上。底架100限定電路檢查位置104，將被檢查的電路例如印刷電路板(PCB) 106可被放置在電路檢查位置104上。PCB 106通常具有一個(gè)或多個(gè)不同類型的缺陷，例如過量導(dǎo)體缺陷和導(dǎo)體缺失缺陷(例如斷口 110)。橋112被設(shè)置為沿相對于底架100限定的第一檢查軸線114、相對于檢查位置104 進(jìn)行線性運(yùn)動(dòng)。光學(xué)頭組件(optical head assembly) 116被設(shè)置為沿垂直于第一檢查軸線114的第二檢查軸線118、相對于橋112進(jìn)行線性運(yùn)動(dòng)。根據(jù)本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例，如圖2詳細(xì)所示，光學(xué)頭組件116優(yōu)選地包括檢查子組件120和修復(fù)子組件122。檢查子組件120與修復(fù)子組件122共享至少一些光學(xué)部件是本發(fā)明的特定特征。該系統(tǒng)優(yōu)選地還包括控制組件124，控制組件IM優(yōu)選地包括計(jì)算機(jī)126，計(jì)算機(jī) 126具有用戶接口 1 且包括軟件模塊，這些軟件模塊可操作以操作檢查子組件120和修復(fù)子組件122?？刂平M件IM優(yōu)選地從自動(dòng)光學(xué)檢查系統(tǒng)(未示出)接收缺陷位置輸入， 該自動(dòng)光學(xué)檢查系統(tǒng)例如為Discovery 8000系統(tǒng)，其可從位于以色列^vne (亞夫內(nèi))的 Orbotech有限公司購得。如圖2所示，光學(xué)頭組件116包括檢查子組件120和修復(fù)子組件122。檢查子組件120是定焦(parafocal)成像系統(tǒng)，其包括照相機(jī)150 (例如可從Exton PA的Basler公司購得的Basler CMOS照相機(jī))，沿光軸巧4在PCB 106上的位置152處成像。照相機(jī)150 通過具有典型的100毫米至150毫米焦距的聚焦物鏡160、局部反射鏡162以及物鏡模塊164(例如5x/0. 14物鏡模塊，可從日本Mitutoyo有限公司購得)觀察位置152。根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，檢查子組件120和修復(fù)子組件122被設(shè)置為沿光軸IM 至少部分地共享同一光路。修復(fù)子組件122包括脈沖式激光源170(例如可從位于法國 Grenoble (格勒諾布爾)的TeemPhotonoics公司購得的被動(dòng)式Q-開關(guān)微激光器)，可操作為產(chǎn)生脈沖式激光束174。根據(jù)應(yīng)用，可從例如操作為輸出波長為532奈米或1064奈米的光束的激光頭選擇適合的微激光器。脈沖式光束174穿過包括焦距分別為80毫米與-150 毫米的兩個(gè)透鏡180和182的準(zhǔn)直光學(xué)部件178，可操作以將激光束174準(zhǔn)直至優(yōu)選的0. 5 毫米至3. 0毫米的光點(diǎn)大小。激光束174接著被鏡面184反射，并隨后由擴(kuò)束器185調(diào)整至特定直徑，擴(kuò)束器185包括針對準(zhǔn)直后的輸出光束所需的尺寸進(jìn)行放置和調(diào)整的多個(gè)透鏡186。透鏡186可包括例如分別為28毫米平凸透鏡、-10毫米雙凹透鏡和1 毫米平凸透鏡的透鏡。激光束174接著被透鏡188引導(dǎo)至撞擊在雙軸快速導(dǎo)向鏡(fast steering mirror, FSM) 190 (可從Newport公司購得)上，接著經(jīng)過透鏡192 (例如108毫米凹凸透鏡)、鏡面194和透鏡196(例如平凸338毫米透鏡)。透鏡188、192和196維持光束在位于透鏡188后的FSM 190上的位置以及維持物鏡模塊164的輸入孔徑。光束174然后撞擊在分光鏡198上，由分光鏡198引導(dǎo)光束174沿光軸巧4穿過物鏡模塊164。根據(jù)本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例，透鏡和光學(xué)部件如圖所示排列，并經(jīng)適當(dāng)涂覆以結(jié)合激光束174的所選波長操作?，F(xiàn)在參照圖3A-3H，其是圖1的系統(tǒng)的運(yùn)作的剖面圖。圖3A顯示典型的導(dǎo)體缺失缺陷，例如斷口 110(圖1)。首先，如上文所述，控制組件IM通常從自動(dòng)光學(xué)檢查系統(tǒng)接收標(biāo)識缺陷的類型和位置的輸入。在圖3A所示的階段中，控制組件IM使光學(xué)頭組件116位移，以使物鏡模塊164 位于缺陷上方并聚焦在該缺陷上。在優(yōu)選地以約600奈米和500奈米為中心的兩個(gè)波段獲得該缺陷的圖像，且優(yōu)選地以約400奈米為中心獲得熒光圖像。圖像經(jīng)控制組件IM分析并優(yōu)選地與基準(zhǔn)(例如CAM數(shù)據(jù))相比較，由此確認(rèn)缺陷的存在及其類型，并提供缺陷的詳細(xì)輪廓，該詳細(xì)輪廓優(yōu)選地包括至少一個(gè)導(dǎo)體修復(fù)區(qū)域250和至少一個(gè)基板修復(fù)區(qū)域252的限定?，F(xiàn)在參見圖3B、3C和3D，從圖可知，執(zhí)行導(dǎo)體修復(fù)區(qū)域250和基板修復(fù)區(qū)域252的激光預(yù)處理。因激光器與檢查子組件共享同一焦點(diǎn)，故物鏡模塊164在此階段無需移離其相對于缺陷的方向，這是本發(fā)明的特定特征?？衫斫獾氖?，對導(dǎo)體修復(fù)區(qū)域250的預(yù)處理與對基板修復(fù)區(qū)域252的預(yù)處理通常不同。導(dǎo)體修復(fù)區(qū)域250與基板修復(fù)區(qū)域252的預(yù)處理的一般目的是通過激光剝蝕將其表面粗糙化，進(jìn)而提供將要沉積的導(dǎo)體材料與現(xiàn)有導(dǎo)體和基板之間的增強(qiáng)的黏合。舉個(gè)例子， 若采用產(chǎn)生亞奈秒脈沖的30毫瓦532奈米調(diào)Q微片Ο -switched microchip)激光器，則可通過使用直徑通常為10微米的光點(diǎn)大小產(chǎn)生深度通常為4-6微米的溝槽的X-Y網(wǎng)格，從而實(shí)現(xiàn)基板和導(dǎo)體表面的粗糙化?？衫斫獾氖?，根據(jù)基板的成分和導(dǎo)體的成分，改變撞擊在表面的單位面積上的激光能量，例如通過改變激光束在表面上的掃描速度或通過調(diào)整所撞擊的激光束的功率來改變撞擊在表面的單位面積上的激光能量?，F(xiàn)在參見圖3E、3F和3G，圖3E圖示了在施體(donor)基板270上進(jìn)行初始激光束撞擊(impingement)，并導(dǎo)致構(gòu)成施體基板270 —部份的導(dǎo)體材料272沉積到基板修復(fù)區(qū)域252上，圖3F和3G圖示了在施體基板270上進(jìn)行進(jìn)一步的激光束撞擊，并導(dǎo)致導(dǎo)體材料 272沉積到基板修復(fù)區(qū)域252上。如圖3E、3F和3G所示，施體基板270優(yōu)選地位于導(dǎo)體修復(fù)區(qū)域250的表面之上通常約50微米至300微米的距離(由標(biāo)號Hl標(biāo)出)處，且通過物鏡模塊164的適當(dāng)位移，使激光束聚焦在施體基板270上。施體基板270通常由激光波長可穿透的材料制成，該材料可以是剛性的(例如玻璃)或撓性的(例如塑料)，且在一側(cè)上涂覆有一薄層導(dǎo)體材料272。如圖3E、3F和3G所示，導(dǎo)體的高度(標(biāo)記為ffi)通常約為5微米至50微米，施體基板270的厚度(標(biāo)記為Η； )通常在500微米至3000微米的范圍內(nèi)，且導(dǎo)體材料272的厚度(標(biāo)記為H4)通常在0.5微米至3微米的范圍內(nèi)。優(yōu)選地，在沉積之前與沉積的過程中，使用檢查子組件監(jiān)測施體基板270的X-Y 位置，以確保在覆蓋所有預(yù)料的激光束撞擊位置的區(qū)域中在所有相關(guān)時(shí)刻都存在導(dǎo)體材料 272。此功能是通過使激光器與檢查子組件共享同一焦點(diǎn)而實(shí)現(xiàn)的。用于表面粗糙化的同一激光器還用于沉積，這是本發(fā)明的特定特征。舉個(gè)例子，若采用產(chǎn)生亞奈秒脈沖的30毫瓦532奈米調(diào)Q微片激光器，則可通過利用直徑通常為10微米的大小的光點(diǎn)實(shí)現(xiàn)沉積，以填充導(dǎo)體修復(fù)區(qū)域250和基板修復(fù)區(qū)域252。圖;3H圖示了在導(dǎo)體修復(fù)區(qū)域250與基板修復(fù)區(qū)域252上完成沉積之后的導(dǎo)體修復(fù)區(qū)域250與基板修復(fù)區(qū)域252?？衫斫獾氖?，盡管在圖3E、3F、3G和3H所示的實(shí)施例中， 所沉積的材料以單獨(dú)沉積點(diǎn)(cbposits)顯現(xiàn)，但是由此形成的導(dǎo)體呈現(xiàn)大體均勻的外觀。通常，在完成沉積之后，執(zhí)行對導(dǎo)體修復(fù)區(qū)域250與基板修復(fù)區(qū)域252的下一檢查，此檢查類似于參照圖3A所描述的檢查?，F(xiàn)在參見圖4和圖5A-5C，圖4是圖1的修復(fù)電路的系統(tǒng)的附加功能的簡化圖示， 圖5A-5C是示出了圖4的功能的運(yùn)作的簡化的剖視圖。如圖4所示，包括控制組件124、計(jì)算機(jī)126和用戶接口 128的圖1的修復(fù)電路的系統(tǒng)已在PCB 106中識別出過量導(dǎo)體缺陷300。在圖4所示的實(shí)例中，且如圖5A所具體顯示的，過量導(dǎo)體缺陷300包括第一過量導(dǎo)體材料區(qū)302和第二過量導(dǎo)體材料區(qū)304。第一過量導(dǎo)體材料區(qū)302位于導(dǎo)體310與 312之間，而第二過量導(dǎo)體材料區(qū)304位于導(dǎo)體312與314之間?？衫斫獾氖牵^量導(dǎo)體缺陷300可形成于PCB 106(圖1)的制造期間，或可由在圖3E-3H的過程中因?yàn)R射而沉積的殘留導(dǎo)體材料所導(dǎo)致的。在圖5A所示的階段中，控制組件124使光學(xué)頭組件116(圖1和圖2)位移，以使物鏡模塊164(圖2)位于缺陷上方并聚焦在該缺陷上。優(yōu)選地在以約600奈米和500奈米為中心的兩個(gè)波段處獲得該缺陷的圖像，且以約400奈米為中心獲得熒光圖像。圖像經(jīng)控制組件IM分析并優(yōu)選地與基準(zhǔn)(例如CAM數(shù)據(jù))相比較，由此確認(rèn)缺陷的存在和類型并提供缺陷的詳細(xì)輪廓，該詳細(xì)輪廓優(yōu)選地包括至少一個(gè)導(dǎo)體移除區(qū)域(在所示實(shí)例中，為第一過量導(dǎo)體材料區(qū)302和第二過量導(dǎo)體材料區(qū)304)的限定?，F(xiàn)在參見圖5B和圖5C，從圖可知，在第一過量導(dǎo)體材料區(qū)302和第二過量導(dǎo)體材料區(qū)304實(shí)施過量導(dǎo)體材料的激光剝蝕。因激光器與檢查子組件共享同一焦點(diǎn)，故物鏡模塊164在此階段中無需移離其相對于缺陷的方向，這是本發(fā)明的特定特征。應(yīng)理解，通常，若采用產(chǎn)生亞奈秒脈沖的30毫瓦532奈米調(diào)Q微片激光器，則可通過利用直徑通常為5微米至20微米的光點(diǎn)大小實(shí)現(xiàn)對第一過量導(dǎo)體材料區(qū)302和第二過量導(dǎo)體材料區(qū)304的激光剝蝕。應(yīng)理解，根據(jù)過量導(dǎo)體材料的成分，改變撞擊在表面的單位面積上的激光能量，例如通過改變激光束在表面上的掃描速度或通過調(diào)整所撞擊的激光束的功率來改變撞擊在表面的單位面積上的激光能量。優(yōu)選地，在激光剝蝕之前與激光剝蝕的過程中，使用檢查子組件監(jiān)測PCB 106的 X-Y位置，以確保激光束撞擊在第一過量導(dǎo)體材料區(qū)302和第二過量導(dǎo)體材料區(qū)304上，而不撞擊在導(dǎo)體310、312和314上。此功能是通過激光器與檢查子組件共享同一焦點(diǎn)實(shí)現(xiàn)的。參照圖1-3H描述的表面粗糙化和沉積所使用的同一激光器還用于激光剝蝕，這是本發(fā)明的特定特征。通常，在完成激光剝蝕之后，執(zhí)行對PCB 106的下一檢查，此檢查類似于參照圖5A 所描述的檢查。應(yīng)理解，若在PCB 106上發(fā)現(xiàn)多個(gè)缺陷，或移除在沉積過程中所沉積的過量導(dǎo)體材料，則上文參照圖4和圖5A-5C描述的用于對過量導(dǎo)體材料區(qū)302和304執(zhí)行激光剝蝕的激光剝蝕功能，還可與上文參照圖3A-;3H描述的表面粗糙化功能與沉積功能一起用于同一 PCB106。應(yīng)理解，上文參照圖3A-3H描述的表面粗糙化功能與沉積功能，以及上文參照圖4 和圖5A-5C描述的激光剝蝕功能，均可根據(jù)所需在PCB 106上的多個(gè)位置或同一位置上以任意適當(dāng)?shù)捻樞驅(qū)崿F(xiàn)一次或多次。本領(lǐng)域技術(shù)人員應(yīng)理解，本發(fā)明并非僅限于上文具體顯示和描述的內(nèi)容。而是，本發(fā)明包括本文所描述的各種特征的組合和子組合以及本領(lǐng)域技術(shù)人員在閱讀上文說明后所得到的不屬于現(xiàn)有技術(shù)的各種改進(jìn)和修改。
權(quán)利要求
1.一種修復(fù)電路的方法，包括利用激光器和至少一個(gè)激光束傳輸路徑，對形成于電路基板上的導(dǎo)體的至少一個(gè)導(dǎo)體修復(fù)區(qū)域進(jìn)行激光預(yù)處理；以及利用所述激光器和所述至少一個(gè)激光束傳輸路徑的至少一部分，將至少一個(gè)激光束應(yīng)用至施體基板，使得所述施體基板的至少一部分從所述施體基板分離并轉(zhuǎn)移至至少一個(gè)預(yù)定的導(dǎo)體位置。
2.如權(quán)利要求1所述的修復(fù)電路的方法，其中，所述預(yù)處理包括激光剝蝕。
3.如權(quán)利要求1所述的修復(fù)電路的方法，其中，在所述激光預(yù)處理和應(yīng)用至所述施體基板的過程中，所述激光器工作在不同的功率等級。
4.如權(quán)利要求1所述的修復(fù)電路的方法，其中，所述預(yù)處理包括基板修復(fù)區(qū)域的預(yù)處理和導(dǎo)體修復(fù)區(qū)域的預(yù)處理。
5.如權(quán)利要求4所述的修復(fù)電路的方法，其中，所述激光剝蝕引起所述基板修復(fù)區(qū)域和所述導(dǎo)體修復(fù)區(qū)域的表面粗糙化。
6.如權(quán)利要求5所述的修復(fù)電路的方法，其中，所述基板修復(fù)區(qū)域的預(yù)處理和所述導(dǎo)體修復(fù)區(qū)域的預(yù)處理包括不同程度的表面粗糙化。
7.如權(quán)利要求1所述的修復(fù)電路的方法，其中，通過自動(dòng)光學(xué)檢查來選擇所述至少一個(gè)導(dǎo)體修復(fù)區(qū)域。
8.如權(quán)利要求1所述的修復(fù)電路的方法，還包括利用所述激光器和所述至少一個(gè)激光束傳輸路徑對過量導(dǎo)體材料進(jìn)行激光剝蝕。
9.如權(quán)利要求8所述的修復(fù)電路的方法，其中，所述過量導(dǎo)體材料是由從所述施體基板分離的材料形成的。
10.如權(quán)利要求8所述的修復(fù)電路的方法，其中，對過量導(dǎo)體材料進(jìn)行的激光剝蝕是在將至少一個(gè)激光束應(yīng)用至施體基板之后執(zhí)行的，而將至少一個(gè)激光束應(yīng)用至施體基板又是在所述激光預(yù)處理之后執(zhí)行的。
11.一種修復(fù)電路的方法，包括利用激光器和至少一個(gè)激光束傳輸路徑，對形成于電路基板上的導(dǎo)體的至少一個(gè)導(dǎo)體修復(fù)區(qū)域中的過量導(dǎo)體材料進(jìn)行激光剝蝕；以及利用所述激光器和所述至少一個(gè)激光束傳輸路徑的至少一部分，將至少一個(gè)激光束應(yīng)用至施體基板，使得所述施體基板的至少一部分從所述施體基板分離并轉(zhuǎn)移至至少一個(gè)預(yù)定的導(dǎo)體位置。
12.如權(quán)利要求11所述的修復(fù)電路的方法，其中，對過量導(dǎo)體材料進(jìn)行的激光剝蝕產(chǎn)生對短路的修復(fù)。
13.如權(quán)利要求11所述的修復(fù)電路的方法，其中，在所述激光剝蝕和應(yīng)用至所述施體基板的過程中，所述激光器工作在不同的功率等級。
14.如權(quán)利要求11所述的修復(fù)電路的方法，還包括對所述至少一個(gè)導(dǎo)體修復(fù)區(qū)域進(jìn)行表面粗糙化。
15.如權(quán)利要求11所述的修復(fù)電路的方法，其中，通過自動(dòng)光學(xué)檢查來選擇所述至少一個(gè)導(dǎo)體修復(fù)區(qū)域。
16.一種修復(fù)電路的方法，包括預(yù)處理電路基板的至少一個(gè)電路基板修復(fù)區(qū)域和導(dǎo)體的至少一個(gè)導(dǎo)體修復(fù)區(qū)域，所述導(dǎo)體形成于所述電路基板上并與所述至少一個(gè)電路基板修復(fù)區(qū)域鄰接；以及將至少一個(gè)激光束應(yīng)用至施體基板，使得所述施體基板的至少一部分從所述施體基板分離，并轉(zhuǎn)移至所述至少一個(gè)電路基板修復(fù)區(qū)域中的至少一個(gè)預(yù)定的電路基板位置和所述至少一個(gè)導(dǎo)體修復(fù)區(qū)域中的至少一個(gè)預(yù)定的導(dǎo)體位置，由此在所述至少一個(gè)導(dǎo)體修復(fù)區(qū)域處至少部分地與所述導(dǎo)體的一部分重疊，并在所述至少一個(gè)電路基板修復(fù)區(qū)域中形成所述導(dǎo)體的至少一個(gè)延伸部。
17.如權(quán)利要求16所述的修復(fù)電路的方法，其中，所述預(yù)處理包括激光剝蝕。
18.如權(quán)利要求16所述的修復(fù)電路的方法，其中，所述預(yù)處理和所述應(yīng)用是由同一激光器實(shí)施的。
19.如權(quán)利要求18所述的修復(fù)電路的方法，其中，所述預(yù)處理和所述應(yīng)用是由同一激光器以不同的功率等級實(shí)施的。
20.如權(quán)利要求18所述的修復(fù)電路的方法，其中，所述基板修復(fù)區(qū)域的預(yù)處理和所述導(dǎo)體修復(fù)區(qū)域的預(yù)處理是由同一激光器以不同的功率等級實(shí)施的。
21.如權(quán)利要求20所述的修復(fù)電路的方法，其中，所述基板修復(fù)區(qū)域的預(yù)處理和所述導(dǎo)體修復(fù)區(qū)域的預(yù)處理包括不同程度的表面粗糙化。
22.如權(quán)利要求17所述的修復(fù)電路的方法，其中，所述激光剝蝕引起表面粗糙化。
23.如權(quán)利要求16所述的修復(fù)電路的方法，其中，通過自動(dòng)光學(xué)檢查來選擇所述至少一個(gè)基板修復(fù)區(qū)域中的至少一個(gè)預(yù)定的基板位置和所述至少一個(gè)導(dǎo)體修復(fù)區(qū)域中的至少一個(gè)預(yù)定的導(dǎo)體位置。
24.一種用于修復(fù)電路的系統(tǒng)，包括激光器和激光束傳輸路徑；激光預(yù)處理功能組件，利用所述激光器和所述激光束傳輸路徑的至少一部分，對形成于電路基板上的導(dǎo)體的至少一個(gè)導(dǎo)體修復(fù)區(qū)域進(jìn)行激光預(yù)處理；以及導(dǎo)體沉積功能組件，利用所述激光器和所述激光束傳輸路徑的至少一部分，將至少一個(gè)激光束應(yīng)用至施體基板，使得所述施體基板的至少一部分從所述施體基板分離并轉(zhuǎn)移至至少一個(gè)預(yù)定的導(dǎo)體位置。
25.一種用于修復(fù)電路的系統(tǒng)，包括激光器和激光束傳輸路徑；過量導(dǎo)體剝蝕功能組件，利用所述激光器和所述激光束傳輸路徑的至少一部分，對形成于電路基板上的導(dǎo)體的至少一個(gè)導(dǎo)體修復(fù)區(qū)域中的過量導(dǎo)體材料進(jìn)行激光剝蝕；以及導(dǎo)體沉積功能組件，利用所述激光器和所述激光束傳輸路徑的至少一部分，將至少一個(gè)激光束應(yīng)用至施體基板，使得所述施體基板的至少一部分從所述施體基板分離并轉(zhuǎn)移至至少一個(gè)預(yù)定的導(dǎo)體位置。
26.如權(quán)利要求25所述的用于修復(fù)電路的系統(tǒng)，其中，對過量導(dǎo)體材料進(jìn)行的激光剝蝕產(chǎn)生對短路的修復(fù)。
27.一種用于修復(fù)電路的系統(tǒng)，包括激光器和激光束傳輸路徑；預(yù)處理功能組件，利用所述激光器和所述激光束傳輸路徑的至少一部分來處理電路基板的至少一個(gè)電路基板修復(fù)區(qū)域和導(dǎo)體的至少一個(gè)導(dǎo)體修復(fù)區(qū)域，所述導(dǎo)體形成于所述電路基板上并與所述至少一個(gè)電路基板修復(fù)區(qū)域鄰接；以及導(dǎo)體沉積功能組件，利用所述激光器和所述激光束傳輸路徑的至少一部分，將至少一個(gè)激光束應(yīng)用至施體基板，使得所述施體基板的至少一部分從所述施體基板分離并轉(zhuǎn)移至所述至少一個(gè)電路基板修復(fù)區(qū)域中的至少一個(gè)預(yù)定的電路基板位置和所述至少一個(gè)導(dǎo)體修復(fù)區(qū)域中的至少一個(gè)預(yù)定的導(dǎo)體位置，由此在所述至少一個(gè)導(dǎo)體修復(fù)區(qū)域處至少部分地與所述導(dǎo)體的一部分重疊，并在所述至少一個(gè)電路基板修復(fù)區(qū)域中形成所述導(dǎo)體的至少一個(gè)延伸部。
全文摘要
本發(fā)明提供一種修復(fù)電路的系統(tǒng)和方法，包括利用激光器和至少一個(gè)激光束傳輸路徑，對形成于電路基板上的導(dǎo)體的至少一個(gè)導(dǎo)體修復(fù)區(qū)域進(jìn)行激光預(yù)處理；以及利用激光器和至少一個(gè)激光束傳輸路徑的至少一部分，將至少一個(gè)激光束應(yīng)用至施體基板，使得施體基板的至少一部分從施體基板分離并轉(zhuǎn)移至至少一個(gè)預(yù)定的導(dǎo)體位置。
文檔編號B23K26/00GK102281983SQ201080004959
公開日2011年12月14日 申請日期2010年2月7日 優(yōu)先權(quán)日2009年3月2日
發(fā)明者烏里·戈?duì)柕? 茲維·科特拉爾 申請人:奧博泰克有限公司