一種陣列基板的制備方法
【技術領域】
[0001]本發(fā)明涉及顯示技術領域，特別涉及陣列基板的制備方法。
【背景技術】
[0002]薄膜晶體管液晶顯不器(ThinFilm Transistor Liquid Crystal Display，簡稱TFT-LCD)具有體積小、功耗低、無輻射等特點，在當前的平板顯示器市場占據(jù)了主導地位。高級超維場轉換技術(ADvanced Super Dimens1n Switch，簡稱ADS)通過同一平面內像素間電極產(chǎn)生邊緣電場，使電極間以及電極正上方的取向液晶分子都能在平面方向(平行于基板)產(chǎn)生旋轉轉換，在增大視角的同時提高液晶層的透光效率。
[0003]ITOdndium Tin Oxide，銦錫氧化物半導體)薄膜是液晶顯示器中重要的組成部分，在液晶顯示器面板的制備工藝中，多采用透明導電薄膜ITO來作為公共電極和像素電極來提高液晶面板的透過率。
[0004]如圖1所示，現(xiàn)有技術中在ITO薄膜圖案化的過程中，對在光刻膠圖案下的ITO薄膜圖案進行刻蝕，光刻膠兩側的ITO容易發(fā)生ITO殘留，從而影響液晶顯示面板的顯示特性。
【發(fā)明內容】
[0005]本發(fā)明提供一種陣列基板的制備方法，用以解決現(xiàn)有技術中在ITO薄膜圖案化的過程中，對在光刻膠圖案下的ITO薄膜圖案進行刻蝕時，光刻膠兩側的ITO薄膜容易發(fā)生殘留，從而影響液晶顯示面板的顯示特性的問題。
[0006]本發(fā)明實施例提供一種陣列基板的制備方法，在襯底基板上形成ITO薄膜圖形的步驟包括:
[0007]在銦錫氧化物半導體ITO薄膜上形成預定的光刻膠圖案；
[0008]采用等離子處理工藝對裸露的所述ITO薄膜表面進行處理，使所述ITO薄膜表面析出金屬In;
[0009]對所述ITO薄膜進行刻蝕，以形成ITO圖形。
[0010]由于本發(fā)明實施例在對ITO薄膜進行刻蝕之前，使ITO薄膜析出金屬In，金屬In刻蝕速率更高，因此能加快ITO薄膜的刻蝕速率，減少了ITO薄膜刻蝕的殘留物。
[0011]可選的，在銦錫氧化物ITO薄膜上形成預定的光刻膠圖案，包括:
[0012]在襯底基板上依次形成金屬層和所述ITO薄膜；
[0013]在所述ITO薄膜上形成光刻膠層；
[0014]利用半灰階掩膜版，通過一次構圖工藝形成所述光刻膠層的完全去除區(qū)，部分保留區(qū)和完全保留區(qū)。
[0015]現(xiàn)有技術中采用一次灰階掩膜工藝來同時制備公共電極和柵極時存在ITOtail較大的問題，即柵線下會有部分ITO向柵線兩側突出，從而導致相鄰的兩條柵線之間的距離不能太近以避免短路現(xiàn)象的發(fā)生，但是這樣會造成陣列基板的開口率降低，增加整個顯示面板的功耗。本發(fā)明實施例采用一次構圖工藝可以改善液晶面板的長期信賴性，并且可以縮小陣列基板相鄰電極之間的距離，從而提高顯示面板的開口率，降低功耗。
[0016]可選的，在對所述ITO薄膜表面進行刻蝕，以形成ITO圖形后，還包括:
[0017]灰化工藝去除所述部分保留區(qū)中的光刻膠，并減薄所述完全保留區(qū)中的光刻膠的厚度；
[0018]對所述金屬層進行第二次刻蝕以形成柵極圖形。
[0019]可選的，采用等離子處理工藝對裸露的所述ITO薄膜表面進行處理，包括:
[0020]用等離子混合氣體對裸露的所述ITO薄膜表面進行處理。
[0021]本發(fā)明實施例用等離子氣體對ITO薄膜表面進行處理，因而可以使ITO薄膜發(fā)生霧化，析出更多的金屬In，增加ITO刻蝕液對T1薄膜的刻蝕速率。
[0022]可選的，用等離子混合氣體對裸露的所述ITO薄膜表面進行處理之前，還包括:
[0023]對所述ITO薄膜表面上的金屬層進行第一次刻蝕。
[0024]可選的，所述等離子混合氣體，包括:
[0025]氫氣、氬氣和氦氣的等離子混合氣體。
[0026]本發(fā)明實施例提供的等離子氣體中包含的氣體的種類可以使ITO薄膜析出更多的金屬In，能加快ITO薄膜的刻蝕速率。
[0027]可選的，用于生成所述等離子混合氣體的氫氣的流量為300?10000標況毫升/分鐘，氬氣的流量為300?10000標況暈升/分鐘，氦氣的流量為30?1000標況暈升/分鐘。
[0028]由于本發(fā)明實施例提供了用于生成等離子混合氣體的氣體的流量，因此生成的等離子氣體的各種氣體的比例適合使ITO薄膜析出更多的金屬In，能加快ITO薄膜的刻蝕速率。
[0029]可選的，用等離子氣體對所述ITO薄膜表面進行處理的條件為:
[0030]處理所述ITO薄膜表面時的溫度為25度；
[0031]所述等離子混合氣體的間距為900?1200密位，所述等離子混合氣體的壓力為100?3000毫托。
[0032]本發(fā)明實施例提供了用等離子混合氣體對ITO薄膜表面進行處理的更適宜的條件，因此可以使ITO薄膜表面析出更多的金屬In，因此在對ITO薄膜表面處理后，能加快ITO薄膜的刻蝕速率。
【附圖說明】
[0033]圖1為現(xiàn)有技術陣列基板的ITO刻蝕方法的效果示意圖；
[0034]圖2為本發(fā)明實施例提供的一種陣列基板的制備方法示意圖；
[0035]圖3為本發(fā)明實施例陣列基板的制備涉及的陣列基板結構的示意圖；
[0036]圖4為本發(fā)明實施例陣列基板的ITO刻蝕方法的效果示意圖；
[0037]圖5為本發(fā)明實施例提供一種陣列基板的制備方法的完整流程示意圖；
[0038]圖6為本發(fā)明實施例提供一種陣列基板的制備方法效果示意圖。
【具體實施方式】
[0039]為使本發(fā)明實施例的目的、技術方案和優(yōu)點更加清楚，下面將結合本發(fā)明實施例中的附圖，對本發(fā)明實施例中的技術方案進行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實施例是本發(fā)明一部分實施例，而不是全部的實施例?；诒景l(fā)明中的實施例，本領域普通技術人員在沒有作出創(chuàng)造性勞動前提下所獲得的所有其他實施例，都屬于本發(fā)明保護的范圍。
[0040]本發(fā)明實施例提供一種陣列基板的制備方法，在襯底基板上形成ITO薄膜圖形的步驟包括:在銦錫氧化物半導體ITO薄膜上形成預定的光刻膠圖案;采用等離子處理工藝對裸露的所述ITO薄膜表面進行處理，使所述ITO薄膜表面析出金屬In;對所述ITO薄膜表面進行刻蝕，以形成ITO圖形。由于本發(fā)明實施例在對ITO薄膜進行刻蝕之前，使ITO薄膜析出金屬I η，金屬I η刻蝕速率更高，因此能加快ITO薄膜的刻蝕速率，減少了 ITO薄膜刻蝕的殘留物。
[0041]如圖2所示，本發(fā)明實施例提供一種陣列基板的制備方法，在襯底基板上形成ITO薄膜圖形的步驟包括:
[0042]步驟201，在銦錫氧化物半導體ITO薄膜上形成預定的光刻膠圖案；
[0043]步驟202，采用等離子處理工藝對裸露的所述ITO薄膜表面進行處理，使所述ITO薄膜表面析出金屬In;
[0044]步驟203，對所述ITO薄膜表面進行刻蝕，以形成ITO圖形。
[0045]本發(fā)明實施例用于刻蝕陣列基板的IT0(IndiumTin Oxide，銦錫氧化物半導體)薄膜。如圖3所示，本發(fā)明實施例刻蝕ITO薄膜3涉及陣列基板的四部分結構:光刻膠圖案1、金屬層2、ITO薄膜3和玻璃基板4。
[0046]光刻膠圖案I的作用是，保護光刻膠圖案I下面與光刻膠圖案I的形狀相同的金屬層2和ITO薄膜3在進行光刻蝕時不被刻蝕掉。
[0047]其中，本發(fā)明實施例可以通過以下方法形成光刻膠圖案I。
[0048]可選的，在銦錫氧化物ITO薄膜上形成預定的光刻膠圖案I，包括:
[0049]在襯底基板上依次形成金屬層和所述ITO薄膜；
[0050]在所述ITO薄膜上形成光刻膠層；
[0051]利用半灰階掩膜版，通過一次構圖工藝形成所述光刻膠層的完全去除區(qū)，部分保留區(qū)和完全保留區(qū)。
[0052]銦錫氧化物物半導體ITO薄膜3上形成光刻膠圖案I后，去除完全去除區(qū)的光刻膠，對光刻膠圖案I下的金屬層2進行第一次刻蝕。金屬層2與光刻膠圖案I不同的部位會被刻蝕掉，金屬層2下的ITO薄膜3與光刻膠圖案I