專利名稱：柔性印版的直接刻制的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及用于柔性印版的直接刻制的光學(xué)打印頭和方法。
背景技術(shù)：
柔性印版的直接刻制需要直接使用激光系統(tǒng)在印版材料上刻制三
維(3-D)。這與二維(2-D)成像技術(shù)有顯著的不同，2-D成像技術(shù)需 要后處理步驟來生成三維特征。
這種差異為激光成像系統(tǒng)引入了一些挑戰(zhàn)
1. 激光系統(tǒng)必須有足夠的功率來燒蝕材料；和
2. 激光光斑應(yīng)該足夠小，以實現(xiàn)高質(zhì)量印刷所需要的精細(xì)細(xì)節(jié)。 雖然高功率密度未必與激光可聚焦性沖突，但從實用的角度來看，
這些激光器提供了顯著高于寬點(diǎn)激光器的每瓦特輸出光功率的成本。因 此，最好是用可產(chǎn)生高輸出的光功率的寬激光源操作，而不是用可能有 高功率密度但總輸出功率相對較低的小點(diǎn)源。
因此，引人興趣的是使用結(jié)合精細(xì)點(diǎn)激光源和寬點(diǎn)激光源的特點(diǎn)的 激光系統(tǒng)，精細(xì)點(diǎn)激光源處理需要精細(xì)細(xì)節(jié)加網(wǎng)(screening)的區(qū)， 寬點(diǎn)激光源用于特征包括大的實心區(qū)的圖像部分。
授予朱芬格(Juffinger)等人的美國專利號6857365提供了通過 將浮雕引入印刷塊空白的表面來生產(chǎn)印刷塊的方法。為形成浮雕，由輻 射沿軌跡去除印刷塊空白的材料。浮雕區(qū)可以通過頻繁接觸安裝在相同 的光學(xué)頭上的輻射源放射的輻射而沿同 一軌跡以不同深度形成。
小川(0gawa)的美國公開專利申請?zhí)?006/0065147提供了用兩個 進(jìn)程刻制柔性直接印版的方法。 一個是精密刻制進(jìn)程，用具有小直徑的 精密刻制光束以精密刻制像素間距照射柔印直接印版以將印版刻制為 最大深度。另一個是粗略刻制過程，用具有較大直徑的粗略刻制光束以 大于精密刻制像素間距的粗略刻制像素間距照射柔印直接印版以將印 版刻制到浮雕深度。 一個可變的擴(kuò)束器改變從單個激光源發(fā)射的激光束 的直徑。
希佛斯(Sievers)的美國專利號6150629提供了用于使用調(diào)制的激光束刻制工件表面以在工件表面形成期望的輪廓的激光刻制機(jī)。輪廓 的精細(xì)結(jié)構(gòu)用具有相對較高調(diào)制頻率的聲光調(diào)制器調(diào)制的第一激光器 的激光束形成，而期望輪廓的深區(qū)是由第二激光器的激光束形成，為此， 一方面調(diào)制器、另一方面第二激光束源由相互關(guān)聯(lián)但分離的控制信號驅(qū) 動。來自調(diào)制器和第二激光束源的兩個垂直偏振的激光束分別由選擇性 鏡子傳遞和反射，共同通過單個光學(xué)系統(tǒng)施加到要加工的工件表面。
希佛斯(Sievers)的美國公開專利申請20060132592提供了用來 自兩個或兩個以上光束的合并的光通量轉(zhuǎn)印圖像。具體的實施例利用從
第一寬光束和與第一光束共同照射印版的多個可控的脈沖光束的合并 的照射為CTP系統(tǒng)燒蝕掩模印版。
小川(0gawa)的美國公開專利申請?zhí)?0060203861提供了有記錄 鼓和記錄頭的激光刻制機(jī)，該記錄鼓可以與在周邊安裝的柔印敏感材料 一起旋轉(zhuǎn)，該記錄頭可平行于該記錄鼓的軸移動。記錄頭包括發(fā)射精 密刻制束L1的第一激光源、發(fā)射粗略刻制束L2的第二激光源、用于調(diào) 制精密刻制束L1的A0M、用于造成精密刻制束L1軸向掃描記錄鼓的A0D、 用于調(diào)制粗略刻制束L2的A0M、合成裝置、和用于聚集合成設(shè)備合成的 精密刻制束Ll和粗略刻制束L2到柔印敏感材料上的光學(xué)器件。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明是一種結(jié)合了用于處理需要精細(xì)細(xì)節(jié)加網(wǎng)的區(qū)的精細(xì)點(diǎn)輻 射源和用于處理包括大的基本實心區(qū)的寬點(diǎn)輻射源的特點(diǎn)的輻射系統(tǒng)。
特別是， 一種用于刻制柔性印版的系統(tǒng)，包括笫一組的一個或多 個輻射源，每個輻射源放射具有大致相同的強(qiáng)度的輻射；第一一個或多 個光學(xué)元件，與第一組的一個或多個輻射源耦合，將從該第一組的一個 或多個輻射源發(fā)射的輻射成像在柔性印版上；第二組的一個或多個輻射 源，每個輻射源放射具有大致相同的強(qiáng)度的輻射；和第二一個或多個光 學(xué)元件，與第二組的一個或多個輻射源耦合，將從該第二組的一個或多 個輻射源發(fā)射的輻射成像在柔性印版上，其中第一組的一個或多個輻射 源的強(qiáng)度和光斑大小不同于第二組的一個或多個輻射源的強(qiáng)度和光斑 大小，其中所述第一和第二組的輻射源同時運(yùn)作。
另外， 一種刻制柔性印版的方法，包括由第一組的一個或多個輻 射源的每一個發(fā)射具有大致相同的強(qiáng)度的輻射；由與第 一組的一個或多 個輻射源耦合的第--個或多個光學(xué)元件將從第一組的一個或多個輻
6射源放射的輻射成像在柔性印版上；由第二組的一個或多個輻射源的每 一個發(fā)射具有大致相同的強(qiáng)度的輻射；由與第二組的一個或多個輻射源 耦合的第二一個或多個光學(xué)元件將從第二組的一個或多個輻射源放射
的輻射成像在柔性印版上，其中第一組的一個或多個輻射源的強(qiáng)度和光
斑大小不同于第二組的一個或多個輻射源的強(qiáng)度和光斑大小，其中所述 第一和第二組的輻射源同時運(yùn)作。


圖1是示出了柔性印版上的空白和升高的墨轉(zhuǎn)印區(qū)的圖； 圖2是示出了表面被壓的柔性印版的圖； 圖3是在兩個不同的光托架上安置的混合光學(xué)頭概念的框圖； 圖4是在一個光托架上安置的混合光學(xué)頭概念的框圖； 圖5示出了由光學(xué)系統(tǒng)成像到柔性印版上的光纖耦合二極管； 圖6是示出了成陣列安置并由遠(yuǎn)心透鏡成像在柔性印版上的多個光 纖耦合二極管激光器和光纖的框圖7是示出了準(zhǔn)直從二極管激光器來的輻射的準(zhǔn)直透鏡的框圖； 圖8是示出了被準(zhǔn)直和成像到柔性印版的、從耦合的二極管激光器 來的輻射的框圖9是示出了各個被準(zhǔn)直和成像到柔性印版的多個耦合的二極管激 光器的框圖IO是示出了半導(dǎo)體激光器條的快速和慢速軸準(zhǔn)直的框圖11是快速縱向和橫向疊陣的激光器條的圖；和
圖12是示出了通過使用偏振光束合并器的光束合并的框圖。
具體實施例方式
稱為混合光學(xué)頭系統(tǒng)(H0HS)的高功率寬點(diǎn)和低功率精細(xì)點(diǎn)的輻射 源的組合非常適合于直接刻制柔印應(yīng)用的三維處理。參照圖1，因為柔 性印版(FP) 5被直接按到諸如紙張和包裝材料等(未示出)的印刷介 質(zhì)上，將墨轉(zhuǎn)印到印刷介質(zhì)的區(qū)IO需要從不轉(zhuǎn)印墨的空白區(qū)ll抬高。 所需要的空白區(qū)11的深度是，當(dāng)FP 5被按到另一表面時，空白區(qū)11 應(yīng)不接觸該表面。
參照圖2, FP 24被壓力20緊緊地壓著接觸面23。由于FP2々是可 變形的，所以，由大的空白區(qū)25 (通常用來生成成像中的大的實心區(qū))
7隔離的成像特征21將比由小的空白區(qū)26 (通常用來生成成像中的精細(xì) 細(xì)節(jié)區(qū))隔離的成像特征22變形更強(qiáng)，并被推動更接近接觸面23。因 此，大的空白區(qū)25必須保持比小的區(qū)26更大的深度，以防止與接觸面 23接觸。因此，由此可見，小的空白區(qū)26被輻射系統(tǒng)刻成的深度可以 比大的空白區(qū)25所需的深度更淺。HOHS利用這一事實，即大的實心區(qū) 需要處理到大于精細(xì)細(xì)節(jié)所需的深度的深度。
HOHS可用至少兩組輻射源配置，各組包括至少一個輻射源，其中各 組的輻射源發(fā)出具有不同于其它組的輻射源的強(qiáng)度和光斑大小的、相同 的強(qiáng)度和光斑大小的輻射，其中各組的輻射源同時運(yùn)作。輻射源包括但 不限于激光器、激光二極管、多發(fā)射極激光二極管、激光器條、激光器 疊陣和光纖激光器等。例如，低功率精細(xì)激光源可以協(xié)助處理實心區(qū)； 但是，高功率寬激光源可能只在大于或等于其光斑大小的區(qū)運(yùn)作。精細(xì) 和寬的激光源可整合為單個光學(xué)頭，或分離到其自己的分離的安裝的頭 中。在每一個配置中，激光源被相互獨(dú)立地控制和驅(qū)動。
例如，該H0HS可利用下列源中的一個
1. IOO微米孔徑、能發(fā)6. 5W的光纖耦合的單發(fā)射極二極管激光器， 例如可從JDSU得到的波長為9xx nm、光纖耦合、6.5W的激光二極管。 其描述見于 (http://www.jdsu.com/index.cfm productid=605 & pagepath-Products/Commercial-Lasers/Products/Laser—Diodes & id=2008 )。這一特定的JDSU激光源可能取決于成像光學(xué)器件以幾十微 米的量級成像到精細(xì)點(diǎn)，而不嚴(yán)重?fù)p害焦深。
2. 可以提供幾十瓦的輸出功率的半導(dǎo)體棒。陣列或疊陣的幾個棒 可以將幾百瓦提供到一個大點(diǎn)中。單個的棒能夠生成400微米的點(diǎn)而不 嚴(yán)重?fù)p害焦深。此外，單個的棒能夠在短的曝光時間內(nèi)將粗略特征刻制 到顯著的深度。
精細(xì)激光源或多種精細(xì)激光源可包括諸如例如可從JDSU得到的波 長為 9xx nm 、 光纖耦合、6. 5W 的激光二極管 ( http://www.jdsu.com/index.cfm productid=605 & pagepath-Product s/Commercia1— Lasers/Products/Laser —Diodes & id=2008 )的具有單發(fā)射極的二極管激光器。
精細(xì)源激光和寬源激光都可以光纖耦合和非光纖耦合配置得到。在 光纖耦合配置，激光使用單獨(dú)的聚焦透鏡或通過將光纖末端處理到能夠 將光折射到光纖中的表面而定義的透鏡耦合到光纖。從光纖中浮現(xiàn)的孔徑的大小由光纖的徑向尺寸決定。由于從孔徑輸出的光發(fā)散，所以，需 要使用透鏡或透鏡系統(tǒng)來對其成像以產(chǎn)生所期望的光斑大小。
圖3示出了 HOHS的一個實施例，其中精細(xì)激光源31和寬激光源36 分別安裝在托架39和38上，該托架39和38沿在其上安裝了 FP 40的 旋轉(zhuǎn)鼓30的縱軸移動。激光源31和36由控制設(shè)備34控制，托架39 和38可相互獨(dú)立置放在相對旋轉(zhuǎn)鼓30的不同位置。
在運(yùn)作中，F(xiàn)P40附著在鼓30上，然后轉(zhuǎn)動。在轉(zhuǎn)動中，控制設(shè)備 34引導(dǎo)激光源36來燒蝕大于或等于激光源36的光點(diǎn)大小的某些大的 區(qū)，而激光源31被引導(dǎo)來燒蝕一些小的區(qū)、需要精細(xì)細(xì)節(jié)的區(qū)和激光 源31被引導(dǎo)以運(yùn)作的大區(qū)。激光源31和36分別在各自的托架39和38 上移動，以在它們需要運(yùn)作的區(qū)定位激光源31和36。
圖4示出了 HOHS的另一實施例，其中精細(xì)激光源42和寬激光源43 安裝在同一托架41上。激光器42和43由控制設(shè)備44根據(jù)包含圖像的 細(xì)節(jié)的數(shù)據(jù)獨(dú)立控制，對安裝在鼓45上的FP 46進(jìn)行刻制。
在運(yùn)作中，F(xiàn)P46附著在鼓45上，然后轉(zhuǎn)動。在轉(zhuǎn)動中，控制設(shè)備 44引導(dǎo)激光源43來燒蝕大于或等于激光源43的光點(diǎn)大小的某些大的區(qū); 而激光源42被引導(dǎo)來燒蝕一些小的區(qū)、需要精細(xì)細(xì)節(jié)的區(qū)和激光源42 被引導(dǎo)以運(yùn)作的大區(qū)。激光源42和43在托架41上運(yùn)動，以在它們需 要運(yùn)作的區(qū)定位激光器42和43。
圖5示出了耦合到光纖52的光纖耦合二極管激光器50,光纖52耦 合到成像光學(xué)系統(tǒng)54，該成像光學(xué)系統(tǒng)54達(dá)到了期望尺寸的點(diǎn)來聚焦 到刻制介質(zhì)55上進(jìn)行刻制。在本實施例中，光纖52可以是單模激光源、 多模光纖或用于多模激光源的光纖束。
圖6描述了其中使用了多個光纖耦合二極管激光器63的另一實施 例。光纖60以陣列安置，能夠被透鏡或透鏡系統(tǒng)61成像到刻制介質(zhì)62 上。在一個例子中，透鏡系統(tǒng)61可配置為遠(yuǎn)心透鏡。
在另 一個例子中，二極管激光器63或多個二極管激光器63可以不 是光纖耦合二極管。從二極管激光器發(fā)射的光束離開其前端面時擴(kuò)散， 需要用位于接近發(fā)射極的透鏡捕獲。往往光是準(zhǔn)直離開透鏡的，即，光 沿光軸以最小的發(fā)散傳播。準(zhǔn)直透鏡可能包括單個的透鏡元件或幾個元 件。如果激光二極管63不是光纖耦合的，就需要額外的元件來生成圓 形的光束輪廓。
圖7描述了從二極管激光器71發(fā)射并由準(zhǔn)直透鏡70準(zhǔn)直的激光束75。可以在光束72的路徑上放置后續(xù)的光學(xué)系統(tǒng)73來將光束成像到刻 制介質(zhì)74上。光學(xué)系統(tǒng)73還可以包括整形作為圓從準(zhǔn)直透鏡中發(fā)出來 的激光束72的元件。從激光二極管發(fā)出來的激光束75本質(zhì)上具有橢圓 形的截面。
圖8示出了非光纖耦合二極管光學(xué)裝置80,包括二極管激光器84、 準(zhǔn)直透鏡81和用于成像到刻制介質(zhì)83上的成像透鏡82。
圖9示出了在定義明確的陣列中形成的一個或多個二極管激光器 90。如同單個二極管激光器的情形，從每個二極管90來的光被各自的 準(zhǔn)直透鏡91俘獲。從準(zhǔn)直透鏡91的陣列來的光被俘獲到成像透鏡系統(tǒng) 92中，》然，，,在刻制介質(zhì)93上。。
、 ，" 、'\、 '
陣構(gòu)造，例如可以從http://www.dilas.de/products/products.html 以及http: //www. scd. co. il/lapid. asp得到。
激光器條從比較大的區(qū)發(fā)射光，其寬度通常是IO或12mm，包括子 發(fā)射極陣列?？偟臈l輸出功率達(dá)到50瓦特或更大。
圖IO說明了帶有多個發(fā)射極的激光器條100。為準(zhǔn)直光，光學(xué)系統(tǒng) 包括透鏡101和額外的透鏡102,透鏡101準(zhǔn)直角跨度為65度的快速軸， 透鏡102準(zhǔn)直慢軸，它在每個單獨(dú)的發(fā)射極的前面包括圓柱形元件。
圖IIA示出了縱向耦合的若干個條IIO,圖IIB示出了橫向耦合的 若干個條111。每個條110和Ul分別配置有發(fā)射極陣列112和113。 條110產(chǎn)生的輸出功率是所有單個條所產(chǎn)生的輸出功率的總和。條110 和111可單獨(dú)尋址。
還可以使用諸如偏振和/或波長依賴型光合束器的光學(xué)元件來合并 從若干個這樣的激光器件來的光，以增加寬激光源的亮度。從這些條發(fā) 射出的光可以利用各種微型光學(xué)元件耦合到光纖或光纖束中。光纖耦合 或非光纖耦合源然后成像到期望的光斑大小，該光斑大小相對于精細(xì)點(diǎn) 是寬的。這個激光點(diǎn)然后用于將柔性印版的粗略結(jié)構(gòu)燒蝕成所需的浮 雕。
在圖12中說明了合并光偏振的一個例子。激光束124是從激光源 120來的耦合到準(zhǔn)直透鏡1"的準(zhǔn)直激光束。該光束進(jìn)入偏振光合束器 (PBC) 128。 PBC和激光源120的取向是使從PBC的輸出與其原始方向
成直角。
來自激光源121耦合到準(zhǔn)直透鏡123的光束125與激光束124類似。光束125進(jìn)入極化半波長阻波板(polarization half wavelength retarding waveplate) 126。出射束127的偏振態(tài)旋轉(zhuǎn)了 90度。通過 進(jìn)入PBC 128，光束127被傳遞并與光束124結(jié)合形成合并的輸出光束 129。
當(dāng)使用發(fā)出不同波長的光的激光二極管時，光源可以適應(yīng)于諸如在 共有的美國專利申請?zhí)?1/353217中所描述的印版的直接刻制印版的特 殊的光熱特性。
部件列表
5 柔性印版
10墨轉(zhuǎn)印區(qū)
11空白區(qū)
20壓力
21圖像特征
22圖像特征
23接觸面
24柔性印版
25大的空白區(qū)
26小的空白區(qū)
30旋轉(zhuǎn)鼓
31精細(xì)激光源
34控制設(shè)備
36寬的激光源
38托架
39托架
40柔性印版
41托架
42精細(xì)激光源
43寬的激光源
44控制設(shè)備
45鼓
46柔性印版
ii50 二極管激光器 52光纖
54成像光學(xué)系統(tǒng)
55刻制介質(zhì)
60光纖
61透鏡系統(tǒng)
62刻制介質(zhì)
63 二極管激光器
70準(zhǔn)直透鎮(zhèn)
71 二極管激光器
72激光束
73光學(xué)系統(tǒng)
74刻制介質(zhì)
75激光束
80光學(xué)器件
81準(zhǔn)直透銷；
82成像透鏡
83刻制介質(zhì)
84 二極管激光器
90 二極管激光器
91準(zhǔn)直透銷
92透鏡系統(tǒng)
93刻制介質(zhì)
100激光器條
101透鏡
102額外的透4竟
110條
111條
112發(fā)射極
113發(fā)射極
120激光源
121激光源122準(zhǔn)直透銷 123準(zhǔn)直透鎮(zhèn)
124激光束 125光束 126阻波板 127出射光束 128偏振光合束器 129輸出光束
權(quán)利要求
1.一種用于刻制柔性印版的系統(tǒng)，包括第一組的一個或多個輻射源，每個輻射源放射具有大致相同的強(qiáng)度的輻射；第一一個或多個光學(xué)元件，與第一組的一個或多個輻射源耦合，將從該第一組的一個或多個輻射源發(fā)射的輻射成像在柔性印版上；第二組的一個或多個輻射源，每個輻射源放射具有大致相同的強(qiáng)度的輻射；和第二一個或多個光學(xué)元件，與第二組的一個或多個輻射源耦合，將從該第二組的一個或多個輻射源發(fā)射的輻射成像在柔性印版上，其中第一組的一個或多個輻射源的強(qiáng)度和光斑大小不同于第二組的一個或多個輻射源的強(qiáng)度和光斑大小，其中所述第一和第二組的輻射源同時運(yùn)作。
2. 如權(quán)利要求l所述的系統(tǒng)，其中，第一組的一個或多個輻射源 是激光二極管、多發(fā)射極激光二極管、激光器條、激光器疊陣或光纖激 光器。
3. 如權(quán)利要求2所述的系統(tǒng)，其中，第二組的一個或多個輻射源 是激光二極管、多發(fā)射極激光二極管、激光器條、激光器疊陣或光纖激 光器。
4. 如權(quán)利要求3所述的系統(tǒng)，其中，第——個或多個光學(xué)元件包 括遠(yuǎn)心透鏡。
5. 如權(quán)利要求4所述的系統(tǒng)，其中，第二一個或多個光學(xué)元件包 括遠(yuǎn)心透4竟。
6. 如權(quán)利要求3所述的系統(tǒng)，其中，第——個或多個光學(xué)元件包 括至少一個準(zhǔn)直透鏡。
7. 如權(quán)利要求6所述的系統(tǒng)，其中，第二一個或多個光學(xué)元件包 括至少一個準(zhǔn)直透鏡。
8. 如權(quán)利要求3所述的系統(tǒng)，其中，第一一個或多個光學(xué)元件包 括準(zhǔn)直透鏡陣列。
9. 如權(quán)利要求8所述的系統(tǒng)，其中，第二一個或多個光學(xué)元件包 括準(zhǔn)直透鏡陣列。
10. 如權(quán)利要求l所述的系統(tǒng)，其中，第一和第二組的一個或多個輻射源安裝在單個可移動托架上。
11. 如權(quán)利要求l所述的系統(tǒng)，其中，第一和第二組的一個或多個 輻射源分別安裝在第一和第二可移動托架上。
12. 如權(quán)利要求l所述的系統(tǒng)，其中，來自第一組的一個或多個輻 射源的輻射被合并入單個光路。
13. 如權(quán)利要求12所述的系統(tǒng)，其中，來自第二組的一個或多個 輻射源的輻射被合并入單個光路。
14. 如權(quán)利要求l所述的系統(tǒng)，其中，第一組的一個或多個輻射源 能夠刻制柔性印版上的精細(xì)細(xì)節(jié)。
15. 如權(quán)利要求14所述的系統(tǒng)，其中，第二組的一個或多個輻射 源能夠刻制柔性印版上的寬的細(xì)節(jié)。
16. —種刻制柔性印版的方法，包括由第 一組的一個或多個輻射源的每一個發(fā)射具有大致相同的強(qiáng)度 的輻射；由與第一組的一個或多個輻射源耦合的第一一個或多個光學(xué)元件 將從第一組的一個或多個輻射源放射的輻射成像在柔性印版上；由第二組的一個或多個輻射源的每一個發(fā)射具有大致相同的強(qiáng)度 的輻射；以及由與第二組的一個或多個輻射源耦合的第二一個或多個光學(xué)元件 將從第二組的一個或多個輻射源放射的輻射成像在柔性印版上，其中第 一組的一個或多個輻射源的強(qiáng)度和光斑大小不同于第二組的一個或多 個輻射源的強(qiáng)度和光斑大小，其中所述第一和第二組的輻射源同時運(yùn)作。
17. 如權(quán)利要求16所述的方法，還包括將第一和第二組的一個或 多個輻射源安裝在單個可移動托架上。
18. 如權(quán)利要求16所述的方法，還包括將第一和第二組的一個或 多個輻射源分別安裝在第一和第二可移動托架上。
19. 如權(quán)利要求16所述的方法，其中，將由第一組的一個或多個 輻射源發(fā)射的輻射成像的步驟包括將從第一組的一個或多個輻射源發(fā) 射的輻射合并入單個光路。
20. 如權(quán)利要求19所述的方法，其中，將由第二組的一個或多個輻射源發(fā)射的輻射成像的步驟包括將從第二組的一個或多個輻射源發(fā) 射的輻射合并入單個光路。
21. 如權(quán)利要求16所述的方法，還包括使用第一組的一個或多個 輻射源在柔性印版上刻制精細(xì)細(xì)節(jié)。
22. 如權(quán)利要求21所述的方法，還包括使用第二組的一個或多個 輻射源在柔性印版上刻制寬的細(xì)節(jié)。
全文摘要
一種用于柔性印版的直接刻制的光學(xué)成像頭，包括至少兩組輻射源，每組包括至少一個輻射源，其中每組中的輻射源發(fā)出具有與另一組的輻射源的強(qiáng)度和光斑大小不同的、相同的強(qiáng)度和光斑大小的輻射，所述兩組的輻射源同時運(yùn)作。
文檔編號B23K26/00GK101568432SQ200780047852
公開日2009年10月28日 申請日期2007年12月7日 優(yōu)先權(quán)日2006年12月22日
發(fā)明者A·西曼-托夫, H·查耶特 申請人:伊斯曼柯達(dá)公司