一種陣列基板和顯示裝置的制造方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實(shí)用新型涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域，具體地，涉及一種陣列基板和顯示裝置。
【背景技術(shù)】
[0002]隨著顯示技術(shù)的發(fā)展和社會(huì)的進(jìn)步，液晶顯示技術(shù)已經(jīng)越來(lái)越廣泛的被人們所應(yīng)用，在工業(yè)生產(chǎn)、人民生活中起著至關(guān)重要的作用。
[0003]液晶顯示模式可以分成TN(twisted nematic,扭曲向列)模式，VA(verticalaligned，垂直取向)模式，水平電場(chǎng)(horizontal electrical field)模式。其中，水平電場(chǎng)模式包括，面內(nèi)開(kāi)關(guān)(IPS，in-plane switching)模式和邊緣場(chǎng)開(kāi)關(guān)(FFS, Fringe fieldswitching)模式。FFS模式液晶顯示裝置的視角寬、透過(guò)率高，得到了廣泛應(yīng)用。
[0004]對(duì)于FFS模式，液晶顯示面板包括陣列基板和彩膜基板，陣列基板包括多條柵線、多條數(shù)據(jù)線和多個(gè)像素單元，柵線與數(shù)據(jù)線垂直交叉，相鄰的柵線與相鄰的數(shù)據(jù)線限定像素單元，像素單元包括薄膜晶體管、像素電極、公共電極，其中公共電極位于像素電極的上方，公共電極上形成有狹縫，像素電極和公共電極之間設(shè)置有絕緣層，數(shù)據(jù)線信號(hào)電壓通過(guò)薄膜晶體管寫(xiě)入像素電極，整塊公共電極覆蓋所有的像素單元，并在非顯示區(qū)域與公共電極線連接。
[0005]公共電極與數(shù)據(jù)線或柵線至少局部會(huì)有所重疊，為了減小數(shù)據(jù)線或柵線與公共電極之間的寄生電容，公共電極與數(shù)據(jù)線或柵線之間的絕緣層的厚度會(huì)相應(yīng)增大，這樣也同時(shí)降低了像素電極和公共電極之間形成的儲(chǔ)存電容，會(huì)造成像素電極的電壓在一幀的顯示時(shí)間內(nèi)出現(xiàn)變化，影響圖像的顯示效果。
【實(shí)用新型內(nèi)容】
[0006]本實(shí)用新型針對(duì)現(xiàn)有技術(shù)中存在的上述技術(shù)問(wèn)題，提供一種陣列基板和顯示裝置。該陣列基板中存儲(chǔ)電極線與像素電極之間能形成存儲(chǔ)電容，該存儲(chǔ)電容能夠?qū)搽姌O與像素電極之間形成的存儲(chǔ)電容進(jìn)行補(bǔ)償，從而能夠避免由于第一絕緣層的厚度增大所導(dǎo)致的公共電極與像素電極之間的存儲(chǔ)電容降低，進(jìn)而能夠增加像素電極保持電荷的能力，使像素電極的電壓在一幀畫(huà)面的顯示時(shí)間內(nèi)不會(huì)出現(xiàn)變化，保證了畫(huà)面的顯示效果。
[0007]本實(shí)用新型提供一種陣列基板，包括公共電極線、交叉設(shè)置的多條柵線和多條數(shù)據(jù)線，由相鄰的所述柵線和相鄰的所述數(shù)據(jù)線限定的像素單元，所述像素單元包括像素電極和公共電極，所述像素電極和所述公共電極之間設(shè)置有第一絕緣層，所述像素單元還包括存儲(chǔ)電極線，所述存儲(chǔ)電極線與所述像素電極至少部分重疊，所述存儲(chǔ)電極線與所述像素電極之間設(shè)置有第二絕緣層，所述存儲(chǔ)電極線和所述公共電極分別與所述公共電極線連接。
[0008]優(yōu)選地，所述像素單元的分布區(qū)域?yàn)轱@示區(qū)，所述像素單元的分布區(qū)域以外的區(qū)域?yàn)榉秋@示區(qū)；所述公共電極、所述存儲(chǔ)電極線、所述第一絕緣層和所述第二絕緣層還分別延伸至所述非顯示區(qū)；
[0009]在所述非顯示區(qū)設(shè)置有預(yù)設(shè)區(qū)域，所述預(yù)設(shè)區(qū)域內(nèi)設(shè)置有存儲(chǔ)電極襯墊，所述存儲(chǔ)電極線與所述存儲(chǔ)電極襯墊連接，所述公共電極線在所述預(yù)設(shè)區(qū)域與所述公共電極和所述存儲(chǔ)電極襯墊分別連接。
[0010]優(yōu)選地，所述公共電極位于所述像素電極的上方，所述公共電極線與所述數(shù)據(jù)線采用相同的材料，并與所述數(shù)據(jù)線同層設(shè)置，所述公共電極線、所述數(shù)據(jù)線和所述像素電極位于所述第二絕緣層上，所述柵線位于所述像素電極的下方，所述存儲(chǔ)電極線和所述存儲(chǔ)電極襯墊與所述柵線采用相同的材料，并與所述柵線同層設(shè)置；
[0011]所述第一絕緣層在對(duì)應(yīng)所述預(yù)設(shè)區(qū)域的區(qū)域開(kāi)設(shè)有第一過(guò)孔，所述公共電極通過(guò)所述第一過(guò)孔與所述公共電極線連接；所述第二絕緣層在對(duì)應(yīng)所述預(yù)設(shè)區(qū)域的區(qū)域開(kāi)設(shè)有第二過(guò)孔，所述公共電極線通過(guò)所述第二過(guò)孔與所述存儲(chǔ)電極襯墊連接。
[0012]優(yōu)選地，所述公共電極位于所述像素電極的上方，所述柵線位于所述像素電極的下方，所述存儲(chǔ)電極線、所述存儲(chǔ)電極襯墊和所述公共電極線與所述柵線采用相同的材料，并與所述柵線同層設(shè)置，且所述公共電極線與所述存儲(chǔ)電極襯墊連接為一體；
[0013]所述第一絕緣層和所述第二絕緣層在對(duì)應(yīng)所述預(yù)設(shè)區(qū)域的區(qū)域開(kāi)設(shè)有第三過(guò)孔，所述公共電極通過(guò)所述第三過(guò)孔與所述存儲(chǔ)電極襯墊連接。
[0014]優(yōu)選地，所述存儲(chǔ)電極線包括多條，多條所述存儲(chǔ)電極線均與所述柵線的延伸方向平行；每條所述存儲(chǔ)電極線對(duì)應(yīng)一行所述像素電極。
[0015]優(yōu)選地，所述預(yù)設(shè)區(qū)域包括多個(gè)，相應(yīng)地，所述存儲(chǔ)電極襯墊也包括多個(gè)，每個(gè)所述存儲(chǔ)電極襯墊對(duì)應(yīng)連接一條所述存儲(chǔ)電極線；
[0016]所述公共電極線包括多條，每條所述公共電極線至少對(duì)應(yīng)連接一個(gè)所述預(yù)設(shè)區(qū)域的所述存儲(chǔ)電極襯墊，并在連接所述存儲(chǔ)電極襯墊的所述預(yù)設(shè)區(qū)域與所述公共電極連接。
[0017]優(yōu)選地，所述預(yù)設(shè)區(qū)域包括多個(gè)，相應(yīng)地，所述存儲(chǔ)電極襯墊也包括多個(gè)，每個(gè)所述存儲(chǔ)電極襯墊對(duì)應(yīng)連接一條所述存儲(chǔ)電極線；
[0018]所述公共電極線為一條，所述公共電極線連接每一個(gè)所述預(yù)設(shè)區(qū)域的所述存儲(chǔ)電極襯墊，并在每一個(gè)所述預(yù)設(shè)區(qū)域與所述公共電極連接。
[0019]優(yōu)選地，每個(gè)所述預(yù)設(shè)區(qū)域均位于相鄰的兩條所述柵線的延長(zhǎng)線之間，且每個(gè)所述預(yù)設(shè)區(qū)域?qū)?yīng)一行所述像素電極；每條所述公共電極線的延伸方向均與所述柵線的延伸方向平行。
[0020]優(yōu)選地，每個(gè)所述預(yù)設(shè)區(qū)域均位于相鄰的兩條所述柵線的延長(zhǎng)線之間，且每個(gè)所述預(yù)設(shè)區(qū)域?qū)?yīng)一行所述像素電極；所述公共電極線的延伸方向與所述數(shù)據(jù)線的延伸方向平行。
[0021]優(yōu)選地，位于相對(duì)上層的所述公共電極在與位于相對(duì)下層的所述像素電極相對(duì)應(yīng)的區(qū)域設(shè)置有狹縫。
[0022]優(yōu)選地，所述第一絕緣層的厚度范圍為1-3 μπι。
[0023]本實(shí)用新型還提供一種顯示裝置，包括上述陣列基板。
[0024]本實(shí)用新型的有益效果:本實(shí)用新型所提供的陣列基板，通過(guò)設(shè)置存儲(chǔ)電極線，并使存儲(chǔ)電極線與像素電極至少部分重疊，使存儲(chǔ)電極線與像素電極之間能形成存儲(chǔ)電容，該存儲(chǔ)電容能夠?qū)搽姌O與像素電極之間形成的存儲(chǔ)電容進(jìn)行補(bǔ)償，從而能夠避免由于第一絕緣層的厚度增大所導(dǎo)致的公共電極與像素電極之間的存儲(chǔ)電容降低，進(jìn)而能夠增加像素電極保持電荷的能力，使像素電極的電壓在一幀畫(huà)面的顯示時(shí)間內(nèi)不會(huì)出現(xiàn)變化，保證了畫(huà)面的顯示效果。
[0025]本實(shí)用新型所提供的顯示裝置，通過(guò)采用上述陣列基板，提升了該顯示裝置的畫(huà)面顯示質(zhì)量。
【附圖說(shuō)明】
[0026]圖1為本實(shí)用新型實(shí)施例1中陣列基板的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0027]圖2為圖1中的陣列基板沿A1A2剖切線的局部結(jié)構(gòu)剖視圖；
[0028]圖3為圖1中的陣列基板沿B1B2剖切線的局部結(jié)構(gòu)剖視圖；
[0029]圖4為本實(shí)用新型實(shí)施例2中陣列基板的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0030]圖5為圖4中的陣列基板沿B1B2剖切線的局部結(jié)構(gòu)剖視圖。
[0031]其中的附圖標(biāo)記說(shuō)明:
[0032]1.柵線；2.數(shù)據(jù)線；3.像素單元；31.像素電極；32.公共電極；321.狹縫；33.存儲(chǔ)電極線；34.薄膜晶體管；4.第一絕緣層；5.第二絕緣層；6.公共電極線；7.顯示區(qū)；
8.非顯示區(qū)；81.預(yù)設(shè)區(qū)域；9.存儲(chǔ)電極襯墊；10.第一過(guò)孔；11.第二過(guò)孔；12.第三過(guò)孔；13.基板。
【具體實(shí)施方式】
[0033]為使本領(lǐng)域的技術(shù)人員更好地理解本實(shí)用新型的技術(shù)方案，下面結(jié)合附圖和【具體實(shí)施方式】對(duì)本實(shí)用新型所提供的一種陣列基板和顯示裝置作進(jìn)一