] 步驟S42,根據(jù)所述第一⑶和所述第二⑶的尺寸差異，通過所述氨氣濃度計算公 式計算所述光刻機機臺內(nèi)部的氨氣濃度。
[0026] 優(yōu)選地，所述步驟S41中，統(tǒng)計所述光刻機機臺內(nèi)部不同的氨氣濃度及其所對應(yīng) 的光阻圖形CD變化值，具體方法為：
[0027] 暫停所述光刻機的生產(chǎn)作業(yè)，采樣所述光刻機機臺內(nèi)部的氨氣并測試其濃度；
[0028] 恢復(fù)所述光刻機的生產(chǎn)作業(yè)，采用光刻工藝，分別得到受到所述光刻機機臺內(nèi)部 的氨氣影響的測試光阻圖形和未受到所述光刻機機臺內(nèi)部的氨氣影響的對比光阻圖形；
[0029] 分別對所述測試光阻圖形和所述對比光阻圖形進行CD量測，得到測試光阻圖形 ⑶和對比光阻圖形⑶；
[0030] 計算所述測試光阻圖形CD和所述對比光阻圖形CD的尺寸差異，以得到所述光阻 圖形CD變化值；
[0031] 多次重復(fù)上述方法，以得到所述光刻機機臺內(nèi)部不同的氨氣濃度及其所對應(yīng)的光 阻圖形⑶變化值。
[0032] 優(yōu)選地，采用光刻工藝得到受到所述光刻機機臺內(nèi)部的氨氣影響的測試光阻圖 形，具體方法為：提供一測試晶圓，在所述測試晶圓上形成光阻；在所述光刻機機臺內(nèi)部的 曝光單元，對所述光阻進行曝光，得到曝光后的圖形；預(yù)設(shè)曝光后烘烤時間，根據(jù)所述曝光 后烘烤時間，控制曝光后的圖形在所述光刻機機臺內(nèi)部移動及滯留，以使所述曝光后的圖 形與所述光刻機機臺內(nèi)部的氨氣進行反應(yīng)；繼續(xù)對所述曝光后的圖形進行曝光后烘烤和顯 影，得到所述測試光阻圖形。
[0033] 優(yōu)選地，所述曝光后烘烤時間至少為3min，其對應(yīng)的所述曝光后的圖形在所述光 刻機機臺內(nèi)部移動及滯留的時間包括：將所述曝光后的圖形從所述光刻機機臺內(nèi)部的曝光 單元移動到所述光刻機機臺內(nèi)部出風口的時間，將所述曝光后的圖形滯留在所述光刻機機 臺內(nèi)部出風口的時間，以及將所述曝光后的圖形從所述光刻機機臺內(nèi)部出風口再移動到所 述光刻機機臺內(nèi)部的曝光后烘烤單元的時間。
[0034] 優(yōu)選地，將所述曝光后的圖形滯留在所述光刻機機臺內(nèi)部出風口的時間至少為 lmin，以使所述曝光后的圖形與所述光刻機機臺內(nèi)部的氨氣充分反應(yīng)。
[0035] 優(yōu)選地，所述曝光后烘烤延遲時間與所述反應(yīng)時間相同。
[0036] 優(yōu)選地，采用光刻工藝得到未受到所述光刻機機臺內(nèi)部的氨氣影響的對比光阻圖 形，具體方法為：提供一對比晶圓，在所述對比晶圓上形成光阻，在所述光刻機機臺內(nèi)部的 曝光單元，對所述光阻進行曝光，得到曝光后的圖形；繼續(xù)對所述曝光后的圖形進行曝光后 烘烤和顯影，得到所述對比光阻圖形。
[0037] 優(yōu)選地，所述步驟S41中，所述氨氣濃度計算公式為一次函數(shù)方程式，其通過對至 少五組所述氨氣濃度數(shù)據(jù)及其所對應(yīng)的所述光阻圖形CD變化值數(shù)據(jù)進行線性擬合而成。
[0038] 優(yōu)選地，所述步驟S3中，選取相同數(shù)量的所述第二區(qū)域和所述第一區(qū)域進行CD量 測，所述第二CD為各第二區(qū)域CD的均值，所述第一CD為各第一區(qū)域CD的均值。
[0039] 優(yōu)選地，所述光阻為ESCAP類光阻。
[0040] 本發(fā)明還提供一種控制光刻工藝中圖形CD的方法，其中，所述控制光刻工藝中圖 形⑶的方法至少包括如下步驟：
[0041] 采用上述的氨氣濃度偵測方法，以預(yù)定的時間間隔，偵測光刻機機臺內(nèi)部的氨氣 濃度；
[0042] 在偵測得到的所述光刻機機臺內(nèi)部的氨氣濃度超過預(yù)設(shè)的氨氣濃度時，調(diào)節(jié)所述 光刻機機臺內(nèi)部的氨氣濃度，以在對下一批次的晶圓進行光刻工藝時，減小所述光刻機機 臺內(nèi)部的氨氣對曝光后的光阻的影響，從而控制光刻工藝中的圖形CD。
[0043] 優(yōu)選地，所述預(yù)定的時間間隔為前一批次的晶圓完成光刻工藝后，后一批次的晶 圓進行光刻工藝前。
[0044] 如上所述，本發(fā)明的氨氣濃度偵測方法和控制光刻工藝中圖形CD的方法，具有以 下有益效果：
[0045] 首先，本發(fā)明的氨氣濃度偵測方法采用量測CD的方法偵測光刻機機臺內(nèi)部的氨 氣濃度，結(jié)合現(xiàn)有的CD量測方法，考量了光刻機機臺內(nèi)部的氨氣濃度的分布情況，同時減 少了其他干擾因素，從而使測得的光刻機機臺內(nèi)部的氨氣濃度值更為準確；另外，本發(fā)明的 氨氣濃度偵測方法可以通過設(shè)計JOB直接進入光刻機機臺進行作業(yè)，在FAB正常的生產(chǎn)過 程中便可進行，無需暫停光刻機機臺的生產(chǎn)作業(yè)，對光刻機機臺生產(chǎn)作業(yè)的影響降到了最 低，可以經(jīng)常進行偵測。
[0046] 其次，本發(fā)明的控制光刻工藝中圖形CD的方法，以預(yù)定的時間間隔，采用上述的 氨氣濃度偵測方法偵測光刻機機臺內(nèi)部的氨氣濃度，偵測結(jié)果較為精確，根據(jù)該偵測結(jié)果， 能夠更好地控制光刻機機臺內(nèi)部的氨氣濃度，避免進行光刻工藝時曝光后的光阻受其影 響，從而控制圖形CD的變化，避免晶圓缺陷的產(chǎn)生。
[0047] 再次，本發(fā)明操作簡單，易于實現(xiàn)，且普遍性較強，可應(yīng)用于其他相同類型的機臺。
【附圖說明】
[0048] 圖1顯示為本發(fā)明現(xiàn)有技術(shù)中晶圓在光刻機機臺內(nèi)部曝光的流程示意圖。
[0049] 圖2顯示為本發(fā)明現(xiàn)有技術(shù)中的晶圓缺陷電鏡掃描對比圖。
[0050] 圖3顯示為本發(fā)明實施例中的氨氣濃度偵測方法的流程示意圖。
[0051] 圖4顯示為本發(fā)明實施例中形成的光阻圖形示意圖。
[0052] 圖5顯示為本發(fā)明實施例中兩次曝光后的圖形的移動過程示意圖。
[0053] 圖6顯示為本發(fā)明實施例中氨氣濃度及其對⑶影響的示例性圖像。
[0054] 元件標號說明
[0055] 1 晶圓
[0056] 11 第一區(qū)域
[0057] 12 第二區(qū)域
[0058] S1 ~S4 步驟
【具體實施方式】
[0059] 以下通過特定的具體實例說明本發(fā)明的實施方式，本領(lǐng)域技術(shù)人員可由本說明書 所揭露的內(nèi)容輕易地了解本發(fā)明的其他優(yōu)點與功效。本發(fā)明還可以通過另外不同的具體實 施方式加以實施或應(yīng)用，本說明書中的各項細節(jié)也可以基于不同觀點與應(yīng)用，在沒有背離 本發(fā)明的精神下進行各種修飾或改變。
[0060] 請參閱圖3,本發(fā)明的實施例涉及一種氨氣濃度偵測方法，用于偵測光刻機機臺內(nèi) 部的氨氣濃度。需要說明的是，本實施例中所提供的圖示僅以示意方式說明本發(fā)明的基本 構(gòu)想，遂圖式中僅顯示與本發(fā)明中有關(guān)的組件而非按照實際實施時的組件數(shù)目、形狀及尺 寸繪制，其實際實施時各組件的型態(tài)、數(shù)量及比例可為一種隨意的改變，且其組件布局型態(tài) 也可能更為復(fù)雜。
[0061] 本實施例的氣體濃度偵測方法至少包括：
[0062]步驟S1，提供一晶圓，在晶圓上形成光阻。
[0063] 步驟S2,圖形化光阻，形成光阻圖形；其中，光阻圖形具有至少一個受到光刻機機 臺內(nèi)部的氨氣影響的第一區(qū)域和至少一個未受到光刻機機臺內(nèi)部的氨氣影響的第二區(qū)域， 第一區(qū)域和第二區(qū)域均勻分布在晶圓上。
[0064] 步驟S3,選取至少一個第一區(qū)域和至少一個第二區(qū)域進行⑶量測，得到至少一個 第一CD和至少一個第二CD。
[0065] 步驟S4,根據(jù)第一⑶和第二⑶的尺寸差異，計算光刻機機臺內(nèi)部的氨氣濃度。 [0066] 其中，第二CD是通過量測未受到光刻機機臺內(nèi)部的氨氣影響的第二區(qū)域（或稱第 二shot)得到的，量測第二區(qū)域也即量測⑶U(⑶Uniformity，線寬均勻性⑶）；而第一⑶ 由于是通過量測受到光刻機機臺內(nèi)部的氨氣影響的第一區(qū)域（或稱第一Shot)得到的，因 此，其與CDU之間是存在尺寸差異的。
[0067]對于本實施例的步驟S2,其具體包括如下步驟：
[0068] 步驟S21，在光刻機機臺內(nèi)部，對光阻進行兩次曝光工藝，以區(qū)分受到光刻機機臺 內(nèi)部的氨氣影響的第一次曝光后的圖形和未受到光刻機機臺內(nèi)部的氨氣影響的第二次曝 光后的圖形。
[0069] 步驟S22,對兩次曝光后的圖形進行曝光后烘烤和顯影，以形成如圖4所示的光阻 圖形；其中，第一次曝光后的圖形形成光阻圖形的第一區(qū)域11，第二次曝光后的圖形形成 光阻圖形的第二區(qū)域12,第一區(qū)域11和第二區(qū)域12均至少為一個，各第一區(qū)域11和各第 二區(qū)域12均勻分布在晶圓1上。
[0070]在本實施例中，每個第一區(qū)域11和每個第二區(qū)域12的大小按照正常光刻工藝過 程中曝光區(qū)域的大小來曝光，也就是說，一片8寸的晶圓上具有間隔交錯排布的如圖4所示 的27個第一區(qū)域11和27個第二區(qū)域12。如此一來，在偵測光刻機機臺內(nèi)部的氨氣濃度 時，就無須調(diào)整光刻工藝中的曝光制程，直接按照現(xiàn)有曝光制程進行操作即可，操作更為便 捷。此外，各第一區(qū)域11和各第二區(qū)域12均勻分布在晶圓1上，能夠保證各第一區(qū)域11 受到光刻機機臺內(nèi)部氨氣的影響能夠均勻體現(xiàn)在晶圓1上；在步驟S3中，選取位置均勻分 布的五個第一區(qū)域和五個第二區(qū)