專利名稱：具有改進(jìn)的保護(hù)層的等離子顯示板的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種等離子顯示板(以下稱為″PDP″)，尤其涉及一種具有改進(jìn)的保護(hù)層的PDP。
背景技術(shù)：
PDP是一種使用氣體放電期間產(chǎn)生的從等離子發(fā)出的光，以顯示字符和圖形的顯示裝置。預(yù)定電壓施加到裝配在該P(yáng)DP放電區(qū)域中的兩個不同類型的電極上，從而在電極之間產(chǎn)生等離子放電；并且，等離子放電期間產(chǎn)生的紫外線激發(fā)放電單元表面上以預(yù)定圖案形成的磷光層，由此產(chǎn)生圖像的顯示。
幾種不同種類的PDP包括AC PDP、DC PDP、以及混合PDP。圖8是傳統(tǒng)AC型PDP放電單元的部分分解透視圖。參考圖8，傳統(tǒng)PDP 100包括下基板111和在下基板111上形成的各種元件，以及上基板113和其上形成的各種元件。對于下基板111來說，在下基板111相對于上基板113的表面上形成多個地址電極115。在下基板111上形成介電層119，覆蓋所述地址電極111，并且在介電層119上形成多個阻擋肋123。阻擋肋123保持放電距離且防止串?dāng)_。在阻擋肋123暴露的內(nèi)表面上形成磷光層125。
上基板113相對于下基板111設(shè)置，其間具有預(yù)定的間隙。在上基板113相對于下基板111的表面上形成多個放電維持電極117。放電維持電極117的長軸基本垂直于地址電極115的長軸。此外，在上基板113上形成介電層121，覆蓋所述放電維持電極117，并且在介電層121上形成保護(hù)層127。MgO通常用于保護(hù)層127。MgO不僅是透明的以允許可見光輕易地透過其傳送，而且具有極好的介電層保護(hù)和二次電子發(fā)射特性。
MgO保護(hù)層是薄的透明層，其具有濺射電阻(sputtering resistance)特性，由此使放電期間的放電氣體離子轟擊的影響最小化，所述放電產(chǎn)生于PDP工作期間。因而，MgO保護(hù)層保護(hù)介電層不受離子碰撞，且起到通過二次電子發(fā)射降低放電電壓的作用。MgO保護(hù)層覆蓋PDP的介電層，同時形成為3000-7000的厚度。
可以采用多種方法形成MgO保護(hù)層，比如濺射、電子束淀積、IBAD(離子束輔助淀積)、CVD(化學(xué)汽相淀積)和溶膠-凝膠法(sol-gel method)。也采用一種相對較新的方法，稱為離子電鍍法(ion plating)。
在電子束淀積中，由電場和磁場加速的電子束沖擊MgO淀積材料，以使所述淀積材料加熱和蒸發(fā)。通過這種工藝形成MgO保護(hù)層。濺射法允許制造這樣的保護(hù)層，其可以更加密集地形成，并且與采用電子束淀積形成的保護(hù)層相比，其更容易形成結(jié)晶取向。然而，在使用濺射法時，保護(hù)層的單位成本較高。同樣，可以從溶膠-凝膠法中的液體來產(chǎn)生MgO保護(hù)層。
離子電鍍法已經(jīng)發(fā)展成為上述各種形成MgO保護(hù)層方法的替代方法。在離子電鍍法中，電離蒸發(fā)粒子以形成層。雖然采用離子電鍍法形成的MgO保護(hù)層的粘附性和結(jié)晶度與采用濺射法產(chǎn)生的MgO保護(hù)層相類似，但是離子電鍍法具有實(shí)現(xiàn)約8nm/s的高淀積速度的優(yōu)點(diǎn)。
也可以使用單晶MgO或燒結(jié)MgO(sintered MgO)。在使用單晶MgO的情況下，作為為產(chǎn)生淀積而在熔化期間由冷卻速度引起的固溶體限制中差異的結(jié)果，很難控制特定摻雜劑的合適數(shù)量。因此，通過離子電鍍法來制造MgO保護(hù)層，該離子電鍍法采用的是已經(jīng)添加了合適數(shù)量的特定摻雜劑的燒結(jié)MgO。
因?yàn)镸gO保護(hù)層接觸放電氣體，包含在該保護(hù)層中的元件和層特性會很大地影響放電特性。MgO保護(hù)層特性在很大程度上取決于淀積期間它的元件和層的形成條件。因此，存在一種迫切的需要以生產(chǎn)出這樣的MgO保護(hù)層結(jié)構(gòu)，其通過發(fā)展能改善預(yù)期層特性的最佳保護(hù)層淀積條件，來提高PDP的顯示品質(zhì)。

發(fā)明內(nèi)容
在本發(fā)明的一個示例性實(shí)施例中，等離子顯示板包括改善了材料性質(zhì)和操作特性的MgO保護(hù)層。在本發(fā)明的另一示例性實(shí)施例中，等離子顯示板包括改善了MgO保護(hù)層操作特性的MgO保護(hù)層的最佳結(jié)晶取向平面。
在一個示例性實(shí)施例中，PDP包括其間具有預(yù)定間距且彼此相對的第一基板和第二基板。該P(yáng)DP還包括在與第二基板相對的第一基板表面上形成的第一電極，和在與第一基板相對的第二基板表面上形成的第二電極。第一電極的長軸與第二電極的長軸相交。該P(yáng)DP中還包括介電層。一個介電層形成為覆蓋第一基板上的第一電極，另一介電層形成為覆蓋第二基板上的第二電極。PDP進(jìn)一步包括MgO保護(hù)層，其形成為覆蓋第一基板上的介電層。通過混合(111)平面和(110)平面來最佳化MgO保護(hù)層的結(jié)晶取向平面。另外，可以根據(jù)MgO保護(hù)層的晶粒(grain)尺寸確定(111)平面和(110)平面的混合比。
在本發(fā)明的一個示例性實(shí)施例中，如果MgO保護(hù)層的晶粒尺寸在約50nm至約100nm的范圍內(nèi)，(111)平面和(110)平面可以按照(5.5-6.5)∶(3.5-4.5)的比率混合。
在本發(fā)明的另一示例性實(shí)施例中，如果MgO保護(hù)層的晶粒尺寸為約100nm至約150nm，(111)平面和(110)平面按照(4.5-5.5)∶(4.5-5.5)的比率混和。
在本發(fā)明的另一示例性實(shí)施例中，如果MgO保護(hù)層的晶粒尺寸在約150nm至約200nm的范圍內(nèi)，(111)平面和(110)平面可以按照(3.0-4.0)∶(6.0-7.0)的比率混和。
在本發(fā)明的又一示例性實(shí)施例中，如果MgO保護(hù)層的晶粒尺寸在約200nm至約250nm的范圍內(nèi)，(111)平面和(110)平面可以按照(2.5-3.5)∶(6.5-7.5)的比率混和。
在本發(fā)明的另一示例性實(shí)施例中，如果MgO保護(hù)層的晶粒尺寸在約250nm至約350nm的范圍內(nèi)，(111)平面和(110)平面可以按照(1.5-2.5)∶(7.5-8.5)的比率混合。
優(yōu)選地，MgO保護(hù)層具有柱狀晶體結(jié)構(gòu)。
此外，通過分別控制氫和氧的分壓比(partial pressure ratio)來設(shè)置MgO保護(hù)層的晶粒尺寸。


附圖與說明書一起用于說明本發(fā)明的示例性實(shí)施例，并且與說明書一起用來解釋本發(fā)明的原理。
圖1是根據(jù)本發(fā)明一個示例性實(shí)施例的PDP上基板的透視圖；圖2是根據(jù)本發(fā)明一個示例性實(shí)施例的MgO淀積工藝的示意圖；圖3是根據(jù)本發(fā)明第一實(shí)施例的MgO保護(hù)層表面的照片，其中使用掃描電子顯微鏡(以下簡稱“SEM”)拍攝該照片；圖4是根據(jù)本發(fā)明第二實(shí)施例的MgO保護(hù)層表面的照片，其中使用SEM拍攝該照片；圖5是根據(jù)本發(fā)明第三實(shí)施例的MgO保護(hù)層表面的照片，其中使用SEM拍攝該照片；圖6是根據(jù)本發(fā)明第四實(shí)施例的MgO保護(hù)層表面的照片，其中使用SEM拍攝該照片；圖7是根據(jù)本發(fā)明第五實(shí)施例的MgO保護(hù)層表面的照片，其中使用SEM拍攝該照片；圖8是傳統(tǒng)AC型PDP放電單元的部分分解透視圖。
具體實(shí)施例方式
下面將參考附圖詳細(xì)描述本發(fā)明的示例性實(shí)施例。
圖1是根據(jù)本發(fā)明示例性實(shí)施例的等離子顯示板(PDP)上基板的透視圖。在圖1中，只留下PDP的上部以供觀看。
在圖1中，表示了上基板13和其上形成的元件。具體地，在該上基板13的一個表面上形成多個電極17、介電層21以及保護(hù)層27(按照這個順序)。為了更好的觀察，翻轉(zhuǎn)上基板13以便顯示其上形成這些元件的一側(cè)。雖然圖1中未顯示，在下基板相對于上基板13的表面上形成其長軸基本垂直于電極17長軸的多個不同的電極、覆蓋所述電極的介電層、以及在該介電層上形成的阻擋肋。在所述阻擋肋之間淀積磷光層。
沿著上基板和下基板的相對表面的邊緣淀積玻璃料(frit)，以封閉上基板和下基板。然后將諸如Ne或Xe的放電氣體注入到上基板和下基板之間，由此完成PDP。
在根據(jù)如上所述的本發(fā)明示例性實(shí)施例的PDP中，從電極接收驅(qū)動電壓，由此在電極之間產(chǎn)生尋址放電(address discharge)，并在介電層中形成壁充電(wall charge)。此外，在由尋址放電選定的放電單元中，通過交替施加到電極上的AC信號而在形成于上基板上的一對電極之間實(shí)現(xiàn)維持放電(sustain discharge)。因此，當(dāng)受到AC信號激發(fā)時，包含在具有一個或多個放電單元的放電區(qū)中的放電氣體產(chǎn)生紫外線。紫外線激發(fā)形成于各個放電單元表面上的磷光層的磷光體，由此產(chǎn)生圖像的顯示。
圖2是根據(jù)本發(fā)明的示例性實(shí)施例、采用MgO顆粒形成MgO保護(hù)層的工藝示意圖，表示了電子束淀積的一個實(shí)例，其中，在基板上順序形成電極和介電層之后，在基板上形成MgO保護(hù)層。
在根據(jù)本發(fā)明示例性實(shí)施例的工藝中，通過電場和磁場加速的電子束沖擊淀積材料，以加熱和蒸發(fā)所述淀積材料，由此形成保護(hù)層。電子束的能量集中在材料的表面上，由此產(chǎn)生高速且高純度的淀積。值得注意的是，圖2僅顯示了形成保護(hù)層的工藝的一個實(shí)例，本發(fā)明不限于所顯示和描述的工藝。
在圖2所示的MgO保護(hù)層27的層形成過程中，基板13在處理過程中通過滾軸35移動，從一點(diǎn)開始到另一點(diǎn)結(jié)束。在該圖中，基板13從左向右移動。基板13首先裝入到淀積室進(jìn)口23中。在淀積MgO保護(hù)層27之后，基板13移出到淀積室出口25。如果基板13存在任何問題，則基板13可以從淀積室進(jìn)口23卸出。由于在淀積室20中必須形成真空，因此設(shè)置真空泵(未顯示)，其從淀積室20中連續(xù)不斷地進(jìn)行空氣排空。同時，利用一對可以打開和關(guān)閉淀積室20的閘門(shutter)33，將淀積室20的內(nèi)部與其外部隔離。采用電子槍31以產(chǎn)生電場和磁場。電子槍31發(fā)出的電子束轟擊MgO顆粒24，其位于淀積室20的下部區(qū)域且用作淀積材料，從而在位于MgO顆粒24上方的基板13上淀積MgO。通過氫和氧的供應(yīng)來控制淀積室20的內(nèi)部氣氛(interior atmosphere)，以改變氫和氧的分壓比。由于MgO顆粒24會由于離子碰撞而過熱，因而提供冷卻裝置29，使得MgO保護(hù)層27在進(jìn)行冷卻操作時被淀積。
PDP中的保護(hù)層會接觸放電氣體。因此包含在保護(hù)層中的元件和層的特性會極大地影響放電特性。特別是，MgO保護(hù)層影響放電延遲時間。下面將描述放電延遲時間。驅(qū)動電壓通過掃描電極而被施加到PDP的時間稱為掃描時間。盡管放電發(fā)生在掃描時間期間內(nèi)，實(shí)際上，放電在施加驅(qū)動電壓的瞬間不會立即產(chǎn)生，而會延遲。這被稱為放電延遲時間。放電延遲時間分為形成延遲時間和統(tǒng)計延遲時間。
在本發(fā)明中，通過改變淀積條件來調(diào)整用于PDP的MgO保護(hù)層的結(jié)<p>所述的電子溫度計，其特征在于所述導(dǎo)線是固定于該金屬端部的內(nèi)壁。
所述的電子溫度計，其特征在于所述主體部分另包含一顯示溫度數(shù)值的顯示器。
所述的電子溫度計，其特征在于所述主體部分另包含一按鈕開關(guān)。
本發(fā)明的電子溫度計，其包含一金屬端部及一具有探頭的主體部分。鈍頭殼體狀的該金屬端部套合于該探頭前端，且該探頭設(shè)于該主體部分上。在該金屬端部前端內(nèi)部有一熱感測元件埋沒并固定于一導(dǎo)熱膠狀物，該金屬端部其余的內(nèi)部空間填充以絕熱性能好的材料。當(dāng)人體與該金屬端部接觸時，體溫會迅速加熱該金屬端部，并通過該導(dǎo)熱膠狀體將熱量傳遞至該熱感測元件，同時該絕熱材料會避免熱量的繼續(xù)傳遞。

圖1是一已知的電子溫度計的外觀圖；圖2是是圖1沿II-U剖面線的結(jié)構(gòu)示意圖；圖3是美國專利第6,419,388號揭示的金屬端部的結(jié)構(gòu)示意圖；圖4是本發(fā)明的電子溫度計的外觀圖；圖5(a)是圖4沿III-III剖面線的結(jié)構(gòu)示意圖；圖5(b)是本發(fā)明的金屬端部的另一結(jié)構(gòu)示意圖。
圖中元件符號說明

示例性實(shí)施例1MgO顆粒放置于MgO淀積室中，MgO淀積在其上已形成介電層的PDP上。所得MgO保護(hù)層形成的厚度約為7000。淀積室內(nèi)部的標(biāo)準(zhǔn)壓力設(shè)定為1×10-4Pa，并且，淀積期間的壓力設(shè)定為5.3×10-2Pa。同樣，當(dāng)以100sccm的速率供應(yīng)氧時，基板保持在200±5℃。電子束從電子槍中發(fā)射以淀積MgO保護(hù)層，該電子槍被設(shè)置在390mA的電流和-15kV的電壓。氫和氧的分壓比設(shè)置為約6∶1，MgO保護(hù)層的晶粒尺寸制成約250nm至約350nm。相應(yīng)地，在改變(111)平面與(110)平面的混合比時測量統(tǒng)計延遲時間。結(jié)果顯示在下面的表2中。


表2顯示的信息是示例性的，不應(yīng)該被理解為對本發(fā)明的限制。其他實(shí)施例可以使用其他的混合比和/或提供其他統(tǒng)計延遲時間。如表2所示，當(dāng)MgO保護(hù)層的晶粒尺寸在250nm到350nm且通過目測測定MgO保護(hù)層的(111)平面與(110)平面的比率約為2∶8時，統(tǒng)計延遲時間最短。通過更精確的測試測定，這些平面的比率的最佳范圍是1.5-2.5的(111)平面比7.5-8.5的(110)平面。
圖3是根據(jù)本發(fā)明示例性實(shí)施例1的MgO保護(hù)層表面的照片，其展現(xiàn)了采用SEM拍攝的MgO保護(hù)層的照片。在圖3所示的SEM照片中，類四邊形的形狀表示結(jié)晶取向平面中的(110)平面，而類三角形的形狀表示(111)平面。圖3是根據(jù)本發(fā)明示例性實(shí)施例1的SEM照片的局部視圖?？梢钥吹降氖?，示例性實(shí)施例1在保護(hù)層中主要產(chǎn)生形狀大致為四邊形的(110)平面。
示例性實(shí)施例2在這個實(shí)施例中，氫和氧的分壓比被調(diào)節(jié)到約3∶1，以產(chǎn)生具有200nm到250nm晶粒尺寸的MgO保護(hù)層。因此，設(shè)置(111)平面與(110)平面的混合比，并且測量統(tǒng)計延遲時間。結(jié)果顯示在下面的表3中。


表3顯示的信息是示例性的，不應(yīng)該被理解為對本發(fā)明的限制。其他實(shí)施例可以使用其他的混合比和/或提供其他的統(tǒng)計延遲時間。如表3所示，當(dāng)MgO保護(hù)層的晶粒尺寸為約200nm到約250nm且通過目測測定MgO保護(hù)層的(111)平面與(110)平面的比率約為3∶7時，統(tǒng)計延遲時間最短。通過更精確的測試測定，這些平面的比率的最佳范圍是2.5-3.5的(111)平面比6.5-7.5的(110)平面。
圖4是采用SEM拍攝的根據(jù)本發(fā)明示例性實(shí)施例2的MgO保護(hù)層表面的照片?？梢钥吹剑纠詫?shí)施例2在保護(hù)層中主要產(chǎn)生形狀大致為四邊形的(110)平面。
示例性實(shí)施例3氫和氧的分壓比調(diào)節(jié)到約2.5∶1，以產(chǎn)生晶粒尺寸大約為150nm到200nm的MgO保護(hù)層。為此，設(shè)置(111)平面與(110)的混合比，并測量統(tǒng)計延遲時間。結(jié)果顯示在下面的表4中。其余條件與實(shí)驗(yàn)性實(shí)施例1的相同。



表4顯示的信息是示例性的，不應(yīng)該被理解為對本發(fā)明的限制。其他的實(shí)施例可以使用其他的混合比和/或提供其他的統(tǒng)計延遲時間。如表4所示，當(dāng)MgO保護(hù)層的晶粒尺寸為約150nm到200nm且通過目測測定MgO保護(hù)層的(111)平面與(110)平面的比率約為3.5∶6.5時，統(tǒng)計延遲時間最短。通過更精確的測試測定，這些平面的比率的最佳范圍是3.0-4.0的(111)平面比6.0-7.0的(110)平面。
圖5是采用SEM拍攝的根據(jù)本發(fā)明示例性實(shí)施例3的MgO保護(hù)層表面的照片?？梢钥吹?，示例性實(shí)施例3在保護(hù)層中主要產(chǎn)生形狀大致為四邊形的(110)平面，以及少量的形狀大致呈三角形的(111)平面。
示例性實(shí)施例4在這個實(shí)施例中，調(diào)節(jié)氫和氧的分壓以產(chǎn)生晶粒尺寸約100nm到約150nm的MgO保護(hù)層。為此，確定(111)平面與(110)的混合比，并測量統(tǒng)計延遲時間。結(jié)果顯示在下面的表5中。其余條件與實(shí)驗(yàn)性實(shí)施例1的相同。


表5顯示的信息是示例性的，不應(yīng)該被理解為對本發(fā)明的限制。其他的實(shí)施例可以使用其他的混合比和/或提供其他的統(tǒng)計延遲時間。如表5所示，當(dāng)MgO保護(hù)層的晶粒尺寸為約100nm到約150nm且通過目測測定MgO保護(hù)層的(111)平面與(110)平面的比率約為5∶5時，統(tǒng)計延遲時間最短。通過更精確的測試測定，這些平面的比率的最佳范圍是4.5-5.5的(111)平面比4.5-5.5的(110)平面。
圖5是采用SEM拍攝的根據(jù)本發(fā)明示例性實(shí)施例4的MgO保護(hù)層表面的照片?？梢钥吹?，形狀大致為四邊形的(110)平面和形狀大致為三角形的(111)平面在保護(hù)層中均勻地混和。
示例性實(shí)施例5在這個實(shí)施例中，調(diào)節(jié)氫和氧的分壓以產(chǎn)生晶粒尺寸約50nm到100nm的MgO保護(hù)層。為此，確定(111)平面與(110)的混合比，并測量統(tǒng)計延遲時間。結(jié)果顯示在下面的表6中。將氫的分壓調(diào)整到最低水平。其余條件與實(shí)驗(yàn)性實(shí)施例1的相同。


表6顯示的信包是示例性的，不應(yīng)該被理解為對本發(fā)明的限制。其他的實(shí)施例可以使用其他的混合比和/或提供其他的統(tǒng)計延遲時間。如表6所示，當(dāng)MgO保護(hù)層的晶粒尺寸為約50nm到約100nm且通過目測測定MgO保護(hù)層的(111)平面與(110)平面的比率約為6∶4時，統(tǒng)計延遲時間最短。通過更精確的測試測定，這些平面的比率的最佳范圍是5.5-6.5的(111)平面比3.5-4.5的(110)平面。
圖7是采用SEM拍攝的根據(jù)本發(fā)明示例性實(shí)施例5的MgO保護(hù)層表面的照片?？梢钥吹剑纠詫?shí)施例5在保護(hù)層中主要產(chǎn)生形狀大致呈三角形的(111)平面。
在如上所述的本發(fā)明中，可以通過(111)平面和(110)平面的混合比率，來改變MgO保護(hù)層的結(jié)晶取向平面。根據(jù)特定晶粒尺寸來調(diào)整這些結(jié)晶平面的混合比，以提高電子發(fā)射性能并改善PDP的顯示品質(zhì)。
此外，通過根據(jù)不同的晶粒尺寸來固定(111)平面和(110)平面的混合比，改善放電特性并縮小放電延遲時間。因而也降低了黑噪聲的產(chǎn)生。
盡管在上文中已結(jié)合某些示例性實(shí)施例詳細(xì)描述了本發(fā)明的實(shí)施例，但應(yīng)當(dāng)理解的是本發(fā)明不限于所公開的示例性實(shí)施例，相反，本發(fā)明覆蓋包含在由所附權(quán)利要求限定的本發(fā)明的主旨和范圍內(nèi)的各種改進(jìn)和/或等效配置。
權(quán)利要求
1.一種等離子顯示板，包括彼此相對的一第一基板和一第二基板，其間具有預(yù)定間隙；第一電極，其形成在與所述第二基板相對的所述第一基板的表面上，以及第二電極，其形成在與所述第一基板相對的所述第二基板的表面上，所述第一電極的長軸與所述第二電極的長軸相交；介電層，所述介電層中的一個形成為覆蓋所述第一基板上的所述第一電極，所述介電層中的另一個形成為覆蓋所述第二基板上的所述第二電極；以及一MgO保護(hù)層，其形成為覆蓋所述第一基板上的第一介電層，其中，通過混合(111)平面和(110)平面來產(chǎn)生所述MgO保護(hù)層的結(jié)晶取向平面，并且根據(jù)所述MgO保護(hù)層的晶粒尺寸來設(shè)置所述(111)平面和所述(110)平面的混合比。
2.如權(quán)利要求1所述的等離子顯示板，其中如果所述MgO保護(hù)層的晶粒尺寸是50nm至100nm，所述(111)平面和所述(110)平面以(5.5-6.5)∶(3.5-4)的比率混和。
3.如權(quán)利要求1所述的等離子顯示板，其中如果所述MgO保護(hù)層的晶粒尺寸是100nm至150nm，所述(111)平面和所述(110)平面以(4.5-5.5)∶(4.5-5.5)的比率混和。
4.如權(quán)利要求1所述的等離子顯示板，其中如果所述MgO保護(hù)層的晶粒尺寸是150nm至200nm，所述(111)平面和所述(110)平面以(3.0-4.0)∶(6.0-7.0)的比率混和。
5.如權(quán)利要求1所述的等離子顯示板，其中如果所述MgO保護(hù)層的晶粒尺寸是200nm至250nm，所述(111)平面和所述(110)平面以(2.5-3.5)∶(6.5-7.5)的比率混和。
6.如權(quán)利要求1所述的等離子顯示板，其中如果所述MgO保護(hù)層的晶粒尺寸是250nm至350nm，所述(111)平面和所述(110)平面以(1.5-2.5)∶(7.5-8.5)的比率混和。
7.如權(quán)利要求1所述的等離子顯示板，其中所述MgO保護(hù)層具有柱狀晶體結(jié)構(gòu)。
8.如權(quán)利要求1所述的等離子顯示板，其中根據(jù)在所述MgO保護(hù)層的淀積工藝期間注入的氫和氧的分壓比，確定所述MgO保護(hù)層的晶粒尺寸。
9.一種形成保護(hù)層的方法，包括以下步驟在一淀積室內(nèi)部，將一基板放置為緊鄰淀積材料；在電場和磁場內(nèi)加速一個或多個電子束以沖擊所述淀積材料，從而加熱并蒸發(fā)所述淀積材料，使得所述淀積材料的原子淀積在所述基板的表面上以形成一保護(hù)層；以及通過改變淀積條件，調(diào)整所述保護(hù)層的結(jié)晶取向平面。
10.如權(quán)利要求9所述的方法，其中所述淀積材料是MgO。
11.如權(quán)利要求10所述的方法，其中所述調(diào)整步驟還包括通過供應(yīng)氫和氧控制所述淀積室的內(nèi)部氣氛，以改變所述氫和氧的分壓比。
12.如權(quán)利要求10所述的方法，其中所述調(diào)整步驟還包括改變供應(yīng)到所述淀積室的氫和氧的分壓比以獲得結(jié)晶取向平面，所述結(jié)晶取向平面是(111)平面和(110)平面的組合并具有255ns至315ns的統(tǒng)計放電延遲時間。
13.如權(quán)利要求10所述的方法，其中所述調(diào)整步驟還包括改變供應(yīng)到所述淀積室的氫和氧的分壓比以獲得結(jié)晶取向平面，所述結(jié)晶取向平面具有約250nm至350nm的晶粒尺寸和約282ns至295ns的統(tǒng)計放電延遲時間，其中(111)平面與(110)平面的比率約為2∶8。
14.如權(quán)利要求10所述的方法，其中所述調(diào)整步驟還包括改變供應(yīng)到所述淀積室的氫和氧的分壓比以獲得結(jié)晶取向平面，所述結(jié)晶取向平面具有約200nm至250nm的晶粒尺寸和約253ns至292ns的統(tǒng)計放電延遲時間，其中(111)平面與(110)平面的比率約為3∶7。
15.如權(quán)利要求10所述的方法，其中所述調(diào)整步驟還包括改變供應(yīng)到所述淀積室的氫和氧的分壓比以獲得結(jié)晶取向平面，所述結(jié)晶取向平面具有約150nm至200nm的晶粒尺寸和約271ns至283ns的統(tǒng)計放電延遲時間，其中(111)平面與(110)平面的比率約為3.5∶6.5。
16.如權(quán)利要求10所述的方法，其中所述調(diào)整步驟還包括改變供應(yīng)到所述淀積室的氫和氧的分壓比以獲得結(jié)晶取向平面，所述結(jié)晶取向平面具有約100nm至150nm的晶粒尺寸和約263ns至277ns的統(tǒng)計放電延遲時間，其中(111)平面與(110)平面的比率約為5∶5。
17.如權(quán)利要求10所述的方法，其中所述調(diào)整步驟還包括改變供應(yīng)到所述淀積室的氫和氧的分壓比以獲得結(jié)晶取向平面，所述結(jié)晶取向平面具有約50nm至100nm的晶粒尺寸和約253ns至271ns的統(tǒng)計放電延遲時間，其中(111)平面與(110)平面的比率約為6∶4。
全文摘要
提供了一種等離子顯示板(PDP)，其包括彼此相對的第一基板和第二基板，其間具有預(yù)定間隙。所述PDP還包括形成在與第二基板相對的第一基板表面上的第一電極和形成在與第一基板相對的第二基板表面上的第二電極。第一電極的長軸與第二電極的長軸相交。所述PDP還包括介電層。一個介電層形成為覆蓋第一基板上的第一電極，另一介電層形成為覆蓋第二基板上的第二電極。所述PDP還包括MgO保護(hù)層，其形成為覆蓋第一基板上的介電層。通過混合(111)平面和(110)平面來產(chǎn)生MgO保護(hù)層的結(jié)晶取向平面，并根據(jù)MgO保護(hù)層的晶粒尺寸設(shè)置(111)平面和(110)平面的混合比。
文檔編號H01J11/12GK1619752SQ20041010236
公開日2005年5月25日 申請日期2004年10月25日 優(yōu)先權(quán)日2003年10月24日
發(fā)明者金基東 申請人:三星Sdi株式會社