專利名稱：等離子體顯示面板及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及等離子體顯示面板等氣體放電面板的制造方法，特別 涉及電介質(zhì)層的改進(jìn)技術(shù)。
背景技術(shù)：
等離子體顯示面板(以下稱PDP)是利用氣體放電產(chǎn)生的紫外線激 勵(lì)熒光體發(fā)光來顯示圖像的氣體放電面板。根據(jù)該放電的形成方法， PDP可以分成交流型(AC)和直流(DC)型，因AC型在亮度、發(fā)光效 率、壽命等方面比DC型優(yōu)越，故通常采用這種類型。
AC型PDP的結(jié)構(gòu)是將配置有多個(gè)電極(顯示電極或地址電極)和 覆蓋該電極的電介質(zhì)層的2塊薄面板玻璃的表面、通過多個(gè)阻隔壁相 對(duì)配置，并在該多個(gè)阻隔壁之間配置熒光體層，形成矩陣狀的放電單 元(子象素)，在該狀態(tài)下，在兩面板玻璃之間封入放電氣體。在覆 蓋顯示電極的電介質(zhì)層的表面形成保護(hù)層(膜)。保護(hù)層的特性優(yōu)選 放電起始電壓Vf (Firing Voltage,點(diǎn)火電壓)低，且各個(gè)放電單元 的放電差異的發(fā)生少的特性。Mg0的結(jié)晶膜是耐濺射性好、且二次電子 發(fā)射系數(shù)大的絕緣體，適合作為保護(hù)層的材料。
在PDP中，按照?qǐng)鰞?nèi)時(shí)間分割灰度顯示方式，在驅(qū)動(dòng)時(shí)，通過對(duì) 上述多個(gè)電極供給適當(dāng)?shù)碾妷憾诜烹姎怏w中產(chǎn)生放電而使其發(fā)出熒 光。具體地說，PDP驅(qū)動(dòng)時(shí)，首先將顯示的幀分成多個(gè)子幀，進(jìn)而將各 子幀分成多個(gè)期間。在各子幀中，在初始化期間使整個(gè)畫面的壁電荷 初始化(復(fù)位)，然后在地址期間僅針對(duì)應(yīng)點(diǎn)亮的放電單元、對(duì)積蓄 壁電荷的地址進(jìn)行放電，在其后的放電維持期間，通過對(duì)所有的放電 單元一齊施加交流電壓(維持電壓)，來維持一定時(shí)間的放電。因PDP 進(jìn)行的放電是按概率發(fā)生的，故各個(gè)放電單元放電的發(fā)生率(稱作放 電概率)通常具有差異。因此，根據(jù)該特性，地址放電與所施加的執(zhí)行地址放電的脈沖的寬度成比例，從而可以提高放電概率。
關(guān)于PDP的一般構(gòu)成，已由例如在特開平9 _ 92133號(hào)公報(bào)等所公開。
這里，由Mg0形成的保護(hù)層是為了實(shí)現(xiàn)低電壓工作而使用的，但 與液晶顯示裝置等相比工作電壓還是高。因此，在驅(qū)動(dòng)集成電路中必 須使用高耐壓晶體管，這是使PDP的成本提高的原因之一。因此，當(dāng) 前，為了降低PDP的功耗，要求降低放電開始電壓Vf，同時(shí)抑制對(duì)高 成本的高耐壓晶體管的使用。
另一方面，作為保護(hù)層的Mg0的成膜，除了真空蒸鍍法、EB法、 濺射法等薄膜形成法之外，還可以利用使用了作為Mg0的前驅(qū)物的有 機(jī)材料的印刷法(厚膜形成法)等進(jìn)行。其中，印刷法例如特開平 4-10330號(hào)公報(bào)所公開的那樣，將液體的有機(jī)材料與玻璃材料混合，并 將其旋涂在面板玻璃的表面上，通過600'C左右的焙燒，使MgO結(jié)晶形 成保護(hù)層。與真空蒸鍍法、EB法或賤射法相比，印刷法具有工序簡(jiǎn)單、 成本低的優(yōu)點(diǎn)，而且由于無需真空工藝，所以，從生產(chǎn)能力方面來說 也具有優(yōu)勢(shì)。
但是，與在薄膜形成法中使用真空工藝形成的保護(hù)層相比較，用 厚膜形成法形成的保護(hù)層雖然在降低放電起始電壓Vf的效果方面沒有 大的差別，但在PDP驅(qū)動(dòng)時(shí)容易引起各個(gè)放電單元之間的放電差異。 由于該放電差異會(huì)產(chǎn)生所謂"黑噪聲"，難以得到良好的圖像顯示性 能，所以，是希望得到改善的問題。黑噪聲是應(yīng)點(diǎn)亮的放電單元(所 選擇的放電單元)未點(diǎn)亮的現(xiàn)象，容易在畫面中點(diǎn)亮區(qū)和非點(diǎn)亮區(qū)的 邊界上產(chǎn)生。由于未點(diǎn)亮的部位很分散，而不是沿顯示電極的長(zhǎng)邊方 向的1行、或沿相鄰的2個(gè)阻隔壁的長(zhǎng)邊方向的1列中的所有選出的 單元都無法點(diǎn)亮，所以，產(chǎn)生黑噪聲的原因被認(rèn)為是沒有發(fā)生地址放 電，或者是即使發(fā)生了但強(qiáng)度不夠。出現(xiàn)這一現(xiàn)象的原因與從氧化鎂 發(fā)射的電子有密切的關(guān)系。
此外，關(guān)于PDP放電差異的問題不限于使用厚膜形成法形成保護(hù) 層的情況，對(duì)于薄膜形成法，當(dāng)使用氧缺陷部分少(即富氧的)MgO 形成保護(hù)層時(shí)，也容易產(chǎn)生放電差異，所以，不管是使用厚膜形成方 法還是薄膜形成方法進(jìn)行成膜，都急需解決這一問題。
本發(fā)明是鑒于上述問題提出的，其目的在于提供一種成本低、而且可以高效率通過降低放電起始電壓Vf和減小發(fā)生放電差異、而驅(qū)動(dòng)、 從而發(fā)揮優(yōu)異的圖像顯示性能的PDP及其制造方法。

發(fā)明內(nèi)容
為了解決上述問題，本發(fā)明是一種等離子體顯示面板，其中，形 成了保護(hù)層的第l襯底經(jīng)放電空間和笫2襯底相對(duì)配置，且上述兩襯 底周圍被密封；在保護(hù)層的表面，電子發(fā)射特性互不相同的第1材料 和第2材料分別暴露于上述放電空間，而且，第1材料和第2材料中 的至少一方是分散存在的。
這里，上述第1材料是第1結(jié)晶體，上迷第2材料是第2結(jié)晶體， 可以構(gòu)成為在上述保護(hù)層的表面上、第2結(jié)晶體分散在第1結(jié)晶體中。 這時(shí)，上述第2結(jié)晶體優(yōu)選純度高于上述第1結(jié)晶體的材料。 此外，本發(fā)明的上述保護(hù)層主要由氧化鎂形成，上述第2結(jié)晶體 由氧化鎂的結(jié)晶微粒形成。
另一方面，第1結(jié)晶體可以通過焙燒氧化鎂的前驅(qū)物得到。 根據(jù)本發(fā)明，例如，保護(hù)層的放電開始電壓Vf降低的特性可以通 過第1結(jié)晶體的氧化鎂結(jié)晶體和第2結(jié)晶體的氧化鎂的結(jié)晶微粒雙方 發(fā)揮。
即，在PDP驅(qū)動(dòng)時(shí)，利用放電空間內(nèi)部發(fā)生的電場(chǎng)激勵(lì)放電氣體， 當(dāng)放電氣體中的稀有氣體原子接近保護(hù)層表面時(shí)，產(chǎn)生所謂俄歇作用， 保護(hù)層的價(jià)電子帶中的電子遷移，由此，保護(hù)層中的其它電子向放電 空間電勢(shì)發(fā)射。結(jié)果，因很好地發(fā)揮出二次電子發(fā)射特性，故放電起 始電壓Vf降低。通過因該保護(hù)層產(chǎn)生的電子電勢(shì)發(fā)射，即使氧化鎂結(jié) 晶體的電子發(fā)射特性稍差，也可以使保護(hù)層獲得所期望的二次電子發(fā) 射特性(Y )。因此，對(duì)于本發(fā)明的氧化鎂結(jié)晶體，即使利用在厚膜 形成法的涂敷工序中制作保護(hù)層時(shí)所使用的低成本的氧化鎂前驅(qū)物， 也可以得到明顯的效果。
其次，與抑制保護(hù)層的放電差異有關(guān)的特性可以通過因具有高純 度的結(jié)晶結(jié)構(gòu)而使改善電子發(fā)射特性的氧化鎂結(jié)晶微粒來發(fā)揮。即， 當(dāng)在放電空間內(nèi)產(chǎn)生電場(chǎng)時(shí)，利用伴隨的真空紫外線(VUV)，首先， 氧化鎂結(jié)晶微粒中的電子向氧缺陷部分遷移。接著，利用該氧缺陷部 分的電子能量差，以氧缺陷部分作為發(fā)光中心，發(fā)出可見光。伴隨該可見光的發(fā)光，在氧化鎂結(jié)晶微粒中產(chǎn)生從價(jià)電子帶向傳導(dǎo)帶附近的 能級(jí)(雜質(zhì)參考能級(jí))激發(fā)的電子。通過增加該雜質(zhì)參考能級(jí)的電子，
可以提高保護(hù)層的載流子濃度，控制阻抗。結(jié)果，可以抑制PDP驅(qū)動(dòng) 時(shí)的放電差異，提高PDP的放電概率，同時(shí)可以防止黑噪聲的發(fā)生， 發(fā)揮良好的圖像顯示性能。


圖1是表示實(shí)施方式1的PDP的主要構(gòu)成的局部剖面圖。
圖2是表示PDP的驅(qū)動(dòng)過程例的圖。
圖3是表示實(shí)施方式1的保護(hù)層的構(gòu)成的圖。
圖4是表示實(shí)施方式2的保護(hù)層的構(gòu)成的圖。
圖5是保護(hù)層的能帶圖。圖6是表示實(shí)施方式3的PDP的主要構(gòu)成的局部剖面圖。 圖7是表示Mg0和Al的光電子的光譜數(shù)據(jù)的圖。 圖8是氧化鎂和Al的能帶。
圖9是由氧化鎂和其他材料的復(fù)合體或復(fù)合材料形成的保護(hù)層的 構(gòu)成圖。
圖IO是表示實(shí)施方式4的PDP的主要結(jié)構(gòu)的局部剖面圖。
優(yōu)選實(shí)施方式 1、實(shí)施方式1 1-1、 PDP的構(gòu)成
圖1是表示本發(fā)明實(shí)施方式1的AC型PDP1的主要構(gòu)成的局部剖 面斜視圖。圖中，Z方向相當(dāng)于PDP1的厚度方向，xy平面相當(dāng)于與PDP1 面板的面平行的平面。在這里作為一例，PDP1的規(guī)格符合42英寸等級(jí) 的NTSC標(biāo)準(zhǔn)，但本發(fā)明也適用于XGA或SXGA等其他規(guī)格尺寸。
如圖1所示，PDP1的構(gòu)成大致可分成主面互相面對(duì)設(shè)置的前面板 IO和后面板16。
在作為前面板10的村底的前面板玻璃11的一個(gè)主面上形成多對(duì) 顯示電極12、 13 (掃描電極12、維持電極13)。各顯示電極12、 13 是通過在由ITO或Sn02等透明導(dǎo)電性材料形成的帶狀透明電極120、 130 (厚0. 1 nm、寬150pm)上層積由Ag厚膜(厚2 p m ~ 10 p m )、4S ( Al )薄膜(厚0. 1 pm - 1 ym)或Cr/Cu/Cr層積薄膜(厚0. 1 Mm~ 1 Hm)等形成的總線121、 131 (厚7 pm，寬95 nm)而形成。透明電 極120、 130的薄片電阻因該總線121、 131而降低。
在配置顯示電極12、 13的前面板玻璃11上，利用絲網(wǎng)印刷法等 在該玻璃11的整個(gè)主面上形成以氧化鉛(Pb0)、氧化鉍(Bi203 )或 氧化磷(P04)為主要成分的低熔點(diǎn)玻璃(厚20Mm~ 50jum)的電介質(zhì) 層14。電介質(zhì)層14具有AC型PDP特有的電流限制功能，這是其壽命 比DC型PDP的壽命長(zhǎng)的因素。在電介質(zhì)層14的表面依次覆蓋厚度約 1. Ojum的保護(hù)層15。
本實(shí)施方式1的主要特征是保護(hù)層15由具有電子發(fā)射特性互不相 同的2種結(jié)構(gòu)的氧化鎂構(gòu)成。即，如圖3的保護(hù)層的正視圖所示，在 暴露于下述的放電空間24的保護(hù)層15的表面部分，分散存在含有將 有機(jī)材料的前驅(qū)物焙燒形成的作為第1材料的氧化鎂結(jié)晶體15A和在 上述前驅(qū)物焙燒前預(yù)結(jié)晶化的作為第2材料的氧化鎂結(jié)晶微粒15B。
若按照該構(gòu)成，驅(qū)動(dòng)時(shí)可以通過氧化鎂結(jié)晶體15A和氧化鎂結(jié)晶 孩i:粒15B兩者良好地降低放電起始電壓Vf,另一方面，可以通過氧化 鎂結(jié)晶微粒15B發(fā)揮保護(hù)層15的電子發(fā)射特性，從而獲得良好的圖像 顯示性能。該效果的詳細(xì)情況將在后面敘述。
在作為后面板16的襯底的后面板玻璃17的一個(gè)主面上，以x方 向作為長(zhǎng)邊方向，在y方向按一定的間隔(360 nm)呈條狀并列設(shè)置 由Ag厚膜(厚2jLim-10jLim)、鋁(Al)薄膜(厚0.1jum-lMm)或 Cr/Cu/Cr層積薄膜(厚0. 1 jn m ~ 1 jn m )等形成的寬60pm的多個(gè)地址 電極18，在整個(gè)后面板玻璃17上涂敷厚30Mm的電介質(zhì)膜19，使其 內(nèi)包該地址電極18。進(jìn)而，在電介質(zhì)膜19上，相應(yīng)于相鄰地址電極 18的間隙設(shè)置阻隔壁20 (高約150jum，寬40Mm)，利用鄰接的阻隔 壁20劃分子象素SU，以防止發(fā)生x方向的誤放電或光學(xué)串?dāng)_。接著， 在相鄰2個(gè)阻隔壁20的側(cè)面及其間的電介質(zhì)膜19的面上，形成用于 彩色顯示的、分別與紅(R)、綠(G)、藍(lán)(b)對(duì)應(yīng)的熒光體層21 ~ 23。
另外，也可以不使用電介質(zhì)膜19而直接用熒光體層21~23內(nèi)包 地址電極18。
前面板10和后面板16面對(duì)設(shè)置、使地址電極18和顯示電極12、13的長(zhǎng)邊方向相互正交，并且兩面板10、 16的外周緣部被玻璃料密封。 在該兩面板IO、 16之間，使用規(guī)定的壓力(通常是53. 2kPa~79. 8kPa 左右)封入由He、 Xe、 Ne等惰性氣體成分構(gòu)成的放電氣體(封入氣體)。
相鄰阻隔壁20之間是放電空間24，相鄰的一對(duì)顯示電極12、 13 和1根地址電極18將放電空間夾在中間交叉的區(qū)域與圖像顯示的子象 素SU對(duì)應(yīng)。單元間距為x方向1080 pm，y方向360 pm。1個(gè)象素(1080 y m x 1080 Mm)由相鄰的3個(gè)RGB子象素SU構(gòu)成。
1-2、 PDP的基本動(dòng)作
上述構(gòu)成的PDP1由向顯示電極12、 13和地址電極18供電的驅(qū)動(dòng) 部(未圖示)驅(qū)動(dòng)。在用于圖像顯示的驅(qū)動(dòng)時(shí)，對(duì)一對(duì)顯示電極12、 13之間的間隙施加數(shù)十kHz-數(shù)百kHz的AC電壓，使子象素SU內(nèi)產(chǎn) 生放電，利用被激發(fā)的Xe原子發(fā)出的紫外線激發(fā)熒光體層21~23，使 其發(fā)出可見光。
這時(shí)，在上述驅(qū)動(dòng)部，為了利用ON/OFF的2進(jìn)制控制來控制各單 元的發(fā)光并表現(xiàn)灰度，例如將作為來自外部的輸入圖像的時(shí)間序列的 各幀F(xiàn)分割成6個(gè)子幀。通過對(duì)各子幀中的亮度加權(quán)，使亮度的相對(duì) 比率例如是l: 2: 4: 8: 16: 32，來設(shè)定各子幀的維持(維持放電) 的發(fā)光次數(shù)。
圖2是本PDP1的驅(qū)動(dòng)波形處理的一例。這里，示出幀中的第m個(gè) 子幀的驅(qū)動(dòng)波形。如圖2所示，各子幀分別分割成初始化期間、地址 期間、放電維持期間和擦除期間。
初始化期間是為了防止在此之前的單元點(diǎn)亮的影響(積蓄的壁電 荷的影響)而將整個(gè)畫面的壁電荷消除(初始化放電)的期間。在圖2 所示的波形例中，對(duì)所有的顯示電極12、 13施加超過放電起始電壓Vf 的具有正極性的下降斜坡波形的復(fù)位脈沖。與此同時(shí)，為了防止后面 板16側(cè)的帶電和離子撞擊，對(duì)所有的地址電極18施加正極性脈沖。 利用施加脈沖的上升沿和下降沿的差動(dòng)電壓，在所有的單元產(chǎn)生作為 弱表面放電的初始化放電，在所有的單元中積蓄壁電荷，使整個(gè)畫面 處于均勻帶電狀態(tài)。
地址期間是對(duì)根據(jù)已分割成子幀的圖像信號(hào)對(duì)所選擇的單元進(jìn)行 尋址(點(diǎn)亮/不點(diǎn)亮的設(shè)定)的期間。在該期間，對(duì)掃描電極12施加 相對(duì)接地電位的正電位偏置，對(duì)所有的維持電極13施加負(fù)電位偏置。在該狀態(tài)下，從面板上部的起始行(與一對(duì)顯示電極對(duì)應(yīng)的橫向一列
的單元)開始，按順序逐行地選擇各行，對(duì)相應(yīng)的掃描電極12施加負(fù) 極性的掃描脈沖。此外，對(duì)與應(yīng)點(diǎn)亮的單元對(duì)應(yīng)的地址電極18施加正 極性的地址脈沖。由此，繼進(jìn)行上述初始化期間的弱表面i文電，只對(duì) 應(yīng)點(diǎn)亮的單元進(jìn)行地址放電，積蓄壁電荷。
放電維持期間是為了確保與灰度等級(jí)對(duì)應(yīng)的亮度而對(duì)由地址放電 設(shè)定的點(diǎn)亮狀態(tài)加以放大的放電維持期間。這里，為了防止不必要的 放電，對(duì)所有的地址電極18施加正極性電位偏置，對(duì)所有的維持電極 13施加正極性維持脈沖。然后，對(duì)掃描電極12和維持電極13交替施 加維持脈沖，在規(guī)定期間進(jìn)行反復(fù)放電。
在擦除期間，對(duì)掃描電極12施加逐漸衰減脈沖，以擦除壁電荷。
再有，初始化期間和地址期間的長(zhǎng)度與亮度的權(quán)重?zé)o關(guān)，是固定 值，但放電維持期間的長(zhǎng)度則隨亮度權(quán)重的增加而增長(zhǎng)。即，各子幀 的顯示期間的長(zhǎng)度互不相同。
在PDP1中，利用子幀進(jìn)行的各個(gè)放電，產(chǎn)生起因于Xe的、在"7nm 處具有尖銳的峰值的諧振線和由分子束形成的、以173nm為中心的真 空紫外線。該真空紫外線照射各熒光體層21~23，產(chǎn)生可見光。通過 RGB各種顏色的子幀單位進(jìn)行組合，進(jìn)行多種顏色、多級(jí)灰度的顯示。
1-3、實(shí)施方式1的效果
PDP的放電特性在很大程度上取決于在放電空間24中與放電氣體 接觸的保護(hù)層15的放電特性。對(duì)保護(hù)層要求的特性包括降低放電起始 電壓Vf的特性(二次電子發(fā)射特性)和涉及抑制放電差異的特性；這 兩種特性越好，PDP的圖像顯示性能越好。
這里，在本實(shí)施方式1的PDP1中，為了有效地同時(shí)確保上述兩特 性，如圖3的保護(hù)層的正視圖所示，在至少暴露于放電空間24的保護(hù) 層15的表面，分散地存在具有相互不同的電子發(fā)射特性的氧化鎂結(jié)晶 體15A和氧化鎂結(jié)晶微粒15B。氧化鎂結(jié)晶體15A通過焙燒有機(jī)材料的 氧化鎂前驅(qū)物來形成。另一方面，氧化鎂結(jié)晶微粒15B是在上述前驅(qū) 物焙燒之前預(yù)先結(jié)晶的物質(zhì)，與氧化鎂結(jié)晶體15A相比具有高純度結(jié) 晶結(jié)構(gòu)。這里，圖3的保護(hù)層的構(gòu)成是將第2結(jié)晶體的氧化鎂結(jié)晶微 粒15B分散在第1結(jié)晶體的氧化鎂結(jié)晶體15A中。
根據(jù)該構(gòu)成，首先，降低保護(hù)層15的放電起始電壓Vf的特性通過氧化鎂結(jié)晶體15A和氧化鎂結(jié)晶微粒15B兩者來發(fā)揮。
即，在PDP驅(qū)動(dòng)時(shí)，利用放電空間24內(nèi)部產(chǎn)生的電場(chǎng)激發(fā)放電氣 體，當(dāng)放電氣體中的Ne +接近保護(hù)層表面時(shí)，產(chǎn)生所謂俄歇作用(Auger process)，保護(hù)層的價(jià)電子帶中的電子向Ne的最外層遷移。而且， 伴隨該電子遷移，保護(hù)層中的其它電子有接收向上述Ne+遷移的電子的 能量變化而向放電空間24發(fā)射電勢(shì)。結(jié)果，因很好地發(fā)揮出二次電子 發(fā)射特性，故放電起始電壓Vf降低。由于該保護(hù)層的電子的電勢(shì)發(fā)射 是在比保護(hù)層的價(jià)電子帶上端深得多的Ne+的最外層電子能級(jí)地方進(jìn) 行的，所以，即使氧化鎂結(jié)晶體15A的電子發(fā)射特性稍差(換言之， 多少有一點(diǎn)雜質(zhì)混入結(jié)晶中)，也可以獲得作為保護(hù)層所要求的性能 的充分的二次電子發(fā)射特性(Y )。因此，對(duì)于本實(shí)施方式1的氧化 膜結(jié)晶體15A,即使利用在厚膜形成法的涂敷工序中制作保護(hù)層時(shí)所使 用的氧化鎂前驅(qū)物，也可以得到明顯的效果。根據(jù)該厚膜形成法，即 使保護(hù)層中殘留若干氧化鎂前驅(qū)物中的炭成分等雜質(zhì)，在本實(shí)施方式1 中也可以形成性能良好的保護(hù)層。因此，即使保護(hù)層的制造工序自身 不依賴需要進(jìn)行真空處理等的大型設(shè)備的薄膜形成法，也可以有效地 利用具有低成本和高生產(chǎn)能力的厚膜形成法的優(yōu)點(diǎn)來實(shí)現(xiàn)。
再有，雖然從上述保護(hù)層的價(jià)電子帶的電子遷移也會(huì)在與Ne+之外 的放電氣體成分之間發(fā)生，但是，Ne +是最有效的。這是因?yàn)镹e的最 外層電子的能級(jí)相對(duì)于保護(hù)層的價(jià)電子帶上端足夠低的緣故。
其次，與保護(hù)層15的放電差異的抑制有關(guān)的特性可以通過因具有 高純度結(jié)晶結(jié)構(gòu)而具有良好的電子發(fā)射特性的氧化鎂結(jié)晶微粒15B來 發(fā)揮。
具體地，如圖5的保護(hù)層的能帶圖所示，在PDP驅(qū)動(dòng)時(shí)，當(dāng)在放 電空間24內(nèi)產(chǎn)生電場(chǎng)時(shí)，利用伴隨的真空紫外線(VUV)，首先，氧 化鎂結(jié)晶微粒15B中的電子向氧缺陷部分遷移。接著，利用該氧缺陷 部分的電子的能量差(E2-E1)，以氧缺陷部分作為發(fā)光中心，發(fā)出可 見光。伴隨該可見光的發(fā)光，在氧化鎂結(jié)晶微粒15B中、產(chǎn)生從價(jià)電 子帶Ev向傳導(dǎo)帶Ec附近的能級(jí)(雜質(zhì)能級(jí)E3)的激發(fā)電子。通過增 加該雜質(zhì)參考能級(jí)E3的電子，可以提高保護(hù)層15的載流子的濃度， 進(jìn)行阻抗控制。結(jié)果，可以抑制PDP驅(qū)動(dòng)時(shí)的放電差異，提高PDP的 放電概率，同時(shí)防止黑噪聲的發(fā)生。因與保護(hù)層15的放電差異的抑制有關(guān)的特性是和半導(dǎo)體載流子摻雜相似的現(xiàn)象，故要求具有保護(hù)層15 雜質(zhì)少、定向性好等高的結(jié)晶性能。因此，在本實(shí)施方式1中，為了 得到良好的放電差異的抑制效果，使用電子發(fā)射特性好(即上述高結(jié) 晶性能)的氧化鎂結(jié)晶微粒15B，使其分擔(dān)用來抑制放電差異和防止發(fā) 生黑噪聲的功能。在氧化鎂結(jié)晶微粒15B中，為了得到更多的氧缺陷 部分，使用富含氧的構(gòu)成。
這樣，在本實(shí)施方式1中，在保護(hù)層15面向放電空間24的表面 部分，通過使電子發(fā)射特性不同的多個(gè)絕緣體(結(jié)晶體)15A、 15B露 出、由各結(jié)晶體15A、 15B來分擔(dān)放電特性的功能，以獲得增大放電特 性的控制自由度，同時(shí)擴(kuò)大單元設(shè)計(jì)或制造方法的自由度的優(yōu)點(diǎn)。
此外，在本實(shí)施方式1的PDP1中，即使驅(qū)動(dòng)電路不使用高成本的 高耐壓晶體管，也可以通過降低放電起始電壓Vf、抑制放電差異的發(fā) 生和防止黑噪聲的發(fā)生來得到良好的圖像性能。
再有，暴露于面向放電空間24的保護(hù)層15的表面部分的絕緣體 (結(jié)晶體)不限于氧化鎂，可以使用除此之外的絕緣體(例如MgAlO、 Ba0、 Ca0、 Zn0、 Sr0等)中的一種或以上。
進(jìn)而，作為形成本實(shí)施方式1的保護(hù)層15的方法，不限于對(duì)氧化 鎂前驅(qū)物添加氧化鎂結(jié)晶微粒并對(duì)其進(jìn)行涂敷、焙燒的方法，也可以 采用將液體材料彼此混合的方法，還可以采取形成圖案或形成圖案后 的蝕刻等方法。
1-4、關(guān)于向保護(hù)層摻雜雜質(zhì)的情況
上述實(shí)施方式1的保護(hù)層15即使采用原來的構(gòu)成也可以得到很好 的效果，但是，通過采取以下措施，還可以進(jìn)一步提高效果。
作為一例，當(dāng)按照lE-17/cm3或以上的濃度至少對(duì)氧化鎂結(jié)晶微粒 15B摻雜Cr時(shí)，在PDP驅(qū)動(dòng)時(shí)，除本來就有的氧缺陷部分外，形成發(fā) 出波長(zhǎng)約700mn的可見光的發(fā)光中心，在豐富可見光發(fā)光的同時(shí)也， 加了在傳導(dǎo)帶附近激發(fā)的電子數(shù)，故可以更加提高抑制放電差異的效 果(參照C. C. Chao， J. Phys. Chem. Solids, 32 2517 ( 1971 ) 以及M. Maghrabi et al， NIM B191 ( 2002 ) 181 )。
此外，當(dāng)按照1E-I6cn^或以上的濃度至少對(duì)氧化鎂結(jié)晶微粒15B 添加Si、 H等時(shí)，對(duì)在傳導(dǎo)帶附近激發(fā)的蓄能器(reservoir)的作用， 可以延長(zhǎng)發(fā)光中心可見光的發(fā)光壽命，所以，這時(shí)也可以提高抑制放電差異和減小黑噪聲發(fā)生的效果。
作為至少對(duì)氧化鎂結(jié)晶微粒15B添加Si的方法，可以在通過焙燒 得到上述15A、 15B的基本構(gòu)成之后，在使包含硅烷或乙硅烷的氣體處 于等離子體狀態(tài)的氣體環(huán)境中進(jìn)行處理，也可以通過摻雜Si原子或含 Si的分子來進(jìn)行注入。
作為對(duì)保護(hù)層添加H的方法，可以在&的氣體環(huán)境中對(duì)保護(hù)層表 面進(jìn)行退火處理，也可以將保護(hù)層放置在使含H2的氣體處于等離子體 狀態(tài)的氣體環(huán)境中進(jìn)行處理。此外，也可以使用事先添加了 H的氧化 鎂結(jié)晶微粒。
下面，說明PDP的整體制造方法。
2、 PDP的制造方法
這里，說明實(shí)施方式1的PDP1的制造方法的一例。
此外，該制造方法也適用于其他實(shí)施方式的PDP1的制造方法。
2-1、前面板的制作
在由厚度約2. 6mm的堿石灰玻璃形成的前面板玻璃的面上制作顯 示電極。這里，示出利用印刷法形成顯示電極的例子，但是，除此之 外，還可以使用印模涂敷法(die coating)、刮板涂敷法(blade coating )來形成。
首先，按照規(guī)定的圖案在前面板玻璃上涂敷ITO(透明電極)材料。 再使其干燥。
另一方面，使用光掩模法，將金屬(Ag)粉末和有機(jī)載體與光感 樹脂混合。覆蓋涂敷在上述透明電極材料上，并用具有形成顯示電極 的圖案的掩模進(jìn)行覆蓋。然后，從該掩模上方進(jìn)行曝光、顯影和焙燒 (590 - 600"C左右的焙燒溫度)。由此，在透明電極上形成總線。才艮 據(jù)該光掩模法，與現(xiàn)有以100pim線寬為限的絲網(wǎng)印刷法相比，可以得 到線寬細(xì)到30ym的總線。此外，作為該總線的金屬材料，還可以使 用除此之外的Pt、 Au、 Ag、 Al、 Ni、 Cr或氧化錫、氧化銦等。
此外，除了上述方法之外，還可以利用真空蒸鍍法、濺射法等成 膜電極材料、然后進(jìn)行蝕刻處理來形成上述電極。
其次，在形成的顯示電極之上，涂敷軟化點(diǎn)為5501C ~ 600"€的氧 化鉛系或氧化鉍系的電介質(zhì)玻璃粉末和由丁基卡必醇乙酸酯(BUTYL CARBITOL ACETATE)等形成的有機(jī)粘合劑混合后的膏體。接著，在550TC - 650X:左右的溫度下進(jìn)行焙燒，形成電介質(zhì)層。
其次，利用印刷法(厚膜形成法)在電介質(zhì)層的表面形成作為本 發(fā)明的特征的保護(hù)層。具體地說，將預(yù)先形成的作為第1結(jié)晶體材料
的平均粒徑為50nm的氧化鎂結(jié)晶微粒(宇部興產(chǎn)制)和作為第2結(jié)晶 體材料的液體狀有機(jī)材料的氧化鎂前驅(qū)物(從二乙氧基鎂(magnesium diethoxide) 、 4美環(huán)烷酸鹽、4美辛酸鹽、二甲氧基4美(magnesium dimethoxide)中選出l種或以上)混合。利用旋涂法等在上述電介質(zhì) 層上涂敷厚約lpm的上述混合物。作為印刷法，除此之外，還有印模 涂敷法、刮板涂敷法等。涂敷工序完了之后，在約60(TC的溫度下焙燒， 充分除去材料中包含的炭成分等雜質(zhì)，由此，形成實(shí)施方式1的保護(hù) 層。作為氧化鎂的前驅(qū)物，也可以使用上述材料之外的材料。
此外，在上述例子中，使用了由l種材料形成的氧化鎂結(jié)晶微粒， 但為了達(dá)到確保保護(hù)層中的粒子密度等目的，也可以適當(dāng)使用多種氧 化鎂結(jié)晶微粒。氧化鎂結(jié)晶微粒的大小可以根據(jù)保護(hù)層的厚度適當(dāng)決 定，在目前的保護(hù)層的設(shè)計(jì)中(厚度為700nm-lpm左右)，可以使 用大小為幾十nm到幾百nm的^:粒。
本發(fā)明的保護(hù)層具有即使利用厚膜形成法也可以得到良好的性能 的優(yōu)點(diǎn)，但是，只要在制造成本和生產(chǎn)能力容許的范圍內(nèi)，也可以利 用薄膜形成法形成。這時(shí)，可進(jìn)行使用2種不同的材料作為蒸發(fā)源的 通常的真空處理方法。
至此完成前面板的制作。
2-2、后面板的制作
利用絲網(wǎng)印刷法，在由厚約2.6mm的堿石灰玻璃形成的后面板的 表面上，按一定的間隔呈條狀涂敷以Ag為主要成分的導(dǎo)電性材料，形 成厚約5ym的地址電極。這里，為了使制作的PDP1符合例如40英寸 級(jí)的NTSC規(guī)格或VGA規(guī)格，將相鄰2個(gè)地址電極之間的間隔設(shè)定在 0. 4mm或以下。
接著，在形成地址電極的后面板玻璃的整個(gè)面上涂敷厚度約20一30 pm的鉛系玻璃膏體，再進(jìn)行焙燒，形成電介質(zhì)膜。
其次，使用和電介質(zhì)膜相同的鉛系玻璃材料，在電介質(zhì)膜上，在 每一個(gè)相鄰;J也址電極之間，形成高約60~ 100]Lim的阻隔壁。該阻隔壁 可以通過例如使用包含上述玻璃材料的膏體反復(fù)進(jìn)行絲網(wǎng)印刷然后焙燒形成。再有，在本發(fā)明中，若構(gòu)成阻隔壁的鉛系玻璃材料中包含有
Si的成分，則可以提高抑制保護(hù)層的阻抗上升的效果，這正是所希望 的。該Si可以包含在玻璃的化學(xué)成分中，也可以添加于玻璃材料中。
形成阻隔壁后，在阻隔壁的壁面和暴露于阻隔壁間的電介質(zhì)膜的
表面涂敷包含紅色(R)熒光體、綠色(G)熒光體或藍(lán)色(b)熒光體 的任一種的熒光墨水，對(duì)其進(jìn)行干燥和焙燒處理，分別形成熒光體層。
RGB各色熒光體的化學(xué)組成例如如下所示。
紅色熒光體Y203: Eu3+
綠色熒光體Zn2Si04: Mri
藍(lán)色熒光體BaMgAl,。0n: Eu2+
各熒光體材料可以使用平均粒徑為2.0nim的材料。按50質(zhì)量％的 比例將其放入容器(server)內(nèi)，同時(shí)，投入為1. 0質(zhì)量％的乙基纖維 素(ethyl cellulose)和為49質(zhì)量％的溶劑(a-辟品醇，a -terpinenol)，用砂磨機(jī)進(jìn)行攪拌混合，制作出15 x l03Pa s的熒 光墨水。接著，利用泵將其從口徑60nm的噴嘴向阻隔壁20之間噴射 涂敷。這時(shí)，使面板沿阻隔壁20的長(zhǎng)邊方向移動(dòng)，呈條狀涂敷熒光體 墨水。然后，在500X:的溫度下焙燒10分鐘，形成熒光體層21-23。到此為止，完成后面板的制作。
再有，這里前面板玻璃和后面板玻璃都是由堿石灰玻璃形成，但 這只是一個(gè)例子，也可以是除此之外的材料。 2-3、 PDP的完成
使用密封用的玻璃將制作出來的前面板和后面板貼合。然后，進(jìn)行排 氣，使放電空間內(nèi)部形成高度真空(1.0xl04Pa),并以規(guī)定定的壓 力(這里是66. 5kPa ~ 101kPa )在其中封入Ne-Xe系、He-Ne-Xe系、 He-Ne-Xe-Ar系等放電氣體。為了使本發(fā)明的保護(hù)層有效地獲得電勢(shì)發(fā) 射(二次電子發(fā)射特性)的效果，可以使放電氣體中包含Ne。
到此為止，完成PDP1的制作。
3、實(shí)施方式2
以下，使用圖4說明實(shí)施方式2的PDP的構(gòu)成。 所示的本實(shí)施方式2的保護(hù)層15的構(gòu)成是將碳結(jié)晶體的炭納米管 (CNT) 15C分散在氧化鎂結(jié)晶體15A中以取代上述氧化鎂結(jié)晶微粒 15B，使其暴露于放電空間24。利用該氧化鎂結(jié)晶體15A和CNT15C來分擔(dān)對(duì)保護(hù)層15要求的降低放電起始電壓Vf的特性和抑制放電差異 的特性。該保護(hù)層15例如可以通過對(duì)包含氧化鎂前驅(qū)物的有機(jī)材料添 加CNT,并將其涂敷在前面板上再進(jìn)行焙燒來形成。
若按照這樣構(gòu)成的PDP，在PDP驅(qū)動(dòng)時(shí)，首先，氧化鎂結(jié)晶體15A 起和實(shí)施方式1相同的效果。CNT15C因其電子發(fā)射特性好故和氧化鎂 結(jié)晶體15A—起，可以提高保護(hù)層15的二次電子發(fā)射系數(shù)(Y ) ， 4艮 好地降低放電起始電壓Vf。
另一方面，CNT15C具有增大保護(hù)層15的電子發(fā)射量的作用。由此， 在PDP驅(qū)動(dòng)時(shí)，因保護(hù)層15的載流子濃度提高，故可以進(jìn)行阻抗控制， 從而抑制放電差異。本發(fā)明也可以像這樣由氧化鎂和CNT來構(gòu)成。
再有，這里，示出了使用CNT作為炭結(jié)晶體的構(gòu)成，但在本發(fā)明 中，另外使用富勒烯(fullerene)等電子發(fā)射特性好的炭結(jié)晶體，也 可以得到同樣的效果。
4、 其他事項(xiàng)
在上述實(shí)施方式l、 2中，示出了PDP的構(gòu)成例，但本發(fā)明不限于 此，例如，也適用于具有封入放電氣體的放電空間和面向該放電空間 配置的保護(hù)層，在上述放電空間內(nèi)產(chǎn)生等離子體而發(fā)光的結(jié)構(gòu)的放電 發(fā)光元件。具體地說，作為放電發(fā)光元件的構(gòu)成，例如，可以是實(shí)施 方式1中的PDP1的單象素單元的結(jié)構(gòu)體。
5、 實(shí)施方式3 5-1、保護(hù)層的構(gòu)成
以下，使用圖6的PDP部分剖面圖說明實(shí)施方式3的PDP1。 圖1 (a)是x方向的剖面圖，圖1 (b)是沿圖1 (a)的a-a，線截 取的y方向剖面圖。該P(yáng)DP1的基本構(gòu)成和實(shí)施方式1、 2相同，只有 特征部分的保護(hù)層15的構(gòu)成不同。
即，在實(shí)施方式3的PDP1中，如圖1 (a) 、 (b)所示，至少在 保護(hù)層15的表面部分，在作為第1材料的由氧化鎂形成的基底上，面 向放電空間24設(shè)置作為第2材料的由具有比上述氧化鎂高的費(fèi)米能級(jí) 的島狀金屬材料形成的島狀金屬部150。具體地說，島狀金屬部150 配設(shè)在與一對(duì)顯示電極12、 13在面板的厚度方向(z方向)重疊的位置上(這里是在掃描電極12的正下方)。
對(duì)島狀金屬材料，優(yōu)選功函數(shù)在5eV或以下且耐濺射性好，例如， 優(yōu)選從Fe、 Al、 Mg、 Ta、 Mo、 W、 Ni中選出的材料。在上述例中使用 Al。
再有，作為具有比上述氧化鎂高的費(fèi)米能級(jí)的材料，還可以選擇 其它各種絕緣材料、半導(dǎo)體材料等并使其形成島狀來使用，以取代島 狀金屬部。
5-2、實(shí)施方式3的效果
圖7是在Mg0膜上形成上述島狀金屬部并對(duì)此測(cè)定的光電子光譜 數(shù)據(jù)。在圖7中，與實(shí)施方式3的保護(hù)層有關(guān)的數(shù)據(jù)相當(dāng)于2A，與比 較例(由通常的MgO膜形成的保護(hù)層)有關(guān)的數(shù)據(jù)相當(dāng)于2B。作為島 狀金屬部，是單元開口部面積的1/10左右。本發(fā)明的島狀金屬部?jī)?yōu)選 設(shè)定成使其空間周期是單元大小的1/10或以下。
由該數(shù)據(jù)可知，在表示實(shí)施方式3的性能的2A的數(shù)據(jù)中，與島狀 金屬部是微小區(qū)域無關(guān)，電子發(fā)射都在Al的功函數(shù)的4.2eV處上升。 另一方面，比較例數(shù)據(jù)中的電子發(fā)射的上升則在5.0eV左右，相當(dāng)于 從真空標(biāo)準(zhǔn)到測(cè)定的MgO膜的費(fèi)米能級(jí)(能量)的能量。因此，在實(shí) 施方式3中，可以使用MgO膜本身去抑制放電起始電壓Vf，而且利用 島狀金屬部提高保護(hù)層的電子發(fā)射特性，可以得到抑制放電差異的效 果。
圖8示出Al和MgO的能帶。從該圖所示的能量關(guān)系可知，在實(shí)施 方式3的保護(hù)層15中，通過在氧化鎂的表面設(shè)置島狀金屬部150,可 以充分保持壁電荷，而且，可以得到二次電子發(fā)射量大的特性。這是 PDP的保護(hù)層的優(yōu)選特性。
這里，島狀金屬部150必須設(shè)計(jì)成彼此孤立的絕緣狀態(tài)，但如果 個(gè)數(shù)、大小、形狀和形成的位置不會(huì)使單元放電等所必須的壁電荷受 到損失，就不會(huì)有問題。
此外，配置上述島狀金屬部150的位置優(yōu)選避開因PDP驅(qū)動(dòng)時(shí)產(chǎn) 生的放電而使濺射變得顯著的保護(hù)層表面的區(qū)域而且和不會(huì)遮蔽用于 圖像顯示的可見光的位置。由于這一理由，在本實(shí)施方式3中，如圖6 所示，該位置適合在顯示電極的正下方，例如，在掃描電極U上的總 線12114的正下方。在實(shí)施方式3中，根據(jù)本申請(qǐng)的發(fā)明人的實(shí)驗(yàn)，與現(xiàn)有技術(shù)相比， 可以使放電起始電壓Vf降低20%左右，而且，壁電荷的保持能力與現(xiàn) 有技術(shù)相比毫不遜色，與現(xiàn)有技術(shù)相比更難以產(chǎn)生黑噪聲，從而可以 實(shí)現(xiàn)性能優(yōu)良的PDP。
6、實(shí)施方式4
以下，使用圖9的保護(hù)層的正視圖說明實(shí)施方式4的PDP1。圖9 (a)和圖9 (b)分別示出保護(hù)層的其它構(gòu)成。
該P(yáng)DP1的基本構(gòu)成和實(shí)施方式1 ~ 3相同，只有特征部分的保護(hù) 層15的構(gòu)成不同。
在圖9 (a)所示的構(gòu)成例中，保護(hù)層15在相鄰的作為第l材料的 氧化鎂結(jié)晶微粒152的晶界153或其附近，析出具有比Mg0的費(fèi)米能 級(jí)高的費(fèi)米能級(jí)的絕緣體、半導(dǎo)體或金屬作為實(shí)施方式3中所述的第2 材料，與整個(gè)保護(hù)層形成復(fù)合體。
這樣的保護(hù)層15可以通過使Mg等具有650t:左右或以下的熔點(diǎn)的 金屬材料有選擇地在MgO中熔融形成。
當(dāng)然，作為在上述晶界153析出的金屬，優(yōu)選具有5eV或以下的 功函數(shù)且耐濺射性好的金屬，而并不限于Mg。上迷金屬材料也可以是 例如從Fe、 Al、 Ta、 Mo、 W、 Ni中選出的1種或以上的材料。
另一方面，圖9 (b)所示的構(gòu)成例是由和氧化鎂結(jié)晶微粒152— 起使具有比MgO的費(fèi)米能級(jí)高的費(fèi)米能級(jí)的絕緣體、半導(dǎo)體或金屬(Fe) 等別的材料的結(jié)晶微粒154分散在MgO的多結(jié)晶膜中的納米復(fù)合材料 形成的保護(hù)層15。作為該納米復(fù)合材料，例如，可以使用利用Journal of the Ceramic Society of Japan 108 (9) (2000) p. 781-784中 公開的技術(shù)制作的Mg0/Fe的納米復(fù)合材料。
作為使用在上述結(jié)晶微粒154的金屬，不限于Fe，希望具有5eV 或以下的功函數(shù)且耐濺射性好。例如可以使用Mg、 Al、 Ta、 Mo、 W、 Ni 等。
圖10 (a) 、 10 (b)示出將圖9 (a) 、 (b)所示的復(fù)合體或復(fù) 合材料用于PDP的保護(hù)層15的具體構(gòu)成。圖10 (a)是x方向的剖面 圖，圖10 (b)是沿圖10 (a)的a-a，線截取的y方向剖面圖。在該圖 10所示的構(gòu)成中，在各子象素SU (放電單元)內(nèi)，局部設(shè)置由上述復(fù) 合體或復(fù)合材料形成的保護(hù)層區(qū)域。具體地說，由復(fù)合體或復(fù)合材料形成的保護(hù)層區(qū)域和上述實(shí)施方式3的島狀金屬部150 —樣，優(yōu)選設(shè) 在避開因PDP驅(qū)動(dòng)時(shí)產(chǎn)生的放電而使濺射變得顯著的區(qū)域且不會(huì)遮蔽 用于圖像顯示的可見光發(fā)光的位置上。由于這一理由，在圖10 (a)、 (b)的構(gòu)成例中，呈島狀、局部地設(shè)置在顯示電極的正下方，例如， 設(shè)在掃描電極12上的總線121的正下方。
再有，在實(shí)施方式4中，不限于局部設(shè)置由上述復(fù)合體或復(fù)合材 料形成的保護(hù)層區(qū)域的構(gòu)成，也可以利用上述復(fù)合體或復(fù)合材料來構(gòu) 成整個(gè)保護(hù)層15。
在實(shí)施方式4中，根據(jù)發(fā)明人的實(shí)驗(yàn)，與現(xiàn)有技術(shù)相比，可以使 放電起始電壓Vf降低20%左右，而且，壁電荷的保持能力與現(xiàn)有技術(shù) 相比毫不遜色，與現(xiàn)有技術(shù)相比更難以產(chǎn)生黑噪聲，從而可以實(shí)現(xiàn)性 能優(yōu)良的PDP。
工業(yè)上利用的可能性
本發(fā)明適用于電視，特別適用于可高清晰度再現(xiàn)圖像的高清晰度 電視。
權(quán)利要求
1、一種等離子體顯示面板，其中，形成了保護(hù)層的第1襯底經(jīng)放電空間和第2襯底相對(duì)配置、且所述兩襯底周圍被密封，其特征在于，在保護(hù)層的表面，電子發(fā)射特性互不相同的第1材料和第2材料分別暴露于所述放電空間，而且，第1材料和第2材料中的至少一方是分散存在的。
2、 如權(quán)利要求l記載的等離子體顯示面板，其特征在于， 所述第1材料是第1結(jié)晶體，所述第2材料是第2結(jié)晶體， 在所述保護(hù)層的表面，第2結(jié)晶體分散在第1結(jié)晶體中。
3、 如權(quán)利要求2記栽的等離子體顯示面板，其特征在于，所述第 2結(jié)晶體比所述第1結(jié)晶體的純度高。
4、 如權(quán)利要求2記載的等離子體顯示面板，其特征在于， 所述保護(hù)層主要由氧化鎂形成，所述第2結(jié)晶體由氧化鎂的結(jié)晶微粒形成。
5、 如權(quán)利要求4記載的等離子體顯示面板，其特征在于，所述第 1結(jié)晶體通過焙燒氧化鎂的前驅(qū)物得到。
6、 如權(quán)利要求4記載的等離子體顯示面板，其特征在于，所述第 2結(jié)晶體是富含氧的氧化鎂。
7、 如權(quán)利要求2記載的等離子體顯示面板，其特征在于，在所述 保護(hù)層中，從硅、氫、鉻中選擇1種或以上至少對(duì)第2結(jié)晶體進(jìn)行摻 雜。
8、 如權(quán)利要求1記載的等離子體顯示面板，其特征在于，在所述 保護(hù)層中，至少在面向所述放電空間的表面部分，作為第1材料存在 氧化鎂，作為第2材料存在富勒烯和炭納米管中的至少l種材料。
9、 如權(quán)利要求l記載的等離子體顯示面板，其特征在于，在所述 保護(hù)層中，至少在面向所述放電空間的表面部分，作為所述第2材料， 存在島狀金屬材料、具有比氧化鎂高的費(fèi)米能級(jí)的絕緣材料和具有比 氧化鎂高的費(fèi)米能級(jí)的半導(dǎo)體材料中的至少1種材料。
10、 如權(quán)利要求9記載的等離子體顯示面板，其特征在于，所述 島狀金屬材料由具有5eV或以下的功函數(shù)的金屬材料構(gòu)成。
11、 如權(quán)利要求9記載的等離子體顯示面板，其特征在于，所述 島狀金屬材料由從Fe、 Al、 Mg、 Ta、 Mo、 W、 Ni中選出的材料構(gòu)成。
12、 如權(quán)利要求9記載的等離子體顯示面板，其特征在于， 在所述第1襯底上，在該襯底的表面和保護(hù)層之間配設(shè)多對(duì)的一對(duì)顯示電極；所述島狀金屬材料配設(shè)在對(duì)于所述一對(duì)顯示電極在保護(hù)層的厚度 方向上重疊的位置上。
13、 如權(quán)利要求1記載的等離子體顯示面板，其特征在于， 在所述保護(hù)層中，至少在面向所述放電空間的表面部分存在作為第l材料的氧化鎂，而且，作為第2材料存在金屬材料、具有比氧化鎂高的費(fèi)米能級(jí) 的絕緣材料和具有比氧化鎂高的費(fèi)米能級(jí)的半導(dǎo)體材料中的至少1種 材料。
14、 如權(quán)利要求13記載的等離子體顯示面板，其特征在于，在作 為所述第1材料的氧化鎂的晶界存在所述第2材料。
15、 如權(quán)利要求13記載的等離子體顯示面板，其特征在于，所述 金屬材料是具有5eV或以下的功函數(shù)的金屬材料。
16、 如權(quán)利要求13記栽的等離子體顯示面板，其特征在于，所述 金屬材料由從Fe、 Al、 Mg、 Ta、 Mo、 W、 Ni中選出的材料構(gòu)成。
17、 如權(quán)利要求13記載的等離子體顯示面板，其特征在于，所述 保護(hù)層由含有氧化鎂的第1材料和包含金屬材料、具有比氧化鎂高的 費(fèi)米能級(jí)的絕緣材料和具有比氧化鎂高的費(fèi)米能級(jí)的半導(dǎo)體材料中的 至少l種材料的第2材料分散形成的納米復(fù)合材料構(gòu)成。
18、 如權(quán)利要求13記載的等離子體顯示面板，其特征在于， 在所述等離子體顯示面板中，形成多個(gè)放電單元以劃分所述放電空間，所述第2材料局部存在于所述各放電單元的內(nèi)部。
19、 一種等離子體顯示面板用保護(hù)膜，相對(duì)于與放電空間面對(duì)的 村底表面形成，其特征在于，在所述保護(hù)膜中，在至少面向所述放電空間的表面部分，存在電 子發(fā)射特性互不相同的第1結(jié)晶體和第2結(jié)晶體；所述笫2結(jié)晶體分 散在所述第1結(jié)晶體中。
20、 一種等離子體顯示面板用保護(hù)膜，相對(duì)于與放電空間面對(duì)的 村底表面形成，其特征在于，在所述保護(hù)膜中，在至少面向所述放電空間的表面部分，存在氧 化鎂和分散在該氧化鎂中的富勒烯和炭納米管中的1種或以上的材料。
21、 一種放電發(fā)光元件，具有封入放電氣體的放電空間和面向該 放電空間配置的保護(hù)層，在所述放電空間內(nèi)產(chǎn)生等離子體并發(fā)光，其 特征在于，在所迷保護(hù)層中，在至少面向所述放電空間的表面部分，存在電 子發(fā)射特性互不相同的第1結(jié)晶體和第2結(jié)晶體，所述第2結(jié)晶體分 散在所述第1結(jié)晶體中。
22、 一種放電發(fā)光元件，具有封入放電氣體的放電空間和面向該 放電空間配置的保護(hù)層，在所述放電空間內(nèi)產(chǎn)生等離子體并發(fā)光，其 特征在于，在所述保護(hù)層中，至少在面向所述放電空間的表面部分，存在氧 化鎂和分散在該氧化鎂中的富勒烯和炭納米管中的l種或以上的材料。
23、 一種等離子體顯示面板的制造方法，包括相對(duì)于第1襯底的l襯底的表面和第2襯底密封的密封步驟，其特征在于, '_ '所述保護(hù)層形成步驟包括將第2結(jié)晶體材料混合到第1結(jié)晶體材 料后，再將其涂敷在笫1襯底的表面的涂敷步驟和在所述涂敷步驟之 后的焙燒步驟。
24、 如權(quán)利要求23記載的等離子體顯示面板的制造方法，其特征 在于，作為所述第1結(jié)晶體材料使用氧化鎂前驅(qū)物，作為第2結(jié)晶體 材料使用氧化鎂結(jié)晶微粒。
25、 如權(quán)利要求23或24記載的等離子體顯示面板的制造方法， 其特征在于，在所述保護(hù)層形成步驟中，至少在第1結(jié)晶體和第2結(jié) 晶體中的第2結(jié)晶體中摻雜從硅、氫、鉻中選出的l種或以上的物質(zhì)。
26、 如權(quán)利要求25記載的等離子體顯示面板的制造方法，其特征 在于，作為在所述保護(hù)層形成步驟中對(duì)至少在第1結(jié)晶體和第2結(jié)晶 體中的笫2結(jié)晶體摻雜氫的方法，從退火處理和等離子體摻雜中選擇 任一種方法。
27、 如權(quán)利要求25記載的等離子體顯示面板的制造方法，其特征 在于，作為在所述保護(hù)層形成步驟中對(duì)至少在第1結(jié)晶體和第2結(jié)晶 體中的第2結(jié)晶體中摻雜硅的方法，進(jìn)行硅烷或乙硅烷的等離子體摻雜。
28、 一種等離子體顯示面板的制造方法，包括相對(duì)于第1襯底的 表面形成保護(hù)層的保護(hù)層形成步驟和經(jīng)放電空間將形成了保護(hù)層的第 l村底的表面和第2襯底密封的密封步驟，其特征在于，所述保護(hù)層形成步驟包括將富勒烯和炭納米管中的至少l種材料 混合到氧化鎂前驅(qū)物材料后，再將其涂敷在第l襯底的表面的涂敷步 驟，和在該涂敷步驟之后的焙燒步驟。
全文摘要
本發(fā)明是一種等離子體顯示面板，形成了保護(hù)層(15)的第1襯底(11)經(jīng)放電空間和第2襯底相對(duì)配置，且上述兩襯底周圍被密封；在保護(hù)層(15)的表面，電子發(fā)射特性互不相同的第1材料和第2材料分別暴露于上述放電空間，而且，第1材料和第2材料中的至少一方是分散存在的。這里，上述第1材料是第1結(jié)晶體(15A)，上述第2材料是第2結(jié)晶體(15B)，在上述保護(hù)層的表面，第2結(jié)晶體分散在第1結(jié)晶體中。
文檔編號(hào)H01J17/49GK101414531SQ20081017092
公開日2009年4月22日 申請(qǐng)日期2003年11月12日 優(yōu)先權(quán)日2002年11月22日
發(fā)明者北川雅俊, 大石毅一郎, 森田幸弘, 西谷干彥 申請(qǐng)人:松下電器產(chǎn)業(yè)株式會(huì)社