專利名稱：：準分子燈的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
：本發(fā)明涉及一種準分子燈，其具備由二氧化硅玻璃構(gòu)成的放電容器，在夾著形成該放電容器的二氧化硅玻璃的狀態(tài)下設(shè)有一對電極，在上述放電容器的內(nèi)部產(chǎn)生準分子放電。
背景技術(shù)：
：近年來，開發(fā)了例如通過將波長200nm以下的真空紫外光照射在由金屬、玻璃及其它材料構(gòu)成的被處理體上，而在該真空紫外光及由此所生成的臭氧的作用下處理被處理體的技術(shù)，例如除去附著于被處理體的表面的有機污染物質(zhì)的清洗處理技術(shù)、或在被處理體的表面形成氧化膜的氧化膜形成處理技術(shù)，并將這些技術(shù)實用化。作為照射真^紫外光的裝置，將例如通過準分子放電形成準分子分子、并利用從該準分子分子所放射的光的準分子燈作為光源，在此種準分子燈中，為了更有效率地放射更高強度的紫外線，進行了很多嘗試。具體的說，例如參照圖6加以說明，在實施例中示例了如下準分子燈50(參照專利文獻1):具備透射紫外線的由二氧化硅玻璃構(gòu)成的放電容器51，在該放電容器51的內(nèi)側(cè)與外側(cè)分別設(shè)有電極55、56，其中，在放電容器51的曝露于放電空間S中的表面上，形成紫外線反射膜20，而作為紫外線反射膜，僅由二氧化硅粒子構(gòu)成、及僅由氧化鋁粒子構(gòu)成。在該準分子燈50中，在放電容器51的一部分，未形成紫外線反射膜20，從而形成有出射在放電空間S內(nèi)產(chǎn)生的紫外線的光出射部58。根據(jù)此種構(gòu)成的準分子燈50，通過在被曝露于放電容器51的放電空間S中的表面上設(shè)有紫外線反射膜，在設(shè)有紫外線反射膜的區(qū)域中，在放電空間S內(nèi)產(chǎn)生的紫外線由紫外線反射膜反射，因此不會入射至二氧化硅玻璃，而在構(gòu)成光出射部58的區(qū)域中，紫外線透射二氧化硅玻璃并放射至外部，所以基本上可以有效地利用在放電空間s內(nèi)產(chǎn)生的紫外線，而且可將構(gòu)成光出射部58以外的區(qū)域的二氧化硅玻璃的紫外線應(yīng)變所致的損壞抑制得較小，而可防止產(chǎn)生裂痕。專利文獻l:日本專利第3580233號公報近幾年來，對于具備準分子燈的照射真空紫外光的裝置的一種愿望，要求進一步提升處理效率，作為對于此種愿望的措施，考慮了有效地使用從準分子燈所放射的更短波長的光。該理由是波長短的光能量較大，因此即使少光的量也可得到大的作用。然而，現(xiàn)有的準分子燈的紫外線反射膜，不具有如波長150nm附近的光的反射特性，因此無法實現(xiàn)上述愿望。
發(fā)明內(nèi)容因此，本申請發(fā)明人考慮到，即使為微量，只要能形成可反射波長150nm附近的光的紫外線反射膜而有效率地利用該波長的光，就可提升具備該準分子燈的照射真光紫外光的裝置的處理能力，從而完成了本發(fā)明。本發(fā)明的目的在于，提供一種可有效率地利用波長150nm附近的短波長的光、而可構(gòu)成為具有高處理能力的準分子燈。本發(fā)明的準分子燈，包括具有放電空間的由二氧化硅玻璃構(gòu)成的放電容器，在夾著形成該放電容器的二氧化硅玻璃的狀態(tài)下設(shè)有一對電極，并且在放電空間內(nèi)封入有氙氣體，在上述放電容器的放電空間內(nèi)產(chǎn)生準分子放電，其特征在于，在上述放電容器的曝露于放電空間中的表面上，形成由二氧化硅粒子與氧化鋁粒子形成的紫外線反射膜，該紫外線反射膜所含的除了硅及鋁以外的雜質(zhì)金屬的濃度為700wtppm以下。根據(jù)本發(fā)明的準分子燈，紫外線反射膜由二氧化硅粒子與氧化鋁粒子形成，除了硅及鋁以外的雜質(zhì)金屬的濃度為700wtppm以下，從而可將該紫外線反射膜構(gòu)成為不僅反射波長170nm附近的光、而且反射波長150nm附近的更短波長的光的功能，并且形成放電容器的二氧化硅玻璃具有透射波長140-150nm以上的光的特性，因此可有效率地出射通過準分子放電產(chǎn)生的真空紫外光，因此可有效地利用包含能量大的150nm附近的短波長的光的真空紫外光，可構(gòu)成為具有高處理能力。圖1是表示本發(fā)明的準分子燈的一例的構(gòu)成概略的說明用截面圖，(a)是表示沿著放電容器的長度方向的截面的截面圖，(b)是表示(a)的A-A線截面圖。圖2是表示封入有氤氣體的準分子燈的準分子放電發(fā)光光譜的圖表。圖3是用于說明二氧化硅粒子及氧化鋁粒子的粒徑的定義的說明圖。圖4是表示針對在實驗例所制作的紫外線反射膜的、特定波長的光的反射光強度及紫外線反射膜所含的雜質(zhì)金屬的濃度的關(guān)系的圖表。圖5是用于說明為了測定針對在實驗例所制作的紫外線反射膜的反射光強度所使用的裝置的測定原理的圖。圖6是表示本發(fā)明的準分子燈的另一例子的構(gòu)成概略的說明用截面圖，(a)是表示沿著放電容器的長度方向的截面的橫截面圖，(b)是表示(a)的A-A線截面圖。圖7是表示本發(fā)明的準分子燈的其他例子的構(gòu)成概略的說明用截面圖，(a)是表示沿著放電容器的長度方向的截面的截面圖，(b)是表示垂直于(a)的紙面的平面下的截面的截面圖。具體實施例方式圖1是表示本發(fā)明的準分子燈的一例的構(gòu)成的概略的說明用截面圖，(a)是表示沿著放電容器的長度方向的截面的構(gòu)截面圖，(b)是表示(a)的A-A線截面圖。該準分子燈10具備兩端被氣密地封閉而形成有放電空間S的截面矩形狀的中空長條狀的放電容器11，在該放電容器ll的內(nèi)部，作為放電用氣體封入有氤氣體。在此，氙氣體的封入量設(shè)定為使壓力在如1060kPa(100600mbar)的范圍內(nèi)。放電容器11是由良好地透射真空紫外光的二氧化硅玻璃、例如合成石英玻璃構(gòu)成，具有作為電介質(zhì)的功能。在放電容器11的長邊面的外表面，以在長度方向延伸的方式相對地配置有一對柵格狀電極、即作為高電壓供給電極發(fā)揮功能的一個電極15及作為接地電極發(fā)揮功能的另一個電極16，從而成為在一對電極15、16之間夾著作為電介質(zhì)發(fā)揮功能的放電容器11的狀態(tài)。此種電極例如可以通過將金屬構(gòu)成的電極材料糊膏涂布于放電容器11上、或通過照片印刷形成。在該準分子燈10中，向一個電極15供給點燈電力時，經(jīng)由作為電介質(zhì)發(fā)揮的放電容器11的壁而在兩電極15、16間產(chǎn)生放電，從而形成有準分子分子，并且產(chǎn)生從該準分子分子放射真空紫外光的準分子放電，通過使氙氣體的封入壓力在如1060kPa(100600mbar)的范圍內(nèi)，而放射在波長150nm附近具有峰值的真空紫外光。具體上，例如，如圖2(一)所示，在氤氣體的封入壓力為50mbar時，在波長150nm附近具有峰值Pl的、從波長145nm左右到波長190nm為止的波長區(qū)域的光發(fā)光。此外，如圖2(口)所示，在氣氣體的封入壓力為100mbar時，在波長150nm附近及波長170nm附近具有峰值P2、P3的、從波長145nm左右到波長190nm為止的波長區(qū)域的光發(fā)光。此外，圖2(八)是氙氣體的封入壓力為680mbar時的準分子放電發(fā)光光譜。如上所述，放電容器ll由二氧化硅玻璃、尤其是雜質(zhì)少的合成石英玻璃構(gòu)成，由于合成石英玻璃玻璃具有透射波長140150nm以上的波長的光的特性，因此在氙氣體的封入壓力例如為10~60kPa(100600mbar)的范圍內(nèi)的上述構(gòu)成的準分子燈10中，放射波長為140150nm以上、且在波長150nm附近及波長170nm附近具有峰值的真空紫外光。然而，在上述準分子燈10中，為了有效率地利用通過準分子放電產(chǎn)生的真空紫外光，例如在放電容器11的曝露在放電空間s中的表面上，設(shè)有由二氧化硅粒子與氧化鋁粒子形成的紫外線反射膜20。紫外線反射膜20例如在放電容器11的長邊面的與作為高電壓供給電極發(fā)揮功能的一個電極15對應(yīng)的內(nèi)表面區(qū)域、及與該區(qū)域連續(xù)的短邊面的內(nèi)表面區(qū)域的一部分上形成，而在放電容器11的長邊面的與作為接地電極發(fā)揮功能的另一個電極16對應(yīng)的內(nèi)表面區(qū)域上，通過未形成有紫外線反射膜20來構(gòu)成光出射部(孔徑部)18。紫外線反射膜20的膜厚例如優(yōu)選10100nm。紫外線反射膜20，在至少曝露于放電空間S中的表面層部分，即受到隨著準分子放電所產(chǎn)生的等離子體的影響而使得二氧化硅粒子熔融并產(chǎn)生粒界消失的部分、例如在深度約2pm的范圍內(nèi)，氧化鋁粒子與二氧化硅粒子混合存在，例如可通過二氧化硅粒子與氧化鋁粒子的堆積體構(gòu)成。紫外線反射膜20具有重復(fù)產(chǎn)生反射與折射的"擴散反射"的功能，具體原理如下二氧化硅粒子及氧化鋁粒子自身具有高折射率從而具有真空紫外光透射性，因此到達二氧化硅粒子或氧化鋁粒子的真空紫外光的一部分在粒子表面被反射，同時其它的部分折射而入射至粒子內(nèi)部，進而入射至粒子內(nèi)部的大部分光被透射(一部分被吸收)，而再出射之際被折射。此外，紫外線反射膜20由二氧化硅粒子與氧化鋁粒子構(gòu)成，即由陶瓷構(gòu)成，具有不會產(chǎn)生雜質(zhì)氣體、且耐于放電的特性。構(gòu)成紫外線反射膜20的二氧化硅粒子，例如可使用將二氧化硅玻璃粉末狀地作成細粒子后的物質(zhì)等。二氧化硅粒子的如下定義的粒徑例如在0.01~20^n的范圍內(nèi)，中心粒徑(數(shù)均粒徑的峰值)例如優(yōu)選為0.1~10|am，更優(yōu)選為0.3~3pm。此外，具有中心粒徑的二氧化硅粒子的比率優(yōu)選為50%以上。構(gòu)成紫外線反射膜20的氧化鋁粒子的如下定義的粒徑例如在0.11(Hmi的范圍內(nèi)，中心粒徑(數(shù)均粒徑的峰值)例如優(yōu)選為0.卜3iim，更優(yōu)選為0.3~lnm。此外，具有中心粒徑的氧化鋁粒子的比率優(yōu)選為50%以上。構(gòu)成紫外線反射膜20的二氧化硅粒子及氧化鋁粒子的"粒徑"是指將紫外線反射膜20在與其表面垂直的方向上切剖時的切剖面中的厚度方向的大約中間位置作為觀察范圍，通過掃描型電子顯微鏡(SEM)取得放大投影圖像，而以一定方向的兩條平行線夾著該放大投影圖像的任意粒子時的該平行線的間隔、即費雷特(Feret)直徑。如圖3(a)所示，具體上，在以單獨存在大約球狀的粒子A及具有粉碎粒子形狀的粒子B等的粒子時，將以朝著一定方向(例如紫外線反射膜20的厚度方向)延伸的兩條平行線夾著該粒子時的對應(yīng)平行線的間隔作為粒徑DA、DB。此外，對于具有初始材料的粒子熔融而接合的形狀的粒子C，如圖3(b)所示地，對于被判別為初始材料的粒子C1、C2的部分中的各球狀部分，測定由朝一定方向(例如紫外線反射膜20的厚度方向)延伸的2條平線夾著時的該平行線的間隔，將此作為該粒子的粒徑DC1、DC2。構(gòu)成紫外線反射膜20的二氧化硅粒子及氧化鋁粒子的"中心粒徑"是指將如上得到的各粒子的粒徑的最大值和最小值的粒徑的范圍，例如以0.1pm的范圍分成多個區(qū)分、例如分成的15區(qū)分左右后，屬于各個區(qū)分的粒子個數(shù)(度數(shù))最大的區(qū)分的中心值。二氧化硅粒子及氧化鋁粒子通過具有與真空紫外光的波長相同程度的上述范圍的粒徑，而可有效率地擴散反射真空紫外光。然而，在上述準分子燈10中，通過紫外線反射膜20含有氧化鋁粒子，除了作為二氧化硅粒子的主成分的硅及作為氧化鋁粒子的主成分的鋁以外的雜質(zhì)金屬會不可避免地混入，但例如在二氧化硅粒子的純度及氧化鋁粒子的純度的關(guān)系中，可通過調(diào)整以使構(gòu)成紫外線反射膜20的二氧化硅粒子與氧化鋁粒子的混合比為適當(dāng)范圍，而將紫外線反射膜20所含的雜質(zhì)金屬的濃度(合計)限制在700wtppm以下。紫外線反射膜20所含的氧化鋁粒子的比率，優(yōu)選為二氧化硅粒子與氧化鋁粒子的合計的例如lwt。/6以上，更優(yōu)選為5wt^以上，進一步優(yōu)選為10wt%。此外，優(yōu)選為二氧化硅粒子與氧化鋁粒子的合計的70%Wt以下，更優(yōu)選為40wt^以下。通過使二氧化硅粒子與氧化鋁粒子為上述混合比來構(gòu)成紫外線反射膜20，即使長時間點燈時，也可確實地抑制二氧化硅粒子熔融而把.紫外線反射膜20的反射率會大幅度地降低，并且不會因氧化鋁粒子混入而導(dǎo)致紫外線反射膜20相對于放電容器11的粘合性大幅度地降低，因此可確實地防止紫外線反射膜20剝落，而且可使雜質(zhì)金屬的濃度為預(yù)定值以下的狀態(tài)。此種紫外線反射膜20例如可通過稱為"流下法"的方法形成。即，在組合了水與PEO樹脂(聚氧化乙烯)的具有粘性的溶劑中混合二氧化硅粒子及氧化鋁粒子來調(diào)配分散液，通過將該分散液流進放電容器形成材料內(nèi)，在附著于放電容器形成材料的內(nèi)表面的所定區(qū)域之后，利用干燥、燒成，把水與PEO樹脂予以蒸發(fā)，從而可形成紫外線反射膜20。在此，燒成溫度例如為500-1100°C。形成紫外線反射膜20時所用的二氧化硅粒子及氧化鋁粒子的制造，可利用固相法、液相法、氣相法的任何方法，但其中，由于可確實地得到亞微細粒、微米尺寸的粒子，而優(yōu)選氣相法、尤其是化學(xué)蒸鍍法(CVD)。具體上，例如二氧化硅粒子可以通過將氯化硅與氧在900~100(TC予以反應(yīng)而合成，氧化鋁粒子可以通過將原料的氯化鋁與氧在1000120(TC予以加熱反應(yīng)而合成，粒徑可通過控制原料濃度、反應(yīng)場所的壓力、反應(yīng)溫度來調(diào)整。一般，在準分子燈中，公知隨著準分子放電而產(chǎn)生等離子體，但在如上構(gòu)成的準分子燈中，等離子體大約直角地入射于紫外線反射膜而施以作用，因此紫外線反射膜的溫度會局部地急劇上升，如果紫外線反射膜僅例如僅由二氧化硅粒子構(gòu)成，則會通過等離子體的熱而使得二氧化硅粒子熔融從而粒界消失，因此無法擴散反射真空紫外光，反射率下降。然而，紫外線反射膜20由二氧化硅粒子與氧化鋁粒子構(gòu)成，從而根據(jù)上述構(gòu)成的準分子燈10，基本上即使被曝露在由等離子體產(chǎn)生的熱中時，由于熔點高于二氧化硅粒子的氧化鋁粒子不會熔融，因此可以防止在粒子之間結(jié)合著互相鄰接的二氧化硅粒子與氧化鋁粒子，粒界得到維持，因此即使長時間點燈時，也可有效率地擴散反射真空紫外光，而可維持初期的反射率。此外，氧化鋁粒子具有比二氧化硅粒子高的折射率，因此與僅由二氧化硅粒子形成的紫外線反射膜相比較，可得到高反射率。而且，根據(jù)上述構(gòu)成的準分子燈10，通過使除了作為紫外線反射膜20所含的二氧化硅粒子的主成分的硅及作為氧化鋁粒子的主成分的鋁以外的雜質(zhì)金屬的濃度為700wtppm以下，如下述實驗例的結(jié)果所示，可將紫外線反射膜20構(gòu)成為不僅波長170nm附近的光、而且波長150nm附近的光也具有反射特性，因此形成放電容器的二氧化硅玻璃具有透射波長140-150mn以上的光的特性，所以可有效率地利用在通過準分子放電產(chǎn)生的、在波長150mn附近及波長170nm附近具有峰值的真空紫外光，具有高處理能力。此外，通過在被曝露在產(chǎn)生準分子發(fā)光的放電空間S中的放電容器11內(nèi)表面上形成有紫外線反射膜20，可將隨著放電空間S內(nèi)的真空紫外線入射于構(gòu)成光出射部18以外區(qū)域的二氧化硅玻璃上產(chǎn)生的紫外線應(yīng)變所致的損傷予以減小，而可防止產(chǎn)生裂痕。以下說明為了確認本發(fā)明的效果而進行的實驗例。(實驗例l:紫外線反射膜的反射特性)準備純度為99.99%、99.9%及純度99.8%的3種二氧化硅粒子、和純度為99.99%、99.9%及純度99.8%的3種氧化鋁粒子，適當(dāng)?shù)刈兏趸枇Ｗ优c氧化鋁粒子的組合，并且使二氧化硅粒子與氧化鋁粒子的混合比(二氧化硅粒子:氧化鋁粒子)在20:80-80:20的范圍內(nèi)適當(dāng)變更，而在由合成石英玻璃構(gòu)成的厚度lmm的基材上，通過流下法形成紫外線反射膜，從而制作出多種試驗片。在此，形成紫外線反射膜時的燒成溫度是IIO(TC，膜厚是30iam。任何純度的二氧化硅粒子，粒徑范圍為0.3-1.0|im，中心粒徑為0.3pm，具有中心粒徑的粒子比率為50%。任何純度的氧化鋁粒子，粒徑范圍為0.2-0.7pm，中心粒徑為0.4|um，具有中心粒徑的粒子比率為50%。針對各個試驗片的紫外線反射膜，測定該紫外線反射膜所含的除了硅及鋁以外的雜質(zhì)金屬的濃度，并且測定波長150nm的光的反射光強度及波長nOnm的光的反射光強度。結(jié)果示于圖4中。(雜質(zhì)金屬濃度的測定方法)以純水清洗試驗片并使之干燥后進行試驗片的秤量，使用特弗隆(Teflon)(注冊商標)膠帶來遮蔽試驗片的基材所露出的部分(未形成有紫外線反射膜的二氧化硅玻璃部分)，在該狀態(tài)下，通過浸漬在氟酸中并加熱來進行蝕刻處理，在以目視無法確認試驗片的紫外線反射膜的時刻取出試驗片，進行該試驗片的秤量，比較進行蝕刻處理前后的試驗片的秤量值，從而算出紫外線反射膜的質(zhì)量。然后，對含有通過蝕刻在氟酸中溶解的二氧化硅粒子(成分)、未溶解而粒狀地殘留的氧化鋁粒子、及雜質(zhì)金屬成分的氟酸液進行加溫，首先使與氟酸反應(yīng)的二氧化硅成分作為SiF4蒸發(fā)，并將由此成為殘渣而殘留的氧化鋁成分和雜質(zhì)成分放進由85%磷酸6.5ml、97%硫酸3.55ml構(gòu)成的混酸中，通過微波爐溶解氧化鋁成分與雜質(zhì)成分之后，添加純水而稀釋成為合計30ml的溶液。然后，利用ICP發(fā)光光譜分析裝置，根據(jù)稀釋溶液中的雜質(zhì)金屬的濃度來測定雜質(zhì)金屬的質(zhì)量，對應(yīng)于雜質(zhì)金屬相對于作為測定對象的紫外線反射膜的質(zhì)量0.5g的質(zhì)量比，得到紫外線反射膜中含有的殘留雜質(zhì)金屬的濃度。作為一例，例如由純度99.99%的二氧化硅粒子30wt%、與純度99.8%的氧化鋁70wt^構(gòu)成的紫外線反射膜中的、雜質(zhì)金屬成分及其濃度如下述表l所示。另外，雜質(zhì)金屬是指含有鈹/鎂的堿土類金屬、或?qū)儆谶^渡金屬的元素。表1<table>tableseeoriginaldocumentpage13</column></row><table>(反射光強度的測定方法)針對紫外線反射膜的、波長150nm的光的反射光強度、及波長nOrnn的光的反射光強度的測定，使用ACTONRESEARCH制的"VM-502"。該裝置的測定部，由如圖5所示的直入射型光學(xué)系統(tǒng)構(gòu)成，將放射從波長120mn以下的光到可見光為止的連續(xù)光的重氫燈60用作為光源。在該裝置中，將從重氫燈60所放射的光一旦接觸于凹面光柵61之后，經(jīng)過狹縫62而照射在試驗片TS上，使由該試驗片TS反射的反射光(散射光)在0°-180°的范圍內(nèi)調(diào)整受光面的角度的同時利用光電倍增管65受光，通過對由此得到的測定值進行積分，而得到針對于特定波長的光的反射光強度。具體說明反射光強度的測定方法，首先，對不具有紫外線反射膜的基材(合成石英玻璃)，取得散射光的波長150nm的光及波長nOnm的光的各自的反射光強度(基準值)，之后，設(shè)置形成有紫外線反射膜的試驗片，測定散射光的波長150mn的光及波長170nm的光的各自的反射光強度，通過用基準值(不具有紫外線反射膜的基材的測定值)來除算由此得到的各測定值，而得到波長150nm的光的反射光強度及波長170nm的光的反射光強度。由圖4所示的結(jié)果可知，波長150nm的反射光強度與波長170nm的光的反射光強度、及雜質(zhì)金屬的濃度是線形的關(guān)系，可通過直線來近似。并且，150nm的光的反射光強度為0.000時的雜質(zhì)金屬的濃度是700wtppm，170nm的光的反射光強度為0.000時的雜質(zhì)金屬的濃度是1181wtppm，因此可以確認，通過將紫外線反射膜所含的雜質(zhì)金屬的濃度，控制成至少為700wtppm以下的狀態(tài)，就確實地具有不僅反射170nm的光、而且反射150nm的光的功能。因此，在實際的準分子燈中，通過將紫外線反射膜中的雜質(zhì)金屬的濃度限制在700wtppm以下，可有效率地利用通過準分子放電產(chǎn)生的包含波長150nm的光的真空紫外光。(實驗例2)紫外線反射膜由純度為99.9%的二氧化硅粒子、及純度為99.8%的氧化鋁粒子形成，并將氧化鋁粒子的含有比率變更為Owt%、10wt%、33wt%、50wt%，通過將該紫外線反射膜以膜厚30iim通過流下法形成在平板狀的由合成石英玻璃構(gòu)成的厚lmm的基材上，來制作4種試驗片。并且，針對各試驗片，將紫外線反射膜加熱成IOOO'C時、及加熱成130(TC時的各個情形下的波長170nm的光的反射光強度，使用ACTONRESEARCH帝ij的"VM-502"并通過上述方法進行測定，可以確認，在紫外線反射膜中的氧化鋁粒子的含有比率為Owt^時、即在不含氧化鋁粒子時，與被加熱成相當(dāng)于形成紫外線反射膜時的燒成溫度的溫度IOOO'C時的反射光強度相比，在被加熱成相當(dāng)于等離子體作用于紫外線反射膜時的加熱溫度的溫度130(TC的情形下，反射光強度會大幅度降低，由此可推定在實際的準分子燈中，在紫外線反射膜由等離子體接觸到的部位，反射光強度會局部地降低，準分子燈的照度分布成為不均勻，當(dāng)準分子燈長時間點燈時，等離子體會接觸到紫外線反射膜全體，反射率降低。另一方面，在添加10wt^氧化鋁粒子的紫外線反射膜中，即使被加熱成130(TC時，反射光強度會比未添加氧化鋁粒子時高，可將因熱產(chǎn)生的紫外線反射膜的反射率的降低程度抑制70%左右。此外，隨著氧化鋁粒子的含有比率增加，可進一步將因熱產(chǎn)生的紫外線反射膜的反射率的降低程度抑制得較小，例如在添加50wt^氧化鋁粒子時，被加熱成IOO(TC時的反射光強度，與被加熱成130(TC時的反射光強度一致，從而確認可抑制因熱導(dǎo)致紫外線反射膜的反射率降低。因此，在實際的準分子燈中，通過紫外線反射膜添加有10wtX以上的氧化鋁粒子，即使在準分子燈長時間點燈而使紫外線反射膜曝露于等離子體的熱中時，也可抑制因二氧化硅粒子熔融導(dǎo)致的反射率的降低。另外，在該實驗例2中制作的試驗片的含有氧化鋁粒子的紫外線反射膜，雜質(zhì)金屬的濃度均為700wtppm以下。以上，對本發(fā)明的實施方式進行說明，但本發(fā)明是并不限定于上述實施方式，可進行各種變更。本發(fā)明是并不被限定于上述構(gòu)成的準分子燈，也可適用于圖6所示的雙重管構(gòu)造的準分子燈、或圖7所示的所謂"四方型"的準分子燈。圖6所示的準分子燈50，具有由二氧化硅玻璃形成的圓筒狀的外側(cè)管52、及在該外側(cè)管52內(nèi)沿其管軸配置的具有比該外側(cè)管52的內(nèi)徑小的外徑的例如由二氧化硅玻璃形成的圓筒狀內(nèi)側(cè)管53，外側(cè)管52與內(nèi)側(cè)管53在兩端部被熔融接合而在外側(cè)管52與內(nèi)側(cè)管53之間具備形成有環(huán)狀放電空間S的雙重管構(gòu)造的放電容器51，例如由金屬形成的一個電極(高電壓供給電極)55密接設(shè)于內(nèi)側(cè)管53的內(nèi)周面，并且例如由金屬網(wǎng)等的導(dǎo)電性材料形成的另一個電極56密接設(shè)于外側(cè)管52的外周面，在放電空間S內(nèi)，例如填充有氤氣體等通過準分子放電形成準分子分子的放電用氣體。在此種構(gòu)成的準分子燈50中，例如在放電容器51的內(nèi)側(cè)管53的內(nèi)表面的全周設(shè)有上述紫外線反射膜20，并且在外側(cè)管52的內(nèi)表面，除了形成光出射部58的一部分區(qū)域以外，設(shè)有上述紫外線反射膜20。此外，圖7所示的準分子燈40例如具備由合成二氧化硅玻璃構(gòu)成的截面長方形的放電容器41，將由金屬構(gòu)成的一對外側(cè)電極45、45以在放電容器41的管軸方向延伸的方式配設(shè)于放電容器41的彼此相對的外表面上，而且放電用氣體的例如氙氣體被填充于放電容器41內(nèi)。在圖7中，符號42是排氣管，符號43是由鋇形成的吸氣器。在此種構(gòu)成的準分子燈40中，在放電容器41的內(nèi)表面中與各個外側(cè)電極45，45對應(yīng)的區(qū)域及與該區(qū)域連續(xù)的一個內(nèi)面區(qū)域上，設(shè)有上述紫外線反射膜20，并通過不設(shè)置紫外線反射膜20而形成光出射部44。權(quán)利要求1.一種準分子燈，包括具有放電空間的由二氧化硅玻璃構(gòu)成的放電容器，在夾著形成該放電容器的二氧化硅玻璃的狀態(tài)下設(shè)有一對電極，并且在放電空間內(nèi)封入有氙氣體，在上述放電容器的放電空間內(nèi)產(chǎn)生準分子放電，其特征在于，在上述放電容器的曝露于放電空間中的表面上，形成由二氧化硅粒子與氧化鋁粒子形成的紫外線反射膜，該紫外線反射膜所含的除了硅及鋁以外的雜質(zhì)金屬的濃度為700wtppm以下。全文摘要本發(fā)明提供一種可有效率地利用波長150nm附近的短波長的光、而可構(gòu)成作為具有高處理能力的準分子燈。本發(fā)明的準分子燈，包括具有放電空間的由二氧化硅玻璃構(gòu)成的放電容器，在夾著形成該放電容器的二氧化硅玻璃的狀態(tài)下設(shè)有一對電極，并且在放電空間內(nèi)封入有氙氣體，在上述放電容器的放電空間內(nèi)產(chǎn)生準分子放電，其中，在上述放電容器的曝露于放電空間中的表面上，形成由二氧化硅粒子與氧化鋁粒子形成的紫外線反射膜，該紫外線反射膜所含的除了硅及鋁以外的雜質(zhì)金屬的濃度為700wtppm以下。文檔編號F21V7/00GK101409202SQ20081017015公開日2009年4月15日申請日期2008年10月13日優(yōu)先權(quán)日2007年10月12日發(fā)明者森本幸裕,藤澤繁樹申請人:優(yōu)志旺電機株式會社