專利名稱：等離子體顯示面板及其驅(qū)動方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種等離子體顯示面板(PDP)及其驅(qū)動方法。
背景技術(shù)：
等離子體顯示面板(PDP)是利用等離子體現(xiàn)象的平板顯示裝置，由于在非真空狀態(tài)氣體氣氛中，將電壓施加到兩個相互分開的電極上時，在板中產(chǎn)生放電，因此該現(xiàn)象也可以稱作氣體放電現(xiàn)象。這種氣體放電現(xiàn)象被用于顯示圖像。基本上，PDP具有矩陣結(jié)構(gòu)，其中在相對的基底上設(shè)置多個電極，并且電極相互交叉且相對布置，另外在兩個基底之間包括放電氣體。
等離子體顯示面板通常包括兩種類型直流(DC)型和交流(AC)型。AC-PDP得到最廣泛的使用。
AC-PDP具有一種基本結(jié)構(gòu)，其中多個電極在填充有放電氣體的兩個基底之間的空間中相互交叉且相對布置。該空間用多個阻擋肋劃分。在一個電極上涂覆介電層，用于在其上形成壁電荷，在另一電極的相對側(cè)上形成磷光層。
由于經(jīng)濟原因，阻擋肋和介電層通常由印刷的方法形成，層趨于較厚。然而，與那些使用薄膜加工方法形成的生長層相比，這種生長層的質(zhì)量低。
因此，存在的問題在于介電層和介電層下的電極由于放電產(chǎn)生的電子和離子濺射而損壞，從而使AC-PDP的壽命縮短。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的示例性實施例提供一種等離子體顯示面板(PDP)，其通過使用純度極高的MgO在介電層上形成保護(hù)層，以防止基于溫度的不穩(wěn)定的放電，來縮短響應(yīng)延遲時間，以及提供其驅(qū)動方法。
根據(jù)本發(fā)明的實施例，所提供的等離子體顯示面板包括基本相互平行并且相互間隔布置的第一基底和第二基底；形成在第一基底上的多個尋址電極；形成在第一基底上并覆蓋了這些尋址電極的第一介電層；具有給定高度并與第一介電層形成放電空間的多個阻擋肋；在放電空間中形成的磷光層；形成在與第一基底相對的第二基底上并與尋址電極交叉布置的多個維持電極；形成在第二基底上并覆蓋了這些維持電極的第二介電層；包括具有純度至少99.6％重量份MgO并覆蓋第二介電層的保護(hù)層。
根據(jù)本發(fā)明的另一實施例，提供一種驅(qū)動等離子體顯示面板的方法。等離子體顯示面板包括形成在第一基底上并相互平行的第一電極和第二電極，形成在第二基底上并與第一電極和第二電極交叉的第三電極，形成在第二基底上并覆蓋第一和第二電極的介電層，和覆蓋介電層并具有純度至少為99.6％重量份的MgO的保護(hù)層。該方法包括確定等離子體顯示面板的溫度；將從第一電壓到第二電壓逐漸減小的電壓施加到第一電極上；在復(fù)位周期的第一周期在第一電極上維持第二電壓的施加，其中根據(jù)等離子體顯示面板的溫度該第一周期是可變化的。


圖1是根據(jù)本發(fā)明實施例的等離子體顯示面板(PDP)結(jié)構(gòu)的透視圖；圖2是根據(jù)本發(fā)明實施例的等離子體顯示面板結(jié)構(gòu)的框圖；圖3示出了根據(jù)本發(fā)明實施例的等離子體顯示面板的驅(qū)動波形；圖4示出了根據(jù)本發(fā)明另一實施例的等離子體顯示面板的驅(qū)動波形；圖5是根據(jù)例1制備的等離子體顯示面板的放電延遲時間的曲線圖；圖6是根據(jù)例2制備的等離子體顯示面板的放電延遲時間的曲線圖；圖7是根據(jù)比較例1制備的等離子體顯示面板的放電延遲時間的曲線圖；以及圖8是根據(jù)比較例2制備的等離子體顯示面板的放電延遲時間的曲線圖。
具體實施例方式
參照附圖將詳細(xì)描述本發(fā)明的示例性實施例。
本發(fā)明提供用于等離子體顯示面板(PDP)的保護(hù)層，具有保護(hù)層的PDP的示例如圖1所示。圖1中，本發(fā)明的等離子體顯示面板包括第一基底1和第二基底11，兩個基底通常相互平行并分開。多個通常平行的尋址電極3在圖1中沿Y方向形成在第一基底1上，介電層5形成在第一基底1的表面上并在尋址電極3之上。阻擋肋7布置在介電層5上，并平行于尋址電極，可形成開口或者封閉的形狀。紅(R)、綠(G)和蘭(B)磷光層9位于介電層5上并在相鄰的阻擋肋7之間。
在面對第一基底1的第二基底11的表面上，多個平行的顯示電極13在圖1中X方向上形成，該方向通常為垂直于尋址電極的方向。每個顯示電極13包括一對透明電極13a和一對匯流電極，其中每一透明電極13a進(jìn)一步與相應(yīng)的匯流電極13b配對。透明介電層15和保護(hù)層17形成在第二基底11之上，并覆蓋顯示電極13。每一顯示電極13的電極對的其中一個電極是一個維持電極(X電極)，另一個電極是掃描電極(Y電極)。放電單元由特定尋址電極3和垂直的顯示電極13交叉形成，并填充有放電氣體。
等離子體顯示面板的保護(hù)層包括純度至少為99.6％重量份的極純的MgO，尤其是純度的范圍在99.8％到100％重量份之間。極純的MgO包括可從選自由Ca、Al、Si、Fe、Zn、Na、Cr、Mn和其組合物組成的組的雜質(zhì)。
極純的MgO可以根據(jù)燒結(jié)方法由多晶的MgO制備。當(dāng)保護(hù)層包括由燒結(jié)方法制備的極純的MgO時，該保護(hù)層可具有快速響應(yīng)的性能但放電特性取決于溫度可能不穩(wěn)定。特別是，當(dāng)保護(hù)層包括由燒結(jié)方法制備的極純的MgO時，在低溫和高溫時壁電荷可能不穩(wěn)定，且可能發(fā)生低放電。
當(dāng)溫度低時，電荷傳導(dǎo)慢，因此放電響應(yīng)速率變得較慢，并花費稍微長的時間累積壁電荷。因此，壁電荷不能利用復(fù)位周期充分累積，且增加尋址放電在尋址周期內(nèi)不能完成的可能性。這導(dǎo)致低放電的問題。
相反，當(dāng)溫度高時，電荷傳導(dǎo)快，放電響應(yīng)速率變得較快，因此，過度累積的電荷在復(fù)位周期可自消除，或者在相鄰放電單元尋址之前，可將過度累積的電荷傳遞給相鄰放電單元。由于壁電荷不能充分累積，因此也存在低放電問題，其中尋址放電不能適當(dāng)發(fā)生。
為了避免使用了由燒結(jié)方法制備的極純MgO的保護(hù)層的等離子體顯示面板的操作中的這種問題，在本發(fā)明另一實施例中涉及等離子顯示面板的操作方法。
圖2是根據(jù)本發(fā)明一實施例的等離子顯示面板100結(jié)構(gòu)的框圖。等離子顯示面板100包括以列布置的多個尋址電極A1到Am，以行布置的多個維持電極X1到Xn和多個掃描電極Y1到Y(jié)n，每一維持電極與一個掃描電極配對。維持電極X1到Xn在與掃描電極Y1到Y(jié)n的相對的方向上設(shè)置。維持電極X1到Xn與掃描電極Y1到Y(jié)n在其一端彼此分別連接。等離子顯示面板100包括多個尋址電極A1到Am布置在其上的第一基底(未示出)，多個維持電極X1到Xn和多個掃描電極Y1到Y(jié)n布置在其上的第二基底(未示出)。兩個基底相互面對，在它們之間具有放電空間，使得掃描電極Y1到Y(jié)n和維持電極X1到Xn與尋址電極A1到Am交叉。在尋址電極A1到Am與包括維持電極X1到Xn和掃描電極Y1到Y(jié)n的電極對交叉的位置處形成放電單元。對本領(lǐng)域的技術(shù)人員顯然，圖2的等離子顯示面板100的結(jié)構(gòu)僅是等離子體顯示面板的一個示例，本發(fā)明及下面的驅(qū)動波形可以應(yīng)用到其他結(jié)構(gòu)的等離子體顯示面板中。
尋址驅(qū)動器300接收來自控制器200的尋址驅(qū)動控制信號，并將用于選擇被顯示的放電單元的顯示數(shù)據(jù)信號施加給相應(yīng)尋址電極。
維持電極驅(qū)動器400接收來自控制器200的維持電極驅(qū)動控制信號，并將驅(qū)動電壓施加給維持電極X1到Xn。
掃描電極驅(qū)動器500接收來自控制器200的掃描電極驅(qū)動控制信號，并將驅(qū)動電壓施加給掃描電極。
溫度檢測器600檢測等離子體顯示面板100的溫度，并將溫度信息傳輸給控制器200。通過在等離子體顯示面板100中裝配熱敏元件可以直接檢測等離子體顯示面板100的溫度，或者通過在等離子體顯示面板100后面裝配熱敏元件可以間接檢測等離子體顯示面板100的溫度。由于檢測等離子體顯示面板的溫度是本領(lǐng)域技術(shù)人員公知的，因此這里將不再詳細(xì)描述。
控制器200接收外部視頻信號，輸出尋址驅(qū)動控制信號、維持電極驅(qū)動控制信號和掃描電極驅(qū)動控制信號。當(dāng)子域基于時間驅(qū)動變化來表達(dá)時，控制器200將一幀分成多個子域，每一子域包括復(fù)位周期、尋址周期和維持周期。復(fù)位周期是每一放電單元的初始狀態(tài)，以便于放電單元的尋址操作，尋址周期通過將尋址電壓施加到將被開啟尋址單元來累積壁電荷，且在等離子體顯示面板中選擇多個被開啟單元和被關(guān)閉的單元。維持周期進(jìn)行放電，通過在尋址單元中施加維持脈沖來實際顯示圖像。
根據(jù)本發(fā)明的實施例，控制器200接收來自溫度檢測器600的等離子顯示面板100的溫度信息，并在復(fù)位周期依照等離子顯示面板100的溫度產(chǎn)生掃描電極驅(qū)動控制信號，用于改變Vset電壓施加時間(T1)或者改變Vnf電壓施加時間(T2)。該控制器200的掃描電極驅(qū)動控制信號傳輸?shù)綊呙桦姌O驅(qū)動器500。基于該掃描電極驅(qū)動控制信號，掃描電極驅(qū)動器500驅(qū)動掃描電極，改變Vset電壓施加時間(T1)或者改變Vnf電壓施加時間(T2)。當(dāng)?shù)入x子顯示面板100的溫度比給定溫度低時，通過增加Vset電壓施加時間(T1)，控制器200使壁電荷充分累積。當(dāng)?shù)入x子顯示面板100的溫度比給定溫度高時，通過增加Vnf電壓施加時間(T2)控制器200使壁電荷充分累積。
在復(fù)位周期對于每一子域，加到掃描電極Y1到Y(jié)n上的驅(qū)動波形，簡稱為Y，現(xiàn)將參照圖3和4描述。
圖3示出了根據(jù)本發(fā)明實施例PDP的驅(qū)動波形。圖3只顯示每一子域的復(fù)位周期施加到掃描電極Y上的驅(qū)動波形，和在尋址周期施加到尋址電極A1到Am和維持電極X1到Xn的驅(qū)動波形，它們分別簡稱為A和X，并為了描述方便省略維持周期的驅(qū)動波形。
參照圖3的波形，電壓從電壓Vp到電壓Vset逐漸增加，在復(fù)位周期的增加周期將這種電壓施加到掃描電極Y上。然后，單獨地，從掃描電極Y到尋址電極A和維持電極X產(chǎn)生弱的復(fù)位放電，因此在掃描電極Y中產(chǎn)生負(fù)的壁電荷，在尋址電極A和維持電極X中產(chǎn)生正的壁電荷。當(dāng)電極的電壓如圖3所示逐漸變化時，在放電單元中產(chǎn)生弱的放電，產(chǎn)生壁電荷，從而從外部施加的電壓與放電單元的壁電壓之和等于放電之前的電壓狀況。該原理在Weber的美國專利US5745086中公開，這里引作參考。由于所有放電單元在復(fù)位周期被初始化，因此Vset電壓應(yīng)當(dāng)足夠高以在所有單元中引起放電。
另外，具有T1周期的Vset電壓施加到掃描電極Y上。對于T1周期，施加Vset電壓，以便在掃描電極Y中充分累積負(fù)的壁電荷，在尋址電極A和維持電極X中充分累積正的壁電荷。在本發(fā)明實施例中，T1周期根據(jù)等離子體顯示面板的溫度變化。換言之，當(dāng)使用燒結(jié)方法制備包含極純的MgO的保護(hù)層時，在低于給定的第一溫度水平下壁電荷不能充分地累積，該溫度水平是低的溫度水平，且在高于給定的第二溫度水平時也不能充分地累積，該溫度水平是高的溫度水平。因此，增加T1周期來充分累積在電極中在弱放電期間產(chǎn)生的壁電荷。用于增加T1周期的第一溫度水平和第二溫度水平被確定為根據(jù)等離子體顯示面板的狀態(tài)的不能充分累積壁電荷的溫度。這種溫度水平可通過那些本領(lǐng)域技術(shù)人員公知的實驗確定，這里將不提供詳細(xì)說明。
同時，電壓從電壓Vg到電壓Vnf逐漸降低，在復(fù)位周期的下落周期，將這種電壓施加到掃描電極Y上。盡管未在圖3中顯示，但是參考電壓即0V施加到尋址電極A，正的Ve電壓施加到維持電極X上。然后，在掃描電極Y和維持電極X之間以及掃描電極Y和尋址電極A之間產(chǎn)生弱的復(fù)位放電，同時掃描電極Y的電壓降低，因此，在掃描電極Y中產(chǎn)生的負(fù)的壁電荷與在維持電極X和尋址電極A中形成的正的壁電荷被消除。
接著，Vnf電壓施加到掃描電極Y上并維持持續(xù)T2周期，以充分累積壁電荷，用于尋址。依照溫度T2周期是變化的。換言之，當(dāng)使用燒結(jié)方法制備包含極純的MgO的保護(hù)層時，在低于預(yù)定的第三溫度水平下不能恰當(dāng)?shù)乩鄯e壁電荷，該溫度水平是低的溫度水平，或者在高于給定的第四溫度水平時也不能充分地累積，該溫度水平是高的溫度水平。因此，增加T2周期來恰當(dāng)?shù)乩鄯e在電極中在復(fù)位周期的下降周期導(dǎo)致的弱放電周期產(chǎn)生的壁電荷。用于增加T2周期的第三溫度水平和第四溫度水平被確定為根據(jù)等離子體顯示面板的狀態(tài)的不能恰當(dāng)累積壁電荷的溫度。第三溫度水平和第四溫度水平可通過實驗來確定。根據(jù)本發(fā)明的實施例，可控制T2周期使其大于或者等于40μs以充分累積壁電荷。可控制T2周期使其小于或者等于60μs。確定第三溫度水平和第四溫度水平的方法是本領(lǐng)域技術(shù)人員公知的，這里將不提供詳細(xì)說明。
雖然圖3所示波形是通過在復(fù)位周期將逐漸增加的電壓和逐漸降低的電壓施加到掃描電極Y而獲得的，但是可以通過將逐漸下降的波形施加到掃描電極Y上來進(jìn)行復(fù)位。
圖4表示根據(jù)本發(fā)明另一實施例的等離子體顯示面板的驅(qū)動波形。
如圖4所示，電壓從Vs電壓到Vnf電壓逐漸降低，在例2的復(fù)位周期，將這種電壓施加到掃描電極Y上。這里，Vs電壓是在先子域的維持周期中施加的維持放電脈沖電壓。當(dāng)僅將逐漸降低的電壓施加到掃描電極Y上時，僅于在先子域中在選擇的放電單元中產(chǎn)生復(fù)位放電，因此產(chǎn)生充分的壁電荷用于尋址。在先子域中未選擇的放電單元不產(chǎn)生復(fù)位放電，且維持在先子域的復(fù)位周期之后的壁電荷的狀態(tài)。Kurata等人的美國專利US6294875公開了其細(xì)節(jié)，這里引作參考。在本發(fā)明的另一實施例中，Vnf電壓施加時間(T3)也根據(jù)溫度是變化的，正如第一實施例一樣。由于根據(jù)溫度改變T3周期的方法與第一實施例相同，因此這里不作詳細(xì)描述?？煽刂芓3周期使其大于或者等于40μs，以便充分累積壁電荷。還可以控制T3周期使其小于或者等于70μs。
如上所述，當(dāng)使用燒結(jié)方法制備包含極純的MgO的保護(hù)層時，如上述本發(fā)明實施例所示，為了充分累積壁電荷，根據(jù)等離子體顯示面板的溫度，通過改變Vset電壓施加時間或者Vnf電壓施加時間能夠解決低的放電問題。
下面的示例更詳細(xì)地描述本發(fā)明，然而，可以理解這些示例不限定本發(fā)明。
例1使用傳統(tǒng)維持電極形成方法，條狀維持電極在鈉鈣玻璃形成的上基底上由銦錫氧化物導(dǎo)電材料形成。
然后，通過用鉛基玻璃涂料涂覆上基底的整個表面并烘烤上基底，在維持電極上并在上基底上形成介電層。
通過利用濺射方法在介電層上形成MgO化合物的保護(hù)層制備上平板。MgO化合物通過燒結(jié)的方法制備，并具有至少99.6％重量份的純度。MgO化合物的雜質(zhì)由下表1顯示。
例2執(zhí)行與例1相同的步驟，除了圖3和4的波形應(yīng)用到根據(jù)例1制備的等離子體顯示面板中以外。
比較例1執(zhí)行與例1相同的步驟，除了使用包含表1所示的雜質(zhì)的MgO化合物以外。通過從MgO化合物中減去雜質(zhì)的含量，可以從雜質(zhì)的含量計算MgO化合物的純度。
比較例2執(zhí)行與例1相同的步驟，除了使用包含表1所示的雜質(zhì)的MgO化合物以外。通過從MgO化合物中減去雜質(zhì)的含量，可以從雜質(zhì)的含量計算MgO的純度。
例1和比較例1和2中使用的MgO化合物的含量顯示在下表1中。由于例2的雜質(zhì)含量與例1中的相同，因此它們未出現(xiàn)在表1中。
表1

在低溫(-10℃)、室溫(25℃)和高溫(60℃)測量根據(jù)例1和2和比較例1和2制備的等離子體顯示面板的放電延遲時間，結(jié)果如圖5到8表示。在每一溫度下的放電延遲時間顯示在表2中。在圖5到8中，y軸指示相對放電失效指數(shù)。
表2

如表2和圖5到8所示，根據(jù)溫度，放電延遲時間不同，例1和2的放電延遲時間明顯短于比較例1和2的放電延遲時間。
在包括通過燒結(jié)方法制備包含極純的MgO的保護(hù)層的等離子體顯示面板的情形，為了在復(fù)位周期充分累積壁電荷，根據(jù)等離子體顯示面板的溫度，通過改變Vset電壓施加時間或者Vnf電壓施加時間，本發(fā)明能夠穩(wěn)定放電。
當(dāng)本發(fā)明已經(jīng)參考示例性實施例具體示出和描述時，可以理解本發(fā)明不限于所公開的實施例，但相反，本發(fā)明將覆蓋包含在權(quán)利要求的精神和范圍中的多種改變和等同布置。
權(quán)利要求
1.一種等離子體顯示面板，包括基本上相互平行布置的第一基底和第二基底；在第一基底上并面對第二基底的多個尋址電極；覆蓋尋址電極和第一基底表面的第一介電層；在第一介電層上并限定多個放電空間的多個阻擋肋；在至少一個放電空間中形成的磷光層；在第二基底上，面對第一基底并與尋址電極交叉布置的多個維持電極；覆蓋維持電極和第二基底的第二介電層；和覆蓋第二介電層并包括具有純度至少99.6％重量份的MgO的保護(hù)層。
2.權(quán)利要求1的等離子體顯示面板，其中保護(hù)層中的MgO的純度范圍從99.8％到100％重量份。
3.權(quán)利要求1的等離子體顯示面板，其中MgO包括從由Ca、Al、Si、Fe、Zn、Na、Cr、Mn和其組合物組成的組選擇的雜質(zhì)。
4.權(quán)利要求1的等離子體顯示面板，其中MgO由燒結(jié)方法制備。
5.一種驅(qū)動等離子體顯示面板的方法，該等離子體顯示面板包括通常平行的第一和第二基底；在第二基底上形成的且通常相互平行的第一電極和第二電極；在第一基底上形成的、通常相互平行并與第一電極和第二電極交叉的第三電極；和在第一和第二電極以及第二基底上的介電層，該方法包括確定等離子體顯示面板的溫度；將從第一電壓到第二電壓逐漸減小的電壓施加到第一電極上；和在復(fù)位周期的第一周期在第一電極上維持第二電壓的施加，其中根據(jù)等離子體顯示面板的溫度該第一周期是可變化的。
6.權(quán)利要求5的方法，其中第一周期比40μs長。
7.權(quán)利要求5的方法，其中等離子體顯示面板還包括保護(hù)層，該保護(hù)層包含具有純度至少99.6％重量份的MgO并覆蓋介電層。
8.權(quán)利要求5的方法，其中在第一電壓施加到第一電極上之前，電壓從第三電壓到第四電壓逐漸增加，并且在第二周期維持第四電壓。
9.權(quán)利要求8的方法，其中根據(jù)等離子體顯示面板的溫度，第二周期是變化的。
10.權(quán)利要求8的方法，其中第二周期至少是40μs。
11.權(quán)利要求9的方法，其中當(dāng)?shù)入x子體顯示面板的溫度比第一溫度水平高，或者比第二溫度水平低時，且第二溫度水平比第一溫度水平低，增加第二周期。
12.權(quán)利要求5的方法，其中當(dāng)?shù)入x子體顯示面板的溫度比第一溫度水平高，或者比第二溫度水平低時，且第二溫度水平比第一溫度水平低，增加第一周期。
全文摘要
提供一種等離子顯示面板(PDP)及其驅(qū)動方法。該PDP包括相互平行并間隔布置的第一基底和第二基底。尋址電極提供在第一基底上，同時第一介電層在尋址電極和第一基底上。阻擋肋提供在介電層上，并形成其中設(shè)有磷光層的多個放電空間。維持電極形成在與第一基底相對的第二基底上并與尋址電極交叉布置。第二介電層形成在尋址電極上方和第二基底上，包括具有純度至少99.6％重量份MgO的保護(hù)層通過燒結(jié)方法形成在第二介電層上。根據(jù)等離子體顯示面板的溫度，通過改變Vset電壓施加時間或者Vnf電壓施加時間，能夠穩(wěn)定放電，并且在復(fù)位周期能夠充分累積壁電荷。
文檔編號H01J11/34GK1975974SQ20061017191
公開日2007年6月6日 申請日期2006年9月29日 優(yōu)先權(quán)日2005年9月29日
發(fā)明者金基東, 樸龍壽 申請人:三星Sdi株式會社