專利名稱：真空內保護襯層的制作方法
技術領域：
本發(fā)明涉及一種襯層(liner)，尤其涉及一種用以保護工件或工件處理工具的界 面(face)的襯層。
背景技術：
離子布植是一種將導電性變動雜質(conductivity-altering impurities)傳 入例如是半導體晶圓(semiconductor wafers)這種工件的標準技術。在離子布植或工 件處理過程中可能會產生微粒子(particles)。例如，在布植過程中所產生的不需要的材 質可能會鍍在離子布植機或等離子體處理裝置的內部。第一，加速的離子會將材質噴濺 (sputter)在任何被離子撞擊的表面。這些噴濺的材質會沉積在工件及其周圍的表面，而這 些材質可能會污染工件。第二，伴隨著離子布植的副產物，例如是光阻出氣(photoresist outgassing)，或是任何存在于離子布植機或等離子體處理裝置內的微粒子，也可能會沉積 在周圍的表面上而形成薄膜，最終并產生剝離。此舉導致在離子布植機或等離子體處理裝 置內產生更進一步的微粒子的污染，并可能會污染工件。第三，在例如氫、氦、氮或氧以原子 或離子狀態(tài)布植于一表面時會產生氣泡。第四，在離子布植機或等離子體處理裝置的內部， 即使是處于真空狀態(tài)也會存有一些微粒子。加速的離子可能會撞擊到這些微粒子并使其離 子化。被離子化的微粒子可能再撞擊到離子布植機或等離子體處理裝置的內表面，并因而 產生噴濺以致最后發(fā)生金屬污染。這些粒子也可能因增加、沉積及剝離而導致進一步的污
^fe ο這些在離子布植機或等離子體處理裝置中所產生的不必要的材質，通常需預防保 養(yǎng)，例如，刮除內壁或是清理所有零件或單元。一種保護離子布植機的現有方式是使用多個 鍍硅的鋁質嵌入件，部分嵌入件也經過等離子體噴涂(plasma-sprayed)。但這些嵌入件并 非可撓性的，其昂貴、難以清理，并且難以被安裝于離子布植機內。另一種現有的方法則是使用可撓式襯層以避免不必要的材質對撓性伸縮盒 (flexible bellows)的污染，這些撓性伸縮盒的襯層基本上要能抵抗高溫，這些襯層較不 適合應用在腔室內壁上，且增加了撓性伸縮盒襯層的成本。尚有另一現有技術，其將可控制溫度的嵌入件安裝在離子布植機的內壁上。此技 術需要一裝置以控制溫度且也需要在嵌入件上貼附一加熱器。這種嵌入件昂貴且并非可拋 棄式。這種方式也增加了工件或工件挾持構件的熱負載。因此，在此領域中極需一種襯層以克服上述現有技術的不適性與缺點。

發(fā)明內容
本發(fā)明提供一種設備。此設備包括離子產生器、真空室、構件、工件、臺板以及襯 層。離子產生器用以產生離子。構件位于真空室內并定義一界面。臺板用以支撐工件以 受到離子處理。襯層配置于界面以保護工件免受污染。襯層具有粗糙面，且襯層由包括 ΚΑΡΤ0Ν、聚醚醚酮、聚四氟乙烯、全氟烷氧、全氟烷基乙烯基醚共聚物、聚對二甲苯、VESPEL及UPILEX的組群中來選擇。本發(fā)明另提供一種設備，此設備包括離子產生器、真空室、構件、工件、臺板以及襯 層。離子產生器用以產生離子。構件位于真空室內并定義一界面。臺板用以支撐工件以接 受離子處理。襯層配置于界面上。襯層由碳構成，用以避免因離子植入界面而使界面產生 氣泡。本發(fā)明又提供一種方法，此方法包括提供襯層以配置在裝置的界面上，其中裝置 用以產生離子。接著，定向這些離子以使離子朝向工件。此裝置在產生離子的過程中也伴 隨多個微粒子，這些微粒子會撞擊襯層且微粒子余留在襯層上，以避免因這些微粒子植入 界面而使界面產生氣泡。


為了更好的理解本發(fā)明的揭示，下文特舉實施例，并配合附圖作詳細說明如下圖1是束線式離子布植機的方塊示意圖。圖2是等離子體摻雜系統(tǒng)的方塊示意圖。圖3是本發(fā)明一實施例的襯層的剖面圖。圖4是圖3的襯層于微粒子撞擊時的剖面圖。圖5是本發(fā)明另一實施例的襯層的剖面圖。圖6是本發(fā)明一實施例的襯層于真空室內的剖面透視圖。圖7是本發(fā)明一實施例的襯層在束線式離子布植機中的方塊示意圖。圖8是本發(fā)明一實施例的襯層位于工件夾持裝置上的剖面圖。圖9是本發(fā)明一實施例的襯層在等離子體摻雜系統(tǒng)中的方塊示意圖。
具體實施例方式在此所描述的襯層是有關于束線式離子布植機(bem-line ion implanter)與等 離子體摻雜系統(tǒng)(plasma doping system)。然而，此襯層也可用于其他半導體制造、等離子 體處理相關的系統(tǒng)或工藝，或是其他會使用到加速離子的系統(tǒng)或工藝。因此，本發(fā)明并不限 定于以下所述的特定實施例。請參考圖1，圖1是束線式離子布植機的方塊示意圖，束線式離子布植機200可提 供離子以處理一選定的材料。本領域技術人員能理解束線式離子布植機200是眾多束線式 離子布植機的范例中唯一能提供離子來摻雜一選定的材料。通常而言，束線式離子布植機200包括一離子源280，其用以產生形成離子束281 的離子。離子源280可包括一離子室283及一包含將欲離子化的氣體的氣體盒(gas box) (未示出)。此氣體被供應至離子室283并在其中被離子化。在某些實施例中，此氣體可以 是或包括砷(As)、硼(B)、磷(P)、氫(H)、氮(N)、氧(0)、氦(He)、碳硼烷(C2BltlH12)、其他大 分子化合物或其他惰性氣體。因此，這樣所形成的離子便從離子室283內提取并形成離子 束281。離子束281在解析磁鐵282 (resolving magnet)的磁極(pole)之間被定向。一電 源供應器(未示出)連接于離子源280的提取電極(extraction electrode)并用以提供 一可調整的電壓。離子束281通過一抑制電極284 (suppression electrode)、一接地電極285 (ground electrode)而到達一質量分析器(mass analyzer) 286。此質量分析器286包 括解析磁鐵282及一遮罩電極288 (masking electrode)，其中遮罩電極288具有一解析孔 289 (resolving aperture) 0解析磁鐵282使離子束281中的離子偏折以使需要的離子種 類能通過該解析孔289。不需要的離子種類則不會通過該解析孔289，而是被遮罩電極288 所擋下。所需要的離子種類通過解析孔289而傳至角度修正磁鐵294(angle corrector magnet)。角度修正磁鐵294使所需要的離子種類的離子偏轉，并將發(fā)散的離子束轉換成具 有實質上平行的離子軌跡(ion trajectory)的帶狀(ribbon)離子束212。在某些未示出 的實施例中，此束線式離子布植機200更可包括加速單元或減速單元。一終端臺(end station) 211支持一個或多個位于帶狀離子束212所經路徑上的 工件138，以使得所需要的離子種類被植入工件138中。終端臺211可包括一臺板295以支 持工件138。終端臺211也可包括一掃瞄器(未示出)，用來在垂直于帶狀離子束212的長 軸的橫截面上移動，因而將離子散布于工件138的整個表面上。雖然本實施例以帶狀離子 束212作為說明，但在其他實施例中，也可提供一點狀離子束。離子布植機更可包括本領域技術人員所知的額外構件。例如，終端站211基本上 包括自動工件處理裝置，以將工件引入束線式離子布植機200中，并在離子布植后將工件 自動取出。終端站211也可包括一劑量測量系統(tǒng)(dose measuring system)、一淹沒式電子 槍(electron flood gun)或是其他熟知的構件。對于本領域技術人員可以理解的是，離子 束經過的整個路徑在離子布植過程中是被抽成真空的(evacuated)。在其他實施例中，束線 式離子布植機200可引入離子熱植入或冷植入。圖2是等離子體摻雜系統(tǒng)的方塊示意圖。請參考圖2，等離子體摻雜系統(tǒng)100包括 一處理室102以定義一封閉容積103。一臺板可配置于處理室102內以支撐工件138。臺板 134可藉由直流電源或射頻(radio frequency, RF)電源而產生偏壓。臺板134、工件138 或處理室102可經由一溫度校準系統(tǒng)(未示出)而進行升溫或降溫。在一實施例中，工件 138可為一碟片型的半導體晶圓，例如是一直徑300毫米(mm)的硅晶圓。然而，工件138并 未限于硅晶圓。工件138也可例如為平面板基板、太陽能基板或聚合物基板。工件138可 以藉由靜電力或機械力而被夾持于臺板134的平面上。在一實施例中，臺板134可包括導 電接腳(未示出)以與工件進行連接。等離子體摻雜系統(tǒng)100還包括一發(fā)生源101，其用 以在處理室102內產生等離子體140。發(fā)生源101可以是一射頻電源或是為本領域技術人 員所知的其他電源。在其他未示出的實施例中，等離子體摻雜系統(tǒng)100更可包括一遮蔽環(huán) (shield ring)、法拉第感測器或是其他構件。在某些實施例中，等離子體摻雜系統(tǒng)100是 集結式加工機臺(cluster tool)的一部分，或者是在單一個等離子體摻雜系統(tǒng)100里的多 個相關聯而運轉的等離子體摻雜室。因此，可以在真空中連接多個等離子體摻雜室。運作時，發(fā)生源101用來在處理室102里產生等離子體140。在一實施例中，發(fā)生 源101是射頻源，其在至少一射頻天線內使射頻電流共振以產生振蕩磁場。振蕩磁場感應 射頻電流到處理室102。處理室102中的射頻電流激發(fā)植入的氣體并使植入的氣體離子化， 從而產生等離子體140。在偏壓脈沖周期內，此提供給臺板134以及工件138的偏壓將等離 子體140的離子向工件138加速?？梢赃x擇脈沖信號頻率和/或工作周期以提供需要的劑 量比。另可選擇脈沖信號的振幅以提供需要的能量。在其他參數相同的情況下，更大的能量造成更大的植入深度。除了本發(fā)明這些實施例所揭示的束線式離子布植機200與等離子體摻雜系統(tǒng)100 之外，本領域技術人員也可將本發(fā)明的襯層整合于其他相關于半導體制造、等離子體處理 或其他使用加速離子的系統(tǒng)或工藝中。例如，整合于等離子體蝕刻工具、化學氣相沉積 (chemical vapor deposition, CVD)工具或物理氣才畫沉禾只(physical vapor deposition, PVD)工具中。圖3是本發(fā)明一實施例的襯層的剖面圖。襯層300配置于一界面305上且包括一 加工面301。襯層300的表面輪廓302可從圖3的放大圖得知。襯層300可為剛體或具有 可撓性。襯層300的外型可被塑造成適合安裝在一非完全平坦的表面上。襯層300也可被 配置于多個可移動的零件上。在本實施例中，襯層300被設計成可彎曲，其具有特定半徑的 曲線，因此可被配置于棱角處。襯層300可由多種不同材料構成。于一些特定的實施例中，其可包括卡普通 (ΚΑΡΤ0Ν,由 DuPont 所制造)、聚醚醚酮(polyetheretherketone，PEEK,由 Victrex PLC 所 制造)、聚四氯乙烯(polytetrafluoroethylene，PTFE)、全氟烷氧(perfluoroalkoxy)或全 氟烷基乙烯基醚(perfluoroalkoxyethylene，PFA)、聚對二甲苯(parylene)以及優(yōu)皮勒斯 (UP I LEX,由Ube Industries制造)。在某些實施例中，KAPTON可包括化學式為C22HltlN2O5的 分子。KAPTON與UPILEX皆為聚亞酰胺(polyimide)。在許多實施例中，襯層300是由不會 對工件138造成損傷的材料所組成。在某些實施例中，襯層300藉由其在真空中具有實質 上較低的出氣性，而可用以避免產品遭受污染。因此，襯層300也可為其他未于上述實施例 中提及的聚合物。加工面301可以是經由電暈處理、等離子體蝕刻、化學蝕刻、噴珠處理、機械處理 及化學處理，或是上述處理方式的結合或其他粗糙化的方式。在許多時候，微粒子會從一光 滑表面上脫離或溢失。因此，在本實施例中，加工面301是用以增加表面積或提高微粒子附 著力。此粗糙面使微粒子更能附著于襯層300上。因此，微粒子便不會從襯層300上滑落。 由于粗糙化的表面使微粒子能更佳地附著于襯層300上，因而減少了微粒子從加工面301 上溢失的情形。當氫、氦、氮或氧以原子或離子狀態(tài)布植于界面305時，襯層300也可防止 界面305產生氣泡。這些原子或離子會改為嵌入襯層300或加工面301，并最終在離子布植 時被真空抽離，或于保養(yǎng)時自離子布植機或等離子體處理系統(tǒng)中清除。在某些實施例中，襯層300可具有一定的耐溫性。這將視其位于離子布植機或等 離子體處理裝置內的位置而定。然而在其他實施例中，例如當襯層300的耐溫范圍是涵蓋 離子布植機或等離子體處理裝置的操作溫度時，襯層300的耐溫性可不被考慮。在某些實施例中襯層300可具有導電性。此導電聚合物用以避免襯層上的電荷 增加。在某些實施例中，導電聚合物可藉由摻雜處理(dope)而增加其導電性。在此提供 兩個導電聚合物的范例，其分別為聚醚醚酮(polyetheretherketone，PEEK ,由Victrex PLC所制造)與維斯佩(VESPEL ，由DuPont所制造)，其中VESPEL 為聚亞酰胺 (polyimide)。部分填充式聚合物是經由在其化學結構中增加碳或金屬而使其具有導電性， 且填充式聚合物內所增加的碳或金屬的分量用以決定此填充式聚合物的導電性。在另一實施例中，襯層300的加工面301具有親水性以提升對微粒子的粘著力。此 具親水性的表面能增加殘留的微粒子或使其沉積在此加工面上。在一特定的實施例中，此
7親水性的表面形成于聚合物襯層之上，其中聚合物例如是上述已提及的。在兩個特別的實 施例中，襯層300則是全由親水性材料所構成，或是襯層300全經由處理后而具有親水性。在其他實施例中，襯層300為填充聚合物。此填充聚合物用以防止襯層300上的 電荷增加。此填充聚合物可包括纖維、微?；蚣{米微粒以防止電荷增加。這些纖維、微?；?納米微粒例如是碳或金屬。當襯層300為填充聚合物時，襯層300不再是非絕緣體，這可避 免電弧放電效應(arc discharge)或降低離子束爆炸的發(fā)生。本發(fā)明尚有另一實施例，襯層300包括納米碳管，此為填充聚合物的特別實施 例之一。納米碳管可為圓柱體的碳原子以增加襯層300的強度且其可為多層納米碳管 (multi-wall carbon nano-tubes,MWNT or MWCNT)或單層納米碳管(single-wall carbon nano-tubes, SffNT or SWCNT)。因此這些納米碳管可用以增強襯層300的硬度或使其更能 抵抗破壞。納米碳管也可為導電性以避免電荷增加或用以導熱。圖4是圖3的襯層于微粒子撞擊時的剖面圖。襯層300配置于界面305上且承受 微粒子303的撞擊。微粒子303殘留在襯層300上以形成一薄膜304。微粒子303可從許多 來源產生。例如是石墨、工件產生的硅、噴濺的材料或是像光阻等布植副產物。微粒子303 也可以是其他存在于襯層300周遭的真空中的分子或化合物。微粒子303也可為離子。圖5是本發(fā)明另一實施例的襯層的剖面圖。此為圖3的襯層的替代例，本實施例 的襯層303是由納米碳管306所構成。如同圖5中的放大圖所示，襯層300配置于界面305 上且包括納米碳管306。這些納米碳管306可以是多層納米碳管或單層納米碳管。這些納 米碳管306可以形成一納米片(nano-sheet)。在一實施例中，襯層300是由納米碳管的類 似毛氈的材料構成。在替代的實施例中，襯層300是由碳納米線或其他納米級物體構成。在 其他實施例中，襯層300是貼附于其他層再配置于界面305上。在圖5的實施例中，襯層300用以作為等離子體處理裝置內構件的屏障。襯層 300可避免因界面植入氫、氦、氮或氧原子或離子時造成氣泡。若這些原子或離子是植入界 面305下，則可能形成小型的氣泡，而導致表面氣泡產生。這些離子或原子改以植入于襯層 300，且在離子布植機或等離子體處理裝置于保養(yǎng)時隨著襯層300而被清除。此實施例的襯 層300也可提升微粒子的附著力。在另一實施例中，襯層300是由以碳為基質的材料構成。本實施例的襯層300具有 多孔性且其外型可為板狀、塊狀、巾狀、氈狀或泡沫狀。本實施例的襯層300可包括一經過 處理的表面。一些以碳為基質的材料的特定范例，例如是碳網、碳布、碳-碳復合材料、碳發(fā) 泡材、碳纖維或碳氈。在某些實施例中，碳纖維與碳氈可以碳化硅來覆蓋。在其他范例中， 此以碳為基質的材料為石墨。在本實施例中的襯層300也可避免界面305因植入氫、氦、氮 或氧等原子或離子時產生氣泡。這些離子或原子改為流向襯層300，并于離子布植機或等離 子體處理裝置保養(yǎng)時被抽離或隨著襯層300而被清除。襯層300的表面可具有較大的表面 積以提高微粒子的附著力。這也將降低微粒子自加工面301溢失。隨著一定條件或在預先保養(yǎng)措施的過程中，襯層300可從界面305上被移除。此 條件可例如是隨著時間的消逝、離子種類的改變或襯層300的狀態(tài)。在一特定實施例中，當 在移除襯層300或預防保養(yǎng)的過程中，將襯層300在自界面305移除后，可將其卷起以減少 微粒子的數量以避免污染離子布植機。在其他實施例中，襯層300維持配置在一表面上。當進行預防性的保養(yǎng)時，襯層
8300可利用例如擦拭布、化學藥劑或刮除的方式來移除表面的薄膜304而達到清潔的目的。在某些實施例中，當進行預防性保養(yǎng)時，襯層300自界面305移除后，以例如擦拭 布、化學藥劑或削除的方式來清潔。并在清潔過后，再將襯層300重新固定于界面305上。在另一實施例中，襯層300是可丟棄式的。因此，一旦襯層300自界面305上移除 后，可再配置新的襯層。在所有此類的實施例中，襯層可被設計成能被迅速拆裝以及容易拿 取。圖6是本發(fā)明一實施例的襯層于真空室內的剖面透視圖。此為以三維視角來觀察 真空室405及其側壁400與底板401。襯層402、403、404配置于界面上，例如配置在真空室 的側壁400與底板401上。請參考圖6，襯層402可緊鄰真空室405的角落且襯層403可被 拉伸并跨越角落。本領域技術人員，也可得知襯層可配置在真空室405內的其他界面或不 同于圖6所顯示的外型與大小。圖6僅僅是一個實施例以顯示襯層402、403、404可能配置 的位置。圖7至圖9為一些其他實施例以顯示襯層可能配置的位置。在其他實施例中，本 領域技術人員也可得知襯層可配置于其他等離子體處理裝置的界面上，例如，配置于側壁 或是工件夾持裝置的周圍。在某些實施例中，襯層402、403、404藉由螺絲裝設于側板400及底板401。在其 他實施例中，襯層402、403、404藉由固定銷而配置在側板400及底板401。在某些實施例 中，這些固定銷可為尼龍(nylon)材質。在其他實施例中，則可藉由夾子、低出氣的耐真空 接著劑、雙面膠帶、重力或其他為本領域技術人員所熟知的固定方式而將襯層402、403、404 配置于側板400及底板401上。圖7是本發(fā)明一實施例的襯層在束線式離子布植機中的方塊示意圖。襯層300位 于束線式離子布植機500內。此束線式離子布植機500等同于圖1中的束線式離子布植機 200。在某些實施例中，襯層503位于解析室501內的界面上。在其他實施例中，襯層504 位于植入室502內的界面上。植入室502可等同于終端站211或配置于終端站211內。圖8是本發(fā)明一實施例的襯層位于工件夾持裝置上的剖面圖。工件夾持裝置600 藉由一臺板支撐件601而支撐臺板295。臺板295用以支持工件138。在此特殊的實施例 中，臺板295可沿著箭頭指標603的方向傾斜，但臺板295也可以其他方向傾斜。在本實施 例中，臺板支撐件601也可沿著軸向602的方向旋轉。工件夾持裝置600可包括一個或多 個位于界面上的襯層610、611、612、613、614、615、616及617。本領域技術人員可得知襯層 可配置于工件夾持裝置600或臺板295的界面上，而非僅限于圖8中所顯示的位置及大小。 在某些實施例中，配置于工件夾持裝置600或臺板295上的襯層可用以搜集在布植過程中 從工件138噴濺出的硅。部分襯層例如襯層611與襯層614可配置于不同的平面上。一或多個襯層可設在 角落中或跨越在角落上，甚至跨越在不同平面之間的夾角上。部分襯層例如襯層612可撓 曲并配置于多個移動構件上。例如，當臺板295依據箭頭603的方向而傾斜時，襯層612可 撓曲以維持配置在臺板支撐件601及其移動構件的界面上。在本實施例中，襯層具有額外 的材料以適應任何需要撓曲的情形。這可保護臺板支撐件601的內部構件、移動構件或內 部表面以防止任何微粒子侵入。圖9是本發(fā)明一實施例的襯層在等離子體摻雜系統(tǒng)中的方塊示意圖。襯層900、 901位于等離子體摻雜系統(tǒng)100內的處理室102的界面。當然，襯層900、901并非僅限于圖9中所顯示的位置，其可位于等離子體摻雜系統(tǒng)100內任何本領域技術人員所知的其他 位置，例如在臺板134上或是其周圍。 本發(fā)明并不會因為其中所描述的特定實施例而使其范圍受到限制。而且，除了本 發(fā)明的上述記載內容以外的變化例或是修改，屬于本領域技術人員可明顯的由本發(fā)明的上 述記載內容與相關附圖而推知的。因此，此種的其他變化例與修改可預期會落入本發(fā)明的 范圍內。而且，即使本發(fā)明的記載內容中描述用于特定目的的在特定的環(huán)境中的特定實行 步驟，但是本領域技術人員能理解其用途并不限定于此，本發(fā)明能有利的實行于任意環(huán)境 而應用于任意目的。因此，本發(fā)明的權利要求應被理解為是基于本發(fā)明的記載內容的全范 圍與精神而做成的。
權利要求
一種設備，包括一離子產生器，用以產生多個離子；一真空室；一構件，位于該真空室內并定義一界面；一工件；一臺板，用以支撐該工件，以使該工件接受該些離子處理；以及一襯層，配置于該界面上，以保護該工件免受污染，其中該襯層具有一粗糙面，且該襯層由包括卡普通、聚醚醚酮、聚四氟乙烯、全氟烷氧、全氟烷基乙烯基醚、聚對二甲苯、維斯佩及優(yōu)皮勒斯的組群中所選擇。
2.根據權利要求1所述的設備，其中該襯層的該粗糙面是經由電暈處理、等離子體蝕 刻、化學蝕刻、噴珠處理、機械處理及化學處理至少其中之一制作而成。
3.根據權利要求1所述的設備，其中該襯層具有親水性。
4.根據權利要求1所述的設備，還包括一質量分析器與一解析孔，其中該真空室包含 該解析孔，且該界面為該真空室的一表面。
5.根據權利要求1所述的設備，還包括一質量分析器與一解析孔，其中該真空室為一 布植室，該布植室包含該臺板，且該界面為該布植室的一表面。
6.根據權利要求1所述的設備，其中該界面為該臺板所定義的一表面。
7.根據權利要求1所述的設備，其中該臺板配置于一工件夾持裝置上，且該界面為該 工件夾持裝置所定義的一表面。
8.根據權利要求1所述的設備，其中該離子產生器為一離子源，用以產生該些離子以 形成一離子束。
9.一種設備，包括一離子產生器，用以產生離子；一真空室；一構件，位于該真空室內并定義一界面；一工件；一臺板，用以支撐該工件，以使該工件接受該些離子處理；以及一襯層，配置于該界面上，該襯層由碳構成，用以避免因該些離子植入至該界面而使該 界面產生氣泡。
10.根據權利要求9所述的設備，其中該襯層由納米碳管所構成。
11.根據權利要求9所述的設備，還包括一質量分析器與一解析孔，其中該真空室包含 該解析孔，且該界面為該真空室的一表面。
12.根據權利要求9所述的設備，還包括一質量分析器與一解析孔，其中該真空室為一 布植室，該布植室包含該臺板且該界面為該布植室的一表面。
13.根據權利要求9所述的設備，其中該界面為該臺板所定義的一表面。
14.根據權利要求9所述的設備，其中該臺板配置于一工件夾持裝置上，且該界面為該 工作夾持裝置所定義的一表面。
15.根據權利要求9所述的設備，其中該離子產生器為一離子源，用以產生該些離子以 形成一離子束。
16.一種方法，包括提供一襯層，其配置于一裝置內的一界面上，該裝置用以產生多個離子； 定向該些離子使其朝向一工件； 該裝置伴隨該些離子而產生多個微粒子； 該些微粒子撞擊該襯層；以及至少一微粒子余留在該襯層上，以避免因該些微粒子植入至該界面而使該界面產生氣泡。
17.根據權利要求16所述的方法，其中該襯層具有一粗糙面，且該襯層是由包括卡普 通、聚醚醚酮、聚四氟乙烯、全氟烷氧、全氟烷基乙烯基醚、聚對二甲苯、維斯佩及優(yōu)皮勒斯 的組群中所選取。
18.根據權利要求16所述的方法，其中該襯層由納米碳管所構成。
19.根據權利要求16所述的方法，其中該襯層由碳構成。
20.根據權利要求16所述的方法，該方法還包括一步驟，此步驟為在一條件下移除該襯層，并配置一第二襯層于該界面上。
全文摘要
本設備包括配置于真空室的界面的襯層。一構件位于真空式內以定義該界面。該襯層配置成用以保護工件免受污染，或是用以避免因原子或離子植入界面所引起的界面產生氣泡。在一些實施例中，襯層可由真空室中的界面丟棄以及移除并以新的襯層取代。在一些實施例中，此襯層可為具有粗糙面的聚合物，以碳為基質或是由納米管構成。
文檔編號H01J37/30GK101971286SQ200980102279
公開日2011年2月9日 申請日期2009年1月16日 優(yōu)先權日2008年1月16日
發(fā)明者岱爾·K·史東, 朱利安·G·布雷克, 留德米拉·史東, 羅·S·希瑞史蓋 申請人:瓦里安半導體設備公司