一種激光直寫(xiě)曝光機(jī)內(nèi)層對(duì)位精度的測(cè)量方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及激光直寫(xiě)曝光技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種用于激光直寫(xiě)曝光機(jī)內(nèi)層對(duì)位精度的測(cè)量方法。
【背景技術(shù)】
[0002]內(nèi)層對(duì)位精度是衡量PCB激光直寫(xiě)曝光機(jī)性能的一個(gè)重要指標(biāo)，其主要取決于幾個(gè)因素:定位平臺(tái)的精密等級(jí)、圖像處理算法、對(duì)準(zhǔn)相機(jī)CCD的精度，及其他綜合誤差。如果對(duì)位誤差較大，會(huì)導(dǎo)致PCB制板過(guò)程中層間對(duì)位不上。
[0003]當(dāng)前激光直寫(xiě)曝光機(jī)內(nèi)層對(duì)位性能調(diào)試是采用菲林板，壓上干膜，使用LED燈曝光mark作為對(duì)位孔，該方法只能對(duì)單一板厚，并且菲林板只能用一次，不能重復(fù)利用，調(diào)試測(cè)量繁瑣、成本高。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0004]本發(fā)明提供一種在激光直接曝光機(jī)設(shè)備上測(cè)量?jī)?nèi)層對(duì)位精度的方法，能夠有效、快速評(píng)估直寫(xiě)曝光機(jī)的內(nèi)層對(duì)位性能，是直寫(xiě)曝光機(jī)設(shè)備調(diào)試過(guò)程中不可或缺的一步。
[0005]為解決上述技術(shù)問(wèn)題，本發(fā)明采用如下技術(shù)方案:
[0006]一種激光直寫(xiě)曝光機(jī)內(nèi)層對(duì)位精度的測(cè)量方法，包括如下步驟:
[0007]1)使用帶通孔的銅基板，基于銅基板通孔圖制作曝光圖形；
[0008]2)制作正、反面曝光資料；
[0009]3)使用壓膜機(jī)在銅基板的正反兩面壓上干膜；
[0010]4)在銅基板的一面使用直寫(xiě)曝光機(jī)曝光制作好的正面曝光資料，形成與通孔配合的正面標(biāo)記點(diǎn)mark ；
[0011]5)使用對(duì)位(XD相機(jī)，啟用圖形處理算法，將任一通孔及其配合的正面標(biāo)記點(diǎn)mark分別移動(dòng)到CCD中心；
[0012]6)記錄步驟5)所述正面標(biāo)記點(diǎn)mark和通孔圓心的平臺(tái)坐標(biāo)分別為(x:，和(x2，y2)，計(jì)算正面曝光對(duì)位誤差，如下式所示:
[0013]Δ Xj= X fX2
[0014]Λ y ry2
[0015]其中Λ Xi為正面標(biāo)記點(diǎn)mark和通孔圓心的平臺(tái)坐標(biāo)在X方向上的正面曝光對(duì)位誤差，Δ yi為正面標(biāo)記點(diǎn)mark和通孔圓心的平臺(tái)坐標(biāo)在Y方向上的正面曝光對(duì)位誤差；
[0016]7)將銅基板進(jìn)行左右或上下翻面，在銅基板的另一面使用直寫(xiě)曝光機(jī)曝光制作好的反面曝光資料，形成與通孔配合的反面標(biāo)記點(diǎn)mark ;
[0017]8)使用對(duì)位CCD相機(jī)，啟用圖形處理算法，將步驟5)所述通孔及其配合的反面標(biāo)記點(diǎn)mark分別移動(dòng)到(XD中心；
[0018]9)記錄步驟8)所述反面標(biāo)記點(diǎn)mark和通孔圓心的平臺(tái)坐標(biāo)分別為(x3，y3)和(x4，y4)，計(jì)算反面曝光對(duì)位誤差，如下式所示:
[0019]Δ x2 = x 3-χ4
[0020]Δ y2= y 3-y4
[0021]其中Λ χ2為反面標(biāo)記點(diǎn)mark和通孔圓心的平臺(tái)坐標(biāo)在X方向上的反面曝光對(duì)位誤差，Δ y2為反面標(biāo)記點(diǎn)mark和通孔圓心的平臺(tái)坐標(biāo)在Y方向上的反面曝光對(duì)位誤差；
[0022]10)正反面曝光得出的對(duì)位誤差值都是基于通孔的，根據(jù)翻面的方式不同分別計(jì)算對(duì)位精度，其中左右翻面方式的對(duì)位精度為:
[0023]Δ X =Δ χ!+ Δ χ2
[0024]Δ y =Δ Y1- Δ y2
[0025]所述上下翻面方式的對(duì)位精度為:
[0026]Δ X =Δ Xf Δ χ2
[0027]Δ y =Δ yj+ Δ y2
[0028]其中Λ χ為正反面曝光在X方向上的對(duì)位精度，Δ y為正反面曝光在Y方向上的對(duì)位精度。
[0029]優(yōu)選地，所述銅基板為任意厚度的基板。
[0030]由以上技術(shù)方案可知，本發(fā)明通過(guò)在帶通孔的銅基板的正反面分別曝光形成標(biāo)記點(diǎn)mark，獲取標(biāo)記點(diǎn)mark和通孔圓心的坐標(biāo)，通過(guò)坐標(biāo)計(jì)算對(duì)位誤差值，然后根據(jù)翻面方式的不同分別計(jì)算對(duì)位精度，正反面曝光后計(jì)算都是基于通孔的差值，可根據(jù)設(shè)計(jì)需要測(cè)量銅基板上任意一個(gè)點(diǎn)的對(duì)位精度，測(cè)量更全面、高效，本發(fā)明適用于曝光機(jī)PCB制板領(lǐng)域，調(diào)試成本低，易操作，可針對(duì)任意厚度的銅基板進(jìn)行測(cè)量。
【附圖說(shuō)明】
[0031]圖1為本發(fā)明的方法流程圖。
【具體實(shí)施方式】
[0032]下面結(jié)合附圖對(duì)本發(fā)明的一種優(yōu)選實(shí)施方式作詳細(xì)的說(shuō)明。
[0033]本發(fā)明提供一種激光直寫(xiě)曝光機(jī)內(nèi)層對(duì)位精度的測(cè)量方法，所需工具為帶通孔的銅基板、干膜、壓膜機(jī)、計(jì)算機(jī)及繪制曝光圖形的工具，其實(shí)現(xiàn)方式是:在帶通孔的銅基板正反面壓上干膜；制作曝光圖形，曝光圖形上的標(biāo)記點(diǎn)mark是基于銅基板鉆孔圖，標(biāo)記點(diǎn)mark與通孔是同心圓；在壓膜的銅基板的正面曝光標(biāo)記點(diǎn)mark，然后使用C⑶相機(jī)及圖像處理算法分別得出通孔和mark的中心平臺(tái)坐標(biāo)，從而得出正面對(duì)位差；同理可以得出反面對(duì)位差，從而計(jì)算出正反面曝光對(duì)位精度。
[0034]結(jié)合附圖1對(duì)本發(fā)明的測(cè)量方法進(jìn)行詳細(xì)描述，具體步驟如下:
[0035]1)使用帶通孔的銅基板，基于銅基板通孔圖制作曝光圖形；
[0036]2)制作正、反面曝光資料；
[0037]3)使用壓膜機(jī)在銅基板的正反兩面壓上干膜；
[0038]4)在銅基板的一面使用直寫(xiě)曝光機(jī)曝光制作好的正面曝光資料，形成與通孔配合的正面標(biāo)記點(diǎn)mark ；
[0039]5)使用對(duì)位(XD相機(jī)，啟用圖形處理算法，將任一通孔及其配合的正面標(biāo)記點(diǎn)mark分別移動(dòng)到CCD中心；
[0040]6)記錄步驟5)所述正面標(biāo)記點(diǎn)mark和通孔圓心的平臺(tái)坐標(biāo)分別為(x:，和(x2，y2)，計(jì)算正面曝光對(duì)位誤差，如下式所示:
[0041 ] Λχ1=χ1-χ2
[0042]Λ y ry2
[0043]其中Λ Xi為正面標(biāo)記點(diǎn)mark和通孔圓心的平臺(tái)坐標(biāo)在X方向上的正面曝光對(duì)位誤差，Δ yi為正面標(biāo)記點(diǎn)mark和通孔圓心的平臺(tái)坐標(biāo)在Y方向上的正面曝光對(duì)位誤差；
[0044]7)將銅基板進(jìn)行左右或上下翻面，在銅基板的另一面使用直寫(xiě)曝光機(jī)曝光制作好的反面曝光資料，形成與通孔配合的反面標(biāo)記點(diǎn)mark ;
[0045]8)使用對(duì)位CCD相機(jī)，啟用圖形處理算法，將步驟5)所述通孔及其配合的反面標(biāo)記點(diǎn)mark分別移動(dòng)到(XD中心；
[0046]9)記錄步驟8)所述反面標(biāo)記點(diǎn)mark和通孔圓心的平臺(tái)坐標(biāo)分別為(x3，y3)和(x4，y4)，計(jì)算反面曝光對(duì)位誤差，如下式所示:
[0047]Δ x2 = χ 3-x4
[0048]Δ y2= y 3-y4
[0049]其中Λ x2為反面標(biāo)記點(diǎn)mark和通孔圓心的平臺(tái)坐標(biāo)在X方向上的反面曝光對(duì)位誤差，Δ y2為反面標(biāo)記點(diǎn)mark和通孔圓心的平臺(tái)坐標(biāo)在Y方向上的反面曝光對(duì)位誤差；
[0050]10)正反面曝光得出的對(duì)位誤差值都是基于通孔的，根據(jù)翻面的方式不同分別計(jì)算對(duì)位精度，其中左右翻面方式的對(duì)位精度為:
[0051]Δ χ =Δ χ!+ Δ χ2
[0052]Δ y =Δ yj- Δ y2
[0053]所述上下翻面方式的對(duì)位精度為:
[0054]Δ χ =Δ χ!- Δ χ2
[0055]Δ y =Δ yj+ Δ y2
[0056]其中Λ χ為正反面曝光在X方向上的對(duì)位精度，Δ y為正反面曝光在Y方向上的對(duì)位精度。
[0057]以上所述實(shí)施方式僅僅是對(duì)本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施方式進(jìn)行描述，并非對(duì)本發(fā)明的范圍進(jìn)行限定，在不脫離本發(fā)明設(shè)計(jì)精神的前提下，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員對(duì)本發(fā)明的技術(shù)方案作出的各種變形和改進(jìn)，均落入本發(fā)明的權(quán)利要求書(shū)確定的保護(hù)范圍內(nèi)。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種激光直寫(xiě)曝光機(jī)內(nèi)層對(duì)位精度的測(cè)量方法，其特征在于，包括如下步驟: 1)使用帶通孔的銅基板，基于銅基板通孔圖制作曝光圖形； 2)制作正、反面曝光資料； 3)使用壓膜機(jī)在銅基板的正反兩面壓上干膜； 4)在銅基板的一面使用直寫(xiě)曝光機(jī)曝光制作好的正面曝光資料，形成與通孔配合的正面標(biāo)記點(diǎn)mark ； 5)使用對(duì)位CCD相機(jī)，啟用圖形處理算法，將任一通孔及其配合的正面標(biāo)記點(diǎn)mark分別移動(dòng)到CCD中心； 6)記錄步驟5)所述正面標(biāo)記點(diǎn)mark和通孔圓心的平臺(tái)坐標(biāo)分別為(x:，和(x2，y2)，計(jì)算正面曝光對(duì)位誤差，如下式所示:八 Χ1= Χ 1_Χ2Δ y1= y !-y2 其中Λ Xl為正面標(biāo)記點(diǎn)mark和通孔圓心的平臺(tái)坐標(biāo)在X方向上的正面曝光對(duì)位誤差，Δ yi為正面標(biāo)記點(diǎn)mark和通孔圓心的平臺(tái)坐標(biāo)在Y方向上的正面曝光對(duì)位誤差； 7)將銅基板進(jìn)行左右或上下翻面，在銅基板的另一面使用直寫(xiě)曝光機(jī)曝光制作好的反面曝光資料，形成與通孔配合的反面標(biāo)記點(diǎn)mark ; 8)使用對(duì)位CCD相機(jī)，啟用圖形處理算法，將步驟5)所述通孔及其配合的反面標(biāo)記點(diǎn)mark分別移動(dòng)到CCD中心； 9)記錄步驟8)所述反面標(biāo)記點(diǎn)mark和通孔圓心的平臺(tái)坐標(biāo)分別為(x3，y3)和(x4，y4)，計(jì)算反面曝光對(duì)位誤差，如下式所示:Δ X2 — X 3_x4Δ y2= y 3_y4 其中Λ x2為反面標(biāo)記點(diǎn)mark和通孔圓心的平臺(tái)坐標(biāo)在X方向上的反面曝光對(duì)位誤差，Δ y2為反面標(biāo)記點(diǎn)mark和通孔圓心的平臺(tái)坐標(biāo)在Y方向上的反面曝光對(duì)位誤差； 10)正反面曝光得出的對(duì)位誤差值都是基于通孔的，根據(jù)翻面的方式不同分別計(jì)算對(duì)位精度，其中左右翻面方式的對(duì)位精度為:Δ X =Δ χ!+ Δ χ2 Δ y =Δ yr Δ y2 所述上下翻面方式的對(duì)位精度為: Δ X =Δ χ「Δ χ2Δ y =Δ Yi+ Δ y2 其中Λ χ為正反面曝光在X方向上的對(duì)位精度，Δ y為正反面曝光在Y方向上的對(duì)位精度。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的測(cè)量方法，其特征在于，所述銅基板為任意厚度的基板。
【專利摘要】本發(fā)明提供一種激光直寫(xiě)曝光機(jī)內(nèi)層對(duì)位精度的測(cè)量方法，適用于曝光機(jī)PCB制板領(lǐng)域，調(diào)試成本低，易操作，可針對(duì)任意厚度的銅基板進(jìn)行測(cè)量，其測(cè)量方法是通過(guò)在帶通孔的銅基板的正反面分別曝光形成標(biāo)記點(diǎn)mark，獲取標(biāo)記點(diǎn)mark和通孔圓心的坐標(biāo)，通過(guò)坐標(biāo)計(jì)算對(duì)位誤差值，然后根據(jù)翻面方式的不同分別計(jì)算對(duì)位精度，正反面曝光后計(jì)算都是基于通孔的差值，可根據(jù)設(shè)計(jì)需要測(cè)量銅基板上任意一個(gè)點(diǎn)的對(duì)位精度，測(cè)量更全面、高效。
【IPC分類】G03F7/20, G03F9/00
【公開(kāi)號(hào)】CN105278261
【申請(qǐng)?zhí)枴緾N201510816028
【發(fā)明人】陸敏婷
【申請(qǐng)人】合肥芯碁微電子裝備有限公司
【公開(kāi)日】2016年1月27日
【申請(qǐng)日】2015年11月20日