專(zhuān)利名稱(chēng)：一種利用負(fù)性光刻膠制作底柵型fed下板圖形的方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及場(chǎng)發(fā)射顯示器制造的技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種場(chǎng)發(fā)射顯示器(Field Emission Display ；FED)柵極層、介質(zhì)層、陰極圖形以及保護(hù)柵極表面制作發(fā)射體的FED下 板圖形的制作方法。
背景技術(shù)：
本發(fā)明中的場(chǎng)發(fā)射顯示器是通過(guò)電場(chǎng)自發(fā)射陰極(cathode emitter)材料上的發(fā) 射體放出電子來(lái)轟擊屏幕上的熒光粉，從而激活熒光粉發(fā)光。其特點(diǎn)是輕、薄、亮度高、視角 廣、反應(yīng)快。參閱圖1所示，是現(xiàn)有技術(shù)場(chǎng)發(fā)射顯示器組件結(jié)構(gòu)示意圖。底柵型的場(chǎng)發(fā)射顯示 器，其結(jié)構(gòu)至少包括陽(yáng)極和陰極，該陽(yáng)極和陰極之間設(shè)置有隔離子9，以提供陽(yáng)極與陰極之 間真空區(qū)域的間隔，并作為上下基板之間的支撐。如圖1所示，該陽(yáng)極，至少包含一陽(yáng)極玻璃基板1、以及陽(yáng)極導(dǎo)電層2以及一熒光粉 體層3 ；而該陰極，至少包含一陰極玻璃基板4、柵極層5、陰極電阻層6、陰極層7以及陰極 發(fā)射體8 (即碳納米管CNT)；其中該陽(yáng)極與陰極是由隔離子9保持真空區(qū)域，并藉由柵極和 陰極之間有一個(gè)電壓差形成的電場(chǎng)，使得陰極上的發(fā)射體8釋出電子，再經(jīng)過(guò)陽(yáng)極和陰極 之間的高壓電場(chǎng)加速電子使之轟擊熒光粉體而發(fā)光?，F(xiàn)有的FED下板制作陰極發(fā)射體8 (碳納米管CNT)時(shí)，下板中4、5、6、7圖形已經(jīng) 制作完畢，一般采用電泳、電鍍等電學(xué)方法制作陰極發(fā)射體8 (碳納米管CNT)或者印刷法、 光刻法等直接制作發(fā)射體的方法。在這些方法中，由于下板柵極層5表面已經(jīng)裸露出，在制 作陰極發(fā)射體8 (碳納米管CNT)時(shí)，難以避免陰極發(fā)射體8(碳納米管CNT)在柵極層5表 面上散落堆積(如圖2)，在封裝后三電極加上電壓時(shí)出現(xiàn)陰極層7和柵極層5短路的情況。

發(fā)明內(nèi)容
為了克服上述不足，本發(fā)明提供一種利用負(fù)性光刻膠制作底柵型FED下板圖形的 方法，通過(guò)在制作發(fā)射體前對(duì)柵極表面進(jìn)行保護(hù)的方法，使得柵極表面同陰極表面得到徹 底絕緣；并且將附帶在光刻膠表面的碳納米管隨光刻膠一并除去，徹底解決了發(fā)射體制作 時(shí)容易導(dǎo)致的柵極和陰極表面短路的問(wèn)題。本發(fā)明的目的是通過(guò)下述技術(shù)方案實(shí)現(xiàn)的，一種利用負(fù)性光刻膠制作底柵型FED 下板圖形的方法，其特征在于，該方法通過(guò)以下步驟來(lái)實(shí)現(xiàn)1)制備感光銀漿；2)在清潔處理后的陰極玻璃基板上，通過(guò)光刻法采用步驟1)中感光銀漿制作柵 極層圖形；3)在制作好的柵極層圖形上，印刷制作一層或多層絕緣層圖形，并在530 590°C，燒結(jié)20 30min，得到陰極電阻層；4)在上述陰極電阻層上通過(guò)光刻法采用感光銀漿制作一層陰極層圖形；
5)在上述步驟4)完成的基板上填充一層光刻膠P，采用負(fù)性光刻膠填充陰極間隙時(shí)，用印刷法直接使用相應(yīng)圖形的漏印版印刷至基 板上后，于90 130°C干燥10 30min ；6)制作陰極發(fā)射體，采用電泳、印刷、光刻方法制作陰極發(fā)射體；7)去除光刻膠ρ;填充物為負(fù)性光刻膠，直接用0. 2 1 %的Na2CO3顯影液顯影10 200s除去；即可得到完整的底柵型FED下基板結(jié)構(gòu)。所述感光銀漿由下述重量份數(shù)的原料制備而成銀單體50 80;甲基丙烯酸樹(shù)脂10 30 ；光引發(fā)劑1 5;2，2，4-三甲基-1，3戊二醇單異丁 5 15 ；高分子分散劑0. 5 1。所述感光銀漿的制備方法為將步驟2)所述重量份數(shù)的銀單體、甲基丙烯酸樹(shù) 脂、光引發(fā)劑、高分子分散劑混合研磨均勻。所述陰極圖形間隙填充負(fù)性光刻膠，該負(fù)性光刻膠由下述重量份數(shù)的原料混合均 勻配制而成甲基丙烯酸樹(shù)脂80 90 ；光引發(fā)劑1 5;2，2，4-三甲基-1，3戊二醇單異丁酸酯5 15 ；高分子分散劑0.5 1。所述光引發(fā)劑為2，4，6_三甲基苯甲?；交⑺嵋阴セ?-甲基-l-[4-甲硫基 苯基]-2-嗎啉基-1-丙酮。所述高分子分散劑為高分子嵌段共聚物；具體為BYK410、BYK140、BYK2025、 BYK180 或 BYK171。所述制作步驟2)柵極圖形或制作步驟4)陰極圖形包括如下步驟a)清潔處理后的陰極玻璃基板上，通過(guò)印刷一層或多層感光銀漿制備銀電極層；b)將步驟a)中基板置于烘箱中烘烤，烘烤溫度為80 120°C、烘烤時(shí)間為10 40min，然后自然冷卻；c)采用所需柵極層或陰極層圖形的掩膜版做掩膜，將上述掩膜后的基板置于紫外 燈下曝光，曝光量為100 800mJ/cm2 ；d)上述曝光過(guò)的基板采用質(zhì)量百分比濃度為0. 2 的Na2CO3溶液顯影，顯影 壓力為1. 5kgf/cm2，顯影時(shí)間為10 50S，得到所需柵極層或陰極層圖形；e)將上述處理后的柵極或陰極圖形燒結(jié)在500 590°C下保溫10 30min。本發(fā)明的有益效果是，通過(guò)制作陰極發(fā)射體8之前在柵極層5表面即陰極間隙之 間涂布一層光刻膠P (如圖3)，避免陰極發(fā)射體8 (即碳納米管)直接接觸柵極層5表面，在 發(fā)陰極射體8制作完成后(如圖4)，用顯影液將柵極層5表面光刻膠ρ除去的同時(shí)，其表面 可能出現(xiàn)的碳納米管也同時(shí)除去，極大程度減少了碳納米管在柵極層5表面的沉積。由上述步驟制作的底柵型FED下板結(jié)構(gòu)，通過(guò)在制作發(fā)射體前對(duì)柵極表面進(jìn)行保
5護(hù)的方法，使得柵極表面同陰極表面徹底絕緣，在除去光刻膠后，附帶在光刻膠表面的碳納 米管也隨之除去，徹底解決了發(fā)射體制作時(shí)容易導(dǎo)致的柵極層7和陰極層5表面短路的問(wèn)題。


圖1為場(chǎng)發(fā)射顯示器組件結(jié)構(gòu)示意圖；圖2為不采用柵極保護(hù)方法直接制作發(fā)射體容易導(dǎo)致陰極柵極之間短路示意圖；圖3為本發(fā)明中所述在制作陰極發(fā)射體前制作一層?xùn)艠O表面保護(hù)層示意圖；圖4為采用本發(fā)明制作柵極表面保護(hù)層后制作發(fā)射體示意圖。其中1、陽(yáng)極玻璃基板；2、陽(yáng)極導(dǎo)電層；3、熒光粉體層；4、陰極玻璃基板；5、柵極 層；6、陰極電阻層；7、陰極層；8、陰極發(fā)射體；9、隔離子；P、光刻膠。
具體實(shí)施例方式下面結(jié)合具體實(shí)施例對(duì)本發(fā)明做進(jìn)一步說(shuō)明。需要說(shuō)明的是，以下給出較佳的實(shí) 施例僅用于對(duì)本發(fā)明做詳細(xì)的說(shuō)明，但并非用于限定本發(fā)明的實(shí)施范圍，凡是在本發(fā)明技 術(shù)方案范圍內(nèi)的參數(shù)選擇均屬本發(fā)明保護(hù)的范圍。實(shí)施例11)制備感光銀漿該感光銀漿由60重量份的銀單體、30重量份的甲基丙烯酸樹(shù)脂、4重量份的光引 發(fā)劑2，4，6-三甲基苯甲?；交⑺嵋阴ァ?重量份的2，2，4-三甲基-1，3戊二醇單異丁 酸酯和1重量份的高分子分散劑BYK410混合研磨均勻構(gòu)成；2)在清潔處理后的陰極玻璃基板4上，通過(guò)光刻法采用上述步驟1)中所述感光銀 漿制作柵極層5的圖形；制作柵極層5圖形的步驟具體包括a).清潔處理后的陰極玻璃基板4上，印刷一層步驟1)中的感光銀漿，制備銀電極 層；b).將步驟a)中基板置于烘箱中烘烤，烘烤溫度為95°C、烘烤時(shí)間為30min，然后 自然冷卻；c).通過(guò)所需柵極層5圖形的掩膜版做掩膜，將上述做掩膜后的基板置于紫外燈 下曝光，曝光量為800mJ/cm2 ；d).上述曝光過(guò)的基板采用質(zhì)量百分比濃度為0.4%的Na2CO3溶液顯影，顯影壓力 為1. 5kgf/cm2，顯影時(shí)間為20S，得到所需柵極層5圖形；e).將上述處理后的基板于燒結(jié)爐中燒結(jié)，在500°C下保溫30min ；3)在制作好的柵極層5圖形上，印刷制作兩層絕緣材料圖形，并在570°C保溫 20min燒結(jié)，做為陰極電阻層6;4)在步驟3)完成的基板上通過(guò)光刻法采用步驟1)所述的感光銀漿制作一層陰極 層7圖形，其制作步驟及參數(shù)同步驟2)；5)在步驟4)完成的基板上填充一層負(fù)性光刻膠P (如圖3所示)；負(fù)性光刻膠由80重量份的甲基丙烯酸樹(shù)脂、4重量份的光引發(fā)劑2，4，6_三甲基苯
6甲?；交⑺嵋阴?、15重量份的2，2，4-三甲基-1，3戊二醇單異丁酸酯和1重量份的高 分子分散劑BYK410混合均勻配制而成，采用相應(yīng)的漏印版圖形印刷制作負(fù)性光刻膠圖案， 然后將該負(fù)性光刻膠填充、印刷后采用90°C烘烤20min，即可得到陰極層7線條間隙內(nèi)填充 光刻膠P的下板圖形；6)制作陰極發(fā)射體8(即碳納米管，如圖4所示)采用電泳、印刷、光刻等方法制 作陰極發(fā)射體8;7)在步驟6)完成的基板上去除光刻膠P，直接用0.2%的Na2CO3I影液溶液顯影 200s除去；即可得到完整的底柵型FED下基板結(jié)構(gòu)。本實(shí)施例步驟5)中，在陰極層7圖形間隙填充一層光刻膠的方式，可以避免陰極 發(fā)射體8 (即碳納米管)直接接觸柵極層5表面。本實(shí)施例步驟6)中，用顯影液將柵極層5表面光刻膠ρ除去的同時(shí)，其表面可能 出現(xiàn)的碳納米管也同時(shí)除去，極大程度減少了碳納米管在柵極層5表面的沉積。本發(fā)明由上述步驟制作的底柵型FED下板結(jié)構(gòu)，通過(guò)在制作發(fā)射體前對(duì)柵極表面 進(jìn)行保護(hù)的方法，使得柵極表面同陰極表面徹底絕緣，在除去光刻膠后，附帶在光刻膠表面 的碳納米管也隨之除去，徹底解決了發(fā)射體制作時(shí)容易導(dǎo)致的柵極層7和陰極層5表面短 路的問(wèn)題。實(shí)施例21)制備感光銀漿該感光銀漿由80重量份的銀單體、10重量份的甲基丙烯酸樹(shù)脂、1重量份的光引 發(fā)劑2-甲基-l-[4-甲硫基苯基]-2-嗎啉基-1-丙酮、8. 5重量份的2，2，4-三甲基-1，3 戊二醇單異丁酸酯和0. 5重量份的高分子分散劑BYK180組成；2)在清潔處理后的陰極玻璃基板4上，通過(guò)光刻法采用上述步驟1)中所述感光銀 漿制作柵極層5的圖形；制作柵極層5圖形的步驟2)具體包括a).清潔處理后的陰極玻璃基板4上，印刷一層步驟1)中的感光銀漿，制備銀電極 層；b).將步驟a)中基板置于烘箱中烘烤，烘烤溫度為80°C、烘烤時(shí)間為40min，然后 自然冷卻；c)采用所需柵極層5圖形的掩膜版做掩膜，將上述做掩膜后的基板置于紫外燈下 曝光，曝光量為500mJ/cm2 ；d).上述曝光過(guò)的基板采用質(zhì)量百分比濃度為0.2%的Na2CO3溶液顯影，顯影壓力 為1. 5kgf/cm2，顯影時(shí)間為50S，得到所需柵極層5圖形；e).將上述處理后的基板于燒結(jié)爐中燒結(jié)，在590°C下保溫IOmin ；3)在制作好的柵極層5圖形上，印刷制作三層絕緣材料圖形并在590°C保溫 30min，燒結(jié)做為陰極電阻層6;4)在步驟3)完成的基板上通過(guò)光刻法采用步驟1)所述的感光銀漿制作一層陰極 層7圖形，其制作步驟及參數(shù)同步驟2)；5)在步驟4)完成的基板上填充一層光刻膠P (如圖3所示)；
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負(fù)性光刻膠由90重量份的甲基丙烯酸樹(shù)脂、1重量份的光引發(fā)劑2-甲 基-l-[4-甲硫基苯基]-2-嗎啉基-1-丙酮、8. 5重量份的2，2，4-三甲基-1，3戊二醇單異 丁酸酯和0. 5重量份的高分子分散劑BYK140混合均勻配制而成，采用相應(yīng)圖形漏印版將負(fù) 性光刻膠直接印刷在步驟4)所述基板上制作填充圖形，然后將該負(fù)性光刻膠填充、印刷后 采用130°C烘烤lOmin，即可得到陰極層7線條間隙內(nèi)填充光刻膠ρ的下板圖形；6)制作陰極發(fā)射體8(即碳納米管，如圖4所示)采用電泳、印刷、光刻等方法制 作陰極發(fā)射體；7)在步驟6)完成的基板上去除光刻膠ρ ；直接用0. 3%的Na2CO3I影液溶液顯影 120s除去；即可得到完整的底柵型FED下基板結(jié)構(gòu)。實(shí)施例31)制備感光銀漿該感光銀漿由50重量份的銀單體、29重量份的甲基丙烯酸樹(shù)脂、5重量份的光引 發(fā)劑2，4，6_三甲基苯甲?；交⑺嵋阴ァ?5重量份的2，2，4_三甲基_1，3戊二醇單異丁 酸酯和1重量份的高分子分散劑BYK410混合均勻構(gòu)成；2)在清潔處理后的陰極玻璃基板4上，通過(guò)光刻法采用上述步驟1)中所述感光銀 漿制作柵極層5圖形；制作柵極層5圖形的步驟具體包括a).清潔處理后的陰極玻璃基板4上，印刷一層步驟1)中的感光銀漿，制備銀電極 層；b).將步驟a)中基板置于烘箱中烘烤，烘烤溫度為120°C、烘烤時(shí)間為lOmin，然后 自然冷卻；c).采用所需柵極層5圖形的掩膜版做掩膜，將上述做掩膜后的基板置于紫外燈 下曝光，曝光量為100mJ/cm2 ；d).上述曝光過(guò)的基板采用質(zhì)量百分比濃度為的Na2C03溶液顯影，顯影壓力為 1. 5kgf/cm2，顯影時(shí)間為10S，得到所需柵極層5圖形；e).將上述處理后的基板于燒結(jié)爐中燒結(jié)，在550°C下保溫20min ；3)在制作好的柵極層5圖形上，印刷制作一層絕緣材料圖形并在530°C保溫25min 燒結(jié)做為陰極電阻層6;4)在步驟3)完成的基板上通過(guò)光刻法采用步驟1)所述的感光銀漿制作一層陰極 層7圖形，其制作步驟及參數(shù)同步驟2)；5)在步驟4)完成的基板上填充一層光刻膠P (如圖3所示)；負(fù)性光刻膠由86重量份的甲基丙烯酸樹(shù)脂、5重量份的光引發(fā)劑2，4，6(三甲基苯 甲?；?膦酸乙酯、8. 2重量份的2，2，4-三甲基-1，3戊二醇單異丁酸酯和0. 8重量份的高 分子分散劑BYK2025混合均勻配制而成，采用相應(yīng)圖形漏印版將負(fù)性光刻膠直接印刷在步 驟4)所述基板上制作填充圖形，然后將該負(fù)性光刻膠填充、印刷后采用100°C烘烤30min， 即可得到陰極層7線條間隙內(nèi)填充光刻膠ρ的下板圖形；6)制作陰極發(fā)射體8(即碳納米管，如圖4所示)采用電泳、印刷、光刻等方法制 作陰極發(fā)射體；
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7)在步驟6)完成的基板上去除光刻膠ρ ；直接用0. 4%的Na2CO3顯影液溶液顯影 30s除去；即可得到完整的底柵型FED下基板結(jié)構(gòu)。實(shí)施例41)制備感光銀漿該感光銀漿由60重量份的銀單體、30重量份的甲基丙烯酸樹(shù)脂、4重量份的光引 發(fā)劑2-甲基-l-[4-甲硫基苯基]-2-嗎啉基-1-丙酮、5重量份的2，2，4-三甲基_1，3戊 二醇單異丁酸酯和1重量份的高分子分散劑BYK410混合研磨均勻構(gòu)成；上述高分子分散劑或采用BYK180或BYK171。2)在清潔處理后的陰極玻璃基板4上，通過(guò)光刻法采用上述步驟1)中所述感光銀 漿制作柵極層5圖形；制作柵極圖形5的步驟具體包括a).清潔處理后的陰極玻璃基板4上，印刷一層步驟1)中的感光銀漿，制備銀電極 層；b).將步驟a)中基片置于烘箱中烘烤，烘烤溫度為120°C、烘烤時(shí)間為lOmin，然后 自然冷卻；c).采用所需柵極層5圖形的掩膜版做掩膜，將上述做掩膜后的基片置于紫外燈 下曝光，曝光量為100mJ/cm2 ；d).上述曝光過(guò)的基板采用質(zhì)量百分比濃度為0.2%的Na2CO3溶液顯影，顯影壓力 為1. 5kgf/cm2，顯影時(shí)間為10S，得到所需柵極層5圖形；e).將上述處理后的基板于燒結(jié)爐中燒結(jié)，在530°C下保溫30min ；3)在制作好的柵極層5圖形上，印刷制作兩層絕緣材料圖形并在570°C保溫20燒 結(jié)做為陰極電阻層6;4)在步驟3)完成的基板上通過(guò)光刻法采用步驟1)所述的感光銀漿制作一層陰極 層7圖形，其制作步驟參數(shù)同步驟2)；5)在步驟4)完成的基板上填充一層光刻膠ρ (如圖3所示)；其中，負(fù)性光刻膠由89重量份的甲基丙烯酸樹(shù)脂、5重量份的光引發(fā)劑2，4，6(三 甲基苯甲?；?膦酸乙酯、5重量份的2，2，4_三甲基_1，3戊二醇單異丁酸酯和1重量份的 高分子分散劑BYK180混合均勻配制而成，采用相應(yīng)圖形漏印版將負(fù)性光刻膠直接印刷在 步驟4)所述基板上制作填充圖形，然后將該負(fù)性光刻膠填充、印刷后采用90°C烘烤20min， 即可得到陰極層7線條間隙內(nèi)填充光刻膠ρ的下板圖形；6)制作陰極發(fā)射體8(即碳納米管，如圖4所示)采用電泳、印刷、光刻等方法制 作陰極發(fā)射體；7)在步驟6)完成的基板上去除光刻膠ρ ；直接用的Na2CO3I影液溶液顯影 IOs除去；即可得到完整的底柵型FED下基板結(jié)構(gòu)。
權(quán)利要求
一種利用負(fù)性光刻膠制作底柵型FED下板圖形的方法，其特征在于，該方法通過(guò)以下步驟來(lái)實(shí)現(xiàn)1)制備感光銀漿；將重量份數(shù)的銀單體、甲基丙烯酸樹(shù)脂、光引發(fā)劑、高分子分散劑混合研磨均勻；2)在清潔處理后的陰極玻璃基板(4)上，通過(guò)光刻法采用步驟1)中感光銀漿制作柵極層(5)的圖形；3)在制作好的柵極層(5)上，印刷制作一層或多層絕緣層圖形，并在530～590℃，燒結(jié)20～30min，得到陰極電阻層(6)；4)在上述陰極電阻層(6)上通過(guò)光刻法采用感光銀漿制作一層陰極層(7)的圖形；5)在上述步驟4)完成的基板上填充一層光刻膠(p)，采用負(fù)性光刻膠填充陰極間隙時(shí)，用印刷法直接使用相應(yīng)圖形的漏印版印刷至基板上后，于90～130℃干燥10～30min；6)制作陰極發(fā)射體(8)，即碳納米管，采用電泳、印刷、光刻方法制作陰極發(fā)射體(8)；7)去除光刻膠(p)填充物為負(fù)性光刻膠，直接用0.2～1％的Na2CO3顯影液顯影10～200s除去；即可得到完整的底柵型FED下基板結(jié)構(gòu)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種利用負(fù)性光刻膠制作底柵型FED下板圖形的方法，其特 征在于，所述感光銀漿由下述重量份數(shù)的原料制備而成銀單體50 80 ；甲基丙烯酸樹(shù)脂10 30 ；光引發(fā)劑1 5;2，2，4-三甲基-1，3戊二醇單異丁酸酯5 15;高分子分散劑0.5 1。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種利用負(fù)性光刻膠制作底柵型FED下板圖形的方法，其特 征在于，所述填充負(fù)性光刻膠，該負(fù)性光刻膠由下述重量份數(shù)的原料混合均勻配制而成甲基丙烯酸樹(shù)脂80 90 ；光引發(fā)劑1 5;2，2，4-三甲基-1，3戊二醇單異丁酸酯5 15;高分子分散劑0.5 1。
4.根據(jù)權(quán)利要求2或3所述的一種利用負(fù)性光刻膠制作底柵型FED下板圖形的方法， 其特征在于，所述光引發(fā)劑為2，4，6-三甲基苯甲酰基苯基膦酸乙酯或2-甲基-1-[4-甲硫 基苯基]-2-嗎啉基-1-丙酮。
5.根據(jù)權(quán)利要求2或3所述的一種利用負(fù)性光刻膠制作底柵型FED下板圖形的方法， 其特征在于，所述高分子分散劑為高分子嵌段共聚物；具體為BYK410、BYK140、BYK2025、 BYK180 或 BYK171。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種利用負(fù)性光刻膠制作底柵型FED下板圖形的方法，其特 征在于，所述制作柵極層(5)圖形或制作陰極層(7)圖形包括如下步驟a)清潔處理后的陰極玻璃基板(4)上，通過(guò)印刷一層或多層感光銀漿制備銀電極層；b)將步驟a)中基板置于烘箱中烘烤，烘烤溫度為80 120°C、烘烤時(shí)間為10 40min，然后自然冷卻；c)采用所需柵極層(5)或陰極層(7)圖形的掩膜版做掩膜，將上述做掩膜后的基板置 于紫外燈下曝光，曝光量為100 800mJ/cm2 ；d)上述曝光過(guò)的基板采用質(zhì)量百分比濃度為0.2 的Na2CO3溶液顯影，顯影壓力 為1. 5kgf/cm2，顯影時(shí)間為10 50S，得到所需柵極層(5)或陰極層(7)圖形；e)將上述處理后的柵極或陰極圖形燒結(jié)在500 590°C下保溫10 30min。
全文摘要
本發(fā)明涉及場(chǎng)發(fā)射顯示器利用負(fù)性光刻膠制作底柵型FED下板圖形的方法，該方法包括以下步驟1)制備感光銀漿；2)在清潔處理后的陰極玻璃基板(4)上用光刻法制作柵極層(5)圖形；3)在柵極層(5)上印刷制作絕緣材料圖形，并燒結(jié)得到陰極電阻層(6)；4)通過(guò)光刻法采用感光銀漿制作一層陰極層(7)圖形；5)填充一層負(fù)性光刻膠(p)；干燥后紫外燈下曝光，顯影，即得陰極線條間隙填充圖形p；6)利用電泳、印刷、光刻方法制作陰極發(fā)射體(8)；7)去除光刻膠(p)，即得完整的底柵型FED下基板結(jié)構(gòu)。該方法得到的基板結(jié)構(gòu)使得柵極表面同陰極表面得到徹底絕緣；解決了柵極和陰極表面短路的問(wèn)題。
文檔編號(hào)H01J9/00GK101984505SQ201010121368
公開(kāi)日2011年3月9日 申請(qǐng)日期2010年3月10日 優(yōu)先權(quán)日2010年3月10日
發(fā)明者李馳 申請(qǐng)人:彩虹集團(tuán)公司