專利名稱：等離子體處理設(shè)備的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及半導(dǎo)體制造設(shè)備。
背景技術(shù)：
在用于依靠等離子體來進行處理加丄的設(shè)備(卜文中被稱為"等 離子體處理設(shè)備")中，在處理中的等離子體放電是確定處理特性的 重要參數(shù)之一。
然而，通過這種設(shè)備，存在一個問題，即，等離子體消耗的功率 不是恒定的，并且處理的狀態(tài)不穩(wěn)定。這是由處理腔中的等離子體阻 抗的變化引起的，該阻抗的變化是由于在處理中產(chǎn)生的反應(yīng)產(chǎn)物在處 理腔中的沉積以及由于在處理腔中的組成部件的單獨變化引起的。
隨著半導(dǎo)體電路元件的小型化，提高在處理期間的利用等離子體 放電的處理的穩(wěn)定性變得愈發(fā)重要。
關(guān)于涉及阻抗控制的技術(shù)，日本專利公開No.60-206028 (專利文 獻1)公布了等離子體控制設(shè)備的結(jié)構(gòu)，該等離子體控制設(shè)備在等離子 體處理中不斷地監(jiān)測等離子體阻抗變化，通過將監(jiān)測到的等離子體阻 抗反饋給氣體供應(yīng)系統(tǒng)，使得等離子體阻抗恒定，從而穩(wěn)定等離子體 放電。
日本專利公開No.2003-142455 (專利文獻2)公布了等離子體處 理設(shè)備和方法，如下所述，該等離子體處理設(shè)備和方法使得在將功率 損耗最小化的同時獲得具有改善的穩(wěn)定性的等離子體。在電極處設(shè)置 阻抗測量裝置。測量在等離子體放電期間從電極到真空處理腔的阻抗和相位值，從而估計和確定等離子體的狀態(tài)和功率損耗的狀態(tài)。為了 對電容性阻抗進行調(diào)整，根據(jù)估計結(jié)果，通過細調(diào)在不脫離處理條件 的范圍內(nèi)的，包括氣體流動速度、壓力和溫度的處理條件參數(shù)，并且 通過利用電動機來改變電極之間的距離，改變腔內(nèi)的介電常數(shù)。通過 按照這種方式進行阻抗調(diào)整，可以獲得具有改善的穩(wěn)定性的等離子體。
日本專利公開No.2002-316040 (專利文獻3)公布了等離子體處 理設(shè)備和方法，其中，設(shè)置有以下的阻抗測量裝置，所述阻抗測量裝 置能夠測量在等離子體放電期間負載側(cè)電極和阻抗匹配裝置之間的送 電線路的阻抗，并且測量結(jié)果被反饋到阻抗控制器，以將由于在送電 線路中產(chǎn)生的電感成分所引起的功率損耗減少到最小。
通過本發(fā)明給出下面的分析在專利文獻1到3中描述的等離子 體處理設(shè)備中，用于與從射頻電源提供到處理腔的射頻功率相對，進 行阻抗匹配的匹配電路進行控制，從而處理腔和匹配電路的合成阻抗 (resultant impedance)始終是恒定值，從而防止了到射頻電源的反射 波。因為實際的處理腔的內(nèi)部由很多部件組成，因此需要將在下電極 和GND之間沒有形成等離子體的區(qū)域內(nèi)的阻抗(電極阻抗)和有等離 子體形成的區(qū)域內(nèi)的阻抗(等離子體阻抗)考慮作為處理腔中的阻抗。 因為通過等離子體處理，反應(yīng)產(chǎn)物被沉積在下電極的附近，所以，由 于產(chǎn)物的固有介電常數(shù)，電極阻抗(主要是靜電電容成分)隨著時間 變化。同樣，當(dāng)組成部件(通常是下電極的周圍部件)在處理腔的維 護期間改變時，由于組成部件的阻抗的單獨變化的影響，電極阻抗變 化。此外，即使當(dāng)組成部件沒有改變時，由于組成部件的組裝狀態(tài)的 影響，阻抗也可能變化。

發(fā)明內(nèi)容
根據(jù)本發(fā)明，提供了一種等離子體處理設(shè)備，該設(shè)備包括射頻 電源，其輸出相對于參考電勢的射頻功率；切換裝置，其連接到所述
射頻電源；電極，其連接到所述切換裝置；阻抗控制裝置，其連接在
7所述電極和所述參考電勢之間；阻抗測量裝置，其連接在所述切換裝 置和所述參考電勢之間；和控制器，其根據(jù)由所述阻抗測量裝置測量 的阻抗的值，控制所述阻抗控制裝置。在所述等離子體處理設(shè)備中， 所述切換裝置在等離子體處理期間將所述電極連接到所述射頻電源， 并且當(dāng)所述阻抗測量裝置測量所述切換裝置和所述參考電勢之間的阻 抗時，將所述電極連接到所述阻抗測量裝置。
根據(jù)本發(fā)明，由于可以抑制由于附著在處理腔內(nèi)的產(chǎn)物等引起的 電極阻抗隨著時間的變化，從而防止用于等離子體所消耗的射頻功率 (在沒有用于等離子體而被消耗的情況下傳遞到參考電勢側(cè)的功率 (功率損耗))的變化。結(jié)果，穩(wěn)定了用于等離子體而消耗的功率，
從而實現(xiàn)了在等離子體處理期間的處理特性的狀態(tài)的穩(wěn)定。


結(jié)合附圖，根據(jù)特定優(yōu)選實施模式的以下說明，本發(fā)明的以上和
其它目的、優(yōu)點以及特征將會變得更加清楚，其中
圖1是示出在本發(fā)明的第一實施例中的布置的圖2是示出對于本發(fā)明的第一實施例的等效電路的圖3示出了從晶片安裝表面?zhèn)瓤吹南码姌O、導(dǎo)電環(huán)和電介質(zhì)構(gòu)件
的俯視圖(上面的圖形)，以及沿著在上面的圖形中的線A-A截取的
橫截面圖(下面的圖形)；以及
圖4是示出在本發(fā)明的第二實施例中的布置的圖。
具體實施例方式
這里將參照說明性實施例描述本發(fā)明。本領(lǐng)域技術(shù)人員將意識到， 利用本發(fā)明的指導(dǎo)，可以完成許多可選擇的實施例，并且本發(fā)明不限 制于為解釋性目的而說明的實施例。
將會參照所附附圖描述根據(jù)本發(fā)明的第一實施例的等離子體處理 設(shè)備。圖1是示意性地示出用于根據(jù)本發(fā)明的第一實施例的等離子體處
理設(shè)備的布置的圖。在圖1中，導(dǎo)電構(gòu)件(導(dǎo)電環(huán))20被設(shè)置在下電 極2的外圍部分的附近。由絕緣材料形成的電介質(zhì)構(gòu)件21被設(shè)置在導(dǎo) 電環(huán)20和下電極2之間。電容器被形成在導(dǎo)電環(huán)20和下電極2之間。 即，電介質(zhì)構(gòu)件21對于形成在導(dǎo)電環(huán)20和下電極2之間的電容器用 作電介質(zhì)。
當(dāng)在下電極2和導(dǎo)電環(huán)20中的之一或兩者上進行用于通過陽極化 等來形成絕緣膜的表面處理時，沒有必要分離地設(shè)置電介質(zhì)構(gòu)件21。 這是因為表面處理的部分能用作電介質(zhì)構(gòu)件21。
導(dǎo)電環(huán)20連接到阻抗控制裝置22的一端，并且阻抗控制裝置22 的另一端接地(連接到參考電勢)。
在用于將射頻功率提供給下電極2的線路中，設(shè)置切換裝置24。 切換裝置24可以通過將下電極2從阻抗匹配裝置6斷開而進行切換， 并且將下電極2連接到阻抗測量裝置23。切換裝置24可以包括開關(guān)。
在上電極3偵ij，設(shè)置切換裝置25以將上電極3從GND (參考電 勢)斷開。切換裝置25可以包括開關(guān)。
控制器26根據(jù)利用阻抗測量裝置23所監(jiān)測的值來控制阻抗控制 裝置22。
在圖3中的上面的圖形是從晶片1安裝表面?zhèn)瓤慈サ南码姌O2、 導(dǎo)電環(huán)20和電介質(zhì)構(gòu)件21的平面圖。在圖3中的下面的圖形是沿著 在圖3中的上面的圖形中的線A-A截取的橫截面圖。電介質(zhì)構(gòu)件21被 設(shè)置在下電極2和導(dǎo)電環(huán)20之間的空隙中，從而形成電容器。再次參照圖1，經(jīng)由管道系統(tǒng)(氣體供應(yīng)系統(tǒng))將處理原料氣體 供應(yīng)到處理腔4，并且依靠排氣系統(tǒng)在處理腔4內(nèi)進行壓力控制，從而 維持恒定壓力。
當(dāng)將來自射頻電源5的射頻功率施加到下電極2時，切換裝置24 被操作，從而使下電極2連接到阻抗匹配裝置6，并且切換裝置25操 作，從而使電極3接地。經(jīng)由阻抗匹配裝置6將來自射頻電源5的射 頻功率施加到處理腔4中的下電極2，從而在下電極2和上電極3之間 形成等離子體。
阻抗匹配裝置6進行阻抗匹配，從而射頻功率被有效地提供給處 理腔4。每當(dāng)進行等離子體處理以產(chǎn)生等離子體時，都進行利用阻抗匹 配裝置6的此阻抗匹配。
切換裝置24能夠根據(jù)隨意時序?qū)⑾码姌O2的連接切換到阻抗測量 裝置23。與該切換的時序同時(同步)，切換裝置25將上電極3從 GND (參考電勢)斷開。
在除了等離子體處理期間的時序之外的其它時序利用切換裝置24 的轉(zhuǎn)接使得阻抗測量裝置23能夠測量處理腔4的電極阻抗，該電極阻 抗包括在下電極2和連接到GND的處理腔之間的阻抗、通過電容器(在 導(dǎo)電環(huán)20和下電極2之間)的在下電極2和GND之間的阻抗、以及 阻抗控制裝置22的阻抗。阻抗測量裝置23不測量上電極3、射頻電源 5和阻抗匹配裝置6的阻抗值。
當(dāng)重復(fù)等離子體處理時，由于在下電極2上或者在下電極2和處 理腔4之間形成等離子體處理的沉積物，所以電極阻抗改變。為了根 據(jù)利用阻抗測量裝置23的測量結(jié)果來進行阻抗控制，使得電極阻抗具 有恒定的值，控制器26改變阻抗控制裝置22的阻抗，使得利用阻抗 測量裝置23測量的阻抗值變得和預(yù)先設(shè)定的值相等。阻抗控制裝置22是，例如可變電容器。
圖2是在圖1中所示的第一實施例的等效電路圖。切換裝置25將 上電極3從GND斷開；下電極2被連接到阻抗測量裝置23;在其間插 入了電介質(zhì)構(gòu)件21的下電極2和導(dǎo)電環(huán)20形成電容器的電極，該電 容器被連接阻抗控制裝置22 (可變電容器)的一端；而阻抗控制裝置 22 (可變電容器)的另外一端被連接到GND。如在圖2中所示，在圖 1中的下電極2具有兩個電容器組件在圖2中的電容器2和在圖2中 標注為"阻抗根據(jù)條件改變"的電容器的一部分。在圖2中，電極阻 抗通過由標注為"阻抗根據(jù)條件改變"的電容器(在圖1中的導(dǎo)電環(huán) 20、電介質(zhì)構(gòu)件21以及下電極2的一部分)和阻抗控制裝置22 (可變 電容器)形成的串聯(lián)電路表示。電極阻抗包括由于諸如反應(yīng)產(chǎn)物的沉 積物引起的阻抗變化，所述沉積物在等離子體處理期間被無意地堆積 在下電極2上。在圖1中的阻抗測量裝置23可以測量具有由于沉積物 引起的阻抗變化的電極阻抗。
根據(jù)本發(fā)明，隨著時間變化的電極阻抗(在下電極2和GND之間) 的值恒定保持在預(yù)定的值，從而能夠防止在提供給下電極2的射頻功 率中的、在沒有等離子體被消耗的情況下被傳遞到GND側(cè)的射頻功率 的變化。按照這種方式，防止了在用于等離子體而被消耗的功率中的 變化，從而能夠穩(wěn)定處理特性的狀態(tài)，所述處理特性是諸如在晶片內(nèi) 的蝕刻速率的平面內(nèi)一致性或者用于蝕刻速率的時間變化的處理特 性。
該實施例還能夠在因為除去等離子體處理期間形成的沉積物而清 潔下電極2以及在更換一個新的下電極2之后保持相同的等離子體條 件。
圖4是示意性地說明用于根據(jù)本發(fā)明的第二實施例的雙頻率型的 等離子體處理設(shè)備的布置的圖。在本發(fā)明的第二實施例中，相對于第
11一實施例，與用于上述下電極2的電極阻抗的控制的機構(gòu)相同的布置 被用于上電極3的電極阻抗的控制。在圖4中，參考數(shù)字l表示晶片； 參考數(shù)字2表示其上設(shè)置有晶片1的下電極；參考數(shù)字3表示上電極 (第三電極)；并且參考數(shù)字4表示處理腔。下電極2被用作用于離 子能量控制的電極，而上電極3被用作用于等離子體密度控制的射頻 應(yīng)用電極。
在本發(fā)明中，射頻電源5a (第一射頻電源)和射頻電源5b (第二 射頻電源)、阻抗控制裝置22a (第一阻抗控制裝置)和阻抗控制裝置 22b (第二阻抗控制裝置)、阻抗測量裝置23a (第一阻抗測量裝置) 和阻抗測量裝置23b (第二阻抗測量裝置)、電極阻抗控制器26a (第 一控制器)和電極阻抗控制器26b (第二控制器)分別被與下電極2 (第 一電極)和上電極3(第三電極)相關(guān)聯(lián)地設(shè)置。
下電極2具有電介質(zhì)構(gòu)件21a和導(dǎo)電環(huán)20a，如在第一實施例中一 樣。在下電極2連接到阻抗匹配裝置6a的位置、下電極2從阻抗匹配 裝置6a和阻抗測量裝置23a的每一個斷開的中間位置、以及下電極2 連接到阻抗測量裝置23a的位置之間，依靠切換裝置24'改變下電極2 的連接。導(dǎo)電環(huán)20a被連接到阻抗控制裝置22a的一端，而阻抗控制裝 置22a的另一端被連接到GND。
如下電極2 —樣，上電極3具有電介質(zhì)構(gòu)件21b和導(dǎo)電環(huán)20b。 在上電極3連接到阻抗匹配裝置6b的位置、上電極3從阻抗匹配裝置 6b和阻抗測量裝置23b的每一個斷開的中間位置、以及上電極3連接 到阻抗測量裝置23b的位置之間，依靠切換裝置25'改變上電極3的 連接。導(dǎo)電環(huán)20b被連接到阻抗控制裝置22b的一端，而阻抗控制裝 置22b的另一端被連接到GND。
將描述在本實施例中的切換裝置24'和25'在電極阻抗測量時的 操作。切換裝置24'和25'可以包括開關(guān)。
12當(dāng)測量下電極2的電極阻抗時，切換裝置24'改變到阻抗測量裝
置23a偵ij。在與該改變的時序相同的時序，切換裝置25'改變到中間 位置，在該中間位置，上電極3與阻抗匹配裝置6b和阻抗測量裝置23b 的每一個斷開。在該狀態(tài)中，阻抗測量裝置23a測量下電極2的電極阻 抗。
當(dāng)測量上電極3的電極阻抗時，通過將切換裝置24'和25'的位 置從它們在測量下電極2的電極阻抗時的位置反轉(zhuǎn)而進行測量。切換 裝置25'改變到阻抗測量裝置23b側(cè)。在與該改變的時序相同的時序， 切換裝置24'改變到中間位置，在該中間位置，下電極2與阻抗匹配 裝置6a和阻抗測量裝置23a的每一個斷開。在該狀態(tài)，阻抗測量裝置 23b測量上電極3的電極阻抗。
在通過以下參數(shù)調(diào)節(jié)等離子體阻抗(在現(xiàn)有技術(shù)中)的情形下， 其中，所述參數(shù)是諸如氣體類型、氣體流動速度、壓力、放電功率、 溫度以及電極之間的距離的參數(shù)，不可能同時調(diào)節(jié)上電極和下電極的 阻抗。在本發(fā)明的本實施例中，可以獨立地控制阻抗。
在設(shè)備具有用于同時應(yīng)用兩個頻率的布置的情形下，射頻功率被 獨立地施加到電極上以控制等離子體密度和離子能量。在穩(wěn)定條件下 的等離子體密度和離子能量的穩(wěn)定保持對于提高工作狀態(tài)的穩(wěn)定性很 重要。
下面將描述本實施例的功能和效果。
由于附著在處理腔內(nèi)的產(chǎn)物等引起的隨著時間變化的電極阻抗的 變化可以被抑制，從而防止用于等離子體而被消耗的電功率的變化。 因此，在等離子體處理期間的處理工作的狀態(tài)可以始終穩(wěn)定，從而提 高了制造質(zhì)量。此外，用于恢復(fù)由于產(chǎn)物改變的電極阻抗的原始值的維護時間可 以減少，并且可以提高生產(chǎn)率。
在維護處理腔內(nèi)部時改變的由于組成部件(通常是電極的周圍部 件)的單獨變化引起的阻抗變化的影響下，以及在組成部件的拆卸和 安裝之后在組成部件的組裝狀態(tài)的影響下，改變的電極阻抗的變化可 以被抑制，從而防止用于等離子體而被消耗的電功率的變化。結(jié)果， 處理工作的狀態(tài)可以始終穩(wěn)定，并且可以提高制造質(zhì)量。
同樣，在維護之前的時間點和維護之后的時間點之間的電極阻抗 的變化可以被抑制，從而實現(xiàn)維護時間的減少，還提高了生產(chǎn)率。
將描述與現(xiàn)有技術(shù)的比較。
在專利文獻1到3中描述的等離子體處理設(shè)備中，用于相對于從 射頻電源提供到處理腔的射頻功率進行阻抗匹配的匹配電路進行控 制，從而處理腔和匹配電路的合成阻抗始終是恒定值，從而防止了到 射頻電源的反射波。因為實際的處理腔的內(nèi)部由很多部件組成，因此
需要將在下電極和GND之間沒有形成等離子體的區(qū)域內(nèi)的阻抗(電極
阻抗)和有等離子體形成的區(qū)域內(nèi)的阻抗(等離子體阻抗)考慮作為 處理腔中的阻抗。
根據(jù)本發(fā)明，依靠阻抗控制裝置進行調(diào)整，從而使電極阻抗不變 化。gp，因此，可以防止由于反應(yīng)產(chǎn)物的介電常數(shù)引起的電極阻抗的 變化，其中，所述反應(yīng)產(chǎn)物是隨著等離子體處理的進行反應(yīng)產(chǎn)物在下 電極的附近沉積而產(chǎn)生的。此外，當(dāng)組成部件(通常是電極的周圍部 件)在處理腔的維護時被改變時，可以防止由于組成部件的阻抗值的 單獨變化的影響而引起的電極阻抗的變化。在專利文獻1和2描述的發(fā)明中，根據(jù)阻抗變化量，需要改變諸 如氣體類型、氣體流動速度、壓力、放電功率、溫度以及電極之間距 離的，在等離子體工作處理中重要的處理參數(shù)。
另一方面，在本發(fā)明中，這些處理參數(shù)不改變。因此本發(fā)明具有 下面的優(yōu)點，即，避免了改變用于工作狀態(tài)的參數(shù)的影響，所述參數(shù) 包括蝕刻速度和形狀。
在專利文獻3描述的發(fā)明中，在阻抗匹配裝置的輸出側(cè)和處理腔 中的電極之間的送電線路的阻抗被控制。
另一方面，在本發(fā)明中，可以防止電極阻抗的變化，從而可以穩(wěn) 定用于等離子體而消耗的功率。
明顯的是，本發(fā)明不限制于上述實施例，并且在本發(fā)明的技術(shù)概 念的范圍內(nèi)，可以對實施例進行適當(dāng)?shù)匦薷暮妥兓?br> 權(quán)利要求
1. 一種等離子體處理設(shè)備，包括射頻電源，其相對于參考電勢來輸出射頻功率；切換裝置，其連接到所述射頻電源；電極，其連接到所述切換裝置；阻抗控制裝置，其連接在所述電極和所述參考電勢之間；阻抗測量裝置，其連接在所述切換裝置和所述參考電勢之間；以及控制器，其根據(jù)由所述阻抗測量裝置所測量的阻抗的值，來控制所述阻抗控制裝置，其中，在等離子體處理時，所述切換裝置將所述電極連接到所述射頻電源，并且當(dāng)所述阻抗測量裝置進行阻抗測量時，所述切換裝置將所述電極連接到所述阻抗測量裝置。
2. 根據(jù)權(quán)利要求l所述的等離子體處理設(shè)備，其中，所述電極是 第一電極并且所述切換裝置是第一切換裝置，所述等離子體處理設(shè)備 還包括第二電極，其被設(shè)置為與所述第一電極相對；以及 第二切換裝置，其連接在所述第二電極和所述參考電勢之間，在 所述等離子體處理時該切換裝置將所述第二電極連接到所述參考電 勢，在所述阻抗測量時該切換裝置將所述第二電極從所述參考電勢斷 開。
3. 根據(jù)權(quán)利要求2所述的等離子體處理設(shè)備，其中， 等離子體由在所述等離子體處理期間施加在所述第一電極和所述第二電極之間的射頻功率產(chǎn)生。
4. 根據(jù)權(quán)利要求3所述的等離子體處理設(shè)備，其中， 所述第一電極和所述阻抗控制裝置通過電容器相連接。
5. 根據(jù)權(quán)利要求4所述的等離子體處理設(shè)備，其中， 所述電容器的一個電極由所述第一電極形成。
6. 根據(jù)權(quán)利要求5所述的等離子體處理設(shè)備，其中，所述電容器具有所述第一電極；電介質(zhì)構(gòu)件，其形成在所述第一電極的側(cè)表面上；以及 導(dǎo)電構(gòu)件，其被形成為與所述電介質(zhì)構(gòu)件相接觸并且與所述第一電極相分離，所述導(dǎo)電構(gòu)件與所述阻抗控制裝置相連接。
7. 根據(jù)權(quán)利要求6所述的等離子體處理設(shè)備，其中， 所述第一切換裝置包括開關(guān)，以及所述第二切換裝置包括開關(guān)。
8. 根據(jù)權(quán)利要求6所述的等離子體處理設(shè)備，其中， 所述阻抗控制裝置具有可變電容器。
9. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的等離子體處理設(shè)備，其中， 所述參考電勢為接地。
10. 根據(jù)權(quán)利要求l所述的等離子體處理設(shè)備，其中， 所述控制器控制所述阻抗控制裝置，以使得由所述阻抗測量裝置所測量的阻抗值等于一預(yù)定的值。
11. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的等離子體處理設(shè)備，其中，所述射頻 電源是第一射頻電源；所述切換裝置是第一切換裝置；所述阻抗控制 裝置是第一阻抗控制裝置；以及所述阻抗測量裝置是第一阻抗測量裝 置，所述等離子體處理設(shè)備還包括第二射頻電源，其相對于所述參考電勢來輸出射頻功率； 第三切換裝置，其連接到所述射頻電源；第三電極，其連接到所述第三切換裝置；第二阻抗控制裝置，其連接在所述第三電極和所述參考電勢之間； 第二阻抗測量裝置，其連接在所述第三切換裝置和所述參考電勢 之間；以及第二控制器，其根據(jù)由所述第二阻抗測量裝置所測量的阻抗值來 控制所述第二阻抗控制裝置，其中，在等離子體處理時，所述第一切換裝置將所述第一射頻電 源和所述第一電極彼此連接，并且所述第三切換裝置將所述第二射頻 電源和所述第三電極彼此連接，其中，當(dāng)所述第一阻抗測量裝置進行阻抗測量時，所述第一切換 裝置將所述第一阻抗測量裝置和所述第一電極彼此連接，并且所述第 三切換裝置將所述第三電極電隔離于所述第二射頻電源和所述第二阻 抗測量裝置，以及其中，當(dāng)所述第二阻抗測量裝置進行阻抗測量時，所述第一切換 裝置將所述第一電極電隔離于所述第一射頻電源和所述第一阻抗測量 裝置，并且所述第三切換裝置將所述第二阻抗測量裝置和所述第三電 極彼此連接。
12. 根據(jù)權(quán)利要求H所述的等離子體處理設(shè)備，其中， 所述第一控制器控制所述第一阻抗控制裝置，以使得由所述第一阻抗測量裝置所測量的阻抗值等于一預(yù)定值，并且所述第二控制器控制所述第二阻抗控制裝置，以使得由所述第二 阻抗測量裝置所測量的阻抗值等于一預(yù)定值。
13. 根據(jù)權(quán)利要求12所述的等離子體處理設(shè)備，其中， 所述第一電極和所述第一阻抗控制裝置通過第一電容器相連接，或者，所述第三電極和所述第二阻抗控制裝置通過第二電容器相連接。
14. 根據(jù)權(quán)利要求13所述的等離子體處理設(shè)備，其中，所述第一 電容器具有第一電介質(zhì)構(gòu)件，其形成在所述第一電極的側(cè)表面上；以及第一導(dǎo)電構(gòu)件，其被形成為與所述第一電介質(zhì)構(gòu)件相接觸并且與 所述第一電極相分離，所述第一導(dǎo)電構(gòu)件與所述第一阻抗控制裝置相 連接。
15.根據(jù)權(quán)利要求13所述的等離子體處理設(shè)備，其中，所述第二電容器具有第二電介質(zhì)構(gòu)件，其形成在所述第三電極的側(cè)表面上；以及 第二導(dǎo)電構(gòu)件，其被形成為與所述第二電介質(zhì)構(gòu)件相接觸并且與所述第三電極相分離，所述第二導(dǎo)電構(gòu)件與所述第二阻抗控制裝置相連接。全文摘要
本發(fā)明提供一種等離子體處理設(shè)備。該等離子體處理設(shè)備可以抑制由于附著在處理腔內(nèi)的產(chǎn)物等所引起的電極阻抗的變化，并且防止用于等離子體而消耗的電功率的變化。根據(jù)本發(fā)明，等離子體處理設(shè)備包括射頻電源(5)，其相對于GND輸出射頻功率；切換裝置(24)，其連接到所述射頻電源；下電極(2)，其連接到所述切換裝置(24)；阻抗控制裝置(22)，其連接在所述下電極(2)和GND之間；阻抗測量裝置(23)，其連接在所述切換裝置(24)和GND之間；以及控制器(26)，其根據(jù)由所述阻抗測量裝置(23)測量的阻抗(電極阻抗)的值，控制所述阻抗控制裝置(22)。
文檔編號H01J37/32GK101500370SQ20091000377
公開日2009年8月5日 申請日期2009年2月1日 優(yōu)先權(quán)日2008年2月1日
發(fā)明者田村一成 申請人:恩益禧電子股份有限公司