專利名稱：等離子體顯示面板的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種等離子體顯示面板(PDP)，更具體地講，涉及一種降低放電點(diǎn)火電壓的同時(shí)提高發(fā)光效率的PDP。
背景技術(shù)：
PDP的一種類型是三電極表面放電PDP。三電極表面放電PDP包括第一基板，在第一基板的內(nèi)表面上形成有維持電極和掃描電極；和第二基板，與第一基板相對(duì)并在兩個(gè)基板之間具有預(yù)定的間隙，在第二基板的內(nèi)表面上形成有尋址電極。在放電氣體被提供到第一基板和第二基板之間的狀態(tài)下，兩個(gè)基板密封在一起。PDP的放電通過(guò)掃描電極和尋址電極的操作來(lái)實(shí)現(xiàn)，尋址電極和掃描電極被連接到各條線，并獨(dú)立地被控制。維持放電通過(guò)維持電極和掃描電極來(lái)實(shí)現(xiàn)。
PDP利用輝光放電來(lái)產(chǎn)生可見(jiàn)光。輝光放電產(chǎn)生以后，在用戶可觀看到由PDP形成的圖像之前，PDP還要經(jīng)受預(yù)定的過(guò)程。具體地講，伴隨著輝光放電的產(chǎn)生，產(chǎn)生由原子與氣體的碰撞而激發(fā)的氣體等離子體，在其后該氣體發(fā)射紫外(UV)線。UV線與放電室內(nèi)的熒光體碰撞，從而熒光體發(fā)射可見(jiàn)光。該可見(jiàn)光穿過(guò)用于用戶觀看的第一基板。然而，在這個(gè)過(guò)程中，被施加到維持電極和掃描電極的輸入功率發(fā)生巨大的損失。
通過(guò)在兩個(gè)電極間施加超過(guò)放電點(diǎn)火電壓的高電壓來(lái)發(fā)生輝光放電。因此，需要相對(duì)高的電壓來(lái)開(kāi)始放電。如果放電發(fā)生，則受空間電荷效應(yīng)的影響，陰極和陽(yáng)極之間的電壓分布變形，空間電荷效應(yīng)發(fā)生在陰極和陽(yáng)極周圍的介電層上。在兩個(gè)電極之間形成有陰極鞘層區(qū)、陽(yáng)極鞘層區(qū)和正柱區(qū)。陰極鞘層區(qū)位于陰極周圍，并且在該區(qū)中消耗了大部分施加到影響放電的兩個(gè)電極上的電壓。陽(yáng)極鞘層區(qū)位于陽(yáng)極周圍，并且在該區(qū)中消耗了部分所述電壓。正柱區(qū)位于其它兩個(gè)區(qū)域之間，并且在正柱區(qū)內(nèi)幾乎沒(méi)有電壓消耗。在陰極鞘層區(qū)，以形成在介電層的表面上的MgO保護(hù)層的二次電子系數(shù)來(lái)表示電子加熱效率；在正柱區(qū)，大部分輸入能量消耗在電子加熱中。
因?yàn)殡?Xe)氣從激發(fā)態(tài)轉(zhuǎn)變?yōu)榛鶓B(tài)而產(chǎn)生真空UV線，真空UV線通過(guò)與熒光體碰撞來(lái)發(fā)射可見(jiàn)光。通過(guò)氙(Xe)氣和電子之間的碰撞而出現(xiàn)氙(Xe)的激發(fā)態(tài)。因此，為了相對(duì)于輸入能量(即，發(fā)光效率)來(lái)增加產(chǎn)生的可見(jiàn)光的量，必須提高電子加熱效率，從而增加氙(Xe)氣和電子之間的碰撞。
在陰極鞘層區(qū)，盡管消耗了大部分輸入能量，但是電子加熱效率低。在正柱區(qū)，盡管輸入能量的消耗低，但是電子加熱效率非常高。因此，通過(guò)增大正柱區(qū)(放電間隙)來(lái)獲得高發(fā)光效率是可能的。
另外，根據(jù)在放電間隙(正柱區(qū))中形成的電場(chǎng)(E)和氣體密度(n)之間的比率(E/n)的變化，關(guān)于在所有電子中消耗的電子的比率，在比率(E/n)相同的情況下，電子消耗比率按氙激發(fā)(Xe*)、氙離子(Xe+)、氖激發(fā)(Ne*)、氖離子(Ne+)的順序增大。另外，在比率(E/n)相同的情況下，氙(Xe)的分壓增加的越大，電子能降低的就越多。即，如果電子能降低，則氙(Xe)的分壓增大，如果氙(Xe)的分壓增大，則在氙激發(fā)(Xe*)、氙離子(Xe+)、氖激發(fā)(Ne*)、氖離子(Ne+)消耗的電子中，與其它區(qū)域相比，氙(Xe)的激發(fā)消耗的電子的比率增加。結(jié)果，發(fā)光效率增大。
如上所述，正柱區(qū)的增大使得電子加熱效率增加。另外，氙(Xe)分壓的增加使得氙激發(fā)(Xe*)消耗的電子的加熱比率增大。因此，這兩個(gè)因素都增大導(dǎo)致電子加熱效率提高，從而提高了發(fā)光效率。
然而，正柱區(qū)和氙(Xe)分壓的增大導(dǎo)致放電點(diǎn)火電壓的增大，也增大了PDP的制造成本。
因此，為了提高發(fā)光效率，需要在實(shí)現(xiàn)正柱區(qū)和氙(Xe)分壓增大的同時(shí)要維持低放電點(diǎn)火電壓。
眾所周知，當(dāng)放電間隙的長(zhǎng)度和壓力相同時(shí)，利用表面放電結(jié)構(gòu)所需的放電點(diǎn)火電壓小于利用對(duì)向放電結(jié)構(gòu)所需的電壓。

發(fā)明內(nèi)容
根據(jù)本發(fā)明，提供了一種等離子體顯示面板，該顯示面板應(yīng)用對(duì)向放電結(jié)構(gòu)來(lái)降低放電點(diǎn)火電壓并提高發(fā)光效率。
該等離子體顯示面板包括第一基板；和第二基板，與第一基板相對(duì)地設(shè)置，該第一基板限定多個(gè)在第一基板和第二基板之間的放電室。多個(gè)熒光體層可分別形成在放電室中。多個(gè)尋址電極可沿第一方向形成在第一基板上。多個(gè)第一電極和第二電極可鄰近于第一基板并與尋址電極分隔地形成。第一電極和第二電極可沿與第一方向交叉的第二方向延伸，第一電極和第二電極可被設(shè)置為與每個(gè)放電室相對(duì)應(yīng)。
第一電極和第二電極可被形成以在遠(yuǎn)離第一基板并朝向第二基板的方向上延伸，它們彼此相對(duì)并在其間具有間隙。第一電極和第二電極可包括朝向放電室的中心延伸的突出。


圖1是根據(jù)本發(fā)明的第一示例性實(shí)施例的PDP的局部分解透視圖。
圖2是圖1中的PDP的局部平面圖，該圖示出了電極和放電室的結(jié)構(gòu)。
圖3是沿圖1中的線III-III截取的PDP被組裝的狀態(tài)下的剖視圖。
圖4是圖1中的PDP的局部透視圖，該圖示出了電極結(jié)構(gòu)。
圖5是圖1中的PDP的局部平面圖，該圖示出了放電室和黑層之間的關(guān)系。
圖6是根據(jù)本發(fā)明第二示例性實(shí)施例的PDP的局部剖視圖。
圖7是根據(jù)本發(fā)明第三示例性實(shí)施例的PDP的局部剖視圖。
圖8是根據(jù)本發(fā)明第四示例性實(shí)施例的PDP的局部剖視圖。
具體實(shí)施例方式
現(xiàn)在將參照?qǐng)D來(lái)描述本發(fā)明的示例性實(shí)施例。
圖1是根據(jù)本發(fā)明第一示例性實(shí)施例的PDP的局部分解透視圖，圖2是圖1中的PDP的局部平面圖，示出了電極和放電室的結(jié)構(gòu)，圖3是沿著圖1中的線III-III截取的在PDP被組裝的狀態(tài)下的剖視圖。
根據(jù)本發(fā)明第一示例性實(shí)施例的PDP包括第一基板(以下，稱作后基板)10、第二基板(以下，稱作前基板)20、和形成在后基板10和前基板20之間的多個(gè)障肋16，該障肋16限定在其中發(fā)生放電的多個(gè)第一放電室18。吸收真空UV線并發(fā)射可見(jiàn)光的熒光體層19分別形成在第一放電室18中。另外，通過(guò)等離子體放電產(chǎn)生真空UV線的放電氣體填充在第一放電室18中。含有氙(Xe)和氖(Ne)的混合氣體可被用作放電氣體。
障肋16形成在后基板10和前基板20之間(即，鄰近于前基板20并向后基板10延伸)，從而形成第一放電室18，這樣限定了鄰近于前基板20的放電空間。在后基板10與障肋16相對(duì)的區(qū)域上形成有第一電極(以下，稱作維持電極)31和第二電極(以下，稱作掃描電極)32。維持電極31和掃描電極32限定多個(gè)第二放電室28，第二放電室28提供鄰近于后基板10的放電空間。這種結(jié)構(gòu)導(dǎo)致了成對(duì)的第一放電室18和第二放電室28相對(duì)，其中的每對(duì)合作形成單個(gè)的放電室。
由障肋16形成的放電空間(即，第一放電室18)的容積大于由維持電極31和掃描電極32形成的放電空間(即，第二放電室28)的容積。這樣提高了穿過(guò)前基板10的可見(jiàn)光的透過(guò)率，該可見(jiàn)光是在第一放電室18和第二放電室28中產(chǎn)生的。
障肋16可將第一放電室18形成為包括四邊形和六邊形的多種形狀。在這個(gè)實(shí)施例中，第一放電室18是四邊形形狀。
障肋16形成在前基板20上，并包括沿第一方向(圖中的y方向)延伸的第一障肋構(gòu)件16a和沿第二方向(圖中的x方向)延伸從而與第一障肋構(gòu)件16a交叉的第二障肋構(gòu)件16b。第一障肋構(gòu)件16a和第二障肋構(gòu)件16b形成作為獨(dú)立的單位的第一放電室18。
如上所述，熒光體層19分別形成在第一放電室18中。具體地講，熒光體層19形成在第一障肋構(gòu)件16a和第二障肋構(gòu)件16b的內(nèi)壁以及在第一放電室18內(nèi)的前基板20上。熒光體層19以這樣的方式形成在前基板20上，從而在前基板20上產(chǎn)生可見(jiàn)光并且該可見(jiàn)光穿過(guò)前基板20，從而提高發(fā)光效率。
在障肋16形成后，可通過(guò)將熒光體材料沉積在前基板20上來(lái)形成熒光體層19?？蛇x擇地，介電層可選擇性地形成在前基板20上，其后形成障肋16并且將熒光體材料沉積在介電層上。在另一可行的方法中，前基板20被蝕刻以在其中形成第一放電室18之后，熒光體材料沉積在前基板20上以形成熒光體層19。在后面的例子中，這樣導(dǎo)致障肋16和前基板20由相同的材料制成。
維持放電后，在第一放電室19中熒光體層19吸收真空UV線，從而產(chǎn)生朝向前基板20的可見(jiàn)光。
為了通過(guò)使由等離子體放電而產(chǎn)生的真空UV線與熒光體層19碰撞來(lái)創(chuàng)建圖像，尋址電極12、維持電極31和掃描電極32與第一放電室18相對(duì)地形成在后基板10上。
尋址電極12在障肋16和后基板10之間沿y方向延伸。即，尋址電極12沿y方向形成在后基板10上，并與第一障肋構(gòu)件16a對(duì)準(zhǔn)。尋址電極12與第一障肋構(gòu)件16a相對(duì)，因此，它沿x方向均勻地設(shè)置同時(shí)保持與第一放電室18對(duì)應(yīng)的間距。
在沿x方向相鄰的成對(duì)的第一放電室18和第二放電室28之間，尋址電極12被共用。即，如圖2所示，由于尋址電極12被設(shè)置為與第一障肋構(gòu)件16a對(duì)準(zhǔn)(或更精確和優(yōu)選地是與第一障肋構(gòu)件16a的中心相對(duì)應(yīng))，所以每個(gè)尋址電極12的寬度(w)的二分之一延伸到相鄰對(duì)的第一放電室18(即，沿x方向相鄰)的每個(gè)中。
如圖3所示，尋址電極12位于后基板10和第一障肋構(gòu)件16a之間。沿尋址電極12的長(zhǎng)度延伸的其中心線和沿第一障肋構(gòu)件16a的長(zhǎng)度延伸的其中心線基本上沿第三方向(圖中的z方向)對(duì)準(zhǔn)。
維持電極31和掃描電極32位于限定第一放電室18的障肋16和后基板10之間。維持電極31和掃描電極32與尋址電極12電絕緣，并與尋址電極12基本垂直交叉地延伸。換句話說(shuō)，維持電極31和掃描電極32沿著平行于第二障肋構(gòu)件16b的方向在后基板10和第二障肋構(gòu)件16b之間延伸。
維持電極31和掃描電極32以這樣的方式形成，即對(duì)第一放電室18和第二放電室28的每個(gè)設(shè)置一對(duì)每對(duì)維持電極31和掃描電極32中的一個(gè)。在這個(gè)實(shí)施例中，維持電極31和掃描電極32沿y方向交替地形成，使得每對(duì)維持電極31和掃描電極32中的一個(gè)與每個(gè)第二障肋構(gòu)件16b的位置相對(duì)應(yīng)地設(shè)置。結(jié)果，沿y方向相鄰的第一放電室18和第二放電室28被充分地隔開(kāi)。
另外，維持電極31和掃描電極32向前基板20突出，由每對(duì)維持電極31和掃描電極32中的一個(gè)組成的每對(duì)位于第一放電室18和第二放電室28之間。
掃描電極32和尋址電極12的作用是選擇關(guān)于在尋址間隔中的尋址放電將被激活的第一放電室18和第二放電室28。維持電極31和掃描電極32的作用是關(guān)于在維持間隔中的維持放電來(lái)顯示圖像。具體地講，在維持間隔內(nèi)，維持脈沖被施加到維持電極31。另外，在維持間隔期間，維持脈沖被施加到掃描電極32，而在掃描間隔期間，掃描脈沖被施加到掃描電極32。因?yàn)榫S持電極31和掃描電極32根據(jù)施加到它們的信號(hào)電壓可執(zhí)行不同的操作，所以本發(fā)明并不限于這個(gè)方面。
維持電極31和掃描電極32在兩個(gè)基板10和20之間逼近于后基板10設(shè)置，并且一對(duì)每對(duì)維持電極31和掃描電極32中的一個(gè)被設(shè)置在沿x方向形成的第一放電室18和第二放電室28的行的兩側(cè)，從而形成對(duì)向放電結(jié)構(gòu)并降低用于維持放電的放電點(diǎn)火電壓。
為了實(shí)現(xiàn)上述內(nèi)容，如上所述，維持電極31和掃描電極32形成在第一和第二放電室18和28的兩側(cè)，并分別包括延伸到第一和第二放電室18和28的中心的突出31a和32a。突出31a和32a在維持電極31和掃描電極32之間形成的放電間隙內(nèi)分別形成短間隙。短間隙的作用是降低維持放電起始時(shí)的放電點(diǎn)火電壓。
為了在更大的區(qū)域上實(shí)現(xiàn)對(duì)向放電，參照?qǐng)D4，維持電極31和掃描電極32分別包括凸起部分31b、32b和縮短部分，凸起部分31b、32b在與第一和第二放電室18和28的位置相對(duì)應(yīng)的區(qū)域在垂直于后基板10的方向(即，沿z方向)上延伸，而縮短部分形成在與沿x方向相鄰的第一和第二放電室18和28之間相對(duì)應(yīng)的區(qū)域。凸起部分31b、32b包含具有高度(hv)的橫截面結(jié)構(gòu)(沿基本垂直于后基板10和前基板20的方向截取)，該高度(hv)大于寬度(hh)。在形成在凸起部分31b、31b上的大面積上的對(duì)向放電產(chǎn)生強(qiáng)烈的真空UV線，真空UV線在第一和第二放電室18和28的區(qū)域上傳播，以與熒光體層19碰撞，從而增大了產(chǎn)生的可見(jiàn)光的量。
突出31a和32a是這樣的部分，即，施加到維持電極31和掃描電極32上的電壓被施加到第一和第二放電室18和28的中心區(qū)域，并且突出31a和32a優(yōu)選地從凸起部分31b、32b突出，凸起部分31b、32b的面積大于其它部分的面積。
突出31a、32a可形成為各種形狀。優(yōu)選地，突出31a、32a形成角度(例如，采用矩形橫截面形成)，使得對(duì)向放電易于在其端部發(fā)生，并使得對(duì)向放電易于在尋址電極12和掃描電極32的端部32a之間發(fā)生。
具體參照?qǐng)D4，維持電極31和掃描電極32延伸地并與尋址電極12交叉地形成，并且包括在垂直于后基板10和前基板20的方向上延伸的凸起部分31b、32b。結(jié)果，由基本上形成為直線的維持和掃描電極31和32與尋址電極12來(lái)構(gòu)成交叉結(jié)構(gòu)，而且在其間不發(fā)生任何干涉。
參照?qǐng)D3，尋址電極12和后基板10之間的距離(h1)與維持電極31的突出31a和后基板10之間的距離(h2)基本相同，也與掃描電極32的突出32a和后基板10之間的距離(h3)基本相同。結(jié)果，在尋址電極12和掃描電極32的突出32a之間，和在維持電極31的突出31a和掃描電極32的突出32a之間發(fā)生對(duì)向放電。
在維持電極31和掃描電極32利用突出31a、32a實(shí)現(xiàn)維持放電后，由凸起部分31b、32b之間的長(zhǎng)間隙來(lái)產(chǎn)生充分的維持放電。結(jié)果，降低了放電點(diǎn)火電壓，并提高了發(fā)光效率。
維持電極31和掃描電極32以及尋址電極12優(yōu)選地由金屬材料制成，以增大這些元件的導(dǎo)電率。維持電極31和掃描電極32以及尋址電極12被介電層34、35覆蓋。介電層34、35在電極間形成絕緣結(jié)構(gòu)，并且提供積累壁電荷的區(qū)域。維持電極31和掃描電極32以及尋址電極12可利用厚膜陶瓷片(TFCS)方法來(lái)制造。即，在單獨(dú)地制造包括維持電極31和掃描電極32以及尋址電極12的電極部分后，將這些元件連接到后基板10上，障肋16形成在前基板20上。
MgO保護(hù)層36可形成在介電層34、35上，介電層34、35覆蓋維持電極31和掃描電極32以及尋址電極12。MgO保護(hù)層36可形成在暴露于在放電室18的放電空間內(nèi)發(fā)生的等離子體放電的部分上。在這個(gè)實(shí)施例中，由于維持電極31和掃描電極32以及尋址電極12形成在后基板10上，沉積在覆蓋這些元件的介電層34、35上的MgO保護(hù)層36可由允許光穿過(guò)的MgO材料制成。與不允許光穿過(guò)的MgO材料相比，這種能夠透射光的MgO材料具有更高的二次電子發(fā)射系數(shù)，由此進(jìn)一步降低放電點(diǎn)火電壓。
維持電極31和掃描電極32對(duì)應(yīng)于第二障肋構(gòu)件16b形成，它們形成在沿x方向排列的第一和第二放電室18、28的行的兩側(cè)，并且它們還位于第二障肋構(gòu)件16b和后基板10之間。結(jié)果，因要可通過(guò)施加到尋址電極12的尋址脈沖和施加到掃描電極32的掃描脈沖來(lái)選擇單個(gè)的第一和第二放電室18、28，所以掃描電極32的突出32a的每個(gè)靠近于在指定突出32a的側(cè)面的兩個(gè)對(duì)應(yīng)的尋址電極12中的一個(gè)設(shè)置。
即，參照?qǐng)D2，在一對(duì)尋址電極12在掃描電極32的突出32a的每個(gè)的兩側(cè)的情況下，每個(gè)突出32a與兩個(gè)尋址電極12中的一個(gè)保持距離(d1)，與兩個(gè)尋址電極12中的另一個(gè)保持距離(d2)，距離(d1)小于距離(d2)(d1＜d2)。另外，尋址電極12被介電常數(shù)相同的介電層35包圍，并且尋址電極12對(duì)于紅色(R)、綠色(G)、藍(lán)色(B)具有相同的放電點(diǎn)火電壓。因此，在尋址放電的時(shí)候，可獲得高電壓容限。
參照?qǐng)D3和圖5，黑層37形成在前基板20上以提高對(duì)比度。在黑層37形成在前基板20上后，黑層37被熒光體層19覆蓋，在該熒光體層19形成后，另一黑層(未顯示)可形成在該熒光體層19上。
黑層37優(yōu)選地鄰近于前基板20形成，并且與尋址電極12以及維持電極31和掃描電極32的平面圖案(x-y平面)相對(duì)應(yīng)。結(jié)果，黑層37吸收外部的光以提高對(duì)比度，并且黑層37位于這些電極阻擋可見(jiàn)光的區(qū)域，從而黑層37不會(huì)阻擋任何穿過(guò)前基板20的光。因此，黑層37提高了發(fā)光效率。
另外，維持電極31和掃描電極32沿y方向交替地設(shè)置，從而沿y方向?qū)崿F(xiàn)一個(gè)維持電極31和一個(gè)掃描電極32的重復(fù)排列。因此，一個(gè)掃描電極32和一個(gè)維持電極31被設(shè)置在這樣的區(qū)域中，該區(qū)域與在沿x方向形成的第一和第二放電室18、28的相鄰行之間的第二障肋構(gòu)件16b相對(duì)應(yīng)。
可選擇地，可使用一個(gè)維持電極31和一個(gè)掃描電極32然后一個(gè)掃描電極32和一個(gè)維持電極31這樣的交替排列。采用這種結(jié)構(gòu)，兩個(gè)維持電極31或兩個(gè)掃描電極32被設(shè)置在與在沿x方向形成的第一和第二放電室18、28的相鄰行之間的第二障肋構(gòu)件16b相對(duì)應(yīng)的區(qū)域中。
下面將描述本發(fā)明的多種其它的示例性實(shí)施例。下面的實(shí)施例與上述的第一示例性實(shí)施例相似。因此，下面僅將描述其它實(shí)施例與第一示例性實(shí)施例不同的部分。
圖6是根據(jù)本發(fā)明第二示例性實(shí)施例的PDP的局部剖視圖。在這個(gè)實(shí)施例中，障肋16包括第一障肋構(gòu)件16a，第一障肋構(gòu)件16a沿與尋址電極12相同的方向，即沿y方向形成。因此，放電室18以條狀圖案形成，在該圖案中，多個(gè)放電室18沿y方向連續(xù)形成行。尋址電極12沿z方向的厚度(t1)大于維持電極31的突出31a的厚度(t2)和掃描電極32的突出32a的厚度(t3)。結(jié)果，在尋址電極12和掃描電極32的突出32a之間的大面積上的對(duì)向放電是可能的。
圖7是根據(jù)本發(fā)明第三示例性實(shí)施例的PDP的局部剖視圖。在這個(gè)實(shí)施例中，尋址電極12以及維持電極31和掃描電極32形成在設(shè)置在后基板10上的介電層38上。即，介電層38形成在后基板10上，尋址電極12以及維持電極31和掃描電極32形成在介電層38上。
圖8是根據(jù)本發(fā)明第四示例性實(shí)施例的PDP的局部剖視圖。與第二示例性實(shí)施例一樣，障肋16包括沿y方向形成的第一障肋構(gòu)件16a。因此，放電室18以條狀圖案形成，在該圖案中，多個(gè)放電室18沿y方向以行連續(xù)形成。另外，尋址電極12以及維持電極31和掃描電極32形成在設(shè)置在后基板10上的介電層38上。此外，尋址電極12沿z方向的厚度(t1)大于維持電極31的突出31a的厚度(t2)和掃描電極32的突出32a的厚度(t3)。
在上述的本發(fā)明的PDP中，障肋形成在前基板上以限定其上的放電室，每個(gè)包括突出的維持電極和掃描電極形成在后基板上以實(shí)現(xiàn)對(duì)向放電結(jié)構(gòu)。在初始階段在維持電極之間實(shí)現(xiàn)短間隙放電，從而降低放電點(diǎn)火電壓，在此后，實(shí)現(xiàn)長(zhǎng)間隙放電(對(duì)向放電)，從而提高發(fā)光效率。
盡管以上已經(jīng)詳細(xì)描述了本發(fā)明的實(shí)施例，但是應(yīng)該清楚地理解，在此提出的本發(fā)明的基本概念的多種變形和/或修改對(duì)本領(lǐng)域技術(shù)人員來(lái)說(shuō)是清楚的，并且仍將落入由權(quán)利要求限定的本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)。
權(quán)利要求
1.一種等離子體顯示面板，包括第一基板；第二基板，與所述第一基板相對(duì)設(shè)置，并在所述第一基板和所述第二基板之間限定多個(gè)放電室；多個(gè)熒光體層，分別形成在所述放電室中；多個(gè)尋址電極，沿第一方向形成在所述第一基板上；多個(gè)第一電極和第二電極，鄰近于所述第一基板形成并與所述尋址電極分隔開(kāi)，所述第一電極和第二電極沿著與所述第一方向交叉的第二方向延伸，所述第一電極和第二電極與所述放電室的每個(gè)對(duì)應(yīng)設(shè)置，其中，所述第一電極和第二電極以這樣的方式形成，即，所述第一電極和第二電極在遠(yuǎn)離所述第一基板并朝向所述第二基板的方向上延伸，并且彼此相對(duì)并在其間設(shè)置有間距，其中，所述第一電極和第二電極各包括朝向每個(gè)所述放電室的中心延伸的突出。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的等離子體顯示面板，其中，所述第一電極和第二電極每個(gè)分別包括凸起部分，所述凸起部分在與每個(gè)所述放電室的位置相對(duì)應(yīng)的區(qū)域上在垂直于所述第一基板的方向上延伸；和縮短部分，所述縮短部分形成在與沿所述第二方向相鄰的多個(gè)放電室中的一對(duì)相鄰的放電室之間的位置相對(duì)應(yīng)的區(qū)域上。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的等離子體顯示面板，其中，所述突出從所述凸起部分突出。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的等離子體顯示面板，其中，每個(gè)所述突出的橫截面基本為矩形。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的等離子體顯示面板，其中，所述第一電極和所述第二電極含有金屬材料。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的等離子體顯示面板，其中，介電層形成在所述第一電極、所述第二電極和所述尋址電極的外表面上。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的等離子體顯示面板，其中，保護(hù)層形成在所述介電層的外表面上。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的等離子體顯示面板，其中，所述尋址電極對(duì)位于所述第二電極的所述突出的每個(gè)的兩側(cè)，其中，所述第二電極的所述突出的每個(gè)靠近于所述尋址電極對(duì)中的一個(gè)形成。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的等離子體顯示面板，其中，所述突出的每個(gè)和所述尋址電極對(duì)中的一個(gè)之間的距離小于所述突出的每個(gè)和所述尋址電極對(duì)中的另一個(gè)之間的距離。
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的等離子體顯示面板，其中，所述尋址電極和所述第一基板之間的距離與所述第一電極的突出和所述第一基板之間的距離基本相同，也與所述第二電極的所述突出和所述第一基板之間的距離基本相同。
11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的等離子體顯示面板，其中，所述尋址電極沿垂直于所述第一基板和第二基板的方向的厚度大于所述第一電極和第二電極沿相同的方向的厚度。
12.根據(jù)權(quán)利要求1所述的等離子體顯示面板，其中，介電層形成在所述尋址電極、所述第一電極和所述第二電極的每個(gè)和所述第一基板之間。
13.根據(jù)權(quán)利要求1所述的等離子體顯示面板，還包括形成在所述第一基板和所述第二基板之間用于限定所述放電室的障肋。
14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的等離子體顯示面板，其中，所述障肋包括沿所述第一方向形成的第一障肋構(gòu)件，和沿著與所述第一障肋構(gòu)件相交叉的第二方向形成的第二障肋構(gòu)件。
15.根據(jù)權(quán)利要求13所述的等離子體顯示面板，其中，所述障肋包括沿所述第一方向形成的第一障肋構(gòu)件。
16.根據(jù)權(quán)利要求1所述的等離子體顯示面板，其中，所述熒光體層形成在所述第二基板上的所述放電室中。
17.根據(jù)權(quán)利要求1所述的等離子體顯示面板，其中，黑層鄰近于所述第二基板形成并與所述尋址電極、所述第一電極和所述第二電極的平面圖案相對(duì)應(yīng)。
18.根據(jù)權(quán)利要求17所述的等離子體顯示面板，其中，所述黑層形成在所述第二基板和所述熒光體層之間。
19.根據(jù)權(quán)利要求1所述的等離子體顯示面板，其中，對(duì)沿所述第二方向排列的所述放電室的每行設(shè)置一對(duì)一個(gè)所述第一電極和一個(gè)所述第二電極，其中，在放電維持間隔，維持脈沖被施加到所述第一電極，在尋址間隔，掃描脈沖被施加到所述第二電極，其中，沿所述第一方向交替地設(shè)置所述第一電極和所述第二電極，從而出現(xiàn)了沿所述第一方向一個(gè)所述第一電極和一個(gè)所述第二電極的重復(fù)排列。
20.根據(jù)權(quán)利要求1所述的等離子體顯示面板，其中，對(duì)沿所述第二方向排列的所述放電室的每行設(shè)置一對(duì)一個(gè)所述第一電極和一個(gè)所述第二電極，其中，在放電維持間隔，維持脈沖被施加到所述第一電極，在尋址間隔，掃描脈沖被施加到所述第二電極，其中，沿所述第一方向出現(xiàn)了由一個(gè)所述第一電極然后一個(gè)所述第二電極然后一個(gè)所述第二電極和一個(gè)所述第一電極的交替排列。
全文摘要
本發(fā)明提供了一種等離子體顯示面板，該面板包括第一基板；第二基板，與限定所述第一基板和所述第二基板之間多個(gè)放電室的第一基板相對(duì)設(shè)置。熒光體層分別形成在所述放電室中。尋址電極沿第一方向形成在第一基板上，第一和第二電極鄰近于第一基板形成并與尋址電極分隔開(kāi)。第一電極和第二電極沿與第一方向交叉的第二方向延伸，并且第一電極和第二電極對(duì)應(yīng)于每個(gè)放電室設(shè)置。第一電極和第二電極在遠(yuǎn)離第一基板并朝向第二基板的方向上延伸地形成，彼此相對(duì)并在其間具有間隙。第一電極和第二電極包括向放電室的中心延伸的突出。
文檔編號(hào)H01J11/36GK1776875SQ200510123289
公開(kāi)日2006年5月24日 申請(qǐng)日期2005年11月15日 優(yōu)先權(quán)日2004年11月15日
發(fā)明者許民, 水田尊久 申請(qǐng)人:三星Sdi株式會(huì)社