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一種集成式大功率led光源的制作方法

文檔序號(hào):2902179閱讀:220來(lái)源:國(guó)知局
專(zhuān)利名稱(chēng):一種集成式大功率led光源的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域
本實(shí)用新型涉及一種集成大功率LED封裝技術(shù)以及真空導(dǎo)熱散熱技術(shù),特別是一 種廣泛應(yīng)用于鐵路、公路等照明需要的集超快散熱、超大功率、陶瓷封裝的獨(dú)立配光新型大 功率LED光源。
背景技術(shù)
當(dāng)前,隨著社會(huì)科技的發(fā)展,LED技術(shù)在人們生活中的應(yīng)用越來(lái)越廣泛,它具有節(jié) 能、光效高、壽命長(zhǎng)、免維護(hù)、定向性好,抗震動(dòng)等優(yōu)點(diǎn),是取代傳統(tǒng)高壓鈉燈、金屬燈的新一 代光源。目前,LED技術(shù)在顯示屏、信號(hào)燈方面已獲得廣泛應(yīng)用,都屬于小功率應(yīng)用,在路燈 方面一般也都是單獨(dú)使用。而集成式大功率LED照明技術(shù),這種在很小范圍集中了很多LED 芯片組成的高功率LED光源,由于散熱等問(wèn)題難以解決好,且常用的塑料支架也容易老化、 變型,因此這項(xiàng)技術(shù)還不能成熟應(yīng)用,所以特別需要這種集成式真空導(dǎo)熱陶瓷封裝獨(dú)立配 光的新型大功率LED光源。
發(fā)明內(nèi)容本實(shí)用新型的目的在于針對(duì)現(xiàn)有大功率LED光源封裝散熱技術(shù)的不足,提供一種 集成式真空導(dǎo)熱陶瓷封裝獨(dú)立配光的新型大功率LED光源,以延長(zhǎng)LED光源的壽命,提高照 明光效,降低維護(hù)成本。為實(shí)現(xiàn)上述目的,本實(shí)用新型提供一種大功率LED照明光源,包括LED芯片組、方 形陶瓷絕緣座、真空導(dǎo)熱基體和類(lèi)自由曲面透鏡,其中LED芯片組安裝在方形陶瓷絕緣座 里面,并固定在的真空導(dǎo)熱基體上,LED芯片組上安裝類(lèi)自由曲面透鏡。所述的LED芯片組由LED芯片串聯(lián)組成,每只LED芯片并聯(lián)一只奇納二極管。上述的集成式大功率LED光源,其中所述的方形陶瓷絕緣座焊接于真空導(dǎo)熱基體 上。所述的方形陶瓷絕緣座,中間為陶瓷層,上層為銅質(zhì)電極層,下層為銅質(zhì)焊層。上述的集成式大功率LED光源,其中所述的真空導(dǎo)熱基體中間有銅沙組成供冷媒 流動(dòng)的毛細(xì)管,并充有冷媒,并抽成真空。所述的真空導(dǎo)熱基體,有熱柱真空導(dǎo)熱基體、熱管 真空導(dǎo)熱基體和導(dǎo)熱板三種形式。上述的集成式大功率LED光源,其中所述的LED芯片組被混有熒光粉的透明膠水
層密封。本實(shí)用新型的主要技術(shù)效果1、采用串聯(lián)大功率LED芯片組成LED組,達(dá)到真正恒流。2、采用真空導(dǎo)熱基體散熱技術(shù),可大大提高散熱速度,提高LED光效,延長(zhǎng)壽命。3、采用方形陶瓷絕緣座,可避免傳統(tǒng)塑料框變形、松動(dòng)、分離的缺點(diǎn),密封效果高, 延長(zhǎng)使用時(shí)間。4、采用每只LED芯片,并聯(lián)一個(gè)奇納管,可以在單顆LED芯片損壞時(shí)擊穿導(dǎo)通,不
3會(huì)影響整個(gè)LED組的工作,延長(zhǎng)壽命。
以下結(jié)合附圖和具體實(shí)施方式
對(duì)本實(shí)用新型技術(shù)方案進(jìn)行詳細(xì)說(shuō)明。
圖1 為L(zhǎng)ED芯片組電氣圖;圖2 為L(zhǎng)ED光源結(jié)構(gòu)原理圖;圖3 為真空導(dǎo)熱基體熱柱型;圖4 為真空導(dǎo)熱基體熱管型;圖5 為真空導(dǎo)熱基體導(dǎo)熱板型。圖中1、LED芯片2、方形陶瓷絕緣座3、真空導(dǎo)熱基體4、類(lèi)自由曲面光學(xué)透鏡 5、奇納二極管6、透明膠水層7、陶瓷層8、電極層9、銅質(zhì)焊層10、熱柱真空導(dǎo)熱基體 11、熱管真空導(dǎo)熱基體12、導(dǎo)熱板
具體實(shí)施方式
圖1將LED芯片串聯(lián)接起來(lái),每只LED并聯(lián)一個(gè)奇納管(5)組成LED組,這樣當(dāng)一 個(gè)LED芯片損壞后,可通過(guò)奇納管導(dǎo)通,不影響LED組的工作。方形陶瓷絕緣座(2)電極層 和LED芯片組相接圖2包括LED芯片⑴方形陶瓷絕緣座(2)和真空導(dǎo)熱基體(3)以及類(lèi)自由曲面 透鏡(4)。將LED芯片串聯(lián)接起來(lái),每只LED并聯(lián)一個(gè)奇納管(5)組成LED組,方形陶瓷絕 緣座(2)中間為陶瓷層(7),上層為電極層(8),和LED芯片組相接,下層為銅質(zhì)焊層(9)焊 接在真空導(dǎo)熱體(3)上。LED芯片組固定于位于方形陶瓷絕緣座的真空導(dǎo)熱體上。并被混 有熒光粉的透明膠水層(6)密封。其上方安裝類(lèi)自由曲面光學(xué)透鏡(4)。真空導(dǎo)熱基體,有熱柱、熱管和導(dǎo)熱板三種形式,如圖3圖4圖5所示。真空導(dǎo)熱基體由銅等金屬制成,內(nèi)部有銅沙燒結(jié)組成的供冷煤流動(dòng)的毛細(xì)管,并 在其中充有冷媒如蒸餾水,并抽成真空通過(guò)液化汽化循環(huán)方,迅速導(dǎo)出。高密度集群的LED 組產(chǎn)生的熱量,降低光源的溫度延長(zhǎng)使用時(shí)間,減少熒光粉密封膠的老化和黃變。真空導(dǎo)熱 基體分為熱柱、熱管和導(dǎo)熱板形式,與外部散熱器相連,可迅速導(dǎo)出熱量。方形陶瓷絕緣座 為陶瓷制成,有效避免了傳統(tǒng)方形塑料絕緣座受熱變形,引起松動(dòng),分離現(xiàn)象的出現(xiàn),保證 光源防水防塵高度密封的效果,提高使用壽命,本實(shí)用新型與現(xiàn)有技術(shù)相比有明顯優(yōu)點(diǎn)和 有益效果。以上所述,僅是本實(shí)用新型的較佳實(shí)施范例而已,并非對(duì)實(shí)用新型作任何形式上 的限制,任何熟悉本專(zhuān)業(yè)的技術(shù)人員可能利用上述揭示的技術(shù)內(nèi)容加以變更或修飾為等同 變化的等效實(shí)施例,但是凡是未脫離實(shí)用新型技術(shù)方案內(nèi)容,依據(jù)本實(shí)用新型的技術(shù)實(shí)質(zhì) 對(duì)以上實(shí)施例所作的任何簡(jiǎn)單修改、等同變化與修飾,均仍屬于實(shí)用新型技術(shù)方案的范圍 內(nèi)。
權(quán)利要求一種集成式大功率LED光源,包括LED芯片組、方形陶瓷絕緣座(2)、真空導(dǎo)熱基體(3)和類(lèi)自由曲面透鏡(4),其特征在于LED芯片組安裝在方形陶瓷絕緣座(2)里面,并固定在的真空導(dǎo)熱基體(3)上,LED芯片組上安裝類(lèi)自由曲面透鏡(4)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的集成式大功率LED光源,其特征在于所述的LED芯片組由LED 芯片(1)串聯(lián)組成,每只LED芯片(1)并聯(lián)一只奇納二極管(5)。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的集成式大功率LED光源,其特征在于所述的方形陶瓷絕 緣座(2)焊接于真空導(dǎo)熱基體(3)上。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的集成式大功率LED光源,其特征在于所述的方形陶瓷絕緣座(2),中間為陶瓷層(7),上層為銅質(zhì)電極層(8),下層為銅質(zhì)焊層(9)。
5.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的集成式大功率LED光源,其特征在于所述的真空導(dǎo)熱基 體(3)中間有銅沙組成供冷媒流動(dòng)的毛細(xì)管,并充有冷媒,并抽成真空。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的集成式大功率LED光源,其特征在于所述的真空導(dǎo)熱基體(3),有熱柱真空導(dǎo)熱基體(10)、熱管真空導(dǎo)熱基體(11)和導(dǎo)熱板(12)三種形式。
7.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的集成式大功率LED光源,其特征在于所述的LED芯片組 被混有熒光粉的透明膠水層(6)密封。
專(zhuān)利摘要本實(shí)用新型涉及一種大功率LED照明光源,包括LED芯片組、方形陶瓷絕緣座、真空導(dǎo)熱基體和類(lèi)自由曲面透鏡,LED芯片組由LED芯片串聯(lián)組成,每只LED芯片并聯(lián)一只奇納二極管。方形陶瓷絕緣座被焊接于真空導(dǎo)熱基體上,有效避免了傳統(tǒng)方形塑料絕緣框受熱變形,引起松動(dòng),分離現(xiàn)象的出現(xiàn),保證防水防塵效果提高壽命。真空導(dǎo)熱基體,由銅等金屬制成,內(nèi)部有銅沙燒結(jié)組成的供冷媒流動(dòng)的毛細(xì)管,并在其中充有冷媒,例如水,并抽成真空,通過(guò)液化汽化循環(huán)方式導(dǎo)熱,迅速導(dǎo)出高密度集群的LED組產(chǎn)生的熱量,延長(zhǎng)使用時(shí)間減少密封膠的老化黃變。
文檔編號(hào)F21Y101/02GK201661945SQ20102015418
公開(kāi)日2010年12月1日 申請(qǐng)日期2010年4月9日 優(yōu)先權(quán)日2010年4月9日
發(fā)明者魯北琴 申請(qǐng)人:魯北琴
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