專利名稱:等離子顯示屏的制作方法
技術領域:
本發(fā)明涉及等離子顯示屏的,更具體地說是通過改善面板的電極結構,使在高解像度和高溫條件下也可進行穩(wěn)定操作的等離子顯示屏。
背景技術:
通常,等離子顯示屏(Plasma Display Panel)的裝置結構是堿石灰玻璃材料的前玻璃和后玻璃之間設置的隔墻形成一個單位的單元(cell),在各單元內將氖(Ne)、氦(He)或者氖和氦混合氣體(Ne+He)作為主放電氣體使用,當添加少量氙(Xe)的惰性氣體受高頻電壓作用放電時,產生真空紫外線(Vacuum ultraviolet rays),使設置在隔墻之間的熒光體發(fā)光,從而形成影像。
上述等離子顯示屏與一直為現(xiàn)有顯示設備主流的陰極線管(CRT)相比,結構簡單,制作容易,且外形很薄,是新一代顯示裝置,備受世人關注。
圖1是普通等離子顯示屏的裝置結構概略圖。如圖1所示,等離子顯示屏由顯示影像的前面板10,和形成后面的后面板20距離微小的間隔且平行地結合在一起。
前面板10的下端設置有維持電極11,用于在各自的像素,通過掃描電極Y電極和維持電極Z電極的相互沿面放電作用而保持單元的發(fā)光。維持電極11配置有由透明的ITO物質制成的透明電極11a及為降低透明電極的電阻值而用金屬材料制成的總線電極11b,設置成雙。
上述維持電極11存在于誘電層12內部。
上述誘電層起限制放電電流且使兩個電極間絕緣的作用。
誘電層12下面設置有可在放電引起的離子濺射(sputtering)中保護誘電層,并涂敷有氧化鎂(Mgo)保護膜13,以使容易產生二次電子。
為了在后面板20的誘電層上形成復數(shù)放電空間即單元,平行排列著隔墻21。圖1所示的隔墻21是條紋式(stripe type),還有其它隔墻的形態(tài),即有橫隔墻和豎隔墻的格子形狀的井式(well type)。
隔墻21之間涂敷可放出尋址放電時影像顯示用可視光線的R、G、B熒光層23。
在隔墻21之間的空間內,通過上述維持電極11和與其交叉的后面板20的尋址電極22即X電極,進行尋址(addressing)放電,并產生真空紫外線。
圖2是普通等離子顯示屏的驅動波形示意圖。如圖2所示,該驅動波形中的上升(set up)、下降(set down)及尋址(addressing)波形按區(qū)間發(fā)揮如下作用。
首先,在上升區(qū)間內,向Y電極施加高壓的斜坡(ramp)波形,Z、X電極上積累(+)壁電荷,Y電極上則積累(-)壁電荷。
其次,在下降區(qū)間內,通過上述上升脈沖的作用,過度積累的壁電荷徐徐地減少,形成能在尋址區(qū)間里穩(wěn)定放電的狀態(tài)。
再次,在尋址區(qū)間內,通過Y電極的掃描脈沖(scan pulse)和X電極的數(shù)據脈沖(data pulse)的作用,產生尋址放電,此時Z電極上保持Vs電壓,Z電極的Vs電壓維持不與Y電極的掃描脈沖產生放電的電壓。
通過上述驅動過程來驅動等離子顯示屏的現(xiàn)有驅動方式,在實現(xiàn)較高的解像度,或者在高溫條件下驅動時產生如下問題。
圖3是按現(xiàn)有驅動方式驅動等離子顯示屏時,在高解像度或者高溫條件下驅動時產生的問題示意圖。
上述圖3顯示t1、t2、t3區(qū)間作為面板的尋址前半過程在相同單元內部的放電過程,t4區(qū)間作為面板的尋址后半過程與t1、t2、t3區(qū)間單元有所不同的單元內部的放電過程。
如圖3所示,圖3的t1區(qū)間通過上升放電的作用,Y電極上積累(-)壁電荷,Z電極上積累(+)壁電荷,X電極上形成(+)電荷。其次,圖3中,t2區(qū)間通過上升脈沖的作用,過度積累的壁電荷通過下降放電均勻地存在于單元內部。圖3中的t3區(qū)間表示尋址初期過程,產生正常的放電。
但是圖3的t4區(qū)間是尋址的后半過程,表示單元內部不產生尋址放電。
在普通等離子顯示屏的驅動方法中,當掃描(scan)順序設定成面板的從上向下的方向時,不產生尋址放電的理由,即產生誤放電的理由有許多種,但當顯示高解像度時,等離子顯示屏的解像度越高尋址期間就越長,所以后半掃描線(scan line)在復位脈沖(reset pulse)經過許多時間后,產生尋址放電,比起前半掃描線,維持長時間的壁電荷,從而具有陽離子和陰離子進行自然結合的不利條件。
因此,后半掃描線存在的問題是通過復位脈沖作用形成的壁電荷隨著時間的經過而損失,就象在圖3的t4區(qū)間看到的那樣,由于壁電荷不足而導致用掃描初期的電壓不能產生放電。
這種壁電荷損失的問題不僅在高解像度情況中發(fā)生,而且等離子顯示屏在高溫環(huán)境下運行時也容易發(fā)生。
發(fā)明內容
本發(fā)明就是為了解決上述問題而研究出來的,目的在于改善面板的電極結構,提高驅動效率,以確保在高解像度及高溫條件下也能進行穩(wěn)定的動作。
為了實現(xiàn)上述目的,本發(fā)明的等離子顯示屏包括,用于施加掃描脈沖和支持脈沖的Y電極部,和用于與上述Y電極部輪流施加支持(sustain)脈沖的Z電極部,所述等離子顯示屏特征為上述Z電極部包括復數(shù)Z電極,上述復數(shù)Z電極被均分成n個組。
另外,其特征還包括在掃描區(qū)間,當向上述n個組中選擇的第x(1≤x≤n)組內的Z電極施加電壓時,向第1組至第x-1組內的Z電極施加電壓,而第x+1組至第n組的Z電極是接地電平。
本發(fā)明的效果是通過改善等離子顯示屏的Z電極結構,在高解像度和高溫條件下也能防止Z電極的壁電荷損失,提高驅動效率,從而獲得穩(wěn)定的畫質。
圖1是普通AC型等離子顯示屏的裝置結構概略圖。
圖2是現(xiàn)有AC型等離子顯示屏的驅動波形示意圖。
圖3是現(xiàn)有AC型等離子顯示屏驅動方式的問題示意圖。
圖4是本發(fā)明的等離子顯示屏的電極結構示意5是作為本發(fā)明第1實施例的改善Z電極結構的等離子顯示屏的驅動方式示意圖。
圖6是作為本發(fā)明第2實施例的改善Z電極結構的等離子顯示屏的驅動方式示意圖。
圖7是作為本發(fā)明第3實施例的改善Z電極結構的等離子顯示屏的驅動方式示意圖。
圖8是作為本發(fā)明第4實施例的改善Z電極結構的等離子顯示屏的驅動方式示意圖。
*附圖主要部分符號說明*10前面板 11第1電極、維持電極12誘電層 13保護膜20后面板 21隔墻(或間隔壁)22第2電極、尋址電極 23R、G、B熒光層具體實施方式
下面參照附圖對本發(fā)明的具體實施例進行說明。
<實施例>
圖4是本發(fā)明的電極結構示意圖,它是單掃描(single scan)情況示意圖,掃描的方向設定成從上往下的方向。如圖4所示,在等離子顯示屏內將Z電極分割成n個組,即第1個組到第n個組,在上述組之間有為顯示影像而被選擇的x組。
圖5是作為本發(fā)明第1實施例的改善Z電極結構的等離子顯示屏的驅動方式示意圖。
第x組的Z電極維持與現(xiàn)有方式相同的驅動波形,而從第x+1組至第n組的Z電極在上述第x組的Z電極尋址期間t3維持接地電平。
經過上升t1、下降t2區(qū)間后,第x組馬上就迎來尋址放電區(qū)間t3,所以這時在復位脈沖后,壁電荷的損失減小,按照與現(xiàn)有方式相同的波形進行動作。
但是,從x+1組至第n組,根據掃描順序,在上側組的尋址期間t3后迎來尋址放電t4期間,所以在上側組的尋址期間t3不進行動作而是等待。所謂上側組是指從第1組至第x組。在該期間t3,單元內部的陽離子和陰離子自然結合,造成壁電荷損失。
因此,經過下降過程后,給第x+1組至第n組的Z電極維持接地電平的電壓,以防止積累在Z電極上的(+)壁電荷損失。
此后,當?shù)趚+1組至第n組迎來尋址放電區(qū)間t4時,向第x+1組至第n組的Z電極施加支持電壓來驅動顯示屏。
即,上述第x+1組至第n組的Z電極電壓,為防止壁電荷損失維持接地電平,而在第x+1組至第n組相關的尋址區(qū)間t4里則施加支持電壓。
圖6是作為本發(fā)明第2實施例的改善Z電極結構的等離子顯示屏的驅動方式示意圖。
如圖6所示,上述第x+1組至第n組的Z電極電壓,在上述第x組的尋址區(qū)間t3處于接地電平至支持電壓間的任意電壓。
即,通過相對于支持電壓低的電壓作用,也能維持Z電極的(+)壁電荷。
圖7是根據本發(fā)明第3實施例的改善Z電極結構的等離子顯示屏的驅動方式示意圖。
如圖7所示,與上述圖5的驅動方式一樣,比如上述第x+1組和第n組,在第x+1組的尋址區(qū)間t4期間,第n組的Z電極電壓維持接地電平至支持電壓間的任意電壓。在上述第n組的尋址期間t5,所有上側組的Z電極維持支持電壓,上述第n個組的Z電極也維持支持電壓。
圖8是作為本發(fā)明第4實施例的改善Z電極結構的等離子顯示屏的驅動方式示意圖。
如圖8所示,上述第x+1組至第n組的Z電極電壓,在下降區(qū)間t2和上述第x組的尋址期間t3是同一電壓。因此,其實行尋址期間比第x組遲緩,從此可預防由此造成的壁電荷損失。
改善Z電極結構的上述等離子顯示屏的掃描方式雖然假定為單掃描方式,但本發(fā)明同樣可適用于雙掃描方式的等離子顯示屏。
即,雙掃描方式的等離子顯示屏也可通過改善Z電極的結構來達到防止壁電荷損失、提高驅動效率的效果。
所屬領域專業(yè)人員在不改變本發(fā)明的技術思想或必不可少的特征的情況下,完全可以對本發(fā)明的技術構成實施成其它具體的形態(tài)。
權利要求
1.一種等離子顯示屏,包括用于施加掃描脈沖和支持脈沖的Y電極部,以及與上述Y電極部一起輪流施加支持脈沖的Z電極部,所述等離子顯示屏,其特征包括上述Z電極部包括復數(shù)Z電極;上述復數(shù)Z電極被均分成n個組;當在掃描區(qū)間向上述n個組中選擇的第x(1≤x≤n,x是自然數(shù))組內的Z電極施加電壓時,向第1組至第x-1組內的Z電極施加電壓,而第x+1組至第n組的Z電極是接地電平。
2.如權利要求1所述等離子顯示屏,其特征在于上述第x+1組至第n組的Z電極電壓,先維持接地電平,而當處于第x+1組至第n組相關的尋址區(qū)間中時,則是支持電壓。
3.如權利要求1所述等離子顯示屏,其特征在于上述第x+1組至第n組內的Z電極電壓,在上述第x組的尋址區(qū)間中處于接地電平至支持電壓間的任意電壓。
4.如權利要求1所述等離子顯示屏,其特征在于上述第x+1組至第n組內的Z電極電壓,在下降區(qū)間處于接地電平至支持電壓間的任意電壓。
5.如權利要求1所述等離子顯示屏,其特征在于上述第x+1組至第n組的Z電極的電壓,在下降區(qū)間以及上述第x組的尋址區(qū)間中處于同一電壓。
6.如權利要求1所述等離子顯示屏,其特征在于上述等離子顯示屏的掃描方式采用單掃描或者雙掃描中的任一方式。
全文摘要
本發(fā)明涉及等離子顯示屏,更具體地說是通過改善面板的電極結構,在高解像度和高溫條件下,也可進行穩(wěn)定操作的等離子顯示屏。本發(fā)明的等離子顯示屏包括用于施加掃描脈沖和支持脈沖的Y電極部,和與上述Y電極部輪換施加支持脈沖的Z電極部。上述Z電極部包含復數(shù)個Z電極,而上述復數(shù)個Z電極被均分成n個組。當在掃描期間向上述n個組中選擇的第x(1≤x≤n,x是自然數(shù))組內的Z電極施加電壓時,向第1組到第x-1組內的Z電極施加電壓,而第x+1組至n組內的Z電極是接地電平。本發(fā)明通過改善面板的Z電極結構,在高解像度和高溫條件下也能夠防止Z電極的壁電荷損失,從而提高驅動效率,獲得穩(wěn)定的畫質。
文檔編號H01J11/22GK1941256SQ20051009479
公開日2007年4月4日 申請日期2005年9月30日 優(yōu)先權日2005年9月30日
發(fā)明者崔正泌 申請人:樂金電子(南京)等離子有限公司