專利名稱：：等離子體顯示面板的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
：本發(fā)明涉及等離子體顯示面板(PDP)，更具體地，涉及一種PDP,在該P(yáng)DP中尋址放電路徑被縮短使得可以發(fā)生低壓尋址并在每個實現(xiàn)預(yù)定圖像的單位單元中具有對稱放電，從而改善整體顯示質(zhì)量。
背景技術(shù)：
：在PDP中，以矩陣形式布置的多個;^文電單元插"&在;f皮此面對的上基4反與下基板之間。放電電極和多個尋址電極設(shè)置在基板上，其中放電電極包括引起共同放電的成對的掃描電極和維持電極。適當(dāng)?shù)姆烹姎怏w注入在基板之間，預(yù)定的放電脈沖施加在放電電極之間，涂敷在多個放電單元內(nèi)的熒光物質(zhì)被激發(fā)，利用產(chǎn)生的可見光實現(xiàn)預(yù)定的圖像。在該P(yáng)DP中，一個圖像幀被分成其中每個都具有不同發(fā)光頻率的多個子場，并被分時(time-shared)操作以實現(xiàn)灰度等級圖像。每個子場包括用于均勻產(chǎn)生放電的重置周期、用于選擇多個放電單元的尋址周期以及用于根據(jù)放電頻率實現(xiàn)灰度等級的維持周期。在尋址周期期間，輔助放電發(fā)生在尋址電極與掃描電極之間，使得壁電荷產(chǎn)生在所選的放電單元中，由此建立適于輔助放電的條件。通常，在選擇要被顯示的放電單元的尋址周期期間，需要高電壓，也就是需要高于維持放電的電壓。此外，隨著PDP快速地發(fā)展到全高清(HD)級別，放電單元的數(shù)量成幾何比例地增大，與分配到每個放電單元的尋址電極數(shù)量成比例地增大了電路單元的功率損耗。此外，在所謂的高氛(Xe)顯示器中，其中Xe的分壓在注入到面板中的放電氣體內(nèi)增大，發(fā)光效率增加。然而，在這種高Xe顯示器中，需要相對高的尋址電壓用于起始放電，進(jìn)一步增大了功率損耗。
發(fā)明內(nèi)容因此，本發(fā)明涉及一種PDP及其制造方法，該P(yáng)DP基本上克服了由于現(xiàn)有技術(shù)的限制和缺點(diǎn)所引起的一個或多個問題。因此，實施例的一個特征是提供一種能夠用低電壓尋址驅(qū)動的高效PDP。因此，實施例的另一個特征是提供一種其中通過實現(xiàn)高氱(Xe)顯示器而發(fā)光效率顯著改善的PDP。因此，實施例的另一個特征是提供一種高質(zhì)量的PDP，其中對稱放電產(chǎn)生在實現(xiàn)預(yù)定圖像的每個單位單元(unitcell)中，因而改善了PDP的整體顯示質(zhì)量。因此，實施例的另一個特征是提供一種PDP，其中對發(fā)光亮度不作貢獻(xiàn)的無功功率(reactivepower)的損耗可以^皮減少并防止在相鄰單元之間的》文電干涉。至少一個上述和其他的特征以及優(yōu)點(diǎn)可以通過^是供一種PDP來實現(xiàn)，該P(yáng)DP包括彼此面對的前基板和后基板；分隔壁，插設(shè)在前基板與后基板之間以限定多個單位單元，每個單位單元包括主》文電空間、輔助放電空間和臺階空間(stepspace),輔助;改電空間和臺階空間沿分隔壁的階梯狀側(cè)壁在主放電空間的相反側(cè)；成對的掃描電極和維持電極，分別布置為鄰近輔助放電空間和臺階空間；尋址電極，在鄰近輔助》文電空間的位置處延伸跨過掃描電極；磷光體層，至少形成在主放電空間中；以及填充單位單元的放電氣體。輔助放電空間和臺階空間可以連接到主放電空間并與主》文電空間形成單位單元。輔助放電空間和臺階空間可以關(guān)于主》文電空間^波此對稱。維持電極和掃描電極可以具有X-X-Y-Y的電極布置，維持電極為X而掃描電極為Y,使得維持電極在相鄰單元中彼此鄰近且掃描電極在相鄰單元中彼此鄰近。分隔壁的階梯狀側(cè)壁可以包括具有相對較大寬度的基部(basepart)以及從基部的中央突出的具有相對窄寬度的突出部(projectionpart)。分隔壁的基部的寬度可以基本與在一條匯流電極(buselectrode)的外邊緣與相鄰單位單元中的相鄰匯流電極的外邊緣之間的距離基本相同，每個匯流電極的外邊緣面向且遠(yuǎn)離相應(yīng)的相鄰匯流電極。掃描電極的匯流線的一端可以布置為對應(yīng)并重疊基部的一端并與該基部的一端交疊?；亢蛼呙桦姌O的匯流線可以在鄰近主放電空間的端部處彼此交疊。PDP還可以包括在輔助放電空間中在基部的頂表面上的電子發(fā)射材料層。電子發(fā)射材料層可以沿輔助放電空間中基部的頂表面和輔助空間中突出部的側(cè)面連續(xù)地形成。電子發(fā)射材料層可以形成在主放電空間上并沿輔助;改電空間中基部的頂表面和輔助空間中突出部的側(cè)面形成?；康膫?cè)面可以遠(yuǎn)離主方丈電空間凹入?；康膫?cè)面可以向主》文電空間凸出。磷光體層可以不形成在輔助放電空間中基部的頂表面上。磷光體層可以延伸到在主放電空間一側(cè)的臺階空間。磷光體層可以延伸到在主》文電空間兩側(cè)的臺階空間和輔助;故電空間。磷光體層可以形成為在主放電空間中具有最大的厚度。最大厚度可以與分隔壁的臺階表面的高度基本相同。高氙(Xe)氣體可以用作放電氣體。至少一個上述和其他的特征以及優(yōu)點(diǎn)可以通過提供一種制造PDP的方法來提供，該方法包括在相對的前基板與后基板之間插設(shè)分隔壁以限定包括主放電空間、輔助;改電空間和臺階空間的多個單位單元，輔助;故電空間和臺階空間沿分隔壁的臺階表面在主放電空間的相反側(cè)；在前基板上設(shè)置成對的維持電極和掃描電極，掃描電極布置為靠近輔助放電空間，維持電極布置為靠近臺階空間；在后基板上設(shè)置多個尋址電極，尋址電極在至少鄰近輔助放電空間的位置處延伸跨過掃描電極；至少在主放電空間中形成磷光體層；以及在主放電空間、輔助放電空間和臺階空間中填充》文電氣體。通過參照附圖具體描述示范性實施例，對于本領(lǐng)域的技術(shù)人員來說，上述和其它的特征以及優(yōu)點(diǎn)將變得更加明顯，附圖中圖1示出了根據(jù)實施例的PDP的分解透視圖；圖2示出了沿圖1中的線II-II提取的圖1中示出的PDP的截面圖；圖3示出了圖1的掃描電極和維持電極的配置的平面圖；圖4示出了從圖1的PDP取出的PDP的主要部分的分解透視圖；圖5示出了根據(jù)另一實施例的PDP的分解透視6圖6示出了沿圖5的線VI-VI提取的圖5的PDP的截面圖7示出了根據(jù)另一實施例的PDP的分解透視圖8示出了沿圖7的線VIII-VIII提取的圖7的PDP的截面圖;圖9示出了圖8的修改PDP的截面圖IO示出了圖8的另一修改PDP的截面圖11示出了根據(jù)另一實施例的PDP的分解透視圖12示出了圖11中示出的分隔壁的平面圖；以及圖13示出了圖12的修改分隔壁的平面圖。具體實施例方式現(xiàn)在將參照附圖在下文中更充分地描述示例性實施例；然而，它們可以以不同的形式實施，并且不應(yīng)被解釋為限于此處所述的實施例。并且，才是供這些實施例是為了使本公開透徹和完整，并將本發(fā)明的范圍充分傳達(dá)給本領(lǐng)域的技術(shù)人員。在附圖中，為了清晰起見，層和區(qū)域的尺寸可以被夸大。還應(yīng)當(dāng)理解，當(dāng)稱一層或元件在另一層或基板"上"時，它可以直接在另一層或基板上，或者還可以存在中間層。此外，將理解當(dāng)稱一層在另一層"下"時，它可以直接在另一層下，還可以存在一個或多個中間層。此外，將理解當(dāng)稱一層在兩個層"之間"時，它可以是兩個層之間唯一的層，或者還可以存在一個或多個中間層。相同的附圖標(biāo)記始終指代相同的元件。圖1示出了才艮據(jù)實施例的PDP的分解透^L圖。圖2示出了沿圖1中的線II-II提取的圖1中示出的PDP的截面圖。PDP可以包括前基板110、后基板120和分隔壁(partitionwall)124。前基板110和后基板120可以間隔開并彼此面對，分隔壁124可以將前基板110與后基板120之間的空間分隔成多個單位單元S。由分隔壁124劃分的單位單元S可以是實現(xiàn)預(yù)定顯示的最小發(fā)光單元。單位單元S可以包括成對的維持電極X和掃描電極Y，被布置成產(chǎn)生共同的(mutual)顯示放電；以及尋址電極122,在垂直于成對的維持電極X和掃描電極Y的方向上延伸。單位單元S可以形成與相鄰單位單元S分開的發(fā)光區(qū)域。維持電極X和掃描電極Y可以分別包括匯流電極112X和透明電極113X以及匯流電極112Y和透明電極113Y。匯流電極112X和112Y可以用作驅(qū)動電的供應(yīng)線并可以延伸跨過單位單元S。透明電極113X和113Y可以由透光導(dǎo)電材料形成。尋址電極122可以設(shè)置在后基板120上，并可以與掃描電極Y—起進(jìn)4亍尋址放電。這里，在顯示放電之前的尋址放電可以^皮表示為通過在每個單位單元S中積累起動粒子(primingparticle)來支持顯示》文電的輔助放電。尋址放電可主要產(chǎn)生在由分隔壁124限定的輔助放電空間Sl中。也就是，尋址放電可以發(fā)生在輔助放電空間Sl處或至少發(fā)生在鄰近輔助放電空間Sl的位置處，在該輔助;改電空間Sl處掃描電極Y和尋址電才及122彼此交叉。施加在掃描電極Y和尋址電極122之間的放電電壓可以被覆蓋掃描電極Y的電介質(zhì)層114和設(shè)置在尋址電極122上的分隔壁124集中在輔助》文電空間Sl中。因此，足以起始放電的高電場可形成在輔助放電空間Sl中。輔助放電空間Sl可以不被其它壁結(jié)構(gòu)物理地隔開，但可以從主》文電空間SP延伸以與主放電空間SP—起形成空間(例如單位單元S)。由于尋址放電而形成在輔助放電空間Sl中的起動粒子可以自然地擴(kuò)散到主放電空間SP并可以參與顯示方文電。輔助;改電空間Sl可以由階梯狀的分隔壁124限定，并可以具有比主》文電空間SP小的方文電體積。臺階空間S2可以形成在維持電極X側(cè)。因此，臺階空間S2可以關(guān)于主》丈電空間SP與輔助方文電空間Sl對稱。尋址電極122可以被設(shè)置在后基板120上的電介質(zhì)層121覆蓋，分隔壁124可以形成在電介質(zhì)層121的平坦形成的頂表面上。分隔壁124可以1象臺階一樣成形為具有基部124a和突出部124b。基部124a可以具有寬度Wa，并可以插設(shè)在前基板110和后基板120之間，其中寬度Wa大于突出部124b的寬度?；?24a可以在電介質(zhì)層121上。突出部124b可以從基部124a的中央向前基板110突出。突出部124b可以與保護(hù)層115接觸。另外，維持電極X可與相鄰的掃描電極Y關(guān)于其之間的主》文電空間SP的中心對稱。覆蓋掃描電極Y的電介質(zhì)層114和/或保護(hù)層115和設(shè)置在尋址電極122上的基部124a可以形成彼此面對的放電表面，由此可以使尋址放電主要發(fā)生在輔助放電空間S1內(nèi)。換句話說，電場可以通過覆蓋掃描電極Y的電介質(zhì)層114和/或保護(hù)層115以及形成在尋址電極122上的分隔壁124的高介電常數(shù)而主要集中在輔助放電空間Sl中。此外，以電介質(zhì)層114的頂表面和;、、、'。日傳統(tǒng)地，放電通過長程放電路徑(例如單位單元的高度)產(chǎn)生在掃描電極Y與尋址電極122之間。然而，根據(jù)當(dāng)前實施例的壁結(jié)構(gòu)，其中具有預(yù)定出并延伸到單位單元中，掃描電極Y與尋址電極122之間的放電路徑可以縮短到放電間隙g的尺寸。放電間隙g可以具有與保護(hù)層115的底表面與基部124a的上表面之間的距離基本相同的距離。因此，驅(qū)動損耗功率可以被減少，原因在于相同量的起動粒子可以通過使用較低的尋址電壓產(chǎn)生。此外，由于更多的起動粒子可以通過采用現(xiàn)有技術(shù)中使用的相同尋址電壓來產(chǎn)生，所以可以改善發(fā)光效率。分隔壁124可以由具有高于預(yù)定值的介電常數(shù)的材料形成，由此可以通過分隔壁124的基部124a形成輔助放電空間Sl中的高尋址電場。例如，分隔壁124可以由包括PbO、B203、Si02和Ti02的電介質(zhì)材料形成。圖3示出了在掃描電極Y和維持電極X之間的布置的平面圖。參照圖3，掃描電極Y和維持電極X可以不是如XYXY—樣交替地布置，而是相反地，可以布置為使得相同類型的電極在相鄰的單位單元S中彼此相鄰，例如YXXY。更具體地，由于掃描電極Y、維持電極X、維持電極X和掃描電才及Y可以以此順序依次布置，所以一個維持電才及X可以布置為鄰近相鄰單位單元S的維持電極X,同時一個掃描電極Y可以布置為鄰近相鄰單位單元S的掃描電極Y。如果掃描電極Y、維持電極X、掃描電極Y和維持電極X以此順序交替地布置，則相鄰單位單元S中的掃描電極Y和維持電極X可以布置為彼此相鄰。因此，可能會產(chǎn)生錯誤放電(mis-discharge)，例如維持放電超過了單位單元S的邊界。此外，因為掃描電極Y和維持電極X根據(jù)電極的交替布置而彼此相鄰，所以高電容值可以基于不同路徑形成于掃描電極Y和維持電極X之間。例如，由于電介質(zhì)層114具有比放電氣體高大約12倍的電容率(permittivity),所以可增加無功功率損耗并且可降低驅(qū)動效率。因此，通過布置電極佳j尋相同類型的電極彼此相鄰，可防止^l普誤;故電并且可以由于減小的無功功率而實現(xiàn)驅(qū)動效率的改善。因為維持電極X和掃描電極Y可以;故電介質(zhì)層114覆蓋以防止^皮暴露到放電環(huán)境，所以維持電極X和掃描電極Y可以祐:保護(hù)而不與參與方文電的帶電粒子直接碰撞。電介質(zhì)層114可以通過被由例如MgO膜形成的保護(hù)層115覆蓋受到保護(hù)。保護(hù)層115可以引起二次電子發(fā)射并可有助于激活;改電(activatedischarge)。圖4示出了從圖1的PDP取出的PDP的主要部分的分解透視圖。關(guān)于分隔壁124的結(jié)構(gòu)，基部124a的寬度Wa可以與面對掃描電才及Y的放電區(qū)域相關(guān)，還可以與整個單位單元S的放電體積相關(guān)。當(dāng)基部124a的寬度Wa形成得小于最優(yōu)級別時，面對掃描電極Y的放電區(qū)域會^L減小，尋址放電不會順利地發(fā)生。當(dāng)基部124a的寬度Wa大于最優(yōu)級別時，基部124a在放電區(qū)域中占據(jù)的區(qū)域會增大，從而減小了放電體積。例如，當(dāng)寬度Wa與一個匯流電極112Y與相鄰匯流電極112Y之間的距離相同時，可以達(dá)到基部124a的寬度的最優(yōu)級別。此外，當(dāng)匯流電極112Y的一端布置為對應(yīng)于基部124a的一端時，可以達(dá)到寬度Wa的最優(yōu)級別。匯流電極112Y和基部124a可以布置為在鄰近主放電空間的端部處彼此重疊(overlap)。為了利用掃描電極Y保證足夠的放電區(qū)域并為了具有適當(dāng)?shù)姆烹婓w積，匯流電極112Y的一端可以布置為對應(yīng)于基部124a的一端。例如，匯流電極112Y的一端可以垂直與基部124a的一端。為了促進(jìn)尋址放電，匯流電極112Y和基部124a可以布置為彼此重疊。此外，基部124a的寬度Wa可以不超過從一個匯流電極(例如112Y)到相鄰的匯流電極(例如112Y)的距離，從而可以保證最大的放電體積。然而，考慮到在制造工藝中通常允許的布置誤差，基部124a的寬度Wa可以設(shè)計得足夠大以具有備用的裕度e。裕度e可以小于主放電空間SP的一半寬度。集中在輔助放電空間Sl中的尋址;改電可以提供起動粒子以起始顯示放電，而不是直接提供顯示放電。當(dāng)在尋址放電期間產(chǎn)生的放電光不可避免地隨顯示亮度暴露到外部時，模糊的亮度噪聲可以形成在有源像素周圍并會降低顯示清晰度。在當(dāng)前實施例中，通過利用匯流電極112Y(其通常由金屬導(dǎo)電材料形成)的不透光性質(zhì)，并且通過將匯流電極112Y布置在基部124a上的集中尋址放電的位置，可以防止亮度噪聲的產(chǎn)生和大量的放電光，同時改善對比度特性。在當(dāng)前實施例中，形成在掃描電極Y側(cè)的輔助;改電空間Sl可用于產(chǎn)生集中的尋址放電。臺階空間S2可以形成在維持電極X側(cè)。由此，臺階空間S2可以關(guān)于主》丈電空間SP與輔助;改電空間Sl對稱。因為單位單元S是對稱的，所以顯示放電不會向掃描電極Y或維持電極X中的任一個傾斜，相反，可以具有含相同放電強(qiáng)度的對稱放電。因此，單位單元S中的亮度分布可以是對稱的，其中表示最高亮度的發(fā)光中心通?？梢允菃挝粏卧猄的幾何中心。因此，可以防止由于非對稱的亮度分布引起的顯示質(zhì)量退化。液體的石粦光體漿并牛(paste)可以涂l丈在分隔壁124之間，例如主方文電空間SP，液體磷光體漿料可以硬化為磷光體層125。磷光體層125可以與由于10如，根據(jù)要實現(xiàn)的顏色，R、G和B磷光體層125可以形成在單位單元S中，因此每個單位單元S可以分為R、G和B子像素。在其中具有寬度Wa的基部124a設(shè)置在單位單元S的兩側(cè)的結(jié)構(gòu)中，可設(shè)置凹槽r以將磷光體漿料保持在單位單元S的中央,從而磷光體層125可以集中在單位單元S的中央。凹槽r可以在其邊緣具有最大高度，該最大高度可以與基部124a的高度基本相同。也就是，當(dāng)涂敷磷光體漿料時，磷光體漿料的流動可以被布置在單位單元S兩側(cè)的基部124a阻擋，從而磷光體層125可以集中在單位單元S的中央。由于具有最大厚度T的磷光體層125集中在單位單元S的中心處，其中在該單位單元S的中心處紫外線被發(fā)生于掃描電極Y和維持電極X之間的顯示放電集中，所以可以增大紫外線的轉(zhuǎn)換效率，這導(dǎo)致發(fā)光亮度增大。如上所述，磷光體層125可以集中在基部124a之間的凹槽r中。然而，實施例不限于此，磷光體層125還可以形成在單位單元S的其它部分中，也就是如圖1、圖2和圖4所示的基部124a的頂表面和/或突出部124b的側(cè)表面。具體地，涂覆工藝可用于在單位單元S的其它部分中形成磷光體層125,在該涂覆工藝中磷光體漿料可以被連續(xù)地涂敷S,過一行單位單元S。此外，放電氣體可以注入到單位單元S中作為產(chǎn)生紫外線的源。放電氣體的示例可以包括多種氣體，其中氤(Xe)、氪(Kr)、氦(He)和氖(Ne)以固定的體積比率混合。通常，增大氛(Xe)比率的高氱(Xe)顯示面板可以具有高的發(fā)光效率。然而，由于高氛(Xe)顯示面板需要高的起始電壓，這需要進(jìn)一步增加驅(qū)動功率損耗并需要重新設(shè)計用于容納增大的電功率的電路，所以限制了高氙(Xe)顯示面板的實際及廣泛的應(yīng)用。然而，才艮據(jù)其中適于尋址放電的高電場穿過分隔壁124a的基部124a形成的當(dāng)前實施例，可以保證足夠的用于起始放電的起動粒子，從而可以實施高氣(Xe)等離子體顯示而不顯著增大放電起始電壓，從而改善發(fā)光效率。下面的表1示出了通過在相同的驅(qū)動條件下對比根據(jù)本實施例的PDP與傳統(tǒng)PDP而獲得的結(jié)果。發(fā)光效率可以定義為作為輸出的發(fā)光亮度(cd/m2)除以作為輸入的損耗功率(W)。表1<table>tableseeoriginaldocumentpage11</column></row><table><table>tableseeoriginaldocumentpage12</column></row><table>在氙(Xe)含量為11°/。、維持放電電壓為202V以及尋址電壓為57V的相同驅(qū)動條件下比較發(fā)光效率，根據(jù)當(dāng)前實施例的PDPI可以獲得比傳統(tǒng)PDP高大約13.3%的發(fā)光效率。在與根據(jù)本實施例的PDPI的驅(qū)動條件相同，除了將氙(Xe)含量從ll。/。增大到15%之外的驅(qū)動條件下，根據(jù)本實施例的PDPII可以獲得比根據(jù)本實施例的PDPI高大約13.7°/。的發(fā)光效率。對比根據(jù)本實施例的PDPI和PDPII,盡管氛(Xe)含量從11%增大到15%,但是兩個PDP可以以相同的尋址電壓和維持放電電壓驅(qū)動，這是因為采用了階梯狀的壁結(jié)構(gòu)，從而高電場可以集中于其中。圖5示出了根據(jù)另一實施例的PDP的分解透視圖。圖6示出了沿圖5的線VI-VI提取的圖5的PDP的截面圖。參照圖5和圖6，由于分隔壁124可以插設(shè)在前基板110和后基板120之間，所以單位單元S可以;故分隔。單位單元S可以包括主方文電空間SP、輔助放電空間SI和臺階空間S2。輔助;改電空間SI可以-故包4舌基部124a和突出部124b的階梯狀分隔壁124限定。與輔助放電空間SI—起，臺階空間S2可以制備在分隔壁124的突出部124b的另一側(cè)以對稱地形成單位單元S。此外，分隔壁124的基部124a可以提供適于保持磷光體漿料的凹槽r。磷光體層225可以形成在每個凹槽r中。凹槽r在其邊鄉(xiāng)彖可以具有與分隔壁124的基部124a基本相同的高度。在當(dāng)前實施例中，磷光體層225可以不形成在與輔助放電空間SI連接的分隔壁124上，具體地，磷光體層225可以不形成在基部124a(其與掃描電極Y用作放電表面)上。在下文中，將更充分地描述根據(jù)當(dāng)前實施例的PDP。磷光體材料(每個包括不同的材料)具有可影響放電環(huán)境的不同電特性。例如，硅酸鋅系統(tǒng)(例如，Zn2Si04:Mn)的G磷光體材料的表面電勢是帶負(fù)電的，而R和B磷光體材料(例如Y(V,P)04:Eu或BAM:Eu)的表面電勢是帶正電的。因此，為了消除磷光體材料的放電干涉(intervention)并形成均勻的放電空間，磷光體材料可以通過不涂敷在輔助放電空間Sl中而與尋址放電路徑隔離。如果磷光體材料直接暴露到尋址放電路徑，即使施加相同的尋址電壓，實際施加在輔助放電空間Sl的尋址電壓也可以才艮據(jù)根據(jù)磷光體材料的電特性而每個不同。換句話說，由于帶負(fù)電的G磷光體材料可以降孑氐尋址電壓而帶正電的R和B磷光體材料可以增大尋址電壓，所以實際施加在輔助放電空間Sl中的7>共尋址電壓可以每個不同，因此可以減少尋址電壓裕度。通過將單位單元S在空間上分隔成主放電空間(其中顯示放電被集中)和輔助放電空間Sl(其中尋址放電被集中)并將磷光體材料選擇性地不涂敷在輔助放電空間Sl中，從外部施加的尋址電壓不會基于磷光體材料的電特性而變形。因此，尋址電壓可以改為一致地(instead)傳輸?shù)剿休o助放電空間Sl，使得可以顯著地增大尋址電壓凈谷度。此外，由于當(dāng)施加相同的尋址電壓時可積累更多的起動粒子，所以即使用低尋址電壓，也可以獲得相同的放電效果，并且可以增加在顯示放電中的放電強(qiáng)度。此外，磷光體材料可以不被涂敷在輔助放電空間Sl(其中尋址放電被集中)中，使得在尋址放電期間可以去除由于磷光體材料的背景光并可以實現(xiàn)具有高對比度的高質(zhì)量顯示。圖7示出了根據(jù)另一實施例的PDP的分解透視圖，圖8示出了沿圖7的線VIII-VIII提取的圖7的PDP的截面圖。參照圖7和圖8,由于階梯狀分隔壁124插^殳在前基板U0和后基板120之間，所以可以分隔單位單元S。主放電空間、鄰近并連接到主放電空間SP的輔助;改電空間Sl以及臺階空間S2可以由包括基部124a和突出部124b的階梯狀分隔壁124形成。此外，分別形成在分隔壁124的左側(cè)和右側(cè)的輔助放電空間Sl和臺階空間S2可以關(guān)于主放電空間SP彼此對稱，由此單位單元S可以以對稱的形式形成。具體地，在當(dāng)前實施例中，電子發(fā)射材料層335可以形成在基部124a的面對掃描電極Y的頂表面上。電子發(fā)射材料層335可以包括響應(yīng)放電電場誘發(fā)電子發(fā)射的材料。誘發(fā)電子發(fā)射的材料的示例可以包括MgO納米粉(power)、Sr-CaO薄膜、碳粉、金屬粉、MgO漿料、ZnO、BN、MIS納米粉、OPS納米粉、ACE和CEL。電子發(fā)射材料層335可以響應(yīng)集中在輔助;改電空間Sl中的高電場而向輔助;改電空間Sl4是供二次電子，使得可促進(jìn)放電啟動并可起動放電。電子發(fā)射材料層335還可以設(shè)置在臺階空間S2中以最大化單元內(nèi)的對稱性。圖9示出了圖8的修改PDP的截面圖。參照圖9,電子發(fā)射材料層435可以沿分隔壁124和輔助放電空間Sl的界面涂敷。也就是，電子發(fā)射材料層435可以在突出部124b的側(cè)面124bs和基部124a的頂表面124as上，也就是在輔助;故電空間Sl上。由于形成在輔助放電空間Sl中的高尋址電場被有效使用并且電子發(fā)射材料層435沿與輔助放電空間Sl交界的階梯狀分隔壁124延伸，所以可以加強(qiáng)電子發(fā)射并可以激活;故電。圖IO示出了圖8的另一修改PDP的截面圖。在當(dāng)前實施例中，電子發(fā)射材料層435不被僅僅限制到輔助放電空間Sl中，而是可以延伸到主放電空間SP中。例如，通過其中注射電子發(fā)射材料的注射噴嘴從PDP的一端移動到PDP的另一端的涂敷工藝，一種電子發(fā)射材料層435可以跨過主放電空間SP和輔助放電空間Sl形成。在主》文電空間SP中，磷光體層225可以與電子發(fā)射材料層435—起形成。根據(jù)涂敷順序，磷光體層225可以形成在電子發(fā)射材料層435上。形成在其中顯示放電被集中的主放電空間SP中的電子發(fā)射材料層435可以通過在磷光體材料之間的空氣間隙(未示出)對放電電場起反應(yīng)并可以向主放電空間SP發(fā)射二次電子，從而激活顯示》文電。圖11示出了根據(jù)另一實施例的PDP的分解透^L圖。參照圖11，前基板110和后基板120可以彼此面對地設(shè)置，成對的維持電極X和掃描電極Y布置在前基板110上，尋址電極122布置在后基板120上。分隔壁624可以插設(shè)在前基板110和后基板120之間，從而分隔多個單位單元S。此外，鄰近并連接到主放電空間SP的輔助放電空間Sl可以被包括基部624a和突出部624b的階梯狀分隔壁624限定。圖12示出了圖11中示出的分隔壁624的平面圖。參照圖12，基部624a的與主放電空間SP形成界面的側(cè)面624as可以具有圍繞單元S的中心的凹入形狀。換句話說，基部624a的側(cè)面624as可以不具有簡單的線性形狀，相反地，可以具有圍繞單元S的中心的凹入形狀。由于基部624a的側(cè)面624as可以以凹入形狀形成并可以用作石岸光體材津+粘附到其上的表面，所以涂敷磷光體材料的區(qū)域可以被增大，因此可以實現(xiàn)對發(fā)光亮度的改善。此外，由于放電空間SP被凹入形成的基部624a限定，所以由放電產(chǎn)生的等離子體氣體可以靠近中心集中，可增大放電強(qiáng)度。圖13示出了圖12的^f奮改分隔壁624的平面圖.14參照圖13，基部724a的與主放電空間SP形成界面的側(cè)面724as具有向單元S的中心突出的凸起形狀。換句話說，基部724a的側(cè)面724as可以不具有簡單的線性，相反地，可以具有向單元S的中心突出的凸起形狀。由于基部724a的側(cè)面724as以凸起形狀形成并用作可粘附磷光體材料的表面，所以涂敷磷光體材料的區(qū)域可以被增大，可以實現(xiàn)對發(fā)光亮度的改善。此外，由于基部724a的面對掃描電極Y的放電區(qū)域也被增大，所以可以促進(jìn)尋址放電。根據(jù)實施例，可以實現(xiàn)一個或多個下列的效果。第一，有可能發(fā)生低電壓尋址并且/或者可實現(xiàn)高氙(Xe)顯示，使得可顯著地增大發(fā)光效率。該減小的電壓要求可以根據(jù)實施例通過在尋址電極上的分隔壁的基部與掃描電極之間提供輔助放電空間而實現(xiàn)。因此，掃描電極與尋址電極之間的放電路徑被縮短到基部與掃描電極之間的間隙尺寸。因此，與傳統(tǒng)PDP相比，由于相同量的起動粒子可以用較低的尋址電壓產(chǎn)生，所以可降低驅(qū)動功率損耗并且/或者由于更多的起動粒子可以用相同的尋址電壓產(chǎn)生，所以可以改善發(fā)光效率。因此，根據(jù)其中適于尋址放電的高電場形成在分隔壁的基部與掃描電極之間的間隙中的實施例，可以保證足以起動放電的起動粒子，使得實現(xiàn)高XePDP而不需要顯著增加放電起動電壓。因此，可以顯著改善發(fā)光效率。第二，可以在單位單元中誘發(fā)對稱放電以提供高質(zhì)量的顯示。根據(jù)實施例，在掃描電極側(cè)的輔助放電空間用于產(chǎn)生集中的尋址放電，而對稱空間可以形成在主放電空間的相反側(cè)，也就是維持電極側(cè)。因此，單位單元可以關(guān)于其中心對稱。當(dāng)單位單元是對稱的時，顯示放電不會偏向掃描電極和維持電極中的任一個，可以具有對稱的》文電。此外，可以防止單位單元中傳統(tǒng)的非對稱亮度分布。根據(jù)實施例的電極布置，維持電極或掃描電極可以布置為使得相同類型的電極在相鄰單位單元中彼此相鄰。因此，可以顯著地降低相鄰單元之間的錯誤放電或者通過形成在單元邊界中的電容浪費(fèi)的無功功率損耗。這里已經(jīng)公開了示范性實施例，盡管采用了特定的術(shù)語，它們被使用并僅以通常和描述的意義來解釋而不是為了限制的目的。因此，本領(lǐng)域技術(shù)人員應(yīng)當(dāng)理解，可以在形式和細(xì)節(jié)上做出各種變化而不背離由權(quán)利要求書所闡述的本發(fā)明的精神和范圍。在此結(jié)合2008年8月12日提交到韓國知識產(chǎn)權(quán)局的、發(fā)明名稱為"等離子體顯示面板"的韓國專利申請No.10-2008-0078719的全部內(nèi)容作為參考。權(quán)利要求1.一種等離子體顯示面板，包括彼此面對的前基板和后基板；分隔壁，插設(shè)在所述前基板與所述后基板之間以限定多個單位單元，每個單位單元包括主放電空間、輔助放電空間和臺階空間，所述輔助放電空間和所述臺階空間沿所述分隔壁的階梯狀側(cè)壁在所述主放電空間的相反側(cè)；成對的掃描電極和維持電極，分別布置為鄰近所述輔助放電空間和所述臺階空間；尋址電極，在鄰近所述輔助放電空間的位置處延伸跨過所述掃描電極；磷光體層，至少形成在所述主放電空間中；以及放電氣體，填充所述單位單元。2.如權(quán)利要求1所述的等離子體顯示面板，其中所述輔助放電空間和所述臺階空間連接到所述主放電空間并與所述主放電空間形成所述單位單元。3.如權(quán)利要求2所述的等離子體顯示面板，其中所述輔助;汰電空間和所述臺階空間關(guān)于所述主放電空間彼此對稱。4.如權(quán)利要求1所述的等離子體顯示面板，其中所述維持電極和所述掃描電極具有X-X-Y-Y的電極布置，所述維持電極為X,所述掃描電極為Y，使得所述維持電極在相鄰單元中彼此鄰近且所述掃描電極在相鄰單元中彼此鄰近。5.如權(quán)利要求1所述的等離子體顯示面板，其中所述分隔壁的所述階梯狀側(cè)壁包括具有相對較大寬度的基部以及從所述基部的中央突出的具有相對窄寬度的突出部。6.如權(quán)利要求5所述的等離子體顯示面板，其中所述基部和所述掃描電^l的匯流線布置為;f皮此交疊。7.如權(quán)利要求5所述的等離子體顯示面板，其中所述分隔壁的所述基部的寬度與一個匯流電極的外邊緣和相鄰單位單元中的相鄰匯流電極的外邊緣之間的距離基本相同，每個匯流電極的外邊緣面向且遠(yuǎn)離相應(yīng)的相鄰匯流電極。8.如權(quán)利要求5所述的等離子體顯示面板，其中所述掃描電極的匯流線的一端布置為對應(yīng)并交疊所述基部的一端。9.如權(quán)利要求8所述的等離子體顯示面板，其中所述基部和所述掃描電極的所述匯流線在鄰近所述主放電空間的端部處彼此重疊。10.如權(quán)利要求5所述的等離子體顯示面板，還包括在所述輔助放電空間中在所述基部的頂表面上的電子發(fā)射材料層。11.如權(quán)利要求IO所述的等離子體顯示面板，其中所述電子發(fā)射材料層沿所述輔助放電空間中所述基部的頂表面和所述輔助空間中所述突出部的側(cè)面連續(xù)i也形成。12.如權(quán)利要求IO所述的等離子體顯示面板，其中所述電子發(fā)射材料層形成在所述主放電空間上并且沿所述輔助;改電空間中所述基部的頂表面形成。13.如權(quán)利要求5所述的等離子體顯示面板，其中所述基部的側(cè)面凹入遠(yuǎn)離所述主》欠電空間。14.如權(quán)利要求5所述的等離子體顯示面板，其中所述基部的側(cè)面向所述主》文電空間凸出。15.如權(quán)利要求5所述的等離子體顯示面板，其中所述磷光體層不形成在所述基部的與所述輔助放電空間交界的頂表面上。16.如權(quán)利要求1所述的等離子體顯示面板，其中所述磷光體層在所述主方文電空間一側(cè)的所述臺階空間上。17.如權(quán)利要求1所述的等離子體顯示面板，其中所述磷光體層在所述主放電空間兩側(cè)的所述臺階空間和所述輔助放電空間上。18.如權(quán)利要求17所述的等離子體顯示面板，其中所述磷光體層形成為在所述主放電空間中具有最大的厚度。19.如權(quán)利要求18所述的等離子體顯示面板，其中所述最大厚度與所述分隔壁的所述階梯狀側(cè)壁中臺階的高度基本相同。20.如權(quán)利要求1所述的等離子體顯示面板，其中所述;^文電氣體是高氱氣體。全文摘要本發(fā)明提供了一種等離子體顯示面板。該等離子體顯示面板(PDP)包括彼此面對的前基板和后基板；分隔壁，插設(shè)在前基板與后基板之間以限定多個單位單元，每個單位單元包括主放電空間、輔助放電空間和臺階空間，輔助放電空間和臺階空間沿分隔壁的階梯狀側(cè)壁在主放電空間的相反側(cè)；成對的掃描電極和維持電極，分別布置為鄰近輔助放電空間和臺階空間；尋址電極，在鄰近輔助放電空間的位置延伸跨過掃描電極；磷光體層，至少形成在主放電空間中；以及填充單位單元的放電氣體。文檔編號H01J11/36GK101651072SQ20091016589公開日2010年2月17日申請日期2009年8月12日優(yōu)先權(quán)日2008年8月12日發(fā)明者孫承賢申請人:三星Sdi株式會社