專利名稱：雙板型有機電致發(fā)光顯示器件及其制造方法
技術領域：
本發(fā)明涉及一種顯示器件，更具體地，涉及一種雙板型有機電致發(fā)光(EL)顯示器件和制造該器件的方法。
背景技術：
在平板顯示器件(FPD)中，有機電致發(fā)光(EL)顯示器件在研究和開發(fā)方面已經得到人們高度的重視和濃厚的興趣，這是因為它們是一種具有較高亮度，寬視角和高對比度的發(fā)光型顯示器件。特別是，有機電致發(fā)光顯示器件為自發(fā)光顯示器件，它不需要附加的光源發(fā)射光。因此，有機電致發(fā)光顯示器件具有非常薄的外形和較輕的重量。
此外，有機電致發(fā)光顯示器件可以利用低直流(DC)電壓工作，由此具有低功耗和快速響應時間的特點。進一步說，有機電致發(fā)光顯示器件為集成器件，因此它具有對外部沖擊的高耐久力，大的工作溫度范圍和寬廣的應用范圍。此外，有機電致發(fā)光顯示器件通常利用包括沉積工序和封裝工序的相對簡單的工序來制造。從而，有機電致發(fā)光顯示器件具有低的制造成本。
有源矩陣型有機電致發(fā)光顯示器件在每個象素內包括作為開關元件的薄膜晶體管。施加到象素的電壓在存儲電容Cst中充電，以便可以施加電壓直到施加下一個幀信號為止，由此連續(xù)驅動有機電致發(fā)光顯示器件而不管柵極線的數量，直到一幅圖像結束為止。因此，有源矩陣型有機電致發(fā)光顯示器件可以提供均勻的發(fā)光，即使施加低電流和顯示區(qū)域大時，其也可以提供均勻的發(fā)光。
圖1為根據現有技術有機電致發(fā)光顯示器件的示意截面圖。在圖1中，有機電致發(fā)光顯示器件包括彼此面對且互相間隔的第一和第二基板10和60。陣列元件層AL形成在第一基板10上，并包括薄膜晶體管(TFT)T。盡管未示出，陣列元件層AL進一步包括柵極線，與柵極線交叉以限定象素區(qū)域P的數據線，和與柵極和數據線之一交叉的電源線。此外，構成有機電致發(fā)光二極管DEL的第一電極48，有機電致發(fā)光(EL)層54和第二電極56順序形成在陣列元件層AL上。第一電極48連接到TFT T。
此外，第二基板60還到具有凹陷(receded)部分62的密封板的作用。干燥劑64封裝在凹陷部分62中以保護有機電致發(fā)光顯示器件不受潮。密封圖案70形成在第一和第二基板10和60之間的外圍部分。利用密封圖案70，第一和第二基板10和60彼此連接。
因此，根據現有技術的有機電致發(fā)光顯示器件將來自有機電致發(fā)光二極管DEL的光遠離第二基板60向陣列元件層AL發(fā)射。
圖2A為圖1所示有機電致發(fā)光顯示器件的象素區(qū)域的示意平面圖。如圖2A所示，柵極線22與數據線42和電源線28交叉，數據線42和電源線28彼此隔開。象素區(qū)域P由柵極線22和數據線42限定。開關TFT Ts定位在柵極線22和數據線42的交叉點的附近。驅動TFT Td連接到開關TFT Ts和電源線28。存儲電容CST使用一部分電源線28作為第一電容電極，并使用從開關TFTTs的有源層31延伸的有源圖案16作為第二電容電極。第一電極48連接到驅動TFT Td。開關TFT Ts和驅動TFT Td構成TFT T。盡管未示出，有機電致發(fā)光層54和第二電極56(圖1所示)順序形成在第一電極48上。
圖2B為沿圖2A的II-II線截取的示意性截面圖。如圖2B所示，包括有源層14，柵極20，源極38，和漏極40的驅動TFT Td形成在第一基板10上。源極38通過連接到電源線28的電源電極26連接到電源線28，漏極40連接到第一電極48。有源圖案16利用與有源層14相同的材料形成，并形成在具有導電性的電源線28的下方。有源圖案16和電源線28構成存儲電容CST。有機電致發(fā)光層54和第二電極層56順序形成在第一電極48上。第一電極48，有機電致發(fā)光層54和第二電極56構成有機電致發(fā)光二極管DEL。
此外，第一絕緣層12形成在第一基板10和有源層14之間作為緩沖層。第二絕緣層18形成在有源層14和作為柵極絕緣層的柵極20之間。第三絕緣層24形成在有源圖案16和電源線28之間。第四絕緣層30形成在電源線28和源極38之間。第五絕緣層44形成在漏極40和第一電極48之間。第六絕緣層50形成在第一電極48和第二電極56之間。第三到第六絕緣層24，30，44和50包括用于各電極電連接的接觸孔。
在根據現有技術的有機電致發(fā)光顯示器件中，具有TFT的陣列元件層和有機電致發(fā)光(EL)二極管形成在第一基板上，第二基板連接到第一基板用于密封。然而，當具有TFT的陣列元件層和有機電致發(fā)光二極管形成在一個基板上時，有機電致發(fā)光顯示器件的生產成品率由陣列元件層的生產成品率和有機電致發(fā)光二極管的生產成品率的相乘結果確定。特別是，由于有機電致發(fā)光二極管的生產成品率相對低，因此總的電致發(fā)光顯示器件的生產成品率受到有機電致發(fā)光二極管生產成品率的限制。例如，即使TFT制造得很好時，由于有機發(fā)光層的缺陷，利用約1000厚度薄膜的有機電致發(fā)光顯示器件可以確定為有缺陷。這導致材料的浪費和高的制造成本。
此外，基于從有機電致發(fā)光二極管發(fā)射的光的方向，有機電致發(fā)光顯示器件分類為底部發(fā)光型和頂部發(fā)光型。底部發(fā)光型有機電致發(fā)光顯示器件具有的優(yōu)點如高封裝穩(wěn)定性和高工序靈活性。然而，底部發(fā)光型有機電致發(fā)光顯示器件用于高分辨率器件是不適合的，因為它們具有低孔徑比。
與此相反，頂部發(fā)光型有機電致發(fā)光顯示器件具有較高的預期使用壽命，因為它們更容易設計并具有高的孔徑比。然而，在頂部發(fā)光型有機電致發(fā)光顯示器件中，陰極通常形成在有機發(fā)射層上。結果，頂部發(fā)光型有機電致發(fā)光顯示器件的透射率和光學效率由于可以選擇的材料數目受到限制而降低。進一步，當薄膜鈍化層形成以避免光透射率的降低時，薄膜鈍化層可能不能阻礙外部空氣滲透進器件。

發(fā)明內容
因此，本發(fā)明定向為一種雙板型有機電致發(fā)光顯示器件和制造該器件的方法，其基本上避免了由于現有技術的限制和缺點引起的一個或多個問題。
本發(fā)明的一個目的是提供一種有機電致發(fā)光顯示器件，其具有通過簡化工序降低制造成本從而提高的生產成品率，高分辨率和高孔徑比。根據本發(fā)明一實施例的有機電致發(fā)光顯示器件為雙板型，具有TFT的陣列元件層和有機電致發(fā)光二極管形成在它們各自的基板上。
本發(fā)明另外的特征和優(yōu)點將在下面的描述中提出，部分從描述中顯而易見，或者可以從本發(fā)明的實施中了解。通過說明書及其權利要求以及所附附圖中所指出的具體結構，本發(fā)明的目的和其它優(yōu)點可以實現和得到。
為了實現這些和其他優(yōu)點以及根據本發(fā)明的目的，如在此具體和概括描述的，一種制造有機電致發(fā)光顯示器件的方法包括在第一基板的第一表面上沉積和圖案化透明導電材料，以在象素區(qū)域和非象素區(qū)域中形成第一電極，在第一基板的第一表面上沉積和圖案化不透明導電材料，以在非象素區(qū)域中的第一電極上形成輔助電極，在第一基板的第一表面上沉積第一絕緣材料，利用輔助電極作為掩模并將光輻射到第一基板的第二表面上以圖案化第一絕緣材料從而形成堤(bank)，第一基板的第一和第二表面為彼此相背的表面，在第一基板的第一表面上形成有機電致發(fā)光層，有機電致發(fā)光層在由堤圍繞的象素區(qū)域中，在第一基板的第一表面上形成第二電極，第二電極相應于有機電致發(fā)光層。
根據另一方面，一種制造有機電致發(fā)光顯示器件的基板的方法包括在象素區(qū)域和非象素區(qū)域中的基板上形成第一電極，第一電極包括第一導電材料，在非象素區(qū)域中的第一電極上形成輔助電極，輔助電極包括第二導電材料并接觸第一電極，第一和第二導電材料彼此不同，形成相應于輔助電極的堤，堤圍繞象素區(qū)域，在第一電極上形成有機電致發(fā)光層，有機電致發(fā)光層在由堤圍繞的象素區(qū)域中，和在有機電致發(fā)光層上形成第二電極，第二電極相應于有機電致發(fā)光層。
根據又一方面，一種有機電致發(fā)光顯示器件包括在象素區(qū)域和非象素區(qū)域中的第一基板上由透明導電材料構成的第一電極，在非象素區(qū)域中接觸第一電極的輔助電極，輔助電極包括不透明金屬材料，由絕緣材料構成、相應于輔助電極的堤，堤圍繞象素區(qū)域，由堤圍繞的象素區(qū)域中的有機電致發(fā)光層，和有機電致發(fā)光層上的第二電極，第二電極相應于有機電致發(fā)光層。
應當理解，之前的概述和下面的詳述都是例證性和解釋性的，并如所要保護的，打算提供本發(fā)明的進一步解釋。


所附附圖用于提供本發(fā)明的進一步理解，并結合在本說明書中，構成本說明書的一部分，這些

了本發(fā)明的實施例，并與描述一起用于解釋本發(fā)明的原理。在附圖中圖1為根據現有技術有機電致發(fā)光顯示器件的示意截面圖；
圖2A為圖1所示有機電致發(fā)光顯示器件的象素區(qū)域的示意平面圖；圖2B為沿圖2A的II-II線得到的示意截面圖；圖3為根據本發(fā)明一實施例的雙板型有機電致發(fā)光顯示器件的示意截面圖；圖4A為根據本發(fā)明一實施例的雙板型有機電致發(fā)光顯示器件的基板的示意平面圖；圖4B為沿圖4A的IV-IV線得到的示意截面圖；圖5A到5E為根據本發(fā)明一實施例制造雙板型有機電致發(fā)光顯示器件的方法的示意工序圖；圖6A到6E為根據本發(fā)明另一實施例制造雙板型有機電致發(fā)光顯示器件的方法的示意工序圖；圖7為根據本發(fā)明另一實施例的雙板型有機電致發(fā)光顯示器件的示意截面圖。
具體實施例方式
現在將對本發(fā)明的優(yōu)選實施例進行詳細描述，這些實施例在所附附圖中說明。
圖3為根據本發(fā)明一實施例的雙板型有機電致發(fā)光顯示器件的示意截面圖。在圖3中，有機電致發(fā)光顯示器件105包括通過外圍區(qū)域中的密封圖案160彼此連接且之間具有預定間隔的第一和第二基板110和130。電致發(fā)光顯示器件105還包括多個象素區(qū)域P和非象素區(qū)域NP。象素區(qū)域P可以相應于圖像顯示的最小區(qū)域，非象素區(qū)域NP可以為象素區(qū)域P的邊界。
此外，第一基板110包括具有多個薄膜晶體管(TFT)T的陣列元件層AL，和形成在陣列元件AL上的多個連接電極120。連接電極120連接到TFT T，并可以形成為包括具有預定高度的有機絕緣圖案的多層形式。盡管未示出，陣列元件層AL包括柵極線，與柵極線交叉以限定象素區(qū)域P的數據線，和與柵極和數據線之一交叉的電源線。進一步，TFT T可以包括控制來自柵極線和數據線的電壓的開關TFT，和利用來自各開關TFT和電源線的電壓控制亮度的驅動TFT。例如，連接到連接電極120的TFT T可以為驅動TFT。
進一步，第二基板130包括第一電極132，中間層(interlayer)136和分隔物(separator)142。第一電極132可以直接形成在象素區(qū)域P和非象素區(qū)域NP中的第二基板130上。特別是，中間層136和分隔物142可以形成在非象素區(qū)域NP中。分隔物142的寬度可以從第二基板130附近的部分到更加遠離第二基板130的部分逐漸增加，以便分隔物142具有梯形的截面形狀并相對于第二基板130具有倒錐形。分隔物142可以將象素區(qū)域P彼此分開。
第二基板130進一步包括形成在象素區(qū)域P中的第一電極132上的有機電致發(fā)光層144和第二電極146。特別是，中間層136形成以防止第一電極132和第二電極146在分隔物142的一側短路。進一步，第二電極146電連接到連接電極120，以便第二電極146和TFT T彼此電連接。
第一電極132，有機電致發(fā)光層144和第二電極146可以構成有機電致發(fā)光二極管DEL。當有機電致發(fā)光顯示器件105為從有機電致發(fā)光二極管DEL向第一電極發(fā)射光的頂部發(fā)光型時，第一電極132由透明導電材料形成。例如，當第一電極132作為陽極，第二電極146作為陰極時，第一電極132可以包括銦錫氧化物(ITO)，銦鋅氧化物(IZO)和銦錫鋅氧化物(ITZO)之一。
因此，陣列元件層AL和有機電致發(fā)光二極管DEL形成在不同的基板上，由此增加有機電致發(fā)光顯示器件105的生產成品率和效率。此外，包括TFT的陣列層的整體設計得到簡化。當雙板型有機電致發(fā)光顯示器件為頂部發(fā)光型時，它進一步具有優(yōu)點如高孔徑比，高分辨率和長的預期使用壽命。此外，由于有機電致發(fā)光層和第二電極通過分隔物隔開而不需要附加的掩模，因此生產成品率更高。
然而，第一電極132由透明導電材料如ITO形成，該材料通常比金屬材料具有更高的電阻率。從而，為了提高有機電致發(fā)光顯示器件的陽極的電導率，有機電致發(fā)光顯示器件的結構可以包括如圖4A和4B所示的輔助第一電極。
另外，當有機電致發(fā)光層由多類型發(fā)光材料構成時，可以利用噴墨法形成有機電致發(fā)光層。然而，由于彩色發(fā)光材料的油墨可能粘附到分隔物的邊緣，因此有機電致發(fā)光顯示器件可以包括具有正錐形的堤，代替具有倒錐形的分隔物，如圖4A和4B所示。
圖4A為根據本發(fā)明一實施例的雙板型有機電致發(fā)光顯示器件的基板的示意平面圖。在圖4中，有機電致發(fā)光顯示器件包括基板230。基板230包括多個象素區(qū)域P和非象素區(qū)域NP。象素區(qū)域P可以相應于圖像顯示的最小區(qū)域，非象素區(qū)域NP可以為象素區(qū)域P的邊界?；?30也包括相應于象素區(qū)域P的堤240。中間層236可以圍繞堤240，第二電極246可以通過堤240分開。
圖4B為沿圖4A的IV-IV線載取的示意截面圖。如圖4B所示，基板230也包括第一電極232。第一電極232可以由透明導電材料如ITO，IZO和ITZO之一構成。另外，第一電極232可以直接形成在象素區(qū)域P和非象素區(qū)域NP中的基板230上。
此外，輔助第一電極234可以形成在非象素區(qū)域NP內的第一電極232上。輔助第一電極234的寬度可以小于非象素區(qū)域NP的寬度，輔助第一電極234可以由電阻率低于第一電極232的不透明金屬材料形成。通過在非象素區(qū)域NP中形成輔助第一電極234，第一電極232的透射率不會被輔助第一電極234影響或降低，而第一電極232的電阻率由于其與輔助第一電極234接觸而降低。進一步，當輔助第一電極234由不透明金屬材料形成時，輔助第一電極234可以起黑矩陣的作用，因此不需要附加的黑矩陣層。
另外，中間層236可以覆蓋輔助第一電極234。特別是，中間層236可以密封輔助第一電極234，并可以由絕緣材料形成。例如，中間層236可以為具有相應于象素區(qū)域P的開口部分(未示出)并且寬度相應于非象素區(qū)域NP寬度的單層。
此外，堤240可以形成在輔助第一電極234的上方并具有預定高度。特別是，堤240可以形成在中間層236上，并且在基板230附近的第一寬度可以大于遠離基板230的第二寬度。例如，堤240可以在其遠離基板230延伸時具有逐漸減小的寬度。進一步，堤240可以圍繞象素區(qū)域P。
此外，有機電致發(fā)光層244形成在象素區(qū)域P中的第一電極232上。特別是，有機電致發(fā)光層244可以通過輔助第一電極234和中間層236分開。進一步，有機電致發(fā)光層244可以包括紅，綠和藍電致發(fā)光層244a，244b和244c。紅，綠和藍電致發(fā)光層244a，244b和244c可以包括各個顏色的多聚型發(fā)光材料。
盡管未示出，有機電致發(fā)光層244優(yōu)選可以具有不同的厚度。例如，在堤240邊緣的有機電致發(fā)光層244的第一厚度可以不同于在象素區(qū)域P的中心部分中有機電致發(fā)光層244的第二厚度。因此，堤240優(yōu)選形成在非象素區(qū)域NP中，類似于中間層236，由此提供改善的圖像質量。因此，輔助第一電極234和堤240彼此相應形成。
第二電極246形成在有機電致發(fā)光層244上。明確地，由于堤240與分隔物142(圖3所示)相比具有非倒置的錐形結構，因此第二電極246可以形成在沿著堤240的臺階的整個表面上。因此，去除覆蓋堤240的一部分第二電極材料(未示出)可以在一些情況下進行。
因此，第一電極232和輔助第一電極234的結合可以作為有機電致發(fā)光顯示器件的陽極。特別是，由于輔助第一電極234具有低于第一電極232的電阻率，因此第一電極232和輔助第一電極234結合的電阻率低于第一電極232本身的電阻率。從而，根據本發(fā)明一實施例的有機電致發(fā)光顯示器件的陽極具有改善的電導率。
進一步，由于輔助第一電極234由不透明金屬材料構成，因此輔助第一電極234可以起黑矩陣的作用，因此不需要附加的黑矩陣層。
圖5A到5E為根據本發(fā)明一實施例制造雙板型有機電致發(fā)光顯示器件的方法的示意工序圖。在圖5A中，第一電極232形成在基板230上。第一電極232可以直接形成在象素區(qū)域P和非象素區(qū)域NP中的基板230上。此外，輔助第一電極234通過第一掩模工序形成在非象素區(qū)域NP中的第一電極232上。盡管未示出，第一掩模工序包括曝光，顯影和刻蝕工序。進一步，輔助第一電極234可以利用電阻率低于第一電極232的不透明金屬材料形成。例如，輔助第一電極234可以包括鉬(Mo)，鎢(W)和鉻(Cr)之一。
在圖5B中，中間層236通過第二掩模形成以覆蓋非象素區(qū)域NP中的輔助第一電極234。盡管未示出，第二掩模工序包括曝光，顯影和刻蝕工序。中間層236可以利用第一絕緣材料形成，并且中間層236可以具有曝光象素區(qū)域P的開口部分(未示出)。從而，中間層236可以密封輔助第一電極234并且將輔助第一電極234與隨后形成在其上的導電材料絕緣。
在圖5C中，堤240通過第三掩模工序形成在非象素區(qū)域NP中的中間層236上。盡管未示出，第三掩模工序包括曝光，顯影和刻蝕工序。類似于中間層236，堤240可以具有曝光象素區(qū)域P的相同的開口部分。此外，堤240可以利用第二絕緣材料形成。例如，堤240可以包括具有大厚度的有機材料如光敏材料。如果使用光敏材料，第三掩模工序可以進行而不需要添加光致抗蝕劑材料。進一步，堤240可以具有與輔助第一電極234相同的寬度，在第一掩模工序中使用的用于形成輔助第一電極234的掩?？梢栽俅问褂靡云毓獾诙^緣材料從而形成堤240。
在圖5D中，有機電致發(fā)光層244形成在由堤240圍繞的第一電極232上。明確地，有機電致發(fā)光層244可以通過在第一電極232上分配紅，綠和藍電致發(fā)光材料245并且在象素區(qū)域P中形成紅，綠和藍電致發(fā)光層244a，244b和244c來形成。紅，綠和藍電致發(fā)光材料245可以包括油墨型多聚發(fā)射材料。例如，分配紅，綠和藍電致發(fā)光材料245的步驟可以同時進行或者可以利用噴墨噴嘴設備243以重復的方式順序進行。特別是，有機電致發(fā)光層244的厚度可以小于中間層236的厚度。
在圖5E中，第二電極246形成在有機電致發(fā)光層244上。在形成第二電極246的步驟之前，第二電極材料(未示出)進一步形成在堤240的整個表面上。例如，覆蓋堤240的一部分第二電極材料可以去除而不需要掩模工序。
因此，本發(fā)明實施例的制造具有有機電致發(fā)光二極管，輔助第一電極，中間層，和堤的第二基板的方法包括簡化的掩模工序。
圖6A到6E為根據本發(fā)明另一實施例制造雙板型有機電致發(fā)光顯示器件的方法的示意工序圖。在圖6A和6B中，第一電極332形成在基板330上，輔助第一電極334形成在第一電極332上，中間層336覆蓋輔助第一電極334。第一電極332可以直接形成在象素區(qū)域P和非象素區(qū)域NP中的基板330上，輔助第一電極334可以通過第一掩模工序形成在非象素區(qū)域NP中的第一電極332上。
特別是，輔助第一電極334可以包括除鋁(Al)基材料之外的金屬材料之一，以防止利用第一電極332的透明材料的電化(galvanic)現象。例如，輔助第一電極334可以包括具有高化學腐蝕抵抗力的金屬材料之一如鉬(Mo)，鎢(W)和鉻(Cr)。此外，中間層336可以利用具有曝光象素區(qū)域P的開口部分(未示出)的第一絕緣材料通過第二掩模工序形成。
在圖6C中，光敏材料層338形成在基板330的整個表面上，光敏材料層338在通過基板330的后部照射的光下曝光。特別是，光敏材料層338可以為p型，以便在光下曝光后，一部分通過顯影工序去除。結果，相應于輔助第一電極334的一部分光敏材料層338未在照射光下曝光，并在顯影工序后保持在輔助第一電極334上方。因此，附加掩?？赡苄枰詧D案化光敏材料層338。
在圖6D中，(圖6C的)光敏材料層338在顯影處理后被圖案化為堤340。特別是，堤340的底部寬度與輔助第一電極334的寬度相同。進一步，由于光敏材料層338的高度和掩模例如輔助第一電極334的寬度的比例，堤340可以具有在其寬度方面非倒置的錐形。這樣，堤340圍繞象素區(qū)域P。
在圖6E中，有機電致發(fā)光層344形成在象素區(qū)域P中的第一電極332上。特別是，有機電致發(fā)光層344包括象素區(qū)域P中的紅，綠和藍電致發(fā)光層344a，344b和344c。有機電致發(fā)光層344可以利用噴墨印刷工序形成。此外，第二電極346形成在象素區(qū)域P中的有機電致發(fā)光層344上。結果，第一電極332可以作為陽極，第二電極346可以作為有機電致發(fā)光顯示器件的陰極。
圖4A和4B所示的基板230可以通過圖5A到5E所示的制造方法形成或者通過圖6A到6E所示的制造方法形成。此外，盡管未示出，根據本發(fā)明制造有機電致發(fā)光器件的方法可以進一步包括在另一基板上形成具有薄膜晶體管的陣列元件，和在陣列元件上形成連接電極，連接電極連接到薄膜晶體管。
因此，本發(fā)明實施例的制造具有有機電致發(fā)光二極管，輔助第一電極，中間層，和堤的第二基板的方法包括簡化的掩模工序。
圖7為根據本發(fā)明另一實施例的雙板型有機電致發(fā)光顯示器件的示意截面圖。在圖7中，有機電致發(fā)光顯示器件包括通過外圍區(qū)域中的密封圖案460彼此連接且之間具有預定間隔的第一和第二基板410和430。電致發(fā)光顯示器件還包括多個象素區(qū)域P和非象素區(qū)域NP。象素區(qū)域P可以相應于圖像顯示的最小區(qū)域，非象素區(qū)域NP可以為象素區(qū)域P的邊界。
此外，第一基板410包括具有多個薄膜晶體管(TFT)T的陣列元件層AL，和形成在陣列元件AL上的多個連接電極420。連接電極420連接到TFT T，并可以形成為包括具有預定高度的有機絕緣圖案的多層形式。盡管未示出，陣列元件層AL包括柵極線，與柵極線交叉以限定象素區(qū)域P的數據線，和與柵極和數據線之一交叉的電源線。進一步，TFT T可以包括控制來自柵極和數據線的電壓的開關TFT，和利用來自各開關TFT和電源線的電壓控制亮度的驅動TFT。例如，連接到連接電極420的TFT T可以為驅動TFT。
進一步，第二基板430包括第一電極432，輔助第一電極434，中間層436和堤440。第一電極432可以直接形成在象素區(qū)域P和非象素區(qū)域NP中的第二基板430上。輔助第一電極434可以形成在非象素區(qū)域NP中的第一電極432上，中間層436可以覆蓋輔助第一電極434。堤440可以形成在輔助第一電極434上方并具有預定高度。特別是，輔助第一電極434，中間層436和堤440可以形成在非象素區(qū)域NP中。
第二基板430進一步包括有機電致發(fā)光層444和形成在象素區(qū)域P中的第一電極432上的第二電極446。特別是，有機電致發(fā)光層444可以包括紅，綠和藍電致發(fā)光層444a，444b和444c。有機電致發(fā)光層444和第二電極446可以通過堤440分開。進一步，第一電極432，有機電致發(fā)光層444和第二電極446可以構成有機電致發(fā)光二極管DEL。
輔助第一電極434包括電阻率低于第一電極432的不透明金屬材料，優(yōu)選Al類材料除外。堤440利用光敏材料以及利用輔助第一電極434作為掩模形成。從而，光敏材料可以不需要附加的掩模而被圖案化。例如，光可以從第二基板430的后部照射，以便光敏材料相應于輔助第一電極434的部分不被曝光，由此在顯影工序后形成堤440。
因此，根據本發(fā)明實施例的雙板型有機電致發(fā)光顯示器件和其制造方法具有若干優(yōu)點。首先，由于根據本發(fā)明的雙板型有機電致發(fā)光顯示器件可以為頂部發(fā)光型以至于得到高孔徑比。第二，由于包括薄膜晶體管的陣列元件層和有機電致發(fā)光二極管獨立地形成在它們各自的基板上，因此由于有機電致發(fā)光二極管的制造狀態(tài)引起的缺點最小化，由此提高整體的生產成品率。
第三，根據本發(fā)明實施例的雙板型有機電致發(fā)光顯示器件包括起黑矩陣作用并降低透明電極的電阻率的輔助第一電極，和通過噴墨印刷形成的堤，由此提高顯示質量。進一步，根據本發(fā)明實施例的制造這種雙板型有機電致發(fā)光顯示器件的方法使用簡化的掩模工序，由此提高生生產成品率。
對本領域的技術人員顯而易見的是，多種變形和變化可以在本發(fā)明的雙板型有機電致發(fā)光顯示器件和其制造方法中得到，只要不偏離本發(fā)明的精神和范圍。因此，本發(fā)明覆蓋這些變形和變化，只要它們在所附權利要求和其等同物的范圍內。
權利要求
1.一種制造有機電致發(fā)光顯示器件的方法，包括在第一基板的第一表面上沉積和圖案化透明導電材料，以在象素區(qū)域和非象素區(qū)域中形成第一電極；在第一基板的第一表面上沉積和圖案化不透明導電材料，以在非象素區(qū)域中的第一電極上形成輔助電極；在第一基板的第一表面上沉積第一絕緣材料；利用輔助電極作為掩模并將光照射到第一基板的第二表面上以圖案化第一絕緣材料從而形成堤，第一基板的第一和第二表面為彼此相背的表面；在第一基板的第一表面上形成有機電致發(fā)光層，有機電致發(fā)光層在由堤圍繞的象素區(qū)域中；和在第一基板的第一表面上形成第二電極，第二電極相應于有機電致發(fā)光層。
2.根據權利要求1的方法，其特征在于，第一絕緣材料包括光敏有機材料。
3.根據權利要求2的方法，其特征在于，光敏有機材料為正型，被光照射后的部分通過顯影工序去除。
4.根據權利要求1的方法，進一步包括在沉積第一絕緣材料的步驟之前在第一基板的第一表面上形成中間層，中間層覆蓋輔助電極。
5.根據權利要求4的方法，其特征在于，形成中間層的步驟包括在第一基板的第一表面上沉積第二絕緣材料，第一和第二絕緣材料彼此不同。
6.根據權利要求1的方法，其特征在于，第一電極包括銦錫氧化物(ITO)，銦鋅氧化物(IZO)和銦錫鋅氧化物(ITZO)之一。
7.根據權利要求1的方法，其特征在于，輔助電極包括鉬(Mo)，鎢(W)和鉻(Cr)之一。
8.根據權利要求1的方法，其特征在于，輔助電極的電阻率低于第一電極的電阻率。
9.根據權利要求1的方法，其特征在于，有機電致發(fā)光層的形成包括利用噴墨印刷設備在象素區(qū)域中印刷紅，綠和藍發(fā)光材料。
10.根據權利要求1的方法，進一步包括在堤的整個表面上形成第二電極材料，并在形成第二電極的步驟之前去除覆蓋堤的一部分第二電極材料。
11.根據權利要求1的方法，進一步包括在第二基板上形成具有薄膜晶體管的陣列元件，和在陣列元件上形成連接電極，連接電極電連接到薄膜晶體管。
12.根據權利要求11的方法，其特征在于，陣列元件包括柵極線，數據線和電源線，薄膜晶體管包括柵極，連接到電源線的源極，和連接到連接電極的漏極。
13.一種制造有機電致發(fā)光顯示器件的基板的方法，包括在象素區(qū)域和非象素區(qū)域中的基板上形成第一電極，第一電極包括第一導電材料；在非象素區(qū)域中的第一電極上形成輔助電極，輔助電極包括第二導電材料并接觸第一電極，第一和第二導電材料彼此不同；形成相應于輔助電極的堤，堤圍繞象素區(qū)域；在第一電極上形成有機電致發(fā)光層，有機電致發(fā)光層在由堤圍繞的象素區(qū)域中；和在有機電致發(fā)光層上形成第二電極，第二電極相應于有機電致發(fā)光層。
14.根據權利要求13的方法，進一步包括在非象素區(qū)域中形成中間層，中間層覆蓋輔助電極。
15.根據權利要求13的方法，其特征在于，堤由光敏絕緣材料形成。
16.根據權利要求15的方法，其特征在于，形成堤包括在基板的第一表面上沉積光敏絕緣材料；和通過利用輔助電極作為掩模并將光照射到基板的第二表面上以圖案化光敏絕緣材料，第一和第二表面為彼此相背的表面。
17.根據權利要求13的方法，其特征在于，形成有機電致發(fā)光層的步驟包括利用噴墨印刷設備在象素區(qū)域中印刷有機發(fā)光材料。
18.一種有機電致發(fā)光顯示器件，包括在象素區(qū)域和非象素區(qū)域中的第一基板上由透明導電材料構成的第一電極；在非象素區(qū)域中接觸第一電極的輔助電極，輔助電極包括不透明金屬材料；由絕緣材料構成、相應于輔助電極的堤，堤圍繞象素區(qū)域；由堤圍繞的象素區(qū)域中的有機電致發(fā)光層；和有機電致發(fā)光層上的第二電極，第二電極相應于有機電致發(fā)光層。
19.根據權利要求18的有機電致發(fā)光顯示器件，進一步包括輔助電極和堤之間的中間層，中間層覆蓋非象素區(qū)域中的輔助電極。
20.根據權利要求18的有機電致發(fā)光顯示器件，其特征在于，堤在第一基板附近的第一寬度大于更加遠離第一基板的第二寬度。
21.根據權利要求18的有機電致發(fā)光顯示器件，其特征在于，輔助電極的電阻率低于第一電極的電阻率。
22.根據權利要求18的有機電致發(fā)光顯示器件，其特征在于，堤包括光敏絕緣材料。
23.根據權利要求18的有機電致發(fā)光顯示器件，進一步包括在第二基板上的具有薄膜晶體管的陣列元件，第一和第二基板彼此隔開；和在陣列元件上的連接電極，連接電極電連接到薄膜晶體管和第二電極。
全文摘要
一種制造有機電致發(fā)光顯示器件的基板的方法，包括在象素區(qū)域和非象素區(qū)域中的基板上形成第一電極，第一電極包括第一導電材料，在非象素區(qū)域中的第一電極上形成輔助電極，輔助電極包括第二導電材料并接觸第一電極，第一和第二導電材料彼此不同，形成相應于輔助電極的堤，堤圍繞象素區(qū)域，在第一電極上形成有機電致發(fā)光層，有機電致發(fā)光層在由堤圍繞的象素區(qū)域中，和在有機電致發(fā)光層上形成第二電極，第二電極相應于有機電致發(fā)光層。
文檔編號H01J9/00GK1638546SQ20041010157
公開日2005年7月13日 申請日期2004年12月23日 優(yōu)先權日2003年12月29日
發(fā)明者樸宰用 申請人:Lg.菲利浦Lcd株式會社