1.一種量子點(diǎn)膜的制備方法，其特征在于，包括：
步驟S1，提供量子點(diǎn)基膜，所述量子點(diǎn)基膜的面積為所欲制備的量子點(diǎn)膜面積的n倍，所述n為正數(shù)；
步驟S2，在所述量子點(diǎn)基膜上設(shè)置多個(gè)相互平行的第一光轉(zhuǎn)換條(210)和多個(gè)相互平行的第二光轉(zhuǎn)換條(220)，各所述第一光轉(zhuǎn)換條(210)分別和各所述第二光轉(zhuǎn)換條(220)接觸設(shè)置，且各所述第一光轉(zhuǎn)換條(210)和各所述第二光轉(zhuǎn)換條(220)之間具有夾角；
步驟S3，將具有所述第一光轉(zhuǎn)換條(210)和所述第二光轉(zhuǎn)換條(220)的所述量子點(diǎn)基膜進(jìn)行裁切，得到多個(gè)量子點(diǎn)膜，各所述量子點(diǎn)膜的至少一個(gè)側(cè)邊具有被裁切后的所述第一光轉(zhuǎn)換條(210)，與所述第一光轉(zhuǎn)換條(210)相鄰的兩個(gè)側(cè)邊具有被裁切后的所述第二光轉(zhuǎn)換條(220)，被裁切后的所述第一光轉(zhuǎn)換條(210)和所述第二光轉(zhuǎn)換條(220)形成各所述量子點(diǎn)膜的光轉(zhuǎn)換封邊(200)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制備方法，其特征在于，所述步驟S3的裁切包括：
沿裁切線對(duì)所述量子點(diǎn)基膜進(jìn)行第一次裁切得到預(yù)備單元，所述裁切線為所述第一光轉(zhuǎn)換條(210)的沿與所述第一光轉(zhuǎn)換條(210)長(zhǎng)度的延伸方向平行的中線以及所述第二光轉(zhuǎn)換條(220)的沿與所述第二光轉(zhuǎn)換條(220)長(zhǎng)度的延伸方向平行的中線。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的制備方法，其特征在于，所述步驟S3的裁切還包括：
沿所述第一光轉(zhuǎn)換條(210)長(zhǎng)度的延伸方向?qū)λ鲱A(yù)備單元進(jìn)行第二次裁切，或沿所述第二光轉(zhuǎn)換條(220)長(zhǎng)度的延伸方向?qū)λ鲱A(yù)備單元進(jìn)行第二次裁切，以將所述預(yù)備單元分為兩個(gè)所述量子點(diǎn)膜，優(yōu)選所述量子點(diǎn)膜的面積相等。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制備方法，其特征在于，所述量子點(diǎn)基膜為矩形或菱形，所述量子點(diǎn)基膜的兩條邊線與第一方向平行，所述量子點(diǎn)基膜的另外兩條邊線與第二方向平行，在所述步驟S2中，沿所述第一方向設(shè)置所述第一光轉(zhuǎn)換條(210)，并沿所述第二方向設(shè)置所述第二光轉(zhuǎn)換條(220)。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制備方法，其特征在于，在所述步驟S2中，在所述量子點(diǎn)基膜上設(shè)置具有第一寬度的所述第一光轉(zhuǎn)換條(210)和具有第二寬度的所述第二光轉(zhuǎn)換條(220)，且所述第一寬度等于所述第二寬度。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制備方法，其特征在于，在所述步驟S2中，所述第一光轉(zhuǎn)換條(210)的寬度與所述第二光轉(zhuǎn)換條(220)的寬度獨(dú)立的選自0.1～2mm。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制備方法，其特征在于，在所述步驟S2中，在所述量子點(diǎn)基膜上等間距設(shè)置所述第一光轉(zhuǎn)換條(210)，并在所述量子點(diǎn)基膜上等間距設(shè)置所述第二光轉(zhuǎn)換條(220)。
8.根據(jù)權(quán)利要求4至7中任一項(xiàng)所述的制備方法，其特征在于，所述步驟S2包括以下過(guò)程：
在所述量子點(diǎn)基膜上涂布第一光轉(zhuǎn)換涂料，以形成多個(gè)相互平行的第一光轉(zhuǎn)換涂層，優(yōu)選所述第一光轉(zhuǎn)換涂料包括熒光粉；
在所述量子點(diǎn)基膜上涂布第二光轉(zhuǎn)換涂料，以形成多個(gè)與各所述第一光轉(zhuǎn)換涂層接觸設(shè)置的第二光轉(zhuǎn)換涂層，且各所述第一光轉(zhuǎn)換涂層和各所述第二光轉(zhuǎn)換涂層之間具有夾角，優(yōu)選所述第二光轉(zhuǎn)換涂料包括熒光粉；
將所述第一光轉(zhuǎn)換涂層和所述第一光轉(zhuǎn)換涂層進(jìn)行固化處理，以形成所述第一光轉(zhuǎn)換條(210)和所述第二光轉(zhuǎn)換條(220)。
9.一種量子點(diǎn)膜，其特征在于，所述量子點(diǎn)膜由權(quán)利要求1至8中任一項(xiàng)所述的制備方法制備而成。
10.一種背光模組，包括導(dǎo)光板以及設(shè)置于所述導(dǎo)光板上的量子點(diǎn)膜，其特征在于，所述量子點(diǎn)膜為權(quán)利要求9所述的量子點(diǎn)膜，所述量子點(diǎn)膜中的光轉(zhuǎn)換封邊(200)遠(yuǎn)離所述導(dǎo)光板設(shè)置。