專利名稱：大功率脈沖磁控管用陶瓷引線的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種陶瓷引線，尤其是一種用于大功率脈沖磁控管的陶瓷引線。
背景技術(shù)：
現(xiàn)有的大功率脈沖磁控管一般使用的陰極引線為玻璃結(jié)構(gòu)，鎢桿4固定定位于玻 璃件8內(nèi)，鎢桿4上端固定穿設(shè)過玻璃件8的上部，第二扼流圈3固定套設(shè)在鎢桿上，第一 扼流圈2下部固連無氧銅連接圈1的內(nèi)壁，無氧銅連接圈的上部固定穿設(shè)在玻璃件8的下 部，由于玻璃與金屬封接的技術(shù)原因，導(dǎo)致產(chǎn)品的可靠性低、抗沖擊性能低、一致性差且耐 溫性能低，給生產(chǎn)帶來了較大的難度，實(shí)際的生產(chǎn)成本較高。陶瓷與金屬封接結(jié)構(gòu)具有可靠 性高、抗沖擊性能高、一致性好且耐溫性能高的優(yōu)點(diǎn)，國內(nèi)外很多專家學(xué)者一直想使用陶瓷 與金屬封接結(jié)構(gòu)作為大功率脈沖磁控管的引線結(jié)構(gòu)，但由于改變結(jié)構(gòu)后會導(dǎo)致產(chǎn)品一系列 的微波參數(shù)變化，導(dǎo)致輸出功率變化而無法滿足客戶的要求，多年來一直未研制成功。

發(fā)明內(nèi)容
為了克服上述缺陷，本發(fā)明提供了一種大功率脈沖磁控管用陶瓷引線，可靠性高、 一致性好、抗沖擊性能高及耐溫性能高，可有效提高產(chǎn)品的整體性能和成品率，降低生產(chǎn)成 本。本發(fā)明為了解決其技術(shù)問題所采用的技術(shù)方案是一種大功率脈沖磁控管用陶瓷引線，包括無氧銅連接圈、第一扼流圈、至少一個鎢 桿和與鎢桿相同數(shù)量的第二扼流圈，以裝配方向?yàn)榛鶞?zhǔn)還包括有陶瓷件和與鎢桿相同數(shù) 量的無氧銅封接環(huán)，該陶瓷件的上端端口中固定設(shè)有陶瓷引線環(huán)，無氧銅封接環(huán)固定穿置 在陶瓷引線環(huán)的底部，所述第二扼流圈固定定位于無氧銅封接環(huán)的下方，所述鎢桿的上端 固定穿設(shè)過第二扼流圈且固定穿置在所述無氧銅封接環(huán)的底部中，通過無氧銅封接環(huán)與陶 瓷引線環(huán)的連接設(shè)置，使原本不可與陶瓷材料連接的鎢桿固定定位在了陶瓷件中，且采用 無氧銅封接環(huán)與陶瓷引線環(huán)的陶瓷與金屬封接結(jié)構(gòu)來定位連接鎢桿和固套于鎢桿上的第 二扼流圈，有效解決了陶瓷與金屬封接結(jié)構(gòu)與磁控管對材料高導(dǎo)電率要求的矛盾，所述陶 瓷件的下端與無氧銅連接圈的上端固連，第一扼流圈固定定位于無氧銅連接圈和陶瓷件 內(nèi)，第一扼流圈的底部固連無氧銅連接圈的內(nèi)壁，第二扼流圈的底部位于第一扼流圈內(nèi)，第 二扼流圈的下端面低于第一扼流圈的上端面設(shè)定距離，采用陶瓷件與無氧銅連接圈固連， 又第二扼流圈下端面低于第一扼流圈上端面設(shè)定距離來防止微波能量的泄露，解決了陶瓷 與金屬封接問題和微波能量泄露問題間的矛盾，使陶瓷與金屬封接結(jié)構(gòu)可用于大功率磁控 管上，產(chǎn)品可靠性高、一致性好、抗沖擊性能高及耐溫性能高，有效提高了產(chǎn)品的整體性能， 提高了產(chǎn)品的成品率，降低了生產(chǎn)成本。本發(fā)明的進(jìn)一步技術(shù)方案是所述陶瓷件下端面上金屬化而形成有一層金屬封接層，所述無氧銅連接圈的上端 焊接固連所述金屬封接層。
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所述陶瓷引線環(huán)底部與無氧銅封接環(huán)相接觸的面上金屬化而形成有一層金屬封 接面，所述無氧銅封接環(huán)固定穿置焊接在所述金屬封接面中。
本發(fā)明的有益效果是本發(fā)明通過無氧銅封接環(huán)與陶瓷引線環(huán)的連接設(shè)置，使原 本不可與陶瓷材料連接的鎢桿固定定位在了陶瓷件中，且采用無氧銅封接環(huán)與陶瓷引線環(huán) 的陶瓷與金屬封接結(jié)構(gòu)來定位連接鎢桿和固套于鎢桿上的第二扼流圈，有效解決了陶瓷與 金屬封接結(jié)構(gòu)與磁控管對材料高導(dǎo)電率要求的矛盾；采用陶瓷件與無氧銅連接圈固連，又 第二扼流圈下端面低于第一扼流圈上端面設(shè)定距離來防止微波能量的泄露，解決了陶瓷與 金屬封接問題和微波能量泄露問題間的矛盾，使陶瓷與金屬封接結(jié)構(gòu)可用于大功率磁控管 上，產(chǎn)品可靠性高、一致性好、抗沖擊性能高及耐溫性能高，有效提高了產(chǎn)品的整體性能，提 高了產(chǎn)品的成品率，降低了生產(chǎn)成本。


圖1為本發(fā)明結(jié)構(gòu)示意圖；圖2為本發(fā)明所述原有技術(shù)的結(jié)構(gòu)示意圖。
具體實(shí)施例方式實(shí)施例一種大功率脈沖磁控管用陶瓷引線，包括無氧銅連接圈1、第一扼流圈2、 至少一個鎢桿4和與鎢桿相同數(shù)量的第二扼流圈3，以裝配方向?yàn)榛鶞?zhǔn)還包括有陶瓷件5 和與鎢桿相同數(shù)量的無氧銅封接環(huán)6，該陶瓷件5的上端端口中固定設(shè)有陶瓷引線環(huán)7，無 氧銅封接環(huán)6固定穿置在陶瓷引線環(huán)7的底部，所述第二扼流圈3固定定位于無氧銅封接 環(huán)6的下方，所述鎢桿4的上端固定穿設(shè)過第二扼流圈3且固定穿置在所述無氧銅封接環(huán) 6的底部中，通過無氧銅封接環(huán)6與陶瓷引線環(huán)7的連接設(shè)置，使原本不可與陶瓷材料連接 的鎢桿4固定定位在了陶瓷件5中，且采用無氧銅封接環(huán)與陶瓷引線環(huán)的陶瓷與金屬封接 結(jié)構(gòu)來定位連接鎢桿4和固套于鎢桿上的第二扼流圈3，有效解決了陶瓷與金屬封接結(jié)構(gòu) 與磁控管對材料高導(dǎo)電率要求的矛盾，所述陶瓷件5的下端與無氧銅連接圈1的上端固連， 第一扼流圈2固定定位于無氧銅連接圈1和陶瓷件5內(nèi)，第一扼流圈2的底部固連無氧銅 連接圈1的內(nèi)壁，第二扼流圈3的底部位于第一扼流圈2內(nèi)，第二扼流圈3的下端面低于第 一扼流圈2的上端面設(shè)定距離，采用陶瓷件5與無氧銅連接圈1固連，又第二扼流圈3下端 面低于第一扼流圈2上端面設(shè)定距離來防止微波能量的泄露，解決了陶瓷與金屬封接問題 和微波能量泄露問題間的矛盾，使陶瓷與金屬封接結(jié)構(gòu)可用于大功率磁控管上，產(chǎn)品可靠 性高、一致性好、抗沖擊性能高及耐溫性能高，有效提高了產(chǎn)品的整體性能，提高了產(chǎn)品的 成品率，降低了生產(chǎn)成本。所述陶瓷件5下端面上金屬化而形成有一層金屬封接層，所述無氧銅連接圈1的 上端焊接固連所述金屬封接層。所述陶瓷引線環(huán)7底部與無氧銅封接環(huán)6相接觸的面上金屬化而形成有一層金屬 封接面，所述無氧銅封接環(huán)6固定穿置焊接在所述金屬封接面中。本例設(shè)有兩個鎢桿。具體實(shí)施時，根據(jù)陶瓷引線的尺寸規(guī)格來調(diào)整第二扼流圈低于第一扼流圈的設(shè)定 距離，反復(fù)試驗(yàn)采用使微波能量泄露量最小或可徹底防止微波能量泄露的距離。
權(quán)利要求
一種大功率脈沖磁控管用陶瓷引線，包括無氧銅連接圈(1)、第一扼流圈(2)、至少一個鎢桿(4)和與鎢桿相同數(shù)量的第二扼流圈(3)，其特征在于以裝配方向?yàn)榛鶞?zhǔn)還包括有陶瓷件(5)和與鎢桿相同數(shù)量的無氧銅封接環(huán)(6)，該陶瓷件的上端端口中固定設(shè)有陶瓷引線環(huán)(7)，無氧銅封接環(huán)(6)固定穿置在陶瓷引線環(huán)(7)的底部，所述第二扼流圈(3)固定定位于無氧銅封接環(huán)(6)的下方，所述鎢桿(4)的上端固定穿設(shè)過第二扼流圈(3)且固定穿置在所述無氧銅封接環(huán)(6)的底部中，所述陶瓷件(5)的下端與無氧銅連接圈(1)的上端固連，第一扼流圈(2)固定定位于無氧銅連接圈(1)和陶瓷件(5)內(nèi)，第一扼流圈(2)的底部固連無氧銅連接圈(1)的內(nèi)壁，第二扼流圈(3)的底部位于第一扼流圈(2)內(nèi)，第二扼流圈(3)的下端面低于第一扼流圈(2)的上端面設(shè)定距離。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的大功率脈沖磁控管用陶瓷引線，其特征在于所述陶瓷件下 端面上形成有一層金屬封接層，所述無氧銅連接圈的上端固連所述金屬封接層。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的大功率脈沖磁控管用陶瓷引線，其特征在于所述陶瓷引線 環(huán)底部與無氧銅封接環(huán)相接觸的面上形成有一層金屬封接面，所述無氧銅封接環(huán)固定穿置 在所述金屬封接面中。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種大功率脈沖磁控管用陶瓷引線，陶瓷件的上端端口中固設(shè)有陶瓷引線環(huán)，無氧銅封接環(huán)固定穿置在陶瓷引線環(huán)的底部，第二扼流圈固定定位于無氧銅封接環(huán)的下方，鎢桿的上端固定穿設(shè)過第二扼流圈且固定穿置在無氧銅封接環(huán)的底部中，陶瓷件的下端固連無氧銅連接圈的上端，第一扼流圈固定定位于無氧銅連接圈和陶瓷件內(nèi)，第一扼流圈的底部固連無氧銅連接圈的內(nèi)壁，第二扼流圈的底部位于第一扼流圈內(nèi)，第二扼流圈的下端面低于第一扼流圈的上端面設(shè)定距離以防止微波能量的泄露，這樣使陶瓷與金屬封接結(jié)構(gòu)可用于大功率磁控管上，產(chǎn)品可靠性高、一致性好、抗沖擊性能高及耐溫性能高，可有效提高產(chǎn)品的整體性能和成品率，降低生產(chǎn)成本。
文檔編號H01J23/14GK101840833SQ20091002599
公開日2010年9月22日 申請日期2009年3月16日 優(yōu)先權(quán)日2009年3月16日
發(fā)明者曹鳴坤, 曾特清, 黃浩 申請人:昆山國力真空電器有限公司