專利名稱：晶片與軟片接合的軟片式承載器的定位孔及其雷射貫孔制程的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種承載器的定位孔及其貫孔制程，特別是涉及一種可折彎(Flexible)的晶片與軟片接合的軟片式承載器(Film carrier)的定位孔及其雷射貫孔(laser drilling)制程。
背景技術(shù)：
隨著科技的進步與生活品質(zhì)的持續(xù)提升，加上3C產(chǎn)業(yè)的整合與持續(xù)成長，使得集成電路(Integrated circuit，IC)的應(yīng)用領(lǐng)域越來越廣。為了使結(jié)構(gòu)脆弱的集成電路裸晶片(die)能受到有效的保護，并同時使集成電路裸晶片能與外界相互傳遞訊號，才發(fā)展出晶片封裝(package)技術(shù)。目前已經(jīng)研發(fā)出的晶片封裝技術(shù)眾多，以晶片接合技術(shù)來說，常見的晶片接合技術(shù)為打線(Wire Bonding，W/B)、覆晶(Flip Chip，F(xiàn)/C)、卷帶式自動接合(Tape Automatic Bonding，TAB)及晶片與軟片接合(Chip On Film，COF)等，其中晶片與軟片接合技術(shù)是直接將晶片接合于一軟片式承載器上，而封裝完成后的封裝體不但體積小、重量輕，且由于軟片式承載器本身具有可折彎(Flexible)的特性，故可使得封裝體在后續(xù)組裝上更具有彈性。
請參閱圖1A～1H所示，是現(xiàn)有習(xí)知的一種晶片與軟片接合的軟片式承載器的定位孔制程。
請參閱圖1A，首先，先提供一薄膜110與一金屬層130，其中金屬層130是形成于薄膜110上。請參閱圖1B，之后，使用一沖壓模具(圖中未示)對薄膜110進行沖孔(Punch)，而產(chǎn)生多個傳動孔140。薄膜110及金屬層130是藉由這些傳動孔140而配置于一輸送帶(圖中未示)上，并藉由此輸送帶而帶動薄膜110及金屬層130前進。然后，再對金屬層130的表面132進行一化學(xué)研磨(chemical polish)制程。
請參閱圖1C所示，接著，在金屬層130的表面132上形成一光阻層150。請參閱圖1D，之后，在光阻層150上配置一罩幕10，其中此罩幕10具有多個開口12，然后，藉由一光線通過此罩幕10的多個開口12，而對光阻層150進行曝光(exposure)，并移除罩幕10。請參閱圖1E，接著，對光阻層150進行顯影(development)，使得光阻層150呈現(xiàn)出一圖案。請參閱圖1F，之后，經(jīng)由蝕刻(etching)而移除未被光阻層150的圖案所覆蓋的金屬層130。請參閱圖1G，然后，移除光阻層150。請參閱圖1H，接著，使用另一沖壓模具(圖中未示)對薄膜110與金屬層130進行沖孔而產(chǎn)生多個定位孔142，即完成現(xiàn)有習(xí)知晶片與軟片接合的軟片式承載器的定位孔的制作。
值得注意的是，每一批軟片式承載器，必須針對不同晶片的接點位置(皆圖中未示)而設(shè)計出對應(yīng)的定位孔142位置，而這些定位孔142是利用沖壓模具對薄膜110及金屬層130進行沖孔而形成。因此，對于不同晶片的接點位置設(shè)計，則必須特別訂做并使用不同規(guī)格的沖壓模具，然而，制作模具所需耗費的時間、成本卻相當?shù)馗?，如此，在生產(chǎn)少量多樣的軟片式承載器時，將明顯大幅地增加了軟片式承載器的定位孔的制造成本。
由此可見，上述現(xiàn)有的晶片與軟片接合的軟片式承載器的定位孔及其雷射貫孔制程在使用上，顯然仍存在有不便與缺陷，而亟待加以進一步改進。為了解決晶片與軟片接合的軟片式承載器的定位孔及其雷射貫孔制程存在的問題，相關(guān)廠商莫不費盡心思來謀求解決之道，但長久以來一直未見適用的設(shè)計被發(fā)展完成，而一般產(chǎn)品又沒有適切的結(jié)構(gòu)能夠解決上述問題，此顯然是相關(guān)業(yè)者急欲解決的問題。
有鑒于上述現(xiàn)有的晶片與軟片接合的軟片式承載器的定位孔及其雷射貫孔制程存在的缺陷，本發(fā)明人基于從事此類產(chǎn)品設(shè)計制造多年豐富的實務(wù)經(jīng)驗及專業(yè)知識，并配合學(xué)理的運用，積極加以研究創(chuàng)新，以期創(chuàng)設(shè)一種新型結(jié)構(gòu)的晶片與軟片接合的軟片式承載器的定位孔及其雷射貫孔制程，能夠改進一般現(xiàn)有的晶片與軟片接合的軟片式承載器的定位孔及其雷射貫孔制程，使其更具有實用性。經(jīng)過不斷的研究、設(shè)計，并經(jīng)反復(fù)試作樣品及改進后，終于創(chuàng)設(shè)出確具實用價值的本發(fā)明。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的在于，克服現(xiàn)有的晶片與軟片接合的軟片式承載器的定位孔存在的缺陷，而提供一種新的晶片與軟片接合的軟片式承載器的定位孔，所要解決的技術(shù)問題是使其在生產(chǎn)少量多樣的軟片式承載器時，可有效地節(jié)省軟片式承載器的定位孔的制造成本，從而更加適于實用，且具有產(chǎn)業(yè)上的利用價值。
本發(fā)明的另一目的在于，提供一種晶片與軟片接合的軟片式承載器的定位孔雷射貫孔制程，所要解決的技術(shù)問題是使其在生產(chǎn)少量多樣的軟片式承載器時，可有效地節(jié)省軟片式承載器的定位孔的制造成本，從而更加適于實用。
本發(fā)明的目的及解決其技術(shù)問題是采用以下技術(shù)方案來實現(xiàn)的。依據(jù)本發(fā)明提出的一種晶片與軟片接合的軟片式承載器的定位孔制程，其至少包括提供一薄膜與一金屬層，其中該金屬層是配置于該薄膜上；圖案化該金屬層，以形成一具有多數(shù)個定位記號的圖案在該金屬層上；以及藉由一雷射而形成多數(shù)個定位孔于該薄膜上本發(fā)明的目的及解決其技術(shù)問題還可采用以下技術(shù)措施進一步實現(xiàn)。
前述的晶片與軟片接合的軟片式承載器的定位孔制程，其中所述的定位記號是與該金屬層被圖案化時同時形成。
前述的晶片與軟片接合的軟片式承載器的定位孔制程，其中所述的圖案化該金屬層包括形成一具有多數(shù)個空心孔的定位記號的圖案在該金屬層上。
前述的晶片與軟片接合的軟片式承載器的定位孔制程，其中所述的定位孔是藉由較低能量的雷射貫穿該薄膜且貫穿空心的該些定位記號而形成。
前述的晶片與軟片接合的軟片式承載器的定位孔制程，其中所述的圖案化該金屬層包括形成一具有多數(shù)個實心點的定位記號的圖案于該金屬層上。
前述的晶片與軟片接合的軟片式承載器的定位孔制程，其中所述的定位孔是藉由較高能量的雷射同時貫穿實心的該些定位記號與該薄膜而形成。
前述的晶片與軟片接合的軟片式承載器的定位孔制程，其中所述的金屬層配置于該薄膜上的方法包括一濺鍍制程、一壓合制程及一涂布制程的其中的一。
前述的晶片與軟片接合的軟片式承載器的定位孔制程，其中所述的圖案化該金屬層的步驟包括形成一光阻層于該金屬層的表面上；將具有多數(shù)個開口的一罩幕配置于該光阻層上；經(jīng)由曝光、顯影該光阻層，使得該光阻層呈現(xiàn)出一具有多數(shù)個定位記號的圖案，并移除該罩幕；經(jīng)由蝕刻而移除未被該光阻層所覆蓋的該金屬層；以及移除該光阻層。
前述的晶片與軟片接合的軟片式承載器的定位孔制程，在形成該光阻層前，更包括對該金屬層進行一表面處理。
前述的晶片與軟片接合的軟片式承載器的定位孔制程，其中所述的表面處理包括化學(xué)研磨。
本發(fā)明的目的及解決其技術(shù)問題還采用以下的技術(shù)方案來實現(xiàn)。依據(jù)本發(fā)明提出的一種雷射貫孔制程，適用于將一薄膜及/或一金屬層貫孔，而該金屬層是配置于該薄膜上，其中該金屬層具有多數(shù)個定位記號的圖案，其至少包括藉由一雷射并貫穿該些定位記號而形成多數(shù)個定位孔于該薄膜上。
本發(fā)明的目的及解決其技術(shù)問題還可采用以下技術(shù)措施進一步實現(xiàn)。
前述的雷射貫孔制程，其中所述的定位記號包括空心的定位記號，且該些定位孔是藉由一較低能量的雷射貫穿空心的該些定位記號與該薄膜而形成。
前述的雷射貫孔制程，其中所述的定位記號包括實心的定位記號，且該些定位孔是藉由一較高能量的雷射貫穿實心的該些定位記號與該薄膜而形成。
本發(fā)明與現(xiàn)有技術(shù)相比具有明顯的優(yōu)點和有益效果。由以上技術(shù)方案可知，為了達到前述發(fā)明目的，本發(fā)明的主要技術(shù)內(nèi)容如下本發(fā)明提出一種晶片與軟片接合的軟片式承載器的定位孔制程。首先，提供一薄膜與一金屬層，其中金屬層是配置于薄膜上。接著，圖案化金屬層，以形成一具有多個定位記號的圖案在金屬層上，其中這些定位記號是與金屬層形成一圖案化線路層時同時形成。之后，藉由一雷射而形成多個定位孔在薄膜上，以完成本發(fā)明的晶片與軟片接合的軟片式承載器的定位孔的制作。
依照本發(fā)明的較佳實施例所述的晶片與軟片接合的軟片式承載器的定位孔制程，其中這些定位記號是與金屬層被圖案化時同時形成。當這些定位記號例如為空心孔時，定位孔是藉由低能量的雷射貫穿薄膜且貫穿空心的這些定位記號所形成的。此外，當這些定位記號例如為實心點時，定位孔是藉由高能量雷射同時貫穿薄膜以及實心的這些定位記號所形成的。
依照本發(fā)明的較佳實施例所述的晶片與軟片接合的軟片式承載器的定位孔制程，其中將金屬層配置于薄膜上的方法包括一濺鍍制程、一壓合制程或一涂布制程。
依照本發(fā)明的較佳實施例所述的晶片與軟片接合的軟片式承載器的定位孔制程，其中圖案化金屬層的步驟包含下列數(shù)個步驟。首先，形成一光阻層在金屬層的表面上。之后，將具有多個開口的一罩幕配置于光阻層上。然后，經(jīng)由曝光、顯影光阻層，使得光阻層呈現(xiàn)出此具有多個定位記號的圖案，并移除罩幕。接著，經(jīng)由蝕刻而移除未被光阻層所覆蓋的金屬層。最后，移除光阻層，以完成圖案化金屬層的制程。
依照本發(fā)明的較佳實施例所述的晶片與軟片接合的軟片式承載器的定位孔制程，其中在形成光阻層前，更包括對金屬層進行一表面處理，此表面處理包含化學(xué)研磨(chemical polish)。
為達本發(fā)明的上述目的，本發(fā)明另提出一種雷射貫孔制程，適用于將一薄膜及/或一金屬層貫孔，而金屬層是配置于薄膜上，其中金屬層具有多個定位記號的圖案，而此雷射貫孔制程至少包含藉由一雷射并貫穿這些定位記號而形成多個定位孔于薄膜上。
依照本發(fā)明的較佳實施例所述的雷射貫孔制程，其中這些定位記號包含空心的定位記號，其例如為銅環(huán)，且這些定位孔是藉由較低能量的雷射而貫穿空心的這些定位記號及薄膜而形成，或者是這些定位記號包含實心的定位記號，其例如為銅墊，且這些定位孔是藉由較高能量的雷射貫穿實心的這些定位記號與薄膜而形成。
借由上述技術(shù)方案，本發(fā)明晶片與軟片接合的軟片式承載器的定位孔及其雷射貫孔制程至少具有下列優(yōu)點本發(fā)明的晶片與軟片接合的軟片式承載器的定位孔及其雷射貫孔制程因僅藉由雷射就可貫穿這些定位記號及薄膜而形成。因此，相較于現(xiàn)有習(xí)知軟片式承載器的定位孔制程，本發(fā)明的軟片式承載器的定位孔制程將毋須制作模具，并可符合少量、多樣地制作軟片式承載器的定位孔的需求，故可有效地節(jié)省制作軟片式承載器的定位孔的成本。
綜上所述，本發(fā)明特殊結(jié)構(gòu)的晶片與軟片接合的軟片式承載器的定位孔及其雷射貫孔制程，其能夠在生產(chǎn)少量多樣的軟片式承載器時，可有效地節(jié)省軟片式承載器的定位孔的制造成本，。其具有上述諸多的優(yōu)點及實用價值，并在同類產(chǎn)品及制造方法中未見有類似的結(jié)構(gòu)設(shè)計及方法公開發(fā)表或使用而確屬創(chuàng)新，其不論在產(chǎn)品結(jié)構(gòu)、制造方法或功能上皆有較大的改進，在技術(shù)上有較大的進步，并產(chǎn)生了好用及實用的效果，且較現(xiàn)有的晶片與軟片接合的軟片式承載器的定位孔及其雷射貫孔制程具有增進的多項功效，從而更加適于實用，而具有產(chǎn)業(yè)的廣泛利用價值，誠為一新穎、進步、實用的新設(shè)計。
上述說明僅是本發(fā)明技術(shù)方案的概述，為了能夠更清楚了解本發(fā)明的技術(shù)手段，而可依照說明書的內(nèi)容予以實施，并為了讓本發(fā)明的上述和其他目的、特征和優(yōu)點能更明顯易懂，以下特舉出多個較佳實施例，并配合附圖，詳細說明如下。


圖1A～1H是現(xiàn)有習(xí)知的一種晶片與軟片接合的軟片式承載器的定位孔制程。
圖2A～2H是本發(fā)明第一實施例的一種晶片與軟片接合的軟片式承載器的定位孔制程。
圖2I是圖2H的軟片式承載器，其錫層覆蓋于金屬層的圖案上的結(jié)構(gòu)示意圖。
圖2J是圖2I的軟片式承載器，其焊罩層形成于部分的錫層上的結(jié)構(gòu)示意圖。
圖2K是圖2J的軟片式承載器，其另一錫層形成于未被焊罩層覆蓋的錫層上的結(jié)構(gòu)示意圖。
圖3A～3B是本發(fā)明第二實施例的一種晶片與軟片接合的軟片式承載器的定位孔的部分制程。
10、20罩幕12、22開口110薄膜 130金屬層132表面 140傳動孔142定位孔 150光阻210、310薄膜 230、330金屬層232、332圖案化線路234、334定位記號240傳動孔 242、342定位孔250光阻 260、280錫層270焊罩層
具體實施例方式
為更進一步闡述本發(fā)明為達成預(yù)定發(fā)明目的所采取的技術(shù)手段及功效，以下結(jié)合附圖及較佳實施例，對依據(jù)本發(fā)明提出的晶片與軟片接合的軟片式承載器的定位孔及其雷射貫孔制程其具體實施方式
、步驟、特征及其功效，詳細說明如后。
第一實施例請參閱圖2A～2H所示，是本發(fā)明第一實施例的一種晶片與軟片接合的軟片式承載器的定位孔制程。請參閱圖2A，首先，先提供一薄膜210及一金屬層230，其中金屬層230是形成于薄膜210上，而薄膜210的材質(zhì)例如為聚乙酰胺(polyimide)，且金屬層230的材質(zhì)例如為銅箔或其他金屬等，而將金屬層230形成于薄膜210上的方法包括例如一濺鍍(sputtering)、壓合(laminate)及涂布(casting)等制程，而此種一薄膜210與一金屬層230接合的軟片式承載器是為兩層板的型式；若是金屬層230是藉由一粘著層(圖中未示)而壓合(Laminate)于薄膜210上時，則此種一薄膜210、一粘著層與一金屬層230接合的軟片式承載器是為三層板的型式。
請參閱圖2B，之后，例如使用一沖壓模具(圖中未示)對薄膜210進行沖孔(Punch)而產(chǎn)生多個傳動孔240，其中薄膜210及金屬層230是藉由這些傳動孔240而配置于一輸送帶(圖中未示)上，并藉由此輸送帶而帶動薄膜210及金屬層230前進。然后，再例如對金屬層230的表面232進行一表面處理步驟，其例如為一化學(xué)研磨(chemical polish)制程，以平坦化金屬層230的表面232等。
請參閱圖2C，接著，例如在金屬層230的表面232上形成一光阻層250。請參閱圖2D，之后，例如在光阻層250上配置一罩幕10，其中此罩幕10例如具有多個開口12，然后，例如藉由一光線通過此罩幕10的多個開口12，而對光阻層250進行曝光(exposure)。接著，移除此罩幕10。請參閱圖2E，之后，例如對光阻層250進行顯影(development)，使得光阻層250呈現(xiàn)出一圖案。請參閱圖2F，之后，例如經(jīng)由一蝕刻(etching)制程而移除未被光阻層250的圖案所覆蓋的金屬層230，其中蝕刻完的金屬層230的圖案例如包含一圖案化線路232與多個空心的定位記號234，其中此空心的定位記號234例如為銅環(huán)等。請參閱圖2G，然后，移除光阻層250。
請參閱圖2H，接著，例如使用一較低能量的雷射并貫穿這些空心的定位記號234而在薄膜210上燒灼出多個定位孔242。之后，例如進行一成品檢測步驟，以確保金屬層230的圖案外觀良好，并無互相連接產(chǎn)生短路(Short)或斷裂的現(xiàn)象等，以完成本發(fā)明的晶片與軟片接合的軟片式承載器的定位孔242的制作。
請參閱圖2I所示，是圖2H的軟片式承載器，其錫層覆蓋于金屬層的圖案上的結(jié)構(gòu)示意圖。請參閱圖2I，然后，例如使用一電鍍(plating)制程而將一錫層260覆蓋于金屬層230的圖案上。圖2J是圖2I的軟片式承載器，其焊罩層形成于部分的錫層上的結(jié)構(gòu)示意圖。請參閱圖2J，再者，例如使用一印刷(printing)制程而將一焊罩層270形成于部分的錫層260上。圖2K是圖2J的軟片式承載器，其另一錫層形成于未被焊罩層覆蓋的錫層上的結(jié)構(gòu)示意圖。請參閱圖2K，接著，例如使用一電鍍(plating)制程而將另一錫層280形成于未被焊罩層270覆蓋的錫層260上。最后，例如進行一成品檢測步驟，以確保錫層260、280及焊罩層270的外觀形成良好，而完成本發(fā)明的兩層軟片式承載器的制作(僅包括薄膜210與金屬層230時)，以適于進行后續(xù)的將晶片配置于軟片(Chip On Film，COF)上的制程。當然，若是本發(fā)明的軟片式承載器是包括薄膜210、金屬層230及一粘著層時，其則為三層軟片式承載器。
值得注意的是，本實施例的軟片式承載器的制程亦可以一較高能量的雷射而圍繞著這些空心的定位記號234的周圍而共同在金屬層230及薄膜210上燒灼出多個定位孔，亦包含在本發(fā)明的保護的范圍內(nèi)。至于會用到較高能量的雷射的原因乃是因為此雷射必須要貫穿金屬層230而燒灼出多個定位孔。
此外，上述圖2H的以雷射燒灼出多個定位孔242的步驟，未必要在圖2C～圖2G的圖案化金屬層230的步驟之后執(zhí)行，亦可以在圖2A、2B、2C、2D、2E、2F、2I、2J或2K的步驟之后才進行。
另外，相較于現(xiàn)有習(xí)知晶片與軟片接合的軟片式承載器的定位孔制程，由于每一軟片式承載器的傳動孔240位置皆可相同，故本發(fā)明晶片與軟片接合的軟片式承載器的定位孔制程僅在制作傳動孔240時需制作一模具(圖中未示)即可。但是，值得注意的是，由于定位孔242的位置會隨著所對應(yīng)的晶片的接點位置(皆圖中未示)而改變，因此，本發(fā)明的軟片式承載器的定位孔制程將以一雷射制程就可彈性地在金屬層230或薄膜210上燒灼出多個定位孔242，而毋須制作多種不同規(guī)格的模具，故可有效地節(jié)省制作多種不同規(guī)格的模具所需的時間與成本，并可符合少量、多樣地制作軟片式承載器的定位孔242的需求，以有效地節(jié)省制作軟片式承載器的定位孔242的成本。
第二實施例請參閱圖3A～3B所示，是本發(fā)明第二實施例的一種晶片與軟片接合的軟片式承載器的定位孔的部分制程，其定位記號為實心的剖面示意圖。請參閱圖3A，此外，相較于第一實施例的定位孔制程，其形成的空心的定位記號234，本實施例的軟片式承載器的定位孔制程，在移除其光阻層之后，在金屬層上330例如制作出包含金屬層330的實心的定位記號334，其中此實心的定位記號334例如為銅墊等。
請參閱圖3B，接著，例如使用一較高能量的雷射并貫穿這些實心的定位記號334而于金屬層330及薄膜310上燒灼出多個定位孔342。至于本實施例的制程的其他步驟則與上述的第一實施例相同，在此便不再贅述，只是其罩幕的開口數(shù)目小于第一實施例的罩幕10的開口12數(shù)目，故蝕刻完金屬層330后，僅顯現(xiàn)出例如一圖案化線路332等。
當然，本實施例的軟片式承載器的制程亦可以一較高能量的雷射而圍繞著這些實心的定位記號334的周圍而在金屬層330及薄膜310上燒灼出多個定位孔342，亦包含在本發(fā)明的保護的范圍內(nèi)。
因此，相較于現(xiàn)有習(xí)知的晶片與軟片接合的軟片式承載器的定位孔制程，本發(fā)明晶片與軟片接合的軟片式承載器的定位孔制程將以一雷射制程就可彈性地在金屬層330、薄膜310上燒灼出多個定位孔342，而毋須制作多種不同規(guī)格的模具，以有效地節(jié)省制作軟片式承載器的定位孔342的成本。
綜上所述，由于本發(fā)明的晶片與軟片接合的軟片式承載器的定位孔及其雷射貫孔制程因僅藉由一雷射制程就可于金屬層或薄膜上燒灼出多個定位孔。因此，相較于現(xiàn)有習(xí)知軟片式承載器的制程，本發(fā)明僅需制作同一位置規(guī)格的傳動孔的模具，而毋須制作其他符合不同位置規(guī)格的定位孔的模具，并符合少量、多樣地、彈性地制作軟片式承載器的定位孔的需求，以有效地節(jié)省制作軟片式承載器的定位孔成本。
以上所述，僅是本發(fā)明的較佳實施例而已，并非對本發(fā)明作任何形式上的限制，雖然本發(fā)明已以較佳實施例揭露如上，然而并非用以限定本發(fā)明，任何熟悉本專業(yè)的技術(shù)人員，在不脫離本發(fā)明技術(shù)方案范圍內(nèi)，當可利用上述揭示的方法及技術(shù)內(nèi)容作出些許的更動或修飾為等同變化的等效實施例，但是凡是未脫離本發(fā)明技術(shù)方案的內(nèi)容，依據(jù)本發(fā)明的技術(shù)實質(zhì)對以上實施例所作的任何簡單修改、等同變化與修飾，均仍屬于本發(fā)明技術(shù)方案的范圍內(nèi)。
權(quán)利要求
1.一種晶片與軟片接合的軟片式承載器的定位孔制程，其特征在于其至少包括提供一薄膜與一金屬層，其中該金屬層是配置于該薄膜上；圖案化該金屬層，以形成一具有多數(shù)個定位記號的圖案在該金屬層上；以及藉由一雷射而形成多數(shù)個定位孔于該薄膜上。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶片與軟片接合的軟片式承載器的定位孔制程，其特征在于其中所述的定位記號是與該金屬層被圖案化時同時形成。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶片與軟片接合的軟片式承載器的定位孔制程，其特征在于其中所述的圖案化該金屬層包括形成一具有多數(shù)個空心孔的定位記號的圖案在該金屬層上。
4根據(jù)權(quán)利要求3所述的晶片與軟片接合的軟片式承載器的定位孔制程，其特征在于其中所述的定位孔是藉由較低能量的雷射貫穿該薄膜且貫穿空心的該些定位記號而形成。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶片與軟片接合的軟片式承載器的定位孔制程，其特征在于其中所述的圖案化該金屬層包括形成一具有多數(shù)個實心點的定位記號的圖案于該金屬層上。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的晶片與軟片接合的軟片式承載器的定位孔制程，其特征在于其中所述的定位孔是藉由較高能量的雷射同時貫穿實心的該些定位記號與該薄膜而形成。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶片與軟片接合的軟片式承載器的定位孔制程，其特征在于其中所述的金屬層配置于該薄膜上的方法包括一濺鍍制程、一壓合制程及一涂布制程的其中的一。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶片與軟片接合的軟片式承載器的定位孔制程，其特征在于其中所述的圖案化該金屬層的步驟包括形成一光阻層于該金屬層的表面上；將具有多數(shù)個開口的一罩幕配置于該光阻層上；經(jīng)由曝光、顯影該光阻層，使得該光阻層呈現(xiàn)出一具有多數(shù)個定位記號的圖案，并移除該罩幕；經(jīng)由蝕刻而移除未被該光阻層所覆蓋的該金屬層；以及移除該光阻層。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的晶片與軟片接合的軟片式承載器的定位孔制程，其特征在于在形成該光阻層前，更包括對該金屬層進行一表面處理。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的晶片與軟片接合的軟片式承載器的定位孔制程，其特征在于其中所述的表面處理包括化學(xué)研磨。
11.一種雷射貫孔制程，適用于將一薄膜及/或一金屬層貫孔，而該金屬層是配置于該薄膜上，其中該金屬層具有多數(shù)個定位記號的圖案，其特征在于其至少包括藉由一雷射并貫穿該些定位記號而形成多數(shù)個定位孔于該薄膜上。
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的雷射貫孔制程，其特征在于其中所述的定位記號包括空心的定位記號，且該些定位孔是藉由一較低能量的雷射貫穿空心的該些定位記號與該薄膜而形成。
13.根據(jù)權(quán)利要求11所述的雷射貫孔制程，其特征在于其中所述的定位記號包括實心的定位記號，且該些定位孔是藉由一較高能量的雷射貫穿實心的該些定位記號與該薄膜而形成。
全文摘要
本發(fā)明是關(guān)于一種晶片與軟片接合的軟片式承載器的定位孔及其雷射貫孔制程。首先，提供一薄膜與一金屬層，其中金屬層是配置于薄膜上。接著，圖案化金屬層，以形成一具有多個定位記號的圖案于金屬層上。之后，藉由雷射貫穿薄膜以形成至少一定位孔于定位記號所在的位置。相較于現(xiàn)有習(xí)知軟片式承載器的定位孔制程，由于本發(fā)明的軟片式承載器的定位孔制程毋須額外的模具，并可符合少量、多樣地制作軟片式承載器的需求，故可有效地節(jié)省制作軟片式承載器的定位孔的成本。
文檔編號B23K26/00GK1783441SQ20041009555
公開日2006年6月7日 申請日期2004年11月29日 優(yōu)先權(quán)日2004年11月29日
發(fā)明者胡迪群, 吳建男, 林仁杰 申請人:晶強電子股份有限公司