專利名稱：大功率脈沖磁控管用陶瓷引線的制作方法
技術領域：
本實用新型涉及一種陶瓷引線，尤其是一種用于大功率脈 沖磁控管的陶瓷引線。
背景技術：
現(xiàn)有的大功率脈沖磁控管一般使用的陰極引線為玻璃結(jié)
構(gòu)，鎢桿4固定定位于玻璃件8內(nèi)，鎢桿4上端固定穿設過玻
璃件8的上部，第二扼流圈3固定套設在鴇桿上，第一扼流圈
2下部固連無氧銅連接圈1的內(nèi)壁，無氧銅連接圈的上部固定
穿設在玻璃件8的下部，由于玻璃與金屬封接的技術原因，導
致產(chǎn)品的可靠性低、抗沖擊性能低、 一致性差且耐溫性能低，
給生產(chǎn)帶來了較大的難度，實際的生產(chǎn)成本較高。陶瓷與金屬
封接結(jié)構(gòu)具有可靠性高、抗沖擊性能髙、 一致性好且耐溫性能
高的優(yōu)點，國內(nèi)外很多專家學者一直想使用陶瓷與金屬封接結(jié) 構(gòu)作為大功率脈沖磁控管的引線結(jié)構(gòu)，但由于改變結(jié)構(gòu)后會導
致產(chǎn)品一系列的微波參數(shù)變化，導致輸出功率變化而無法滿足 客戶的要求，多年來一直未研制成功。
發(fā)明內(nèi)容
為了克服上述缺陷，本發(fā)明提供了一種大功率脈沖磁控管 用陶瓷引線，可靠性高、 一致性好、抗沖擊性能高及耐溫性能高，可有效提高產(chǎn)品的整體性能和成品率，降低生產(chǎn)成本。 本實用新型為了解決其技術問題所采用的技術方案是 一種大功率脈沖磁控管用陶瓷引線，包括無氧銅連接圈、 第一扼流圈、至少一個鴇桿和與鉤桿相同數(shù)量的第二扼流圈， 以裝配方向為基準還包括有陶瓷件和與鎢桿相同數(shù)量的無氧 銅封接環(huán)，該陶瓷件的上端端口中固定設有陶瓷引線環(huán)，無氧 銅封接環(huán)固定穿置在陶瓷引線環(huán)的底部，所述第二扼流圈固定 定位于無氧銅封接環(huán)的下方，所述鎢桿的上端固定穿設過第二 扼流圈且固定穿置在所述無氧銅封接環(huán)的底部中，通過無氧銅 封接環(huán)與陶瓷引線環(huán)的連接設置，使原本不可與陶瓷材料連接 的鎢桿固定定位在了陶瓷件中，且采用無氧銅封接環(huán)與陶瓷弓I 線環(huán)的陶瓷與金屬封接結(jié)構(gòu)來定位連接鴇桿和固套于鎢桿上 的第二扼流圈，有效解決了陶瓷與金屬封接結(jié)構(gòu)與磁控管對材 料高導電率要求的矛盾，所述陶瓷件的下端與無氧銅連接圈的 上端固連，第一扼流圈固定定位于無氧銅連接圈和陶瓷件內(nèi)， 第一扼流圈的底部固連無氧銅連接圈的內(nèi)壁，第二扼流圈的底 部位于第一扼流圈內(nèi)，第二H流圈的下端面低于第一扼流圈的 上端面設定距離，采用陶瓷件與無氧銅連接圈固連，又第二扼 流圈下端面低于第一扼流圈上端面設定距離來防止微波能量 的泄露，解決了陶瓷與金屬封接問題和微波能量泄露問題間的 矛盾，使陶瓷與金屬封接結(jié)構(gòu)可用于大功率磁控管上，產(chǎn)品可 靠性髙、 一致性好、抗沖擊性能高及耐溫性能高，有效提高了 產(chǎn)品的整體性能，提高了產(chǎn)品的成品率，降低了生產(chǎn)成本。 本實用新型的進一步技術方案是所述陶瓷件下端面上金屬化而形成有一層金屬封接層，所 述無氧銅連接圈的上端焊接固連所述金屬封接層。
所述陶瓷引線環(huán)底部與無氧銅封接環(huán)相接觸的面上金屬 化而形成有一層金屬封接面，所述無氧銅封接環(huán)固定穿置焊接 在所述金屬封接面中。
本實用新型的有益效果是本實用新型通過無氧銅封接環(huán) 與陶瓷引線環(huán)的連接設置，使原本不可與陶瓷材料連接的鎢桿 固定定位在了陶瓷件中，且采用無氧銅封接環(huán)與陶瓷引線環(huán)的 陶瓷與金屬封接結(jié)構(gòu)來定位連接鎢桿和固套于鎢桿上的第二 扼流圈，有效解決了陶瓷與金屬封接結(jié)構(gòu)與磁控管對材料高導 電率要求的矛盾；采用陶瓷件與無氧銅連接圈固連，又第二扼 流圈下端面低于第一扼流圈上端面設定距離來防止微波能量 的泄露，解決了陶瓷與金屬封接問題和微波能量泄露問題間的 矛盾，使陶瓷與金屬封接結(jié)構(gòu)可用于大功率磁控管上，產(chǎn)品可 靠性高、 一致性好、抗沖擊性能高及耐溫性能高，有效提高了 產(chǎn)品的整體性能，提高了產(chǎn)品的成品率，降低了生產(chǎn)成本。


圖1為本實用新型結(jié)構(gòu)示意圖2為本實用新型所述原有技術的結(jié)構(gòu)示意圖。
具體實施方式
實施例 一種大功率脈沖磁控管用陶瓷引線，包括無氧銅
連接圈l、第一扼流圈2、至少一個鎢桿4和與鎢桿相同數(shù)量的第二扼流圈3，以裝配方向為基準還包括有陶瓷件5和與
鎢桿相同數(shù)量的無氧銅封接環(huán)6，該陶瓷件5的上端端口中固 定設有陶瓷引線環(huán)7，無氧銅封接環(huán)6固定穿置在陶瓷引線環(huán) 7的底部，所述第二扼流圈3固定定位于無氧銅封接環(huán)6的下 方，所述鎢桿4的上端固定穿設過第二扼流圈3且固定穿置在 所述無氧銅封接環(huán)6的底部中，通過無氧銅封接環(huán)6與陶瓷引 線環(huán)7的連接設置，使原本不可與陶瓷材料連接的鎢桿4固定 定位在了陶瓷件5中，且采用無氧銅封接環(huán)與陶瓷引線環(huán)的陶 瓷與金屬封接結(jié)構(gòu)來定位連接鎢桿4和固套于鎢桿上的第二 扼流圈3，有效解決了陶瓷與金屬封接結(jié)構(gòu)與磁控管對材料高 導電率要求的矛盾，所述陶瓷件5的下端與無氧銅連接圈1 的上端固連，第一扼流圈2固定定位于無氧銅連接圈1和陶瓷 件5內(nèi)，第一扼流圈？的底部固連無氧銅連接圈1的內(nèi)壁，第 二扼流圈3的底部位于第一扼流圈2內(nèi)，第二扼流圈3的下端 面低于第一扼流圈2的上端面設定距離，采用陶瓷件5與無氧 銅連接圈1固連，又第二扼流圈3下端面低于第一扼流圈2 上端面設定距離來防止微波能量的泄露，解決了陶瓷與金屬封 接問題和微波能量泄露問題間的矛盾，使陶瓷與金屬封接結(jié)構(gòu) 可用于大功率磁控管上，產(chǎn)品可靠性高、 一致性好、抗沖擊性 能髙及耐溫性能高，有效提髙了產(chǎn)品的整體性能，提高了產(chǎn)品 的成品率，降低了生產(chǎn)成本。
所述陶瓷件5下端面上金屬化而形成有一層金屬封接層， 所述無氧銅連接圈1的上端焊接固連所述金屬封接層。
所述陶瓷引線環(huán)7底部與無氧銅封接環(huán)6相接觸的面上金屬化而形成有一層金屬封接面，所述無氧銅封接環(huán)6固定穿置 焊接在所述金屬封接面中。 本例設有兩個鎢桿。
具體實施時，根據(jù)陶瓷引線的尺寸規(guī)格來調(diào)整第二扼流圈 低于第一扼流圈的設定距離，反復試驗采用使微波能量泄露量 最小或可徹底防止微波能量泄露的距離。
權利要求1、一種大功率脈沖磁控管用陶瓷引線，包括無氧銅連接圈(1)、第一扼流圈(2)、至少一個鎢桿(4)和與鎢桿相同數(shù)量的第二扼流圈(3)，其特征在于以裝配方向為基準還包括有陶瓷件(5)和與鎢桿相同數(shù)量的無氧銅封接環(huán)(6)，該陶瓷件的上端端口中固定設有陶瓷引線環(huán)(7)，無氧銅封接環(huán)(6)固定穿置在陶瓷引線環(huán)(7)的底部，所述第二扼流圈(3)固定定位于無氧銅封接環(huán)(6)的下方，所述鎢桿(4)的上端固定穿設過第二扼流圈(3)且固定穿置在所述無氧銅封接環(huán)(6)的底部中，所述陶瓷件(5)的下端與無氧銅連接圈(1)的上端固連，第一扼流圈(2)固定定位于無氧銅連接圈(1)和陶瓷件(5)內(nèi)，第一扼流圈(2)的底部固連無氧銅連接圈(1)的內(nèi)壁，第二扼流圈(3)的底部位于第一扼流圈(2)內(nèi)，第二扼流圈(3)的下端面低于第一扼流圈(2)的上端面設定距離。
2、 根據(jù)權利要求1所述的大功率脈沖磁控管用陶瓷引線， 其特征在于所述陶瓷件下端面上形成有一層金屬封接層，所 述無氧銅連接圈的上端固連所述金屬封接層。
3、 根據(jù)權利要求1所述的大功率脈沖磁控管用陶瓷引線， 其特征在于所述陶瓷引線環(huán)底部與無氧銅封接環(huán)相接觸的面 上形成有一層金屬封接面，所述無氧銅封接環(huán)固定穿置在所述 金屬封接面中。
專利摘要本實用新型公開了一種大功率脈沖磁控管用陶瓷引線，陶瓷件的上端端口中固設有陶瓷引線環(huán)，無氧銅封接環(huán)固定穿置在陶瓷引線環(huán)的底部，第二扼流圈固定定位于無氧銅封接環(huán)的下方，鎢桿的上端固定穿設過第二扼流圈且固定穿置在無氧銅封接環(huán)的底部中，陶瓷件的下端固連無氧銅連接圈的上端，第一扼流圈固定定位于無氧銅連接圈和陶瓷件內(nèi)，第一扼流圈的底部固連無氧銅連接圈的內(nèi)壁，第二扼流圈的底部位于第一扼流圈內(nèi)，第二扼流圈的下端面低于第一扼流圈的上端面設定距離以防止微波能量的泄露，這樣使陶瓷與金屬封接結(jié)構(gòu)可用于大功率磁控管上，產(chǎn)品可靠性高、一致性好、抗沖擊性能高及耐溫性能高，可有效提高產(chǎn)品的整體性能和成品率，降低生產(chǎn)成本。
文檔編號H01J23/14GK201374306SQ20092003568
公開日2009年12月30日 申請日期2009年3月16日 優(yōu)先權日2009年3月16日
發(fā)明者曹鳴坤, 曾特清, 浩 黃 申請人:昆山國力真空電器有限公司