專利名稱：等離子顯示屏、尋址電極結(jié)構(gòu)及其制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及等離子顯示器領(lǐng)域，具體而言，涉及一種尋址電極結(jié)構(gòu)及其制作方法，
以及具有該尋址電極結(jié)構(gòu)的等離子顯示屏。
背景技術(shù)：
目前，PDP屏(等離子顯示屏)的著火電壓一般在220 240伏之間，有些PDP屏 的著火電壓更高，其中一些PDP屏的著火電壓達(dá)到了 270伏左右。每塊PDP屏在老練機(jī)上 第一次點火時電壓更高，一般達(dá)到270伏以上，如果屏的尺寸大，點火電壓就更高了，以致 出現(xiàn)了超出老練機(jī)設(shè)定電壓(300伏)都點不亮的情況。過高的著火點壓很容易在點屏?xí)r 打斷顯示電極，降低著火電壓可以有效的避免這個不足，以提高產(chǎn)品良品率。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明目的在于提供一種尋址電極結(jié)構(gòu)，以降低PDP屏著火電壓。本發(fā)明的目的
還提供一種該尋址電極結(jié)構(gòu)的制作方法以及具有該尋址電極結(jié)構(gòu)的等離子顯示屏。 為此，本發(fā)明提供一種尋址電極結(jié)構(gòu)，用于降低PDP屏的著火電壓，其中，每條尋
址電極上排列有多個橫電極。其中，上述尋址電極的寬度為85um 110um，相鄰兩尋址電極的間距為121um 146um。
其中，上述橫電極的寬度為85um 110um。
其中，每個上述橫電極的長度為145um 170um。 其中，每條上述尋址電極上的相鄰兩橫電極之間的間距相等，間距在121 146um。 本發(fā)明還提供一種等離子顯示屏，包括上基板和下基板，下基板上具有上述結(jié)構(gòu) 的尋址電極。 另外，本發(fā)明還提供一種尋址電極的制作方法，包括以下步驟首先，在絲網(wǎng)上制 作帶有上述橫電極的漏印版圖形；接著，用感光漿料把上述漏印板上的圖形印刷至玻璃基 板上；然后，通過曝光機(jī)曝光顯影，以及經(jīng)過烘干和燒結(jié)得到具有橫電極的尋址電極。
其中，上述烘干的烘干溫度為90°C ll(TC，烘干時間為12 15分鐘。
其中，上述燒結(jié)的燒結(jié)溫度為560°C 58(TC，燒結(jié)時間為18 22分鐘。
在本發(fā)明中，由于每條尋址電極上排列有多個橫電極，PDP屏的下電極表面積加 大，在老練點火時將會吸附更多的電荷，使得放電更容易，從而降低了PDP屏的點火電壓， 提高了屏的亮度，并且提高產(chǎn)品良品率。 除了上面所描述的目的、特征和優(yōu)點之外，本發(fā)明還有其它的目的、特征和優(yōu)點。 下面將參照圖，對本發(fā)明的其它的目的、特征和效果作進(jìn)一步詳細(xì)的說明。


此處所說明的附圖用來提供對本發(fā)明的進(jìn)一步理解，構(gòu)成本申請的一部分。圖中，
圖1示出了根據(jù)本發(fā)明的尋址電極的俯視結(jié)構(gòu)； 圖2示出了根據(jù)本發(fā)明的尋址電極的局部立體結(jié)構(gòu)；以及 圖3示出了圖2中的尋址電極的俯視結(jié)構(gòu)。
具體實施例方式
下面將參考附圖并結(jié)合優(yōu)選實施例，來詳細(xì)說明本發(fā)明。 圖1示出了根據(jù)本發(fā)明的尋址電極的俯視結(jié)構(gòu)，圖2示出了根據(jù)本發(fā)明的尋址電 極的局部立體結(jié)構(gòu)，圖3示出了圖2中的尋址電極的俯視結(jié)構(gòu)。參照圖1至圖3，可以看出， 下基板1上設(shè)有長條形的尋址電極2，尋址電極2上設(shè)有多個短的橫電極3。
尋址電極2的寬度W2可以為85um 110咖，相鄰兩尋址電極2的間距W:可以為 121urn 146咖。橫電極3的寬度Wg可以為85um 110咖，每個橫電極3的長度S可以為 145咖 170um。 優(yōu)選地，每條尋址電極2上的相鄰兩橫電極3之間的間距相等，間距在121 146um。 由于每條尋址電極2上排列有多個橫電極3， PDP屏的下電極表面積加大，在老練 點火時將會吸附更多的電荷，使得放電更容易，從而降低了PDP屏的點火電壓，提高了離子 顯示屏的亮度。 本發(fā)明還提供一種等離子顯示屏，包括上基板和下基板，下基板上具有上述結(jié)構(gòu) 的尋址電極。 另外，本發(fā)明提供一種尋址電極的制作方法，包括以下步驟首先，在絲網(wǎng)上制作 帶有橫電極的漏印版圖形；接著，用感光漿料把漏印板上的圖形印刷至玻璃基板上；然后， 通過曝光機(jī)曝光顯影，以及經(jīng)過烘干和燒結(jié)得到具有橫電極的尋址電極。其中，烘干溫度為 90°C ll(TC，烘干時間為12 15分鐘，燒結(jié)溫度為560°C 58(TC，燒結(jié)時間為18 22 分鐘。通電加上電壓后，PDP屏產(chǎn)生的熱就可以通過散熱板一方面迅速傳導(dǎo)均勻，使溫度均 衡，另一方面也散發(fā)掉一部份熱量，使溫度降低。 本發(fā)明使上下電極間存留的電荷較多，從而達(dá)到降低電壓，提高光效的目的。
以上僅為本發(fā)明的優(yōu)選實施例而已，并不用于限制本發(fā)明，對于本領(lǐng)域的技術(shù)人 員來說，本發(fā)明可以有各種更改和變化。凡在本發(fā)明的精神和原則之內(nèi)，所作的任何修改、 等同替換、改進(jìn)等，均應(yīng)包含在本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。
權(quán)利要求
一種尋址電極結(jié)構(gòu)，其特征在于，用于降低PDP屏的著火電壓，其中，每條所述尋址電極上排列有多個橫電極。
2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的尋址電極結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述尋址電極的寬度為85um 110um，所述相鄰兩尋址電極的間距為121um 146um。
3. 根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的尋址電極結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述橫電極的寬度為 85um 110um。
4. 根據(jù)權(quán)利要求3所述的尋址電極結(jié)構(gòu)，其特征在于，每個所述橫電極的長度為 145um 170um。
5. 根據(jù)權(quán)利要求4所述的尋址電極結(jié)構(gòu)，其特征在于，每條所述尋址電極上的相鄰兩 橫電極之間的間距相等，所述間距在121 146um。
6. —種等離子顯示屏，其特征在于，包括上基板和下基板，所述下基板上具有尋址電 極，所述尋址電極的結(jié)構(gòu)為根據(jù)權(quán)利要求1至5中任一項所述的尋址電極結(jié)構(gòu)。
7. 根據(jù)權(quán)利要求1至5中任一項所述的尋址電極的制作方法，其特征在于，包括以下步驟首先，在絲網(wǎng)上制作帶有所述橫電極的漏印版圖形； 接著，用感光漿料把所述漏印板上的圖形印刷至玻璃基板上； 然后，通過曝光機(jī)曝光顯影，以及 經(jīng)過烘干和燒結(jié)得到具有橫電極的尋址電極。
8. 根據(jù)權(quán)利要求1至5中任一項所述的尋址電極的制作方法，其特征在于， 所述烘干的烘干溫度為90°C ll(TC，所述燒結(jié)時間為12 15分鐘。
9. 根據(jù)權(quán)利要求8所述的尋址電極的制作方法，其特征在于，所述燒結(jié)的燒結(jié)溫度為 560°C 58(TC，所述烘干時間為18 22分鐘。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種尋址電極結(jié)構(gòu)，用于降低PDP屏的著火電壓，其中，每條尋址電極上排列有多個橫電極。本發(fā)明還公開了一種等離子顯示屏，包括上基板和下基板，下基板上具有尋址電極，尋址電極的結(jié)構(gòu)為上述的尋址電極結(jié)構(gòu)。另外，本發(fā)明還公開了一種尋址電極的制作方法，包括以下步驟首先，在絲網(wǎng)上制作帶有上述橫電極的漏印版圖形；接著，用感光漿料把漏印板上的圖形印刷至玻璃基板上；然后，通過曝光機(jī)曝光顯影，以及經(jīng)過烘干和燒結(jié)得到具有橫電極的尋址電極。本發(fā)明使上下電極間存留的電荷較多，從而達(dá)到降低電壓，提高光效的目的。
文檔編號H01J9/02GK101719448SQ200810247518
公開日2010年6月2日 申請日期2008年12月30日 優(yōu)先權(quán)日2008年12月30日
發(fā)明者邱曉蘭 申請人:四川虹歐顯示器件有限公司