專利名稱：雙面板型有機(jī)電致發(fā)光器件及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種有機(jī)電致發(fā)光器件，尤其涉及一種雙面板型有機(jī)電致發(fā)光器件及其制造方法。
背景技術(shù)：
在平板顯示器件(FPD)中，有機(jī)電致發(fā)光(EL)器件在研究和開(kāi)發(fā)方面已經(jīng)引起了人們特別的興趣，這是因?yàn)榕c液晶顯示(LCD)器件相比，它們是具有寬視角和高對(duì)比度的光發(fā)射型顯示器件。與其他類型的顯示器件相比，有機(jī)EL器件重量輕且體積小，這是因?yàn)樗鼈儾恍枰彻?。有機(jī)EL器件還具有其他理想的特性，如低功耗，高亮度和快速響應(yīng)時(shí)間。當(dāng)驅(qū)動(dòng)有機(jī)EL器件時(shí)，僅需要低直流(DC)電壓。此外，可以獲得快速響應(yīng)時(shí)間。不同于LCD器件，有機(jī)EL器件完全以固相結(jié)構(gòu)形成。從而，有機(jī)EL器件足以抵擋外部的沖擊并且具有更大的工作溫度范圍。此外，有機(jī)EL器件以包括幾個(gè)處理步驟的相對(duì)簡(jiǎn)單的工序制造。從而，與LCD器件或等離子體顯示板(PDP)相比，制造有機(jī)EL器件更加便宜。特別是，對(duì)于制造有機(jī)EL器件，僅沉積和封裝工序是必要的。
圖1為現(xiàn)有技術(shù)有機(jī)電致發(fā)光器件的截面圖。參照?qǐng)D1，內(nèi)表面彼此相對(duì)且彼此分隔開(kāi)的第一和第二基板10和60具有多個(gè)像素區(qū)“P”。陣列層“AL”形成在第一基板10的內(nèi)表面上。陣列層“AL”包括各像素區(qū)域“P”中的驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管(TFT)“Td”。連接到驅(qū)動(dòng)TFT“Td”的第一電極48形成在各像素區(qū)域“P”中的陣列層“AL”上。紅、綠和藍(lán)有機(jī)電致發(fā)光(EL)層54交替形成在第一電極48上。第二電極56形成在有機(jī)EL層54上。第一和第二電極48和56，以及其間插入的有機(jī)EL層54構(gòu)成有機(jī)EL二極管“DEL”。該有機(jī)EL器件為底部型器件，其中來(lái)自有機(jī)EL層54的光通過(guò)第一電極48并向第一基板10的外部發(fā)射。
第二基板60用作封裝基板。第二基板60在其內(nèi)部中心具有凹形部分62。凹形部分62充滿吸濕干燥劑64，其去除水分和氧氣以保護(hù)有機(jī)EL二極管“DEL”。第二基板60的內(nèi)表面與第二電極56分隔開(kāi)。第一和第二基板10和60利用在第一和第二基板10和60的外圍部分的密封劑70粘接到一起。
圖2A為根據(jù)現(xiàn)有技術(shù)有機(jī)電致發(fā)光器件的平面圖。參照?qǐng)D2A，柵線22與數(shù)據(jù)線42和電源線28交叉。數(shù)據(jù)線42和電源線28彼此分隔開(kāi)。像素區(qū)域“P”由柵線22、數(shù)據(jù)線42和電源線28限定。開(kāi)關(guān)薄膜晶體管(TFT)“TS”設(shè)置在柵線22和數(shù)據(jù)線42的交叉點(diǎn)附近。驅(qū)動(dòng)TFT“Td”連接到開(kāi)關(guān)TFT“TS”和電源線28。存儲(chǔ)電容“Cst”使用從電源線28延伸出的電源電極26作為第一電容電極，并使用從開(kāi)關(guān)TFT“TS”的開(kāi)關(guān)半導(dǎo)體層31延伸出的有源圖案16作為第二電容電極。
圖2B為沿圖2A中的“IIb-IIb”線提取的截面圖。在圖2B中，緩沖層12形成在第一基板10上。彼此分隔開(kāi)的驅(qū)動(dòng)半導(dǎo)體層14和有源圖案16形成在緩沖層12上。柵絕緣層18和柵極20順序形成在驅(qū)動(dòng)半導(dǎo)體層14上。驅(qū)動(dòng)半導(dǎo)體層14包括對(duì)應(yīng)于柵極20的有源區(qū)“IIc”和在有源區(qū)“IIc”兩側(cè)的漏極區(qū)和源極區(qū)“IId”和“IIe”。
第一鈍化層24形成在柵極20和有源圖案16上。對(duì)應(yīng)于有源圖案16的電源電極26形成在第一鈍化層24上。
第二鈍化層30形成在電源電極26上。第一和第二鈍化層24和30分別具有暴露出部分漏極區(qū)和源極區(qū)“IId”和“IIe”的第一和第二接觸孔。此外，第二鈍化層30具有暴露出部分電源電極26的第三接觸孔36。
漏極和源極40和38形成在第二鈍化層30上。漏極40通過(guò)第一接觸孔32連接到驅(qū)動(dòng)半導(dǎo)體層14的漏極區(qū)“IId”。源極38通過(guò)第二接觸孔34連接到驅(qū)動(dòng)半導(dǎo)體層14的源極區(qū)“IIe”，并通過(guò)第三接觸孔36連接到電源電極26。
第三鈍化層44形成在漏極和源極40和38上。第三鈍化層44具有暴露出部分漏極40的漏極接觸孔46。驅(qū)動(dòng)半導(dǎo)體層14、柵極20、漏極40和源極38構(gòu)成驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管(TFT)“Td”。
通過(guò)漏極接觸孔46連接到漏極40的第一電極48形成在第三鈍化層44上。具有暴露出第一電極48的開(kāi)口部分的絕緣中間層50形成在第一電極48上。有機(jī)電致發(fā)光(EL)層54形成在絕緣中間層50上。第二電極56形成在有機(jī)EL層54上。有機(jī)EL層54通過(guò)絕緣中間層50的開(kāi)口部分接觸第一電極48。第一和第二電極48和56以及其間插入的有機(jī)EL層54構(gòu)成有機(jī)EL二極管“DEL”。
在根據(jù)現(xiàn)有技術(shù)的有機(jī)EL器件中，陣列層和有機(jī)EL二極管形成在第一基板上，附加的第二基板與第一基板粘接用于封裝。然而，當(dāng)陣列層和有機(jī)EL二極管以這種方式形成在一個(gè)基板上時(shí)，有機(jī)EL器件的產(chǎn)量由TFT的產(chǎn)量和有機(jī)EL二極管的產(chǎn)量的乘積結(jié)果確定。由于有機(jī)EL二極管的產(chǎn)量相對(duì)低，因此總的EL器件的產(chǎn)量受到有機(jī)EL二極管產(chǎn)量的限制。例如，即使TFT制造得很好，由于有機(jī)EL層的缺陷，利用約1000厚度薄膜的有機(jī)EL器件可以確定為有缺陷。這導(dǎo)致材料的損耗和制造成本增加。
通常，根據(jù)用于顯示圖象的光通過(guò)有機(jī)EL器件的發(fā)射方向，有機(jī)EL器件分為底部發(fā)射型和頂部發(fā)射型。底部發(fā)射型有機(jī)EL器件具有高封裝穩(wěn)定性和高工序靈活性的優(yōu)點(diǎn)。然而，底部發(fā)射型有機(jī)EL器件對(duì)于高分辨率器件是不適合的，因?yàn)樗鼈兙哂械涂讖奖?。與此相反，頂部發(fā)射型有機(jī)EL器件具有較高的預(yù)期使用壽命，因?yàn)樗鼈兏菀自O(shè)計(jì)并具有高的孔徑比。然而，在頂部發(fā)射型有機(jī)EL器件中，陰極通常形成在有機(jī)EL層上。結(jié)果，頂部發(fā)射型有機(jī)EL器件的透射比和光學(xué)效率由于可以選擇的材料數(shù)目受到限制而降低。如果形成薄膜型鈍化層以避免光透射比的降低，則薄膜型鈍化層可能不能阻礙外部空氣滲透進(jìn)器件。

發(fā)明內(nèi)容
因此，本發(fā)明涉及一種有機(jī)電致發(fā)光器件及其制造方法，其基本上避免了由于現(xiàn)有技術(shù)的限制和缺點(diǎn)引起的一個(gè)或多個(gè)問(wèn)題。
本發(fā)明的一個(gè)目的是提供一種具有提高的產(chǎn)量的有機(jī)電致發(fā)光器件。
本發(fā)明的另一目的是提供一種具有高分辨率的有機(jī)電致發(fā)光器件。
本發(fā)明的再一目的是提供一種具有高孔徑比的有機(jī)電致發(fā)光器件。
本發(fā)明的又一目的是提供一種具有高產(chǎn)量的有機(jī)電致發(fā)光器件的制造方法。
本發(fā)明的另一目的是提供一種具有高分辨率的有機(jī)電致發(fā)光器件的制造方法。
本發(fā)明的再一目的是提供一種具有高孔徑比的有機(jī)電致發(fā)光器件的制造方法。
本發(fā)明另外的特征和優(yōu)點(diǎn)將在下面的描述中提出，部分從描述中顯而易見(jiàn)，或者可以從本發(fā)明的實(shí)施中了解。通過(guò)說(shuō)明書(shū)及其權(quán)利要求以及所附附圖中指出的具體結(jié)構(gòu)，本發(fā)明的目的和其它優(yōu)點(diǎn)可以實(shí)現(xiàn)和得到。
為了實(shí)現(xiàn)這些和其它優(yōu)點(diǎn)并根據(jù)本發(fā)明的目的，如具體和概括描述的，一種有機(jī)電致發(fā)光器件包括彼此面對(duì)且相互分隔開(kāi)的第一和第二基板；在第一基板內(nèi)表面上的柵線；與柵線交叉且彼此分隔開(kāi)的數(shù)據(jù)線和電源線；連接到柵線和數(shù)據(jù)線的開(kāi)關(guān)薄膜晶體管；連接到開(kāi)關(guān)薄膜晶體管和電源線的驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管，該驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管包括具有環(huán)形的溝道區(qū)；連接到驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管的電連接圖案，該連接圖案設(shè)置在驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管的上方；和第二基板內(nèi)表面上的有機(jī)電致發(fā)光二極管，該有機(jī)電致發(fā)光二極管連接到電連接圖案。
按照另一方面，一種有機(jī)電致發(fā)光器件包括彼此面對(duì)且相互分隔開(kāi)的第一和第二基板；在第一基板內(nèi)表面上的柵線；與柵線交叉且彼此分隔開(kāi)的數(shù)據(jù)線和電源線；連接到柵線和數(shù)據(jù)線的開(kāi)關(guān)薄膜晶體管；連接到開(kāi)關(guān)薄膜晶體管和電源線的驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管，該驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管具有包括至少兩個(gè)半環(huán)形的溝道區(qū)；連接到驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管的電連接圖案，該連接圖案設(shè)置在驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管的上方；和第二基板內(nèi)表面上的有機(jī)電致發(fā)光二極管，該有機(jī)電致發(fā)光二極管連接到電連接圖案。
按照另一方面，一種有機(jī)電致發(fā)光器件的制造方法包括在第一基板上形成柵線；形成與柵線交叉的數(shù)據(jù)線；形成與數(shù)據(jù)線分隔開(kāi)的電源線；形成連接到柵線和數(shù)據(jù)線的開(kāi)關(guān)薄膜晶體管；形成連接到開(kāi)關(guān)薄膜晶體管和電源線的驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管，該驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管包括具有環(huán)形的溝道區(qū)；在第二基板上形成有機(jī)電致發(fā)光二極管；在驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管和有機(jī)電致發(fā)光二極管之一的上方形成電連接圖案；以及粘接第一和第二基板使得電連接圖案電連接驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管和有機(jī)電致發(fā)光二極管。
按照另一方面，一種有機(jī)電致發(fā)光器件的制造方法包括在第一基板上形成柵線；形成與柵線交叉的數(shù)據(jù)線；形成與數(shù)據(jù)線分隔開(kāi)的電源線；形成連接到柵線和數(shù)據(jù)線的開(kāi)關(guān)薄膜晶體管；形成連接到開(kāi)關(guān)薄膜晶體管和電源線的驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管，該驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管具有包括至少兩個(gè)半環(huán)形的溝道區(qū)；在第二基板上形成有機(jī)電致發(fā)光二極管；在驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管和有機(jī)電致發(fā)光二極管之一的上方形成電連接圖案；以及粘接第一和第二基板使得電連接圖案電連接驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管和有機(jī)電致發(fā)光二極管。
應(yīng)當(dāng)理解，上面的概述和下面的詳述都是例證性和解釋性的，意欲對(duì)所要求保護(hù)的本發(fā)明提供進(jìn)一步解釋。


所附附圖用于提供本發(fā)明的進(jìn)一步理解，并結(jié)合在本說(shuō)明書(shū)中，構(gòu)成本說(shuō)明書(shū)的一部分，這些

了本發(fā)明的實(shí)施例，并與說(shuō)明書(shū)一起用于解釋本發(fā)明的原理。在附圖中圖1為現(xiàn)有技術(shù)有機(jī)電致發(fā)光器件的截面圖；圖2A為根據(jù)現(xiàn)有技術(shù)有機(jī)電致發(fā)光器件的平面圖；圖2B為沿圖2A中的“IIb-IIb”線提取的截面圖；圖3為根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的示例性雙面板型有機(jī)電致發(fā)光器件的截面圖；圖4A為根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例用于示例性雙面板型有機(jī)電致發(fā)光器件的基板的單個(gè)像素區(qū)域的平面圖；圖4B為沿圖4A中的“IVb-IVb”線提取的截面圖；圖5A為根據(jù)本發(fā)明另一實(shí)施例用于示例性雙面板型有機(jī)電致發(fā)光器件的基板的像素區(qū)域的平面圖；圖5B為沿圖5A中的“Vb-Vb”線提取的截面圖；圖6A為在制造按照本發(fā)明另一實(shí)施例用于雙面板型有機(jī)電致發(fā)光器件的基板的過(guò)程中連接線和柵極形成的平面圖；圖6B為在制造按照本發(fā)明另一實(shí)施例用于雙面板型有機(jī)電致發(fā)光器件的基板的過(guò)程中開(kāi)關(guān)半導(dǎo)體層和驅(qū)動(dòng)半導(dǎo)體層形成的平面圖；圖6C為在制造按照本發(fā)明另一實(shí)施例用于雙面板型有機(jī)電致發(fā)光器件的基板的過(guò)程中接觸孔形成的平面圖；圖6D為在制造按照本發(fā)明另一實(shí)施例用于雙面板型有機(jī)電致發(fā)光器件的基板的過(guò)程中開(kāi)關(guān)和驅(qū)動(dòng)電極形成的平面圖；圖6E為在制造按照本發(fā)明另一實(shí)施例用于雙面板型有機(jī)電致發(fā)光器件的基板的過(guò)程中第一鈍化層形成的平面圖；圖6F為在制造按照本發(fā)明另一實(shí)施例用于雙面板型有機(jī)電致發(fā)光器件的基板的過(guò)程中電源電極和電容電極形成的平面圖；圖6G為在制造按照本發(fā)明另一實(shí)施例用于雙面板型有機(jī)電致發(fā)光器件的基板的過(guò)程中第二鈍化層形成的平面圖；圖6H為在制造按照本發(fā)明另一實(shí)施例用于雙面板型有機(jī)電致發(fā)光器件的基板的過(guò)程中突起圖案形成的平面圖；圖6I為在制造按照本發(fā)明另一實(shí)施例用于雙面板型有機(jī)電致發(fā)光器件的基板的過(guò)程中電連接圖案形成的平面圖；圖7A為沿圖6A中的“VII-VII”線提取的截面圖；圖7B為沿圖6B中的“VII-VII”線提取的截面圖；圖7C為沿圖6C中的“VII-VII”線提取的截面圖；圖7D為沿圖6D中的“VII-VII”線提取的截面圖；圖7E為沿圖6E中的“VII-VII”線提取的截面圖；圖7F為沿圖6F中的“VII-VII”線提取的截面圖；圖7G為沿圖6G中的“VII-VII”線提取的截面圖；圖7H為沿圖6H中的“VII-VII”線提取的截面圖；圖7I為沿圖6I中的“VII-VII”線提取的截面圖；圖8為按照本發(fā)明另一實(shí)施例用于雙面板型有機(jī)電致發(fā)光器件的示例性驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管的平面圖；圖9為按照本發(fā)明另一實(shí)施例的用于雙面板型有機(jī)電致發(fā)光器件的例證性驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管的平面圖。
具體實(shí)施例方式
現(xiàn)在將對(duì)附圖所示的本發(fā)明優(yōu)選實(shí)施例進(jìn)行詳細(xì)描述。
圖3為按照本發(fā)明實(shí)施例的示例性雙面板型有機(jī)電致發(fā)光器件的截面圖。參照?qǐng)D3，內(nèi)表面彼此相對(duì)且彼此分隔開(kāi)的第一基板110和第二基板170包括多個(gè)像素區(qū)域“P”。包括薄膜晶體管(TFT)“T”的陣列層“A”形成在第一基板110的內(nèi)表面上。連接到TFT“T”的連接圖案166形成在陣列層“A”上。連接圖案166的厚度使得第一基板110上的陣列層“A”通過(guò)連接圖案166連接到第二基板170上的有機(jī)電致發(fā)光(EL)二極管“E”。例如，連接圖案166的厚度可以對(duì)應(yīng)于第一和第二基板110和170之間的盒間隙。此外，TFT“T”可以為驅(qū)動(dòng)TFT，其將電流施加到有機(jī)EL二極管。TFT“T”可以進(jìn)一步具有利用非晶硅的反向交錯(cuò)結(jié)構(gòu)。
第一電極182形成在第二基板170的整個(gè)內(nèi)表面上。層間絕緣層184和多個(gè)分離器186順序形成在相鄰像素區(qū)域“P”之間的非像素區(qū)域“NP”中的第一電極182上。各分離器186可以具有錐形形狀。有機(jī)發(fā)光層188和第二電極190順序形成在相鄰分離器186之間的第一電極182上。各分離器186具有的厚度和形狀可以使得有機(jī)發(fā)光層188和第二電極190通過(guò)分離器186在各像素區(qū)域“P”中自動(dòng)分隔開(kāi)。有機(jī)發(fā)光層188可以包括交替設(shè)置在各像素區(qū)域“P”中的紅、綠和藍(lán)發(fā)光層188a、188b和188c。
第一電極182、第二電極190和第一電極182與第二電極190之間的有機(jī)發(fā)光層188形成有機(jī)電致發(fā)光(EL)二極管“E”。第一電極182可以包括透明材料使得來(lái)自有機(jī)發(fā)光層188的光通過(guò)第一電極182發(fā)射，即頂部發(fā)射型。按照本發(fā)明的一實(shí)施例，第一電極182為陽(yáng)極，第二電極190為陰極。在該情況下，第一電極182可以包括透明導(dǎo)電材料如氧化銦錫(ITO)和氧化銦鋅(IZO)。此外，第一基板110和第二基板170可以通過(guò)在第一基板110和第二基板170的邊緣部分中的密封圖案192粘接。
圖3所示的示例性雙面板型有機(jī)EL器件具有提高的產(chǎn)量和更長(zhǎng)的使用壽命，這是因?yàn)榘═FT“T”的陣列層“A”和有機(jī)EL二極管“E”形成在它們各自的基板上。此外，因?yàn)殡p面板型有機(jī)EL二極管為頂部發(fā)射型，因此TFT設(shè)計(jì)更加容易。此外，圖3所示的示例性雙面板型有機(jī)EL器件提供高分辨率和高孔徑比。此外，由于有機(jī)發(fā)光層188和第二電極190通過(guò)多個(gè)分離器186自動(dòng)形成圖案而不需要利用附加的遮光掩模，因此制造工序得到簡(jiǎn)化。
盡管未在圖3中示出，雙面板型有機(jī)EL器件可以進(jìn)一步包括全色顯示元件，如單層濾色片和雙層濾色片以及用于顯示全色的顏色改變介質(zhì)。當(dāng)全色顯示元件形成在雙面板型有機(jī)EL器件中時(shí)，有機(jī)發(fā)光層188可以包括發(fā)射單色的發(fā)光材料。
圖4A為根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例用于示例性雙面板型有機(jī)電致發(fā)光器件的基板的單個(gè)像素區(qū)域的平面圖。圖4B為沿圖4A中的“IVb-IVb”線提取的截面圖。參照?qǐng)D4A和4B，具有開(kāi)關(guān)柵極112的柵線114(圖4A所示)沿第一方向形成在第一基板110上。具有島狀的驅(qū)動(dòng)?xùn)艠O118沿垂直于第一方向的第二方向形成在第一基板110上。連接線116(圖4A所示)從驅(qū)動(dòng)?xùn)艠O118延伸到開(kāi)關(guān)柵極112的相鄰部分。柵絕緣層120形成在開(kāi)關(guān)柵極112、柵線114、連接線116和驅(qū)動(dòng)?xùn)艠O118上。第一接觸孔130設(shè)置成貫穿柵絕緣層120。第一接觸孔暴露出一部分連接線116。
開(kāi)關(guān)半導(dǎo)體層122和驅(qū)動(dòng)半導(dǎo)體層124形成在柵絕緣層120上以分別對(duì)應(yīng)于開(kāi)關(guān)柵極112和驅(qū)動(dòng)?xùn)艠O118。驅(qū)動(dòng)半導(dǎo)體層124具有島狀。驅(qū)動(dòng)半導(dǎo)體層124還包括有源層124a和歐姆接觸層124b。有源層124a可以包括本征非晶硅。歐姆接觸層124b可以包括摻雜非晶硅。盡管未在圖4B中示出，開(kāi)關(guān)半導(dǎo)體層122可以具有與驅(qū)動(dòng)半導(dǎo)體層124相同的截面結(jié)構(gòu)。開(kāi)關(guān)半導(dǎo)體層122和驅(qū)動(dòng)半導(dǎo)體層124可以每個(gè)包括非晶硅和微晶硅之一。
彼此分隔開(kāi)的開(kāi)關(guān)源極134和開(kāi)關(guān)漏極136形成在開(kāi)關(guān)半導(dǎo)體層122上。此外，具有島狀且彼此分隔開(kāi)的驅(qū)動(dòng)源極140和驅(qū)動(dòng)漏極142形成在驅(qū)動(dòng)半導(dǎo)體層124上。數(shù)據(jù)線132連接到開(kāi)關(guān)源極134。數(shù)據(jù)線132沿第二方向設(shè)置。開(kāi)關(guān)漏極136通過(guò)第一接觸孔130連接到連接線116。第一電容電極138從開(kāi)關(guān)漏極136延伸出。
開(kāi)關(guān)柵極112、開(kāi)關(guān)半導(dǎo)體層122、開(kāi)關(guān)源極134和開(kāi)關(guān)漏極136形成開(kāi)關(guān)薄膜晶體管(TFT)“Ts”。驅(qū)動(dòng)?xùn)艠O118、驅(qū)動(dòng)半導(dǎo)體層124、驅(qū)動(dòng)源極140和驅(qū)動(dòng)漏極142形成驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管(TFT)“Td”。開(kāi)關(guān)源極134和開(kāi)關(guān)漏極136之間的開(kāi)關(guān)半導(dǎo)體層122形成用于載流子傳輸?shù)臏系绤^(qū)。類似地，驅(qū)動(dòng)源極140和驅(qū)動(dòng)漏極142之間的驅(qū)動(dòng)半導(dǎo)體層124也為溝道區(qū)。
第一鈍化層146形成在開(kāi)關(guān)TFT“Ts”和驅(qū)動(dòng)TFT“Td”上。第二接觸孔144設(shè)置為貫穿第一鈍化層146。第二接觸孔144暴露出部分驅(qū)動(dòng)源極140。
電源電極148、第二電容電極150和電源線152形成在第一鈍化層146上。電源電極148和第二電容電極150從電源線152延伸出，其中電源線152遠(yuǎn)離且平行于數(shù)據(jù)線132。此外，電源電極148通過(guò)第二接觸孔144連接到驅(qū)動(dòng)源極140，第二電容電極150對(duì)應(yīng)于第一電容電極138，從而構(gòu)成具有其間插入的第一鈍化層146的存儲(chǔ)電容“Cst”。柵線114、數(shù)據(jù)線132和電源線152限定像素區(qū)域“P”。
具有貫穿第一鈍化層146的第三接觸孔154的第二鈍化層156形成在電源電極148、第二電容電極150和電源線152上。第三接觸孔154暴露出部分驅(qū)動(dòng)漏極142。突起圖案158形成在與第三接觸孔154相鄰的像素區(qū)域“P”中的第二鈍化層156上。通過(guò)第三接觸孔154連接到驅(qū)動(dòng)漏極142的連接電極162形成在突起圖案158上。突起圖案158和其上的連接電極162形成電連接圖案166。
在按照本發(fā)明實(shí)施例的雙面板型有機(jī)EL器件中，基于制造成本和效率，TFT可以具有底柵結(jié)構(gòu)。因此，非晶硅或微晶硅可以用于有源層。微晶硅包括通過(guò)注入大量的氫產(chǎn)生的精細(xì)晶粒。由于利用非晶硅的TFT的遷移率小于約1cm2/V·sec，因此要求TFT具有高的寬長(zhǎng)(W/L)比，以產(chǎn)生用于有機(jī)EL器件的足夠驅(qū)動(dòng)電流。
在雙面板型有機(jī)EL器件中，根據(jù)驅(qū)動(dòng)TFT Td的W/L比增加，電連接圖案166接觸第一和第二基板的區(qū)域減少。此外，當(dāng)連接電極162沒(méi)有完全覆蓋突起圖案158及其邊緣時(shí)，連接電極162可能裂開(kāi)或者從突起圖案158中分層。因此，要求充足的區(qū)域以完全覆蓋突起圖案。
圖5A示出了按照本發(fā)明另一實(shí)施例用于示例性雙面板型有機(jī)電致發(fā)光器件的基板的像素區(qū)域的平面圖。圖5B為沿圖5A中的“Vb-Vb”線提取的截面圖。參照?qǐng)D5A和5B，具有環(huán)形的驅(qū)動(dòng)?xùn)艠O218從連接到開(kāi)關(guān)薄膜晶體管(TFT)“Ts”的開(kāi)關(guān)漏極236的連接線216延伸出。驅(qū)動(dòng)?xùn)艠O218包括開(kāi)口部分217。在本發(fā)明的實(shí)施例中，開(kāi)口部分217具有圓形。在本發(fā)明的另一實(shí)施例中，開(kāi)口部分217可以具有橢圓形。
柵絕緣層220形成在驅(qū)動(dòng)?xùn)艠O218和連接線216上。驅(qū)動(dòng)半導(dǎo)體層224形成在對(duì)應(yīng)于驅(qū)動(dòng)?xùn)艠O218的柵絕緣層220上。第一接觸孔230設(shè)置為貫穿柵絕緣層220。第一接觸孔230暴露出部分連接線216。驅(qū)動(dòng)半導(dǎo)體層224包括非晶硅和微晶硅之一。此外，驅(qū)動(dòng)半導(dǎo)體層224可以包括驅(qū)動(dòng)有源層224a和驅(qū)動(dòng)歐姆接觸層224b。驅(qū)動(dòng)有源層224a可以包括本征半導(dǎo)體材料，驅(qū)動(dòng)歐姆接觸層224b可以包括摻雜半導(dǎo)體材料。
驅(qū)動(dòng)源極240和驅(qū)動(dòng)漏極242彼此分隔開(kāi)并且形成在驅(qū)動(dòng)半導(dǎo)體層224上。驅(qū)動(dòng)源極240和驅(qū)動(dòng)漏極242分別與驅(qū)動(dòng)?xùn)艠O218的外邊緣部分和驅(qū)動(dòng)?xùn)艠O218的內(nèi)邊緣部分重疊。因此，驅(qū)動(dòng)源極240設(shè)置為圍繞驅(qū)動(dòng)?xùn)艠O218，驅(qū)動(dòng)漏極242設(shè)置在驅(qū)動(dòng)?xùn)艠O218的開(kāi)口部分217中。部分驅(qū)動(dòng)有源層224a通過(guò)驅(qū)動(dòng)源極240和驅(qū)動(dòng)漏極242之間的空間暴露出以形成驅(qū)動(dòng)溝道區(qū)“CH”。此外，驅(qū)動(dòng)?xùn)艠O218、驅(qū)動(dòng)半導(dǎo)體層224、驅(qū)動(dòng)源極240和驅(qū)動(dòng)漏極242形成驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管(TFT)“Td”。
第一鈍化層246形成在驅(qū)動(dòng)TFT“Td”上。電源電極248形成在第一鈍化層246上。第二接觸孔244設(shè)置為貫穿第一鈍化層246。第二接觸孔244暴露出部分驅(qū)動(dòng)源極240。電源電極248通過(guò)第二接觸孔244連接到驅(qū)動(dòng)源極240。
具有貫穿第一鈍化層246的第三和第四接觸孔254a和254b的第二鈍化層256形成在電源電極248上。第三和第四接觸孔暴露出部分驅(qū)動(dòng)漏極242。突起圖案258形成在驅(qū)動(dòng)漏極242上方的第二鈍化層256上。連接電極262形成在突起圖案258上。連接電極262通過(guò)第三和第四接觸孔254a和254b連接到驅(qū)動(dòng)漏極242。突起圖案258和其上的連接電極262形成電連接圖案266。此外，連接電極262可以完全覆蓋突起圖案258。
在本發(fā)明的實(shí)施例中，具有環(huán)形的驅(qū)動(dòng)溝道區(qū)“CH”的寬度“W”對(duì)應(yīng)于驅(qū)動(dòng)溝道區(qū)“CH”的中心圓周。因此，電流可以沿驅(qū)動(dòng)源極240和驅(qū)動(dòng)漏極242之間的環(huán)形的徑向流動(dòng)。結(jié)果，對(duì)于傳送高驅(qū)動(dòng)電流而言，驅(qū)動(dòng)溝道區(qū)“CH”的寬度“W”和W/L比足夠高。此外，由于電連接圖案266形成在驅(qū)動(dòng)漏極242的上方，因此電連接圖案266獲得充足的區(qū)域。此外，因?yàn)檫B接圖案266設(shè)置在像素區(qū)域“P”的中心部分，因此由于分離器(未示出)引起的潛在的粘接惡化現(xiàn)象減少。
圖6A為在制造按照本發(fā)明另一實(shí)施例用于雙面板型有機(jī)電致發(fā)光器件的基板的過(guò)程中連接線和柵極形成的平面圖。圖7A為沿圖6A的“VII-VII”線提取的截面圖。參照?qǐng)D6A和7A，柵線214沿第一方向形成在第一基板210上。柵線214包括開(kāi)關(guān)柵極212。同時(shí)，連接線216和具有環(huán)形的驅(qū)動(dòng)電極218形成在第一基板210上。連接線216沿垂直于第一方向的第二方向設(shè)置。驅(qū)動(dòng)?xùn)艠O218在其中心部分具有開(kāi)口部分217。在本發(fā)明的實(shí)施例中，開(kāi)口部分217具有圓形。在本發(fā)明的另一實(shí)施例中，開(kāi)口部分217可以具有橢圓形。
圖6B為在制造按照本發(fā)明另一實(shí)施例用于雙面板型有機(jī)電致發(fā)光器件的基板的過(guò)程中開(kāi)關(guān)半導(dǎo)體層和驅(qū)動(dòng)半導(dǎo)體層形成的平面圖。圖7B為沿圖6B中的“VII-VII”線提取的截面圖。參照?qǐng)D6B和7B，柵絕緣層220形成在包括柵線214的基板210上。本征半導(dǎo)體材料和摻雜半導(dǎo)體材料順序沉積在柵絕緣層220上。然后，開(kāi)關(guān)半導(dǎo)體層222和驅(qū)動(dòng)半導(dǎo)體層224形成在柵絕緣層220上。開(kāi)關(guān)半導(dǎo)體層222和驅(qū)動(dòng)半導(dǎo)體層224分別對(duì)應(yīng)于開(kāi)關(guān)柵極212和驅(qū)動(dòng)?xùn)艠O218。例如，開(kāi)關(guān)半導(dǎo)體層222和驅(qū)動(dòng)半導(dǎo)體層224可以包括非晶硅和微晶硅之一。
圖6C為在制造按照本發(fā)明另一實(shí)施例用于雙面板型有機(jī)電致發(fā)光器件的基板的過(guò)程中接觸孔形成的平面圖。圖7C為沿圖6C中的“VII-VII”線提取的截面圖。參照?qǐng)D6C和7C，第一接觸孔230形成在柵絕緣層220中。第一接觸孔230通過(guò)柵絕緣層220暴露出部分連接線216。如圖6C所示，第一接觸孔230可以設(shè)置在開(kāi)關(guān)柵極212和柵線214的交叉點(diǎn)附近。
圖6D為在制造按照本發(fā)明另一實(shí)施例用于雙面板型有機(jī)電致發(fā)光器件的基板的過(guò)程中開(kāi)關(guān)和驅(qū)動(dòng)電極形成的平面圖。圖7D為沿圖6D中的“VII-VII”線提取的截面圖。參照?qǐng)D6D和7D，數(shù)據(jù)線232沿第二方向形成在包括柵絕緣層220的基板210上。數(shù)據(jù)線232包括開(kāi)關(guān)源極234。開(kāi)關(guān)源極234與開(kāi)關(guān)柵極212重疊。此外，開(kāi)關(guān)漏極236、第一電容電極238、驅(qū)動(dòng)源極240和驅(qū)動(dòng)漏極242同時(shí)形成。與開(kāi)關(guān)源極234分隔開(kāi)的開(kāi)關(guān)漏極236與開(kāi)關(guān)柵極212重疊并通過(guò)第一接觸孔230連接到連接線216。第一電容電極238從開(kāi)關(guān)漏極236延伸出。
具有環(huán)形的驅(qū)動(dòng)源極240和具有圓形的驅(qū)動(dòng)漏極242分別與驅(qū)動(dòng)?xùn)艠O218的外邊緣部分和驅(qū)動(dòng)?xùn)艠O218的內(nèi)邊緣部分重疊。驅(qū)動(dòng)漏極242設(shè)置在開(kāi)口部分217中。從而，驅(qū)動(dòng)漏極242覆蓋開(kāi)口部分217中的部分柵絕緣圖案。更具體地，驅(qū)動(dòng)源極240具有伸出圖案“EP”，用于在隨后的工序中與電源電極形成電接觸。盡管伸出圖案“EP”在圖6D中示出具有矩形，但是伸出圖案“EP”在本發(fā)明的其它實(shí)施例中可以具有其它形狀。
如圖7D所示，驅(qū)動(dòng)半導(dǎo)體層224包括包含本征半導(dǎo)體材料的驅(qū)動(dòng)有源層224a和包含摻雜半導(dǎo)體材料的驅(qū)動(dòng)歐姆接觸層224b。盡管未在圖6D和7D中示出，開(kāi)關(guān)半導(dǎo)體層222也包括包含本征半導(dǎo)體材料的開(kāi)關(guān)有源層和包含摻雜半導(dǎo)體材料的開(kāi)關(guān)歐姆接觸層。本征半導(dǎo)體材料通過(guò)去除摻雜半導(dǎo)體材料在開(kāi)關(guān)源極212和開(kāi)關(guān)漏極236之間暴露出，由此構(gòu)成開(kāi)關(guān)溝道區(qū)“ch”。類似地，本征半導(dǎo)體材料在驅(qū)動(dòng)源極240和驅(qū)動(dòng)漏極242之間暴露出，由此構(gòu)成驅(qū)動(dòng)溝道區(qū)“CH”。
開(kāi)關(guān)柵極212、開(kāi)關(guān)半導(dǎo)體層222、開(kāi)關(guān)源極234和開(kāi)關(guān)漏極236形成開(kāi)關(guān)薄膜晶體管(TFT)“Ts”。驅(qū)動(dòng)?xùn)艠O218、驅(qū)動(dòng)半導(dǎo)體層224、驅(qū)動(dòng)源極240和驅(qū)動(dòng)漏極242形成驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管(TFT)“Td”。驅(qū)動(dòng)溝道區(qū)“CH”的寬度“W”具有對(duì)應(yīng)于驅(qū)動(dòng)溝道區(qū)“CH”的中心圓周的環(huán)形。電流可以沿驅(qū)動(dòng)源極240和驅(qū)動(dòng)漏極242之間的環(huán)形的徑向流動(dòng)。因此，驅(qū)動(dòng)溝道區(qū)“CH”的寬度“W”和W/L比足夠高從而可以傳送高的驅(qū)動(dòng)電流。
圖6E為在制造按照本發(fā)明另一實(shí)施例用于雙面板型有機(jī)電致發(fā)光器件的基板的過(guò)程中第一鈍化層形成的平面圖。圖7E為沿圖6E中的“VII-VII”線提取的截面圖。參照?qǐng)D6E和7E，第一鈍化層246形成在開(kāi)關(guān)TFT“Ts”和驅(qū)動(dòng)TFT“Td”上。第一鈍化層還覆蓋開(kāi)口部分217中的驅(qū)動(dòng)漏極。第二接觸孔244設(shè)置為貫穿第一鈍化層246。第二接觸孔244暴露出部分驅(qū)動(dòng)源極240。
圖6F為在制造按照本發(fā)明另一實(shí)施例用于雙面板型有機(jī)電致發(fā)光器件的基板的過(guò)程中電源電極和電容電極形成的平面圖。圖7F為沿圖6F中的“VII-VII”線提取的截面圖。參照?qǐng)D6F和7F，具有電源電極248和第二電容電極250的電源線252沿第二方向形成在第一鈍化層246上。電源電極248通過(guò)第二接觸孔244連接到驅(qū)動(dòng)源極240。第二電容電極250與第一電容電極238重疊。第一和第二電容電極238和250形成具有其間插入部分第一鈍化層246的存儲(chǔ)電容“Cst”。
圖6G為在制造按照本發(fā)明另一實(shí)施例用于雙面板型有機(jī)電致發(fā)光器件的基板的過(guò)程中第二鈍化層形成的平面圖。圖7G為沿圖6G中的“VII-VII”線提取的截面圖。參照?qǐng)D6G和7G，第二鈍化層256形成在包括電源線252和第一鈍化層242的基板上。第三接觸孔254a和第四接觸孔254b設(shè)置為貫穿第二鈍化層256。第三接觸孔254a和第四接觸孔254b通過(guò)第一鈍化層246暴露出部分驅(qū)動(dòng)漏極242。第三和第四接觸孔254a和254b設(shè)置在開(kāi)口部分217中。
圖6H為在制造按照本發(fā)明另一實(shí)施例用于雙面板型有機(jī)電致發(fā)光器件的基板的過(guò)程中突起圖案形成的平面圖。圖7H為沿圖6H中的“VII-VII”線提取的截面圖。參照?qǐng)D6H和7H，突起圖案258形成在第三接觸孔254a和第四接觸孔254b之間的第二鈍化層256上。
圖6I為在制造按照本發(fā)明另一實(shí)施例用于雙面板型有機(jī)電致發(fā)光器件的基板的過(guò)程中電連接圖案形成的平面圖。圖7I為沿圖6I中的“VII-VII”線提取的截面圖。參照?qǐng)D6I和圖7I，連接電極262形成在突起圖案258上。連接電極262通過(guò)第三和第四接觸孔254a和254b連接到驅(qū)動(dòng)漏極242。連接電極262可以完全覆蓋突起圖案258以構(gòu)成具有突起圖案258的電連接圖案。
圖8為按照本發(fā)明另一實(shí)施例用于雙面板型有機(jī)電致發(fā)光器件的示例性驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管的平面圖。參照?qǐng)D8，環(huán)形柵極318形成在基板上。因此，柵極318具有圓形開(kāi)口部分317。半導(dǎo)體層324形成在柵極318的上方。此外，環(huán)形源極340和圓形漏極342形成在半導(dǎo)體層324上。
源極340與柵極318的外邊緣重疊。設(shè)置在開(kāi)口部分317中的漏極342與柵極318的內(nèi)邊緣重疊。在源極和漏極340和342之間暴露出的半導(dǎo)體層324形成溝道區(qū)“CH”。源極340和漏極342可以具有暴露出半導(dǎo)體層324末端部分的凹形部分“CP”。在凹形部分“CP”中，由于源極和漏極340和342不與半導(dǎo)體層324重疊，因此在半導(dǎo)體層324中不產(chǎn)生用于電流通路的溝道。因此，溝道區(qū)“CH”可以由凹形部分“CP”劃分為四個(gè)子區(qū)域。
例如，源極340和漏極342可以具有四個(gè)凹形部分“CP”。驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管(TFT)可以包括彼此連接并平行于柵極318的第一到第四TFT“TFT1”到“TFT4”。由于通過(guò)第一到第四TFT“TFT1”到“TFT4”的電流總和對(duì)應(yīng)于有機(jī)電致發(fā)光二極管(未示出)的驅(qū)動(dòng)電流，因此與現(xiàn)有技術(shù)的結(jié)構(gòu)相比，驅(qū)動(dòng)電流增加。此外，由于第一到第四TFT“TFT1”到“TFT4”平行于柵極318彼此連接，因此總的電應(yīng)力均勻地分散在第一到第四TFT“TFT1”到“TFT4”中，驅(qū)動(dòng)TFT的穩(wěn)定性得到提高。盡管示出驅(qū)動(dòng)TFT包括平行的四個(gè)TFT，但是驅(qū)動(dòng)TFT中包含的TFT數(shù)目在本發(fā)明的其他實(shí)施例中可以改變。
圖9為按照本發(fā)明另一實(shí)施例用于雙面板型有機(jī)電致發(fā)光器件的示例性驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管的平面圖。參照?qǐng)D9，具有彎曲“W”形的柵極418形成在基板上。柵極418包括第一凹形部分417a和第二凹形部分417b。第一凹形部分417a和第二凹形部分417b中每一個(gè)的形狀為半圓。半導(dǎo)體層424形成在柵極418的上方。
具有彎曲“W”形的源極440和第一和第二漏極442a和442b形成在半導(dǎo)體層424上。第一和第二漏極442a和442b中每一個(gè)的形狀為半圓。第一和第二漏極442a和442b分別與第一和第二凹形部分417a和471b中柵極418的內(nèi)邊緣部分重疊。源極440與內(nèi)邊緣部分相對(duì)的柵極418的外邊緣部分重疊。在第一漏極442a和源極440之間暴露出的半導(dǎo)體層424構(gòu)成具有“U”形和半環(huán)形的第一溝道區(qū)“CH1”。在第二漏極442b和源極440之間暴露出的半導(dǎo)體層424構(gòu)成具有“U”形和半環(huán)形的第二溝道區(qū)“CH2”。因此，柵極418、半導(dǎo)體層424、源極440和第一漏極442a形成包括第一溝道區(qū)“CH1”的第一薄膜晶體管(TFT)“T1”。柵極418、半導(dǎo)體層424、源極440和第二漏極442b形成包括第二溝道區(qū)“CH2”的第二薄膜晶體管(TFT)“T2”。結(jié)果，有機(jī)電致發(fā)光二極管(未示出)的驅(qū)動(dòng)TFT“Td”可以包括平行于柵極418彼此連接的第一和第二TFT“T1”和“T2”。
突起圖案458可以形成在第一漏極442a的上方，連接電極462可以形成在突起圖案458的上方。連接電極462可以完全覆蓋突起圖案458并且可以通過(guò)第一和第二接觸孔454a和454b連接到第一漏極442a。因此，突起圖案458和連接電極462形成電連接圖案466。盡管圖9中電連接圖案466形成在第一漏極442a的上方，但是在本發(fā)明的其它實(shí)施例中，電連接圖案466可以設(shè)置在第二漏極442b的上方或者設(shè)置在第一和第二漏極442a和442b的上方。此外，在本發(fā)明的其它實(shí)施例中，柵極可以包括多于兩個(gè)的凹形部分。
盡管未在圖9中示出，驅(qū)動(dòng)TFT的溝道區(qū)的寬度對(duì)應(yīng)于源極440和漏極442a和442b之間的兩個(gè)中心半圓周之和。盡管未示出，驅(qū)動(dòng)TFT的溝道區(qū)的長(zhǎng)度對(duì)應(yīng)于源極440和漏極442a和442b之間的距離。因此，電流可以沿源極440和漏極442a和442b之間兩個(gè)中心半圓的徑向流動(dòng)。結(jié)果，驅(qū)動(dòng)TFT的寬度“W”和W/L比足夠高從而可以傳送高驅(qū)動(dòng)電流。
按照本發(fā)明的實(shí)施例，雙面板型有機(jī)電致發(fā)光器件具有若干優(yōu)點(diǎn)。首先，由于陣列圖案和有機(jī)EL二極管形成在各自的基板上，因此產(chǎn)量和制造管理效率得到提高。有機(jī)EL器件的使用壽命也延長(zhǎng)。第二，由于ELD為頂部發(fā)射型，因此薄膜晶體管容易設(shè)計(jì)，并且可以不考慮下面的陣列圖案，得到高分辨率和高孔徑比。第三，由于電連接圖案形成在薄膜晶體管區(qū)域中，因此防止了由于分離器引起的電連接圖案的損壞，提高了產(chǎn)量。此外，由于環(huán)形的薄膜晶體管，驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管的性能得到提高。
對(duì)本領(lǐng)域的技術(shù)人員顯而易見(jiàn)的是，多種變形和變化可以在本發(fā)明的雙板型有機(jī)電致發(fā)光器件和其制造方法中得到，只要不偏離本發(fā)明的精神和范圍。因此，本發(fā)明覆蓋這些變形和變化，只要它們?cè)谒綑?quán)利要求和其等同物的范圍內(nèi)。
權(quán)利要求
1.一種有機(jī)電致發(fā)光器件，包括彼此面對(duì)且相互分隔開(kāi)的第一和第二基板；在所述第一基板內(nèi)表面上的柵線；與所述柵線交叉且彼此分隔開(kāi)的數(shù)據(jù)線和電源線；連接到所述柵線和數(shù)據(jù)線的開(kāi)關(guān)薄膜晶體管；連接到所述開(kāi)關(guān)薄膜晶體管和電源線的驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管，該驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管包括具有環(huán)形的溝道區(qū)；連接到所述驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管的電連接圖案，該連接圖案設(shè)置在所述驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管的上方；以及在第二基板內(nèi)表面上的有機(jī)電致發(fā)光二極管，該有機(jī)電致發(fā)光二極管連接到電連接圖案。
2.根據(jù)權(quán)利要求1的有機(jī)電致發(fā)光器件，其特征在于，所述溝道區(qū)的寬度對(duì)應(yīng)于所述環(huán)形的中心圓周，其長(zhǎng)度對(duì)應(yīng)于所述環(huán)形的寬度。
3.根據(jù)權(quán)利要求1的有機(jī)電致發(fā)光器件，其特征在于，電流沿所述溝道區(qū)中環(huán)形的徑向流動(dòng)。
4.根據(jù)權(quán)利要求1的有機(jī)電致發(fā)光器件，其特征在于，所述驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管包括具有環(huán)形的驅(qū)動(dòng)?xùn)艠O，在其中心部分具有開(kāi)口部分；在所述驅(qū)動(dòng)?xùn)艠O上方的驅(qū)動(dòng)半導(dǎo)體層；以及在所述驅(qū)動(dòng)半導(dǎo)體層上的驅(qū)動(dòng)源極和驅(qū)動(dòng)漏極，所述驅(qū)動(dòng)源極具有環(huán)形并與所述驅(qū)動(dòng)?xùn)艠O的外邊緣部分重疊，所述驅(qū)動(dòng)漏極在開(kāi)口部分中具有圓形并與所述驅(qū)動(dòng)?xùn)艠O的內(nèi)邊緣部分重疊。
5.根據(jù)權(quán)利要求4的有機(jī)電致發(fā)光器件，其特征在于，所述驅(qū)動(dòng)源極包括至少一源極凹形部分，所述驅(qū)動(dòng)漏極包括至少一漏極凹形部分，所述至少一源極凹形部分和至少一漏極凹形部分彼此面對(duì)且暴露出所述驅(qū)動(dòng)?xùn)艠O的末端部分。
6.根據(jù)權(quán)利要求1的有機(jī)電致發(fā)光器件，其特征在于，所述開(kāi)關(guān)薄膜晶體管包括開(kāi)關(guān)柵極、開(kāi)關(guān)柵極上方的開(kāi)關(guān)半導(dǎo)體層、開(kāi)關(guān)半導(dǎo)體層上的開(kāi)關(guān)源極和開(kāi)關(guān)半導(dǎo)體層上的開(kāi)關(guān)漏極，所述驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管包括驅(qū)動(dòng)?xùn)艠O、驅(qū)動(dòng)?xùn)艠O上方的驅(qū)動(dòng)半導(dǎo)體層、驅(qū)動(dòng)半導(dǎo)體層上的驅(qū)動(dòng)源極和驅(qū)動(dòng)半導(dǎo)體層上的驅(qū)動(dòng)漏極。
7.根據(jù)權(quán)利要求6的有機(jī)電致發(fā)光器件，其特征在于，所述開(kāi)關(guān)半導(dǎo)體層和驅(qū)動(dòng)半導(dǎo)體層包括非晶硅和微晶硅之一。
8.根據(jù)權(quán)利要求6的有機(jī)電致發(fā)光器件，其特征在于，所述電連接圖案接觸驅(qū)動(dòng)漏極和有機(jī)電致發(fā)光二極管。
9.根據(jù)權(quán)利要求1的有機(jī)電致發(fā)光器件，其特征在于，所述電連接圖案包括從第一基板延伸到第二基板的突起圖案和覆蓋該突起圖案的連接電極。
10.根據(jù)權(quán)利要求1的有機(jī)電致發(fā)光器件，其特征在于，所述溝道區(qū)具有橢圓環(huán)形形狀。
11.根據(jù)權(quán)利要求1的有機(jī)電致發(fā)光器件，其特征在于，所述電連接圖案設(shè)置在所述環(huán)形的中心部分的上方。
12.一種有機(jī)電致發(fā)光器件，包括彼此面對(duì)且相互分隔開(kāi)的第一和第二基板；在所述第一基板內(nèi)表面上的柵線；與所述柵線交叉且彼此分隔開(kāi)的數(shù)據(jù)線和電源線；連接到所述柵線和數(shù)據(jù)線的開(kāi)關(guān)薄膜晶體管；連接到所述開(kāi)關(guān)薄膜晶體管和電源線的驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管，該驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管具有包括至少兩個(gè)半環(huán)形的溝道區(qū)；連接到所述驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管的電連接圖案，該連接圖案設(shè)置在所述驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管的上方；以及在所述第二基板內(nèi)表面上的有機(jī)電致發(fā)光二極管，該有機(jī)電致發(fā)光二極管連接到所述電連接圖案。
13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的有機(jī)電致發(fā)光器件，其特征在于，所述溝道區(qū)的寬度對(duì)應(yīng)于所述至少兩個(gè)半環(huán)形的中心半圓的圓周之和，其長(zhǎng)度對(duì)應(yīng)于所述至少兩個(gè)半環(huán)形的寬度。
14.根據(jù)權(quán)利要求12的有機(jī)電致發(fā)光器件，其特征在于，電流沿所述溝道區(qū)中至少兩個(gè)半環(huán)形的徑向流動(dòng)。
15.根據(jù)權(quán)利要求12的有機(jī)電致發(fā)光器件，其特征在于，所述驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管包括由具有至少兩個(gè)凹形部分的至少兩個(gè)半環(huán)形構(gòu)成的驅(qū)動(dòng)?xùn)艠O；在所述驅(qū)動(dòng)?xùn)艠O上方的驅(qū)動(dòng)半導(dǎo)體層；以及在驅(qū)動(dòng)半導(dǎo)體層上的驅(qū)動(dòng)源極和至少兩個(gè)驅(qū)動(dòng)漏極，所述驅(qū)動(dòng)源極具有至少兩個(gè)半環(huán)形并與所述驅(qū)動(dòng)?xùn)艠O的外邊緣部分重疊，所述至少兩個(gè)驅(qū)動(dòng)漏極中的每一個(gè)在所述至少兩個(gè)凹形部分中具有半圓形并與所述驅(qū)動(dòng)?xùn)艠O的內(nèi)邊緣部分重疊。
16.根據(jù)權(quán)利要求12的有機(jī)電致發(fā)光器件，其特征在于，所述開(kāi)關(guān)薄膜晶體管包括開(kāi)關(guān)柵極、開(kāi)關(guān)柵極上方的開(kāi)關(guān)半導(dǎo)體層、開(kāi)關(guān)半導(dǎo)體層上的開(kāi)關(guān)源極和開(kāi)關(guān)半導(dǎo)體層上的開(kāi)關(guān)漏極，所述驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管包括驅(qū)動(dòng)?xùn)艠O、驅(qū)動(dòng)?xùn)艠O上方的驅(qū)動(dòng)半導(dǎo)體層、驅(qū)動(dòng)半導(dǎo)體層上的驅(qū)動(dòng)源極和驅(qū)動(dòng)半導(dǎo)體層上的驅(qū)動(dòng)漏極。
17.根據(jù)權(quán)利要求16的有機(jī)電致發(fā)光器件，其特征在于，所述開(kāi)關(guān)半導(dǎo)體層和驅(qū)動(dòng)半導(dǎo)體層包括非晶硅和微晶硅之一。
18.根據(jù)權(quán)利要求16的有機(jī)電致發(fā)光器件，其特征在于，所述電連接圖案接觸所述驅(qū)動(dòng)漏極和有機(jī)電致發(fā)光二極管。
19.根據(jù)權(quán)利要求12的有機(jī)電致發(fā)光器件，其特征在于，所述電連接圖案包括從所述第一基板延伸到第二基板的突起圖案和覆蓋該突起圖案的連接電極。
20.根據(jù)權(quán)利要求12的有機(jī)電致發(fā)光器件，其特征在于，所述溝道區(qū)包括至少兩個(gè)橢圓半環(huán)形。
21.根據(jù)權(quán)利要求12的有機(jī)電致發(fā)光器件，其特征在于，所述電連接圖案設(shè)置在所述至少兩個(gè)半環(huán)形的至少兩個(gè)中心部分之一的上方。
22.一種有機(jī)電致發(fā)光器件的制造方法，包括在第一基板上形成柵線；形成與所述柵線交叉的數(shù)據(jù)線；形成與所述數(shù)據(jù)線分隔開(kāi)的電源線；形成連接到所述柵線和數(shù)據(jù)線的開(kāi)關(guān)薄膜晶體管；形成連接到所述開(kāi)關(guān)薄膜晶體管和電源線的驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管，該驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管包括具有環(huán)形的溝道區(qū)；在第二基板上形成有機(jī)電致發(fā)光二極管；在所述驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管和有機(jī)電致發(fā)光二極管之一的上方形成電連接圖案；和粘接所述第一和第二基板使得所述電連接圖案電連接所述驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管和有機(jī)電致發(fā)光二極管。
23.根據(jù)權(quán)利要求22的方法，其特征在于，所述形成驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管包括在所述第一基板上形成具有環(huán)形的驅(qū)動(dòng)?xùn)艠O，該驅(qū)動(dòng)?xùn)艠O在其中心部分具有開(kāi)口部分；在所述驅(qū)動(dòng)?xùn)艠O上方形成驅(qū)動(dòng)半導(dǎo)體層；以及在所述驅(qū)動(dòng)半導(dǎo)體層上形成驅(qū)動(dòng)源極和驅(qū)動(dòng)漏極，所述驅(qū)動(dòng)源極具有環(huán)形并與所述驅(qū)動(dòng)?xùn)艠O的外邊緣部分重疊，所述驅(qū)動(dòng)漏極在所述開(kāi)口部分中具有圓形并與所述驅(qū)動(dòng)?xùn)艠O的內(nèi)邊緣部分重疊。
24.根據(jù)權(quán)利要求23的方法，其特征在于，所述形成電連接圖案包括形成覆蓋所述驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管的鈍化層，該鈍化層具有暴露出部分所述驅(qū)動(dòng)漏極的漏極接觸孔；在所述驅(qū)動(dòng)漏極上方的鈍化層上形成突起圖案；以及形成覆蓋所述突起圖案并通過(guò)所述漏極接觸孔連接到所述驅(qū)動(dòng)漏極的連接電極。
25.根據(jù)權(quán)利要求24的方法，其特征在于，所述漏極接觸孔包括在所述突起圖案兩側(cè)的第一和第二接觸孔。
26.根據(jù)權(quán)利要求23的方法，其特征在于，所述驅(qū)動(dòng)源極包括至少一源極凹形部分，所述驅(qū)動(dòng)漏極包括至少一漏極凹形部分，所述至少一源極凹形部分和至少一漏極凹形部分彼此面對(duì)并且暴露出所述驅(qū)動(dòng)?xùn)艠O的末端部分。
27.根據(jù)權(quán)利要求22的方法，其特征在于，所述形成有機(jī)電致發(fā)光二極管包括在所述第二基板上形成第一電極；在所述第一電極上形成具有錐形形狀的分離器；以及在所述第一電極上順序形成有機(jī)發(fā)光層和第二電極。
28.一種有機(jī)電致發(fā)光器件的制造方法，包括在第一基板上形成柵線；形成與所述柵線交叉的數(shù)據(jù)線；形成與所述數(shù)據(jù)線分隔開(kāi)的電源線；形成連接到所述柵線和數(shù)據(jù)線的開(kāi)關(guān)薄膜晶體管；形成連接到所述開(kāi)關(guān)薄膜晶體管和電源線的驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管，該驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管具有包括至少兩個(gè)半環(huán)形的溝道區(qū)；在第二基板上形成有機(jī)電致發(fā)光二極管；在所述驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管和有機(jī)電致發(fā)光二極管之一的上方形成電連接圖案；以及粘接所述第一和第二基板使得所述電連接圖案電連接所述驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管和有機(jī)電致發(fā)光二極管。
29.根據(jù)權(quán)利要求28的方法，其中形成驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管包括形成包括至少兩個(gè)具有至少兩個(gè)凹形部分的半環(huán)形的驅(qū)動(dòng)?xùn)艠O；在所述驅(qū)動(dòng)?xùn)艠O上方形成驅(qū)動(dòng)半導(dǎo)體層；以及在所述驅(qū)動(dòng)半導(dǎo)體層上形成驅(qū)動(dòng)源極和至少兩個(gè)驅(qū)動(dòng)漏極，所述驅(qū)動(dòng)源極具有至少兩個(gè)半環(huán)形并與所述驅(qū)動(dòng)?xùn)艠O的外邊緣部分重疊，所述至少兩個(gè)驅(qū)動(dòng)漏極中的每一個(gè)在所述至少兩個(gè)凹形部分中具有半圓形并與所述驅(qū)動(dòng)?xùn)艠O的內(nèi)邊緣部分重疊。
30.根據(jù)權(quán)利要求28的方法，其特征在于，所述形成電連接圖案包括形成覆蓋所述驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管的鈍化層，該鈍化層具有暴露出部分驅(qū)動(dòng)漏極的漏極接觸孔；在所述驅(qū)動(dòng)漏極上方的鈍化層上形成突起圖案；以及形成覆蓋所述突起圖案并通過(guò)所述漏極接觸孔連接到所述驅(qū)動(dòng)漏極的連接電極。
31.根據(jù)權(quán)利要求30的方法，其特征在于，所述漏極接觸孔包括所述突起圖案兩側(cè)的第一和第二接觸孔。
32.根據(jù)權(quán)利要求28的方法，其特征在于，所述形成有機(jī)電致發(fā)光二極管包括在第二基板上形成第一電極；在所述第一電極上形成具有錐形形狀的分離器；以及在所述第一電極上順序形成有機(jī)發(fā)光層和第二電極。
全文摘要
本發(fā)明公開(kāi)了一種有機(jī)電致發(fā)光器件，該器件包括彼此面對(duì)且相互分隔開(kāi)的第一和第二基板；在第一基板內(nèi)表面上的柵線；與柵線交叉且彼此分隔開(kāi)的數(shù)據(jù)線和電源線；連接到柵線和數(shù)據(jù)線的開(kāi)關(guān)薄膜晶體管；連接到開(kāi)關(guān)薄膜晶體管和電源線的驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管，該驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管包括具有環(huán)形的溝道區(qū)；連接到驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管的電連接圖案，該連接圖案設(shè)置在驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管的上方；和第二基板內(nèi)表面上的有機(jī)電致發(fā)光二極管，該有機(jī)電致發(fā)光二極管連接到電連接圖案。
文檔編號(hào)H01J63/04GK1638541SQ20041010255
公開(kāi)日2005年7月13日 申請(qǐng)日期2004年12月24日 優(yōu)先權(quán)日2003年12月26日
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