專利名稱：等離子體顯示裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及文字或者圖像顯示用的彩色電視機(jī)和顯示器等使用的利用氣體放電發(fā)光的等離子體顯示裝置。
背景技術(shù)：
近年來，作為雙方向信息終端，大畫面、壁掛式電視機(jī)被寄予厚望。作為此目的的顯示裝置，有液晶顯示面板、場致發(fā)射顯示器、電致發(fā)光顯示器等多種。其中的一部分已在市場銷售，一部分正在開發(fā)階段。即使在這些顯示器中，由于等離子體顯示面板(以下稱PDP或者面板)是自主發(fā)光型，能夠產(chǎn)生優(yōu)美的圖像并容易做成大畫面等的原因，作為視覺特性優(yōu)異的薄型顯示裝置而引人注目，且逐漸向高精度化、大圖像化發(fā)展。
PDP的驅(qū)動(dòng)方式有AC型與DC型，其放電形式有面放電型和對置放電型，從高精度化、大圖像化以及制作的簡便性來看，目前AC型、面放電型的PDP正逐步占據(jù)主導(dǎo)地位。
圖5是已有的等離子體顯示裝置的面板構(gòu)造的立體圖。如圖5所示，PDP由前面面板1與背面面板2構(gòu)成。前面面板1的構(gòu)成是，在利用浮法制作的硼硅鈉系玻璃等所組成的玻璃基板等透明的前面?zhèn)然?上，多對排列形成成對的掃描電極4與維護(hù)電極5的構(gòu)成的帶狀顯示電極6，然后形成覆蓋顯示電極群6的電介質(zhì)層7，并且在該電介質(zhì)層7上形成由MgO構(gòu)成的保護(hù)膜8。而且，掃描電極4以及維護(hù)電極5分別由透明電極4a、5a以及與該透明電極4a、5a電氣連接的由Cr/Cu/Cr或者Ag等構(gòu)成的總線電極4b、5b構(gòu)成。另外，雖然沒有圖示，但是在顯示電極6之間，形成與顯示電極6平行的作為遮光膜的多列黑帶。
又，背面面板2是在與前面?zhèn)鹊幕?相對設(shè)置的背面?zhèn)鹊幕?上，在垂直于顯示電極6的方向上形成地址電極10，同時(shí)形成覆蓋該地址電極10的電介質(zhì)層11。而且，在鄰接的地址電極10間的電介質(zhì)層11上形成與地址電極10平行的帶狀的多個(gè)隔板12，在隔板12的側(cè)面以及電介質(zhì)層11的表面形成熒光體層13。而且，為了用顏色表示，熒光體層13通常按照紅、綠、藍(lán)三種顏色的順序依次設(shè)置。
而且，這些前面面板1與背面面板2，夾著微小的放電空間與基板3、9相對設(shè)置，使顯示電極6與地址電極10互相垂直，又采用密封構(gòu)件將其周圍封閉。然后采用66500Pa(500Torr)左右的壓力將氖(Ne)、氙(Xe)等混合形成的放電氣體封入放電空間而構(gòu)成PDP。
因此，利用隔板12將PDP的放電空間分隔成多個(gè)區(qū)域，然后利用垂直設(shè)置的顯示電極6、地址電極10、隔板12形成作為發(fā)光像素區(qū)域的多個(gè)放電單元。
圖6是表示已有的PDP放電單元部分的構(gòu)成的平面圖。如圖6所示，使顯示電極6的掃描電極4與維護(hù)電極5夾住放電間隙14進(jìn)行排列，由該顯示電極6與隔板12圍起的區(qū)域成為發(fā)光像素區(qū)域15，而且鄰接的顯示電極6之間的鄰接間隙16的區(qū)域成為非發(fā)光像素區(qū)域。
PDP是利用加在地址電極10、顯示電極6上的周期性電壓產(chǎn)生放電，通過使該放電所產(chǎn)生的紫外線照射熒光體層13轉(zhuǎn)換成可見光進(jìn)行圖像顯示。
另一方面，為了PDP的發(fā)展，更高輝度、高效率、低功耗、低成本是不可缺少的。為達(dá)到高效率，必須控制放電并極力抑制在向前面?zhèn)鹊耐干涔獗徽诒蔚牟糠值姆烹?。作為提高該效率的方法之一，有已知的例如特開平8-250029號公報(bào)上記載的增加金屬行電極(row electrode)上的電介質(zhì)膜厚并且利用金屬行電極抑制屏蔽部分的發(fā)光的方法。
然而，在這樣的已有的構(gòu)造中，雖然控制了電極垂直方向的放電，但是電極平行方向的放電不受控制地?cái)U(kuò)展，放電一直擴(kuò)展到隔板近旁，因此存在因隔板導(dǎo)致電子溫度降低，效率下降的課題。另外，為了部分改變電介質(zhì)層的膜厚，作為形成凹部的方法，有例如采用將電介質(zhì)層設(shè)置為2層構(gòu)造，形成下層后，在其上面層疊具有孔部的上層而形成該電介質(zhì)層的方法。然而，如果上層的電介質(zhì)層的燒結(jié)溫度與下層的電介質(zhì)層的燒結(jié)溫度是相同的溫度，將產(chǎn)生在上層的電介質(zhì)層燒結(jié)時(shí)，下層的電介質(zhì)層軟化，難以保持形成于上層的電介質(zhì)層的孔部的形狀，電介質(zhì)層的凹部的形狀惡化的課題。
本發(fā)明是為了解決該課題而做出的，目的在于能夠以高效率和良好的材料利用率穩(wěn)定地在電介質(zhì)層上形成凹部等。

發(fā)明內(nèi)容
為達(dá)到上述目的，本發(fā)明的等離子體顯示裝置具有這樣的結(jié)構(gòu)，即具有相對配置，以在基板間形成利用隔板分隔的放電空間的一對前面?zhèn)纫约氨趁鎮(zhèn)鹊幕濉⑴帕行纬捎谇懊鎮(zhèn)然?，以在隔板間形成放電單元的多個(gè)顯示電極、形成于前面?zhèn)然?，以覆蓋該顯示電極的電介質(zhì)層、以及利用電極間的放電發(fā)光的熒光層，將電介質(zhì)層設(shè)置為軟化點(diǎn)不同的至少2層構(gòu)造，且設(shè)置為電介質(zhì)層的放電空間一側(cè)的表面上對于每一放電單元形成凹部的構(gòu)成。
采用此結(jié)構(gòu)，通過對向前面?zhèn)鹊墓馔干涫芤种频膮^(qū)域擴(kuò)展放電進(jìn)行控制，能夠高效率地進(jìn)行放電，同時(shí)能夠以高材料利用率良，穩(wěn)定地形成用于抑制放電的擴(kuò)展的電介質(zhì)層凹部。


圖1是本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施形態(tài)的等離子體顯示裝置的面板構(gòu)造的立體圖。
圖2是上述等離子體顯示裝置的面板中的放電單元的部分構(gòu)造的立體圖。
圖3是說明上述等離子體顯示裝置效果的概略構(gòu)成圖。
圖4是說明已有的等離子體顯示裝置的放電狀況的概略構(gòu)成圖。
圖5是已有的等離子體顯示裝置的面板的構(gòu)造的立體圖。
圖6是上述等離子體顯示裝置的放電單元部分的構(gòu)成的平面圖。
具體實(shí)施形態(tài)以下利用圖1～圖4對本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施形態(tài)的等離子體顯示裝置進(jìn)行說明。
圖1表示本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施形態(tài)的等離子體顯示裝置中采用的PDP的面板構(gòu)造的一例，如圖1所示，PDP由前面面板21與背面面板22構(gòu)成。
前面面板21的構(gòu)成是，在通過浮法制作的由硼硅鈉系玻璃等構(gòu)成的玻璃基板等透明的前面?zhèn)然?3上形成多對排列的掃描電極24與維護(hù)電極25成對構(gòu)成的帶狀顯示電極26，然后形成電介質(zhì)層27以覆蓋顯示電極群26，并且在該電介質(zhì)層27上形成由MgO組成的保護(hù)膜28。電介質(zhì)層27具有例如2層的電介質(zhì)層27a、27b。而且，掃描電極24以及維護(hù)電極25分別由透明電極24a、25a以及與該透明電極24a、25a電氣連接的由Cr/Cu/Cr或者Ag等組成的總線電極24b、25b構(gòu)成。另外，雖然沒有圖示，但是在顯示電極26之間，形成與顯示電極26平行的多列的作為遮光膜的黑帶。
又，背面面板22是，在與前面?zhèn)鹊幕?3相對設(shè)置的背面?zhèn)鹊幕?9上，在垂直于顯示電極26的方向上形成地址電極30，同時(shí)形成電介質(zhì)層31，使其覆蓋其地址電極30。然后，在地址電極30之間的電介質(zhì)層31上形成與地址電極30平行的帶狀的多個(gè)隔板32，同時(shí)在該隔板32間的側(cè)面以及電介質(zhì)層31的表面形成熒光體層33。而且，為了進(jìn)行彩色顯示，所述熒光體層33，通常按照紅、綠、藍(lán)三色的順序依次設(shè)置。
前面面板21與背面面板22夾著微小的放電空間將基板23、29相對設(shè)置，并且使其顯示電極26與地址電極30互相垂直，同時(shí)采用密封構(gòu)件將周圍封閉。將氖(Ne)以及氙(Xe)等混合，作為放電氣體用66500Pa(500Torr)左右的壓力封入放電空間以構(gòu)成PDP。
因此，PDP的放電空間被隔板32分隔成多個(gè)區(qū)域，而且，將顯示電極26設(shè)置在該隔板32間以形成作為發(fā)光像素區(qū)域的多個(gè)放電單元，同時(shí)將顯示電極26與地址電極30設(shè)置成相互垂直。
在圖2、圖3中，放大表示出前面面板21的一個(gè)放電單元的部分。如圖2、3所示，電介質(zhì)層27是由形成于前面?zhèn)然?3以覆蓋顯示電極26的下層電介質(zhì)層27a、以及形成于放電空間一側(cè)以覆蓋在下層電介質(zhì)層27a之上且軟化點(diǎn)不同于下層電介質(zhì)層27a的上層電介質(zhì)層27b構(gòu)成。而且，在電介質(zhì)層27的電介質(zhì)層27b的表面上，對于每個(gè)放電單元形成凹部27c。該凹部27c是通過對于每個(gè)放電單元只挖出上層的電介質(zhì)層27b而形成，也可以通過使凹部27的底部為下層的電介質(zhì)層27a而形成。還有，最好是形成上層的電介質(zhì)層27b的軟化點(diǎn)低于下層的電介質(zhì)層27a。再有，凹部27c位于隔板32(圖1)的內(nèi)側(cè)，例如，在至少離隔板32(圖1)20μm的位置形成。
這里，該電介質(zhì)層27是采用燒結(jié)的方法形成的玻璃燒結(jié)體(電介質(zhì)層)，作為所含的玻璃粉末的成分，可以列舉出例如ZnO-B2O3-SiO2系的混合物、PbO-B2O3-SiO2系的混合物、PbO-B2O3-SiO2-Al2O3系的混合物、PbO-ZnO-B2O3-SiO2系的混合物、Bi2O3-B2O3-SiO2系的混合物等。
又，最好是，上層電介質(zhì)層27b的軟化點(diǎn)低于下層的電介質(zhì)層27a的軟化點(diǎn)，但高于上層電介質(zhì)層27b形成之后保護(hù)膜28形成時(shí)的溫度和密封、排氣低溫干燥的溫度。這是為了防止形成的上層的電介質(zhì)層27b因?yàn)橐院蟮臒崽幚矶a(chǎn)生再軟化。
例如，保護(hù)膜28形成時(shí)的溫度和密封、排氣低溫干燥時(shí)的溫度為500℃左右的高溫的情況下，要求上層的電介質(zhì)層27b的軟化點(diǎn)高于500℃，這種情況下，例如將下層電介質(zhì)層27a的軟化點(diǎn)設(shè)為570℃～600℃，將上層電介質(zhì)層27b的軟化點(diǎn)設(shè)為540℃～570℃。這里，軟化點(diǎn)的調(diào)整通過更改PbO的組成比以及SiO2的組成比進(jìn)行。一般情況下，提高PbO的組成比，則軟化點(diǎn)將降低，另外，降低SiO2的組成比，則同樣軟化點(diǎn)將降低。作為軟化點(diǎn)接近600℃的玻璃粉末，有例如將整體作為100重量％，氧化鉛(PbO)設(shè)定為45重量％～65重量％、氧化硼(B2O3)設(shè)定為10重量％～30重量％、氧化硅(SiO2)設(shè)定為10重量％～30重量％、氧化鈣(CaO)作為添加物設(shè)定為1重量％～10重量％、氧化鋁(Al2O3)設(shè)定為0重量％～3重量％的組成，對此為了使軟化點(diǎn)下降30℃，可以通過使PbO的重量％下降5％～10％實(shí)現(xiàn)。
又，保護(hù)膜28形成時(shí)的溫度以及密封、排氣低溫干燥時(shí)的溫度假設(shè)為400℃左右的溫度的情況下，上層的電介質(zhì)層7b的軟化點(diǎn)最好是400℃以上，由于可以使上層電介質(zhì)層27b與下層的電介質(zhì)層27a的軟化點(diǎn)的溫度差變大，有利于本發(fā)明取得良好的效果。這種情況下，例如將上層電介質(zhì)層27b的軟化點(diǎn)取400℃～500℃，將下層電介質(zhì)層27a的軟化點(diǎn)取為500℃～600℃。這里，作為軟化點(diǎn)為400℃～500℃的玻璃粉末的成分，可以通過提高PbO的組成比，或者降低SiO2的組成比制作，例如，設(shè)將整體作為100重量％，氧化鉛(PbO)設(shè)定為55重量％～85重量％、氧化硼(B2O3)設(shè)定為10重量％～30重量％、氧化硅(SiO2)為1重量％～20重量％、氧化鈣(CaO)作為添加物設(shè)定為1重量％～10重量％、氧化鋁(Al2O3)設(shè)定為0重量％～3重量％等。與上述情況相反，軟化點(diǎn)為500℃～600℃的玻璃粉末的成分可以通過降低PbO的組成比或者提高SiO2的組成比進(jìn)行制作，例如，將整體作為100重量％，氧化鉛(PbO)設(shè)定為45重量％～65重量％、氧化硼(B2O3)設(shè)定為10重量％～30重量％、氧化硅(SiO2)設(shè)定為10重量％～30重量％、氧化鈣(CaO)作為添加物設(shè)定為1重量％～10重量％、氧化鋁(Al2O3)設(shè)定為0重量％～3重量％的組成。本發(fā)明中使用以上所述的軟化點(diǎn)不同的玻璃粉末形成軟化點(diǎn)不同的電介質(zhì)層。
亦即在本發(fā)明中，在電介質(zhì)層27的放電空間一側(cè)的表面，對于每個(gè)形成發(fā)光像素區(qū)域的放電單元形成凹部27c。圖3表示說明本發(fā)明中的等離子體顯示裝置的效果的概略構(gòu)成圖。如圖3所示，由于電介質(zhì)層27的膜厚變薄的凹部27c的底部的容量變大，放電用的電荷在凹部27c的底部集中形成，可以如圖3A所示那樣限制放電區(qū)域。
圖4是對已有的等離子體顯示裝置的放電狀況進(jìn)行說明的概略構(gòu)成圖。如圖4所示，在沒有凹部的已有的構(gòu)造中，由于電介質(zhì)層27的膜厚是固定的，容量在電介質(zhì)層的表面上是固定的，如圖4B所示，放電擴(kuò)展到電極附近。因此，產(chǎn)生遮蔽向前面?zhèn)韧干涞墓饩€的部分熒光體發(fā)光因而效率降低的問題、以及電荷在鄰接單元的部分都形成因而與鄰接單元之間容易發(fā)生誤放電的問題。
而且，作為在電介質(zhì)層27上形成凹部27c的方法有以下列舉的形成方法，例如，將電介質(zhì)層27作為下層的電介質(zhì)層27a與上層的電介質(zhì)層27b共2層，在形成下層的電介質(zhì)層27a之后，將有孔部的上層的電介質(zhì)層27b層疊在其上。在這種情況下，如果上層的電介質(zhì)層27b的燒結(jié)溫度與下層的電介質(zhì)層27a的燒結(jié)溫度相同，將發(fā)生上層的電介質(zhì)層27b燒結(jié)時(shí)，下層的電介質(zhì)層27a也再次軟化，形成于上層的電介質(zhì)層27b的孔部的形狀難以保持，電介質(zhì)層27的凹部27c的形狀變壞的問題。
但是，如果采用本發(fā)明，由于是使位于放電空間一側(cè)的上層的電介質(zhì)層27b的軟化點(diǎn)比覆蓋顯示電極的下層的電介質(zhì)層27a低的結(jié)構(gòu)，在燒結(jié)下層的電介質(zhì)27a之后的對上層的電介質(zhì)層27b進(jìn)行涂布、干燥以及燒結(jié)階段，下層的電介質(zhì)27將不再軟化，可以形成形狀穩(wěn)定的凹部27c。
為了使PDP達(dá)到高效率，必須控制放電，盡量抑制在光向前面?zhèn)韧干浔徽诒蔚牟糠值姆烹?。作為提高該效率的方法之一，有已知的例如特開平8-250029號公報(bào)上記載的增加金屬行電極上的電介質(zhì)膜厚并且利用金屬行電極抑制被屏蔽部分的發(fā)光的方法。然而在上述已有的構(gòu)造中，雖然抑制了垂直于電極的方向的發(fā)光，但是無法抑制與電極平行的方向的放電，放電范圍一直擴(kuò)大到隔板附近。在這種情況下，面臨因隔板導(dǎo)致電子溫度降導(dǎo)致效率下降的課題。而且已知一旦在隔板附近放電，將使隔板帶負(fù)電，并且已知因此將吸引正離子而受到離子轟擊并被侵蝕。由于這些原因，受侵蝕的隔板將堆積在熒光體上，有可能使特性劣化。
但是，如果采用本發(fā)明，通過對于每個(gè)放電單元形成凹部27c，而且在隔板32的內(nèi)側(cè)上形成凹部27c，可以只對凹部27c的底部控制放電，并且能夠抑制隔板32附近的放電。
即如果采用本發(fā)明，通過在非發(fā)光區(qū)域使膜厚較厚的上層的電介質(zhì)層27b的介電常數(shù)小于下層的電介質(zhì)層27a，可以減小該區(qū)域的容量，并且可以抑制在那里積蓄的電荷。另外，由于一旦減小容量，在該部分的放電開始電壓也將隨其上升，因此在該部分的放電更加受到抑制。也就是說，放電被限制在凹部27c的底部，可以大大抑制與鄰接單元之間的交調(diào)失真。
又，作為本發(fā)明可以適用的凹部27c的形狀，除了上述形狀以外，也可以是圓柱、圓錐、三角柱、三角錐等形狀，并非只局限于上述實(shí)施形態(tài)。
以下對PDP的制造方法進(jìn)行說明。
首先是采用濺射法在作為前面面板21的前面?zhèn)鹊幕?3的玻璃基板上均勻形成作為ITO和SnO2等構(gòu)成的掃描電極24、維護(hù)電極25的透明電極材料膜的工序。這時(shí)，透明電極材料膜的膜厚約為100nm。然后，在透明電極材料膜上涂布膜厚約為1.5～2.0μm的以酚醛清漆樹脂為主要成分的正保護(hù)層(resist)，通過所希望的圖案的曝光干板進(jìn)行紫外線曝光，使保護(hù)層硬化。接著，采用堿性水溶液進(jìn)行顯影，形成保護(hù)層圖案。其后，使基板浸泡在以鹽酸為主要成分的溶液中進(jìn)行蝕刻，將不要的部分去除，最后，剝離保護(hù)層形成透明電極。
接著，是形成總線電極24b、25b的工序。對由包含RuO2等構(gòu)成的黑色顏料、玻璃料(PbO-B2O3-SiO2系、Bi2O3-B2O3-SiO2系等)的黑色電極材料膜以及包含Ag等導(dǎo)電性材料、玻璃料(PbO-B2O3-SiO2系、Bi2O3-B2O3-SiO2系等)的金屬電極材料膜所構(gòu)成的電極材料膜進(jìn)行涂布、干燥。其后，通過所希望的圖案的曝光干板進(jìn)行紫外線曝光，使曝光部硬化，其后，采用堿性顯影液(0.3wt％的碳酸鈉水溶液)進(jìn)行顯影，形成所希望的圖案。其后，在空氣中以玻璃材料的軟化點(diǎn)以上的溫度進(jìn)行燒結(jié)，總線電極24a、25a固定在作為掃描電極24、維護(hù)電極25的透明電極上。通過這樣在透明電極上形成總線電極，可以形成前面面板21的顯示電極26。
接著是形成電介質(zhì)層27的工序。通過用例如采用染色涂布法將含有玻璃粉末、粘合樹脂以及溶劑的糊狀的含玻璃粉末的組成物(玻璃糊組成物)涂布在形成顯示電極26的玻璃基板的表面上并進(jìn)行干燥、燒結(jié)的方法，在玻璃基板的表面上形成電介質(zhì)層27。而且，也可以將玻璃糊組成物涂布在支持薄膜上，烘干涂膜形成薄膜形材料層，用在支持薄膜上形成的薄膜形材料層(薄片狀電介質(zhì)材料)，形成由2層構(gòu)成的電介質(zhì)層。在這種情況下，電介質(zhì)層27在剝離薄片狀電介質(zhì)材料的覆蓋膜之后，邊重疊薄片狀電介質(zhì)材料邊從支持薄膜一側(cè)用加熱滾筒壓接，將其固定在玻璃基板上，以使電介質(zhì)層的表面與玻璃基板相連接。其后，從固定在玻璃基板上的電介質(zhì)材料層上剝?nèi)ブС直∧ぁ＿@時(shí)，作為壓接使用的手段，也可以是除加熱滾筒以外的沒有加熱的滾筒。另外，作為在電介質(zhì)層27的放電空間一側(cè)表面上形成凹部27c的方法，有以下列舉的方法，即，將電介質(zhì)層27設(shè)置成例如2層構(gòu)造，首先在形成下層的電介質(zhì)層27a之后，將對玻璃糊組成物添加感光材料制作的感光玻璃糊組成物涂布在下層的電介質(zhì)層27a上，作為上層的電介質(zhì)層27b，并通過曝光、顯影然后進(jìn)行燒結(jié)的方法在該上層的電介質(zhì)層27b上形成孔部，從而使電介質(zhì)層27具有凹部。這里，通過對上層的電介質(zhì)層27a與下層的電介質(zhì)層27b中所含的玻璃粉末分別采用不同的軟化點(diǎn)的方法，使下層的電介質(zhì)層27a在上層的電介質(zhì)層27b燒結(jié)時(shí)不會(huì)軟化。
接著是形成保護(hù)膜28的工序。通過利用電子束蒸鍍法使MgO(氧化鎂)在電介質(zhì)層27上均勻成膜，形成膜厚約為600mm的保護(hù)膜28，可以得到具有上層電介質(zhì)27a的軟化點(diǎn)與下層的電介質(zhì)27b的軟化點(diǎn)不同的所希望的立體構(gòu)造的電介質(zhì)層27的PDP的前面面板21。
以下對PDP的背面面板22的制作方法進(jìn)行說明。對于采用浮法制造的作為背面面板22的基板29的剝離基板，與前面面板21的總線電極24b、25b同樣形成地址電極30。在其上與前面面板21同樣形成電介質(zhì)層31，并且在其上形成隔板32。
作為該電介質(zhì)層31形成時(shí)所用的材料，可以采用通過配制含有玻璃粉末、粘合樹脂以及溶劑的糊狀的玻璃粉末含有組成物(玻璃糊組成物)，將該玻璃糊組成物涂布在支持薄膜上后，烘干涂膜形成薄膜形材料層的材料。通過利用與前面面板21同樣的方法，將支持薄膜上形成的薄膜形材料層固定在形成地址電極30的玻璃基板的表面，并燒結(jié)采用該復(fù)制法固定的薄膜形材料層，可以在玻璃基板的表面形成電介質(zhì)層31。另外，即使在形成隔板32時(shí)，同樣可以在這些材料以及采用復(fù)制法形成薄膜形材料層時(shí)使用。
又，作為使隔板32形成圖案的方法，可以采用照相平板印刷(photolithograph)和噴沙方法形成。
接著，通過涂布對應(yīng)R、G、B的熒光體并進(jìn)行燒結(jié)，在隔板32之間形成熒光體層32，可以此以得到背面面板22。
然后，使這樣制作的前面面板23與背面面板22位置一致相對配置以使各個(gè)顯示電極26與地址電極30大致呈直角交叉，并利用密封材料使其周圍封閉并貼合在一起。其后，將由隔板32分隔的空間中的氣體抽出，然后將Ne、Xe等的放電氣體封入并密閉氣體空間，這樣，就可以完成圖1所示的PDP構(gòu)成。
產(chǎn)業(yè)上利用的可行性綜上所述，如果采用本發(fā)明的等離子體顯示裝置，通過將電介質(zhì)層設(shè)置為軟化點(diǎn)不同的至少2層的構(gòu)造，且在所述電介質(zhì)層的放電空間一側(cè)的表面上，對于所述的每個(gè)放電單元形成凹部，可以控制放電，而且可以達(dá)到提高效率以及提高圖像質(zhì)量的目的。
權(quán)利要求
1.一種等離子體顯示裝置，其特征在于，具有相對配置，以在基板間形成利用隔板分隔的放電空間的一對前面?zhèn)纫约氨趁鎮(zhèn)鹊幕濉⒃谒銮懊鎮(zhèn)然迳吓帕行纬?，以在所述隔板間形成放電單元的多個(gè)顯示電極、在前面?zhèn)然迳闲纬?，以覆蓋該顯示電極的電介質(zhì)層、以及利用所述顯示電極間的放電而發(fā)光的熒光體層，所述電介質(zhì)層采用軟化點(diǎn)不同的至少2層的結(jié)構(gòu)，而且在所述電介質(zhì)層的放電空間一側(cè)表面，對于每一所述放電單元形成凹部。
2.根據(jù)權(quán)利要求1記載的等離子體顯示裝置，其特征在于，電介質(zhì)層是由在前面?zhèn)鹊幕迳闲纬?，以覆蓋顯示電極的下層電介質(zhì)層、以及在放電空間一側(cè)形成以覆蓋其上，且軟化點(diǎn)與下層的電介質(zhì)層不同的上層的電介質(zhì)層構(gòu)成，對于每一放電單元只挖去上層的電介質(zhì)層而形成電介質(zhì)層的凹部。
3.根據(jù)權(quán)利要求2記載的等離子體顯示裝置，其特征在于，對于每個(gè)放電單元挖去上層的電介質(zhì)層，以使凹部的底面為下層的電介質(zhì)層。
4.根據(jù)權(quán)利要求1記載的等離子體顯示裝置，其特征在于，使放電空間一側(cè)的位于上層的電介質(zhì)層的軟化點(diǎn)比覆蓋顯示電極的下層的電介質(zhì)層低。
5.一種等離子體顯示裝置，其特征在于，具有相對配置，以在基板間形成利用隔板分隔的放電空間的一對前面?zhèn)纫约氨趁鎮(zhèn)鹊幕?、在所述前面?zhèn)然迳吓帕行纬桑栽谒龈舭彘g形成放電單元的多個(gè)顯示電極、在前面?zhèn)然迳闲纬?，以覆蓋該顯示電極的電介質(zhì)層、以及利用所述顯示電極間的放電而發(fā)光的熒光體層，且所述電介質(zhì)層由在所述前面?zhèn)鹊幕迳闲纬?，以覆蓋顯示電極的下層電介質(zhì)層和在放電空間一側(cè)形成以覆蓋于其上，且軟化點(diǎn)低于下層電介質(zhì)層的上層電介質(zhì)層構(gòu)成，并且在所述上層的電介質(zhì)層表面，在每一所述放電單元上形成凹部。
6.根據(jù)權(quán)利要求1或5記載的等離子體顯示裝置，其特征在于，電介質(zhì)層是由從ZnO-B2O3-SiO2系的混合物、PbO-B2O3-SiO2系的混合物、PbO-B2O3-SiO2-Al2O3系的混合物、PbO-ZnO-B2O3-SiO2系的混合物、Bi2O3-B2O3-SiO2系的混合物中選出的玻璃粉末構(gòu)成的。
全文摘要
一種能夠提高效率以及提高圖像質(zhì)量的等離子體顯示裝置。具有相對配置，以在基板間形成利用隔板分隔的放電空間的一對前面?zhèn)纫约氨趁鎮(zhèn)鹊幕濉⒃谇懊婷姘鍌?cè)的基板上排列形成，以在隔板間形成放電單元的由掃描電極以及維護(hù)電極組成的多個(gè)顯示電極、在前面?zhèn)然迳闲纬?，以覆蓋該顯示電極的電介質(zhì)層、以及利用所述顯示電極間的放電而發(fā)光的熒光層，而且將電介質(zhì)層設(shè)置為軟化點(diǎn)不同的至少2層的構(gòu)造，且在電介質(zhì)層的放電空間一側(cè)的表面，對于每個(gè)放電單元形成凹部，抑制放電擴(kuò)大，同時(shí)穩(wěn)定地形成凹部。
文檔編號H01J17/04GK1515017SQ0380038
公開日2004年7月21日 申請日期2003年3月5日 優(yōu)先權(quán)日2002年3月6日
發(fā)明者藤谷守男 申請人:松下電器產(chǎn)業(yè)株式會(huì)社