專利名稱：半導(dǎo)體背散射電子探測(cè)器的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型涉及ー種半導(dǎo)體背散射電子探測(cè)器，應(yīng)用于掃描電子顯微鏡。
背景技術(shù)：
現(xiàn)有技術(shù)中，習(xí)慣將能量高于50電子伏的稱為背散射的一次電子(即背散射電子)，而能量低于50電子伏的稱為真正的二次電子(即二次電子)。能接收背散射一次電子的探測(cè)器有羅賓遜探測(cè)器和半導(dǎo)體探測(cè)器等。電子束轟擊樣品表面產(chǎn)生的背散射電子(一次電子)，由半導(dǎo)體探測(cè)器接收、傳遞。半導(dǎo)體探測(cè)器接收背散射電子從位置上講，包容角大、距離近，這樣接收能量信息最多。半導(dǎo)體探測(cè)器(半導(dǎo)體背散射電子探測(cè)器簡(jiǎn)稱)是掃描電子顯微鏡中接受樣品電子信息的第一単位器件，是第一個(gè)位于參加形貌成像關(guān)鍵元件。半導(dǎo)體探測(cè)器從形態(tài)分為二分割和四分割?，F(xiàn)有的半導(dǎo)體背散射電子探測(cè)器，大多采用四分割環(huán)形結(jié)構(gòu)，這種四象限環(huán)形結(jié)構(gòu)都是由ー個(gè)完整的圓形硅片加工而成，將一整塊圓形硅片分為四個(gè)単元，并在所述圓形硅片中間加工一個(gè)圓形的孔用于通過電子束。一方面，由于硅片十分脆弱，加工圓孔時(shí)特別容易破碎，導(dǎo)致上述加工過程十分困難，エ藝復(fù)雜，成品率低；另一方面，將整個(gè)圓形硅片分為四個(gè)單元，光刻分區(qū)也存在困難之處。故，需要一種新的半導(dǎo)體背散射電子探測(cè)器以解決上述問題。

實(shí)用新型內(nèi)容本實(shí)用新型的目的是針對(duì)現(xiàn)有技術(shù)存在的不足，提供ー種結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單，成本低廉，カロエ效率高，報(bào)廢率低并且不影響成像的半導(dǎo)體背散射電子探測(cè)器。為實(shí)現(xiàn)上述發(fā)明目的，本實(shí)用新型半導(dǎo)體背散射電子探測(cè)器可采用如下技術(shù)方案—種半導(dǎo)體背散射電子探測(cè)器，包括襯板、設(shè)置在所述襯板上的四個(gè)長(zhǎng)方形硅片和電子束孔，四個(gè)長(zhǎng)方形硅片內(nèi)分別設(shè)置有導(dǎo)線并形成四個(gè)獨(dú)立的単元，四個(gè)長(zhǎng)方形硅片首尾相接圍成ー個(gè)正方形區(qū)域，所述電子束孔位于所述正方形區(qū)域內(nèi)。與背景技術(shù)相比，本實(shí)用新型半導(dǎo)體背散射電子探測(cè)器通過四個(gè)長(zhǎng)方形硅片首尾相接形成一個(gè)電子探測(cè)區(qū)域，克服現(xiàn)有技術(shù)中將一整塊圓形硅片分為四個(gè)單元以及在所述圓形硅片上打孔加工困難，エ藝復(fù)雜，成品率低的缺陷，本實(shí)用新型的半導(dǎo)體背散射電子探測(cè)器結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單，加工效率高，成本低廉，報(bào)廢率低并且不影響成像。本實(shí)用新型中，優(yōu)選的，所述四個(gè)長(zhǎng)方形硅片的大小形狀相同，且所述四個(gè)長(zhǎng)方形硅片的長(zhǎng)邊大于所述正方形區(qū)域的邊長(zhǎng)。此結(jié)構(gòu)能夠保證所述半導(dǎo)體背散射電子探測(cè)器的対稱性，且相鄰長(zhǎng)方形硅片之間間隙盡可能小，能夠有效利用襯板空間，降低成本。所述電子束孔的形狀為正方形，所述電子束孔的四個(gè)邊與所述正方形區(qū)域的四個(gè)邊分別平行。此結(jié)構(gòu)可以最大限度的利用所述長(zhǎng)方形硅片圍成的正方形區(qū)域，有利于電子穿過同時(shí)可以增大襯板利用率。[0011]本實(shí)用新型中，優(yōu)選的，所述襯板的形狀為正方形，同時(shí)所述所述電子束孔的形狀為正方形，所述電子束孔的四個(gè)邊與所述正方形區(qū)域的四個(gè)邊分別平行，所述電子束孔的四個(gè)邊與所述襯板的四個(gè)邊分別平行。此結(jié)構(gòu)可以最大限度的利用所述長(zhǎng)方形硅片圍成的正方形區(qū)域，有利于電子穿過同時(shí)可以增大襯板利用率。同時(shí)可以提高長(zhǎng)方形硅片外部區(qū)域的襯板使用效率，降低成本。本實(shí)用新型中，優(yōu)選的，所述電子束孔位于所述正方形區(qū)域中部。此結(jié)構(gòu)有利于電子穿過同時(shí)可以保證 所述探測(cè)器的高對(duì)稱。本實(shí)用新型中，優(yōu)選的，所述導(dǎo)線位于所述長(zhǎng)方形硅片的短邊上。此結(jié)構(gòu)可以有效降低導(dǎo)線所占襯板空間，降低成本。

圖I是本實(shí)用新型半導(dǎo)體背散射電子探測(cè)器示意圖。
具體實(shí)施方式
以下結(jié)合附圖和具體實(shí)施例，進(jìn)ー步闡明本實(shí)用新型，應(yīng)理解這些實(shí)施例僅用于說明本實(shí)用新型而不用于限制本實(shí)用新型的范圍，在閱讀了本實(shí)用新型之后，本領(lǐng)域技術(shù)人員對(duì)本實(shí)用新型的各種等價(jià)形式的修改均落于本申請(qǐng)所附權(quán)利要求所限定的范圍。請(qǐng)參閱圖I所示，本實(shí)用新型半導(dǎo)體背散射電子探測(cè)器，該半導(dǎo)體背散射電子探測(cè)器ー種半導(dǎo)體背散射電子探測(cè)器，包括襯板I、設(shè)置在所述襯板I上的四個(gè)長(zhǎng)方形硅片2，3，4，5和電子束孔6，四個(gè)長(zhǎng)方形硅片2，3，4，5內(nèi)分別設(shè)置有導(dǎo)線8，9，10，11并形成四個(gè)獨(dú)立的単元，四個(gè)長(zhǎng)方形硅片2，3，4，5首尾相接圍成ー個(gè)正方形區(qū)域7，所述電子束孔6位于所述正方形區(qū)域7內(nèi)。此結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單，加工方便，成本低廉，可以有效減少報(bào)廢率并且不影響成像效果。所述四個(gè)長(zhǎng)方形硅片2，3，4，5的大小形狀相同，且所述四個(gè)長(zhǎng)方形硅片2，3，4，5的長(zhǎng)邊大于所述正方形區(qū)域7的邊長(zhǎng)。此結(jié)構(gòu)能夠保證所述半導(dǎo)體背散射電子探測(cè)器的対稱性，且相鄰長(zhǎng)方形硅片之間間隙盡可能小，能夠有效利用襯板空間，降低成本。所述電子束孔6的形狀為正方形。所述電子束孔6的四個(gè)邊與所述正方形區(qū)域7的四個(gè)邊分別平行。所述襯板I的形狀為正方形。所述電子束孔6的四個(gè)邊與所述襯板I的四個(gè)邊分別平行。所述電子束孔6位于所述正方形區(qū)域7中部。所述導(dǎo)線8，9，10，11分別位于所述長(zhǎng)方形硅片2，3，4，5的短邊上。上述改進(jìn)能更有效的提高襯板利用率，降低成本，提高對(duì)稱度。如上所述，本實(shí)用新型半導(dǎo)體背散射電子探測(cè)器采用一個(gè)襯板和設(shè)置在所述襯板上的四個(gè)長(zhǎng)方形硅片，四個(gè)長(zhǎng)方形硅片上分別設(shè)置有導(dǎo)線形成四個(gè)獨(dú)立的単元，四個(gè)長(zhǎng)方形硅片首尾相接圍成ー個(gè)正方形區(qū)域。此結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單，方便加工，降低探測(cè)器成本和報(bào)廢率的同時(shí)不影響成像。
權(quán)利要求1.一種半導(dǎo)體背散射電子探測(cè)器，其特征在于包括襯板(I)、設(shè)置在所述襯板(I)上的四個(gè)長(zhǎng)方形硅片(2，3，4，5)和電子束孔(6)，四個(gè)長(zhǎng)方形硅片(2，3，4，5)內(nèi)分別設(shè)置有導(dǎo)線(8，9，10,11)并形成四個(gè)獨(dú)立的単元，四個(gè)長(zhǎng)方形硅片(2，3，4，5)首尾相接圍成ー個(gè)正方形區(qū)域(7)，所述電子束孔(6)位于所述正方形區(qū)域(7)內(nèi)。
2.如權(quán)利要求I所述的半導(dǎo)體背散射電子探測(cè)器，其特征在于，所述四個(gè)長(zhǎng)方形硅片(2，3，4，5)的大小形狀相同，且所述四個(gè)長(zhǎng)方形硅片(2，3，4，5)的長(zhǎng)邊大于所述正方形區(qū)域(7)的邊長(zhǎng)。
3.如權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體背散射電子探測(cè)器，其特征在于，所述電子束孔(6)的形狀為正方形。
4.如權(quán)利要求3所述的半導(dǎo)體背散射電子探測(cè)器，其特征在于，所述電子束孔(6)的四個(gè)邊與所述正方形區(qū)域(7)的四個(gè)邊分別平行。
5.如權(quán)利要求4所述的半導(dǎo)體背散射電子探測(cè)器，其特征在于，所述襯板(I)的形狀為正方形。
6.如權(quán)利要求5所述的半導(dǎo)體背散射電子探測(cè)器，其特征在于，所述電子束孔(6)的四個(gè)邊與所述襯板(I)的四個(gè)邊分別平行。
7.如權(quán)利要求1-6任一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體背散射電子探測(cè)器，其特征在于，所述電子束孔(6)位于所述正方形區(qū)域(7)中部。
8.如權(quán)利要求1-6任一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體背散射電子探測(cè)器，其特征在于，所述導(dǎo)線(8,9, 10，11)位于所述長(zhǎng)方形硅片(2，3,4,5)的短邊上。
9.如權(quán)利要求7所述的半導(dǎo)體背散射電子探測(cè)器，其特征在于，所述導(dǎo)線(8，9，10，11)位于所述長(zhǎng)方形硅片(2，3,4,5)的短邊上。
專利摘要一種半導(dǎo)體背散射電子探測(cè)器，包括襯板、設(shè)置在所述襯板上的四個(gè)長(zhǎng)方形硅片和電子束孔，四個(gè)長(zhǎng)方形硅片內(nèi)分別設(shè)置有導(dǎo)線并形成四個(gè)獨(dú)立的單元，四個(gè)長(zhǎng)方形硅片首尾相接圍成一個(gè)正方形區(qū)域，所述電子束孔位于所述正方形區(qū)域內(nèi)。所述的半導(dǎo)體背散射電子探測(cè)器結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單，加工效率高，成本低廉，報(bào)廢率低并且不影響成像。
文檔編號(hào)H01J37/28GK202434463SQ20122005621
公開日2012年9月12日 申請(qǐng)日期2012年2月21日 優(yōu)先權(quán)日2012年2月21日
發(fā)明者陳芹純 申請(qǐng)人:南京特能電子有限公司